技术总结
针对现有技术中存在的问题，本发明提供了一种用于碳化硅单晶生长的籽晶处理方法，通过一步法使籽晶背面获得两层致密石墨层，石墨层在高温下能够保持稳定，从而抑制了籽晶背面升华的发生，从而消除了晶体生长过程中由背面升华导致的平面六方空洞缺陷，极大地提高了碳化硅晶体质量。该方法且易于实现、成本可控，具有突出的规模化应用前景。
技术研发人员：乔松;杨继胜;杨昆;高宇;郑清超
受保护的技术使用者：河北同光晶体有限公司
文档号码：201611125985
技术研发日：2016.12.09
技术公布日：2017.05.31