技术总结
本发明涉及一种放电等离子烧结法制备多孔碳化硅陶瓷的方法，属于多孔陶瓷材料制备技术领域。该方法是通过以下步骤实现的：将碳化硅粉和去离子水混合，进行磁力搅拌加超声分散得混合浆料；将混合浆料进行球磨；球磨后的浆料放入真空干燥箱干燥，得碳化硅粉体；得到的粉体经过研磨、过筛之后，在自然环境中陈腐；将陈腐后的粉料放入模具中，在真空条件下、温度为1600‑1800℃、20‑50MPa条件下烧结5~15min，得产品。本发明利用碳化硅粉体，在没有添加造孔剂和烧结助剂的条件下，制备得到的多孔碳化硅陶瓷形状尺寸可控、孔隙率高、孔隙分布均匀且三维连通。它具有定向、互连的孔隙结构，开口孔隙率为30~80%，孔径为0.1~10μm，碳化硅颗粒之间通过液固烧结方式连接。
技术研发人员：李庆刚;王志;黄世峰;程新
受保护的技术使用者：济南大学
文档号码：201611122701
技术研发日：2016.12.08
技术公布日：2017.05.31