技术特征：
技术总结
本发明涉及一种锗氮共掺的碳化硅单晶材料生长方法。该方法采用PVT法，在掺锗碳化硅体单晶生长过程中，将特定比例的氮气通入生长气氛中，通入氩气作为载气压力控制在700～850mbar，氩气流量为15‑30sccm，氮气流量为0.5‑2sccm；得到锗氮共掺杂的碳化硅单晶。一方面实现了高浓度锗元素的掺杂；另一方面，通过调节锗氮两种元素的特定掺杂浓度，达到增加碳化硅晶格适配度，降低晶体应力，提高晶体质量的目的。拓展碳化硅晶体材料在可见光和红外光波段的应用。
技术研发人员：陈秀芳;李天;徐现刚;胡小波
受保护的技术使用者：山东大学
技术研发日：2017.04.10
技术公布日：2017.07.21