1.一种用于碳化硅单晶生长的籽晶处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
（1）在SiC籽晶背面涂覆聚合物，涂层厚度为5um-100um；
（2）将石墨纸的涂覆面与籽晶涂覆面相对放置于真空热压装置中，真空度保持在1pa-50000pa之间，加热升温至50℃-150℃，升温速率低于100℃/h；
（3）对石墨纸和籽晶施加压力，压强保持在1atm-10atm，并继续升温至200℃-300℃，升温速率低于100℃/h；
（4）把用聚合物粘接的籽晶和石墨纸放入碳化炉中，对籽晶施加压力，真空度保持在1Pa-50000Pa之间，按升温速率升温，逐步加热到1000℃至2000℃，使聚合物中小分子释放，逐步石墨化，在籽晶和石墨纸间形成致密没有孔洞的石墨过渡层；
（5）经上述处理后的籽晶通过机械方式固定在坩埚上盖上，使石墨纸紧贴坩埚上盖。
2.如权利要求1所述的籽晶处理方法，其特征在于，所述石墨纸替换为具有涂层石墨片。
3.如权利要求1或2所述的籽晶处理方法，其特征在于，所述步骤（1）中的聚合物含碳量高于50%，包括但不限于酚醛树脂、糠醛树脂、环氧树脂；所述SiC 籽晶的晶型包括4H、6H 、3C和15R 晶型。
4.如权利要求1或2所述的籽晶处理方法，其特征在于，所述石墨纸或所述具有涂层的石墨片为圆形，与籽晶涂覆面相对放置时圆心与籽晶圆心在同一条轴线上；所述石墨纸或所述具有涂层的石墨片的孔隙率小于1%，直径大于籽晶直径2mm-10mm。