本实用新型涉及一种炉盖，具体为一种单晶硅炉炉盖。
背景技术：
单晶硅炉是通过直拉法生产单晶硅的制造设备，主要由炉体、副室和盖子等组成，传统的单晶硅炉炉盖仅仅对单晶硅炉起到一定的保护作用，实用效果不大，并且设有的抽真空管容易在抽真空的过程中因为气密性不好造成真空压力不够，并且操作者难以将炉内的真空压力控制在合适的范围内，对于对真空压力值要求非常精准的单晶硅生长来说，十分不利，并且如果炉内的温度阶梯控制不佳，也会影响单晶硅生产的效率和品质，因此我们对此做出改进，提出一种单晶硅炉炉盖。
技术实现要素：
为解决现有技术存在的单晶硅炉炉盖结构单一、功能简单的缺陷，本实用新型提供一种单晶硅炉炉盖。
为了解决上述技术问题，本实用新型提供了如下的技术方案：
本实用新型一种单晶硅炉炉盖，包括盖体、副室连接法兰和真空球，所述盖体的底端固定设有固定圈，所述盖体顶端的中心固定设有连接管，所述连接管的一侧安装有翻板阀，所述连接管的顶端固定设有副室连接法兰，所述盖体一侧的外壁固定设有抽真空管，所述抽真空管的顶端固定连接有真空球，所述真空球的内壁上安装有真空传感器，所述真空球的顶端设有抽真空口，所述盖体另一侧的外壁依次固定设有三个温度检测管，三个所述温度检测管内部均安装有温度检测仪，所述盖体正面的中部开设有观察槽，所述盖体的外壁上安装有显示屏,所述显示屏与真空传感器电性连接。
进一步的，所述真空传感器的连接线穿过真空球与显示屏电性连接，所述连接线与真空球的连接处设有密封圈。
进一步的，所述温度检测仪的耐热温度大于500度，三个所述温度检测仪的探针均置于盖体内部，且三个温度检测仪的固定高度不同。
进一步的，所述观察槽内部安装有耐高温玻璃。
进一步的，所述盖体的外壁上安装有开关，所述显示屏通过开关与外接电源电性连接。
与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：该种单晶硅炉炉盖，抽真空口通过真空球与盖体连接的设计，可以避免抽真空时连接不紧密造成的真空压力不足，提高抽真空的效果；设有的真空传感器可以时刻检测盖体内部的真空压力，通过显示屏将真空压力值直观的显示出来，便于操作者将炉内的真空压力控制在准确的范围内，提高单晶硅的品质；设有的三个温度检测仪可以时刻检测出炉内的温度梯度，便于操作者控制温度，提高单晶硅的生产效率；设有的观察槽可以供操作者观察单晶硅的生长状况，便于作出及时的调整。
附图说明
图1是本实用新型一种单晶硅炉炉盖的结构示意图；
图2是本实用新型一种单晶硅炉炉盖的局部剖面结构示意图。
图中：1、盖体；2、固定圈；3、连接管；4、副室连接法兰；5、翻板阀；6、观察槽；7、耐高温玻璃；8、抽真空管；9、真空球；10、抽真空口；11、显示屏；12、温度检测管；13、温度检测仪；14、开关；15、真空传感器。
具体实施方式
为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本实用新型。
如图1-2所示，一种单晶硅炉炉盖，包括盖体1、副室连接法兰4和真空球9，盖体1的底端固定设有固定圈2，盖体1顶端的中心固定设有连接管3，连接管3的一侧安装有翻板阀5，连接管3的顶端固定设有副室连接法兰4，盖体1一侧的外壁固定设有抽真空管8，抽真空管8的顶端固定连接有真空球9，真空球9的内壁上安装有真空传感器15，真空球9的顶端设有抽真空口10，盖体1另一侧的外壁依次固定设有三个温度检测管12，三个温度检测管12内部均安装有温度检测仪13，盖体1正面的中部开设有观察槽6，盖体1的外壁上安装有显示屏11,显示屏11与真空传感器15电性连接。
其中，真空传感器15的连接线穿过真空球9与显示屏11电性连接，连接线与真空球9的连接处设有密封圈，在抽真空时，避免真空球9的内部气压受到外界气压的影响。
其中，温度检测仪13的耐热温度大于500度，三个温度检测仪13的探针均置于盖体1内部，且三个温度检测仪13的固定高度不同，可以准确测量炉内的温度梯度，便于操作者灵活调控温度。
其中，观察槽6内部安装有耐高温玻璃7，操作者仅从观察槽6即可时刻观察炉内的单晶硅生长状况，便于及时的作出温度、压力等条件的调整。
其中，盖体1的外壁上安装有开关14，显示屏11通过开关14与外接电源电性连接，显示屏11可以时刻将真空传感器检测到的真空压力值显示出来，便于操作者观察和调整抽真空的速度。
需要说明的是，本实用新型为一种单晶硅炉炉盖，具体操作时，操作者可以将盖体1底部的固定圈2安装在单晶硅炉的顶部，然后通过副室连接法兰4将单晶硅炉的副室安装上，这样就形成一个完整的单晶硅炉；操作者可以将多晶硅原料放置在单晶硅炉内部进行加热；过程中操作者可以将开关14打开，这样真空传感器15会检测出真空球9内部的真空压力，(真空球9与盖体1内部连通，所以气压一致)便于操作者控制抽真空的速度，实现将炉内的真空压力控制在一个准确的范围内；同时三个温度检测仪13会时刻检测出盖体1内部的温度梯度，便于操作者控制温度，从而提高单晶硅炉生产单晶硅的效率；在单晶硅生长的过程中，操作者可以通过观察槽6时刻观察单晶硅的生长状况，便于操作者作出及时的调整，实用性更高。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。