技术总结
本发明公开了一种晶体生长炉温度控制系统。该系统包括：三个加热器、温度检测器和主控制器；主控制器将通过温度检测器采集的晶体生长炉内不同高度处的温度值进行记录，并按照晶体生长炉内的空间划分为上下温度区域；将上温度区域内的平均温度值和设定炉内温度值进行对比，计算出上温度区域内的温度偏差值，通过PID算法，获得输出值，根据输出值控制上部加热器的电源功率输出值；同理，获得中部加热器的电源功率输出值和底部加热器的电源功率输出值。本发明通过对晶体生长炉内的温度分区进行独立的PID控制调节三个加热器，调节方便，调节精确度高，调节速度快，受热均匀，保证了晶体生长的可靠温度环境，且提高了晶体生长周期。
技术研发人员：蒋相站;吐尔迪·吾买尔
受保护的技术使用者：新疆工程学院
技术研发日：2018.01.24
技术公布日：2018.06.29