技术总结
本发明涉及一种液相烧结SiC非线性电阻陶瓷及其制备方法，所述方法包括：以SiC粉体、Al2O3粉体和Y2O3粉体为原料，制备得到浆料，所述Al2O3粉体的粒径小于1μm，所述Y2O3粉体的粒径小于1μm；将所得浆料喷雾造粒、成型后得到坯体；将所得坯体真空脱粘后于常压惰性气氛中，在1800～2000℃下烧结1～2小时，得到所述SiC非线性电阻陶瓷。本发明采用液相烧结的方法制备的SiC非线性电阻陶瓷，由于引入低共熔稀土氧化物烧结助剂（Al2O3粉体和Y2O3粉体的粒径都小于1μm），可以实现较低烧结温度SiC陶瓷的致密化。
技术研发人员：陈健;黄政仁;陈军军;殷杰
受保护的技术使用者：中国科学院上海硅酸盐研究所
文档号码：201611131470
技术研发日：2016.12.09
技术公布日：2017.05.17