1.一种液相烧结SiC非线性电阻陶瓷制备方法，其特征在于，包括：
以SiC粉体、Al2O3粉体和Y2O3粉体为原料，制备得到浆料，所述Al2O3粉体的粒径小于1μm，所述Y2O3粉体的粒径小于1μm；
将所得浆料喷雾造粒、成型后得到坯体；
将所得坯体真空脱粘后于常压惰性气氛中，在1800～2000℃下烧结1～2小时，得到所述SiC非线性电阻陶瓷。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，将Al2O3粉体和Y2O3粉体均匀混合后，再加入SiC粉体，制备得到浆料。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述Al2O3粉体和Y2O3粉体为烧结助剂，所述烧结助剂占原料总质量的≥4且＜14wt%，优选为≥4且＜8wt%。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述Al2O3粉体和Y2O3粉体的质量比为（0.75～1.8）：1，优选为3：2。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述浆料中还包括粘结剂，所述粘结剂为聚乙烯醇PVA、聚乙烯醇缩丁醛PVB、酚醛树脂PF中的至少一种，所述粘结剂为原料总质量的2～5wt%。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述SiC粉体的粒径为0.1～1μm。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述成型的方式为干压成型或/和等静压成成型，优选为先干压成型后再进行等静压成型。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述干压成型的压力为15～100MPa，所述等静压的压力为150～210MPa。
9.一种根据权利要求1-8中任一项所述方法制备的SiC非线性电阻陶瓷，其特征在于，所述SiC非线性电阻陶瓷在电流密度0.1Acm-2时压敏电压U0.1A在0.4Vmm-1到1.7Vmm-1可控。
10.根据权利要求9所述的SiC非线性电阻陶瓷，其特征在于，所述SiC非线性电阻陶瓷的密度为3.10～3.30g•cm-3，抗弯强度为550～700Mpa，断裂韧性为7.1～8.0 MPam1/2。