本发明属于陶瓷材料领域，特别涉及一种光敏陶瓷材料及其制备方法。
背景技术：
半导体陶瓷是指具有半导体特性、电导率约在10-6～105S/m的陶瓷。半导体陶瓷的电导率因外界条件（温度、光照、电场、气氛和温度等）的变化而发生显著的变化，因此可以将外界环境的物理量变化转变为电信号，制成各种用途的敏感元件。半导体陶瓷主要有热敏陶瓷，光敏陶瓷，气敏陶瓷和湿敏陶瓷。其中光敏陶瓷主要是半导体陶瓷，其导电机理分为本征光导和杂质光导。对本征半导体陶瓷材料，当入射光子能量大于或等于禁带宽度时，价带顶的电子跃迁至导带，而在价带产生空穴，这一电子-空穴对即为附加电导的载流子，使材料阻值下降；对杂质半导体陶瓷，当杂质原子未全部电离时，光照能使未电离的杂质原子激发出电子或空穴，产生附加电导，从而使阻值下降。不同波长的光子具有不同的能量，因此，一定的陶瓷材料只对应一定的光谱产生光导效应，所以有紫外（0.1-0.4μm）、可见光（0.4～0.76μm）和红外（0.76～3μm）光敏陶瓷。由此也造成了传统光敏陶瓷在光谱方面较窄，且灵敏度还有待进一步提升等不足。
技术实现要素：
针对上述缺陷，本发明的目的是提供一种光敏陶瓷材料及其制备方法，通过加入多种成分，以提高陶瓷材料的灵敏度以及拓宽陶瓷的光谱范围。
本发明的目的可以通过以下技术方案实现：
一种光敏陶瓷材料，由下列重量组份的各物质组成：氯化锌3-8份、硫化铅5-10份、碳化硅10-15份、碳酸钡3-6份、硫化铜2-5份、氧化钴1-3份、铬酸铅2-5份、氟化锡0.5-2份、二氧化铱1-3份、氯化铟2-4份、3,7-二甲基-3-辛醇15-30份。
优选的，所述氯化锌4-7份、硫化铅6-9份、碳化硅11-14份、碳酸钡4-6份、硫化铜3-5份、氧化钴1.5-2.5份、铬酸铅2-4份、氟化锡1-2份、二氧化铱2-3份、氯化铟3-4份、3,7-二甲基-3-辛醇24-28份。
优选的，所述氯化锌5份、硫化铅8份、碳化硅12份、碳酸钡5份、硫化铜4份、氧化钴2份、铬酸铅3份、氟化锡1.5份、二氧化铱2.5份、氯化铟3.5份、3,7-二甲基-3-辛醇25份。
一种光敏陶瓷材料的制备方法，包括如下步骤：
S1：将氯化锌3-8份、硫化铅5-10份、碳化硅10-15份、碳酸钡3-6份、硫化铜2-5份、氧化钴1-3份、铬酸铅2-5份、氟化锡0.5-2份、二氧化铱1-3份、氯化铟2-4份粉碎至50-100目后，放入搅拌机中混合搅拌至均匀；
S2：随后向步骤S1中加入3,7-二甲基-3-辛醇15-30份，以升温速率2-4℃/min升温至80-100℃，边搅拌边反应30-50min；
S3：将步骤S2中所得混合物放入烧结炉中在250-350℃下反应5-10min；随后以5-10℃/min升温至600-800℃，并保温反应15-25min；再以3-5℃/min升温至1150-1300℃，保温反应1-2.5h；待反应结束、冷却后即可得到所述光敏陶瓷材料。
优选的，步骤S1中粉碎至60-80目；搅拌速度为1000-1200rpm。
优选的，步骤S2中所述升温速率为3℃/min，升温至95℃，以速率800-1000r/min搅拌反应45min。
优选的，步骤S3中所得混合物放入烧结炉中在300℃下反应8min；随后以7℃/min升温至700℃，并保温反应20min；再以4℃/min升温至1200℃，保温反应2h。
本发明与现有技术相比，其有益效果为：
本发明所述一种光敏陶瓷材料的制备方法，通过加入铬酸铅、氟化锡、二氧化铱、氯化铟等物质，掺入铅、锡、铱、铟离子，使其起敏化中心的作用，进而提高陶瓷的灵敏度；同时还可烧结成多晶型光敏导体，形成不同比例的固溶体，因而可制得峰值波长在750-1300nm连续变化的光敏陶瓷，拓宽了陶瓷材料的光谱范围。
具体实施方式
以下结合实施例对本发明作进一步的说明。
实施例1
S1：将氯化锌3份、硫化铅5份、碳化硅10份、碳酸钡3份、硫化铜2份、氧化钴1份、铬酸铅2份、氟化锡0.5份、二氧化铱1份、氯化铟2份粉碎至50目后，放入搅拌机中以1000rpm混合搅拌至均匀；
S2：随后向步骤S1中加入3,7-二甲基-3-辛醇15份，以升温速率2℃/min升温至80℃，以速率800r/min边搅拌边反应30min；
S3：将步骤S2中所得混合物放入烧结炉中在250℃下反应5min；随后以5℃/min升温至600℃，并保温反应15min；再以3℃/min升温至1150℃，保温反应1h；待反应结束、冷却后即可得到所述光敏陶瓷材料。
经检测，该陶瓷材料的暗电阻85MΩ，亮电阻2KΩ，峰值波长为750-1000nm。
