本实用新型属于MOCVD外延片生产技术领域，特别是一种提升外延片外圈亮度的石墨盘。
背景技术：
MOCVD是指金属有机物化学气相沉积设备，目前广泛运用于Ⅲ-Ⅴ化合物半导体薄膜材料的生长。生长机理为：生长用的有机源通过载气带入反应室，适当的温度和压力下，在衬底表面进行反应，形成所需的薄膜材料。石墨盘作为衬底的载片设备，由高纯度石墨制成，并在表面包裹高质量的SiC镀层。加热单元在石墨盘下方。
目前R6机型MOCVD外延石墨盘的设计为：31个4寸片槽由中心向外均匀分布在石墨盘表面，共计分为4圈，第一圈(A圈)为中心区域，1个片槽。第二圈(B圈)有6个片槽，第三圈(C圈)12个片槽，第四圈(D圈)12个片槽。每个片槽设计一致。由于D圈在最外侧，受外侧石墨盘导热效应影响，外圈外延片边缘温度偏高，容易造成D圈外侧边缘结晶质量下降及波长偏短，影响D圈整片的亮度和波长均匀性。由于目前下游芯片及封装企业对单片波长的均匀性及亮度要求较高，按目前原厂设计的石墨盘，D圈产出的外延片波长均匀性及亮度指标不能满足客户需求，造成公司产品的积压，对公司的运营状况不利。
从目前正常原厂石墨盘产出的外延片分析看，D圈外延片外侧边缘波长相比中心波长要偏低15nm左右，外侧边缘亮度比中心区域偏低10％左右，由于是边缘局部异常，通过程序及温场的修改无法消除。如能通过改造石墨盘，达到改善波长均匀性及提高亮度，即可极大的提高外延片的出货率。
技术实现要素：
本实用新型目的在于针对以上的问题，提供一种提升MOCVD R6机型4寸外延片亮度的石墨盘。
本实用新型的技术方案：
一种提升外延片外圈亮度的石墨盘，为圆形石墨盘1，在圆形石墨盘1上表面设有自中心向外周均匀分布的片槽2，片槽2上设有半环形凹槽3；所述的半环形凹槽3的朝向为石墨盘1的外侧边缘，半环形凹槽3的深度为10～5000μm，半环形凹槽3宽度为1000～20000μm。
本实用新型的有益效果：本实用新型的石墨盘可使D圈的衬底片在靠近外侧边缘的地方实现悬空，减少与石墨盘的接触，从而实现外侧边缘的局部生长温度降低，提高结晶质量，实现提升亮度及改善波长均匀性。通过选择半环形凹槽的宽度及深度，可以调节D圈外侧的局部生长温度，进一步提高D圈外延片的结晶质量，实现提升亮度以及改善波长均匀性。
附图说明
图1为本实用新型石墨盘的俯视示意图。
图2为本实用新型石墨盘的外圈单个片槽的正面放大示意图。
图3为本实用新型石墨盘的外圈单个片槽的剖视示意图。
图中：1石墨盘；2片槽；3半圆形凹槽；4加热单元。
具体实施方式
以下结合附图和技术方案，进一步说明本实用新型的具体实施方式。
如图1所示，在石墨盘1上由内向外分4圈均匀分布31个圆形片槽：第一圈中心区域1个片槽；第二圈6个，第三圈12个，第四圈12个。
如图3所示，在石墨盘下方有加热单元4。
如图2所示，在外圈片槽2内设置半圆形环状凹槽3。环状凹槽的深度为10～5000微米，半环形凹槽宽度为1000～20000微米。
实施例
一种提升外延片外圈亮度的石墨盘，为圆形石墨盘1，在圆形石墨盘1上表面设有自中心向外周均匀分布的片槽2，片槽2上设有半环形凹槽3；所述的半环形凹槽3的朝向为石墨盘1的外侧边缘，半环形凹槽3的深度为10～5000微米，半环形凹槽3宽度为1000～20000微米。