对比例1
S1：将氯化锌3份、硫化铅5份、碳化硅10份、碳酸钡3份、硫化铜2份、氧化钴1份粉碎至50目后，放入搅拌机中以1000rpm混合搅拌至均匀；
S2：随后向步骤S1中加入3,7-二甲基-3-辛醇15份，以升温速率2℃/min升温至80℃，以速率800r/min边搅拌边反应30min；
S3：将步骤S2中所得混合物放入烧结炉中在250℃下反应5min；以3℃/min升温至1150℃，保温反应1h；待反应结束、冷却后即可得到所述陶瓷材料。
经检测，该陶瓷材料的暗电阻40MΩ，亮电阻15KΩ，峰值波长为450-750nm。
实施例2
S1：将氯化锌8份、硫化铅10份、碳化硅15份、碳酸钡6份、硫化铜5份、氧化钴3份、铬酸铅5份、氟化锡2份、二氧化铱3份、氯化铟4份粉碎至100目后，放入搅拌机中以1200rpm混合搅拌至均匀；
S2：随后向步骤S1中加入3,7-二甲基-3-辛醇30份，以升温速率4℃/min升温至100℃，以速率1000r/min边搅拌边反应50min；
S3：将步骤S2中所得混合物放入烧结炉中在350℃下反应10min；随后以10℃/min升温至800℃，并保温反应25min；再以5℃/min升温至1300℃，保温反应2.5h；待反应结束、冷却后即可得到所述光敏陶瓷材料。
经检测，该陶瓷材料的暗电阻90MΩ，亮电阻1.3KΩ，峰值波长为800-1100nm。
对比例2
S1：将氯化锌8份、硫化铅10份、碳化硅15份、碳酸钡6份、硫化铜5份、氧化钴3份粉碎至100目后，放入搅拌机中以1200rpm混合搅拌至均匀；
S2：随后向步骤S1中加入3,7-二甲基-3-辛醇30份，以升温速率4℃/min升温至100℃，以速率1000r/min边搅拌边反应50min；
S3：将步骤S2中所得混合物放入烧结炉中在350℃下反应10min；以5℃/min升温至1300℃，保温反应2.5h；待反应结束、冷却后即可得到所述光敏陶瓷材料。
经检测，该陶瓷材料的暗电阻30MΩ，亮电阻19KΩ，峰值波长为500-700nm。
实施例3
S1：将氯化锌4份、硫化铅6份、碳化硅11份、碳酸钡4份、硫化铜3份、氧化钴1.5份、铬酸铅2份、氟化锡1份、二氧化铱2份、氯化铟3份粉碎至80目后，放入搅拌机中以1000rpm混合搅拌至均匀；
S2：随后向步骤S1中加入3,7-二甲基-3-辛醇24份，以升温速率2℃/min升温至80℃，以速率800r/min边搅拌边反应30min；
S3：将步骤S2中所得混合物放入烧结炉中在250℃下反应5min；随后以10℃/min升温至800℃，并保温反应25min；再以5℃/min升温至1200℃，保温反应2.5h；待反应结束、冷却后即可得到所述光敏陶瓷材料。
经检测，该陶瓷材料的暗电阻95MΩ，亮电阻0.9KΩ，峰值波长为900-1150nm。
实施例4
S1：将氯化锌7份、硫化铅9份、碳化硅14份、碳酸钡6份、硫化铜5份、氧化钴2.5份、铬酸铅4份、氟化锡2份、二氧化铱3份、氯化铟4份粉碎至100目后，放入搅拌机中以1200rpm混合搅拌至均匀；
S2：随后向步骤S1中加入3,7-二甲基-3-辛醇28份，以升温速率4℃/min升温至100℃，以速率1000r/min边搅拌边反应50min；
S3：将步骤S2中所得混合物放入烧结炉中在350℃下反应10min；随后以5℃/min升温至600℃，并保温反应20min；再以3℃/min升温至1250℃，保温反应1h；待反应结束、冷却后即可得到所述光敏陶瓷材料。
经检测，该陶瓷材料的暗电阻95MΩ，亮电阻0.75KΩ，峰值波长为800-1250nm。
实施例5
S1：将氯化锌5份、硫化铅8份、碳化硅12份、碳酸钡5份、硫化铜4份、氧化钴2份、铬酸铅3份、氟化锡1.5份、二氧化铱2.5份、氯化铟3.5份粉碎至80目后，放入搅拌机中以1150rpm混合搅拌至均匀；
S2：随后向步骤S1中加入3,7-二甲基-3-辛醇25份，以升温速率3℃/min升温至95℃，以速率900r/min边搅拌边反应45min；
S3：将步骤S2中所得混合物放入烧结炉中在300℃下反应8min；随后以7℃/min升温至700℃，并保温反应20min；再以4℃/min升温至1200℃，保温反应2h；待反应结束、冷却后即可得到所述光敏陶瓷材料。
经检测，该陶瓷材料的暗电阻100MΩ，亮电阻0.45KΩ，峰值波长为750-1300nm。
本发明不限于这里的实施例，本领域技术人员根据本发明的揭示，不脱离本发明范畴所做出的改进和修改都应该在本发明的保护范围之内。