技术特征：
技术总结
本发明属于半导体材料技术领域，具体为一种大尺寸单晶β‑氧化镓纳米带结构及其制备方法，包括：首先在氮化镓薄膜表面镀上催化薄层；放置入化学气相沉积设备，先热退火覆盖催化薄层的氮化镓薄膜；然后通过热氧化生长方法，在少氧条件下于氮化镓薄膜上先生长出{‑201}单晶氧化镓纳米线；再利用富镓/少氧的生长条件，在纳米线侧面实现选择性侧向从而生长获得大尺寸单晶β‑氧化镓纳米带。该制备方法工艺简单，普适性重复性好，不仅可以克服催化生长氧化镓纳米材料的晶相各异的缺点，且生长所得的氧化镓纳米带厚度可控，产量高，还可以稳定地转移到各类衬底上，用于各类新型氧化镓基器件的制备。
技术研发人员：方志来;蒋卓汛;吴征远;闫春辉;张国旗
受保护的技术使用者：深圳第三代半导体研究院
技术研发日：2019.04.02
技术公布日：2019.06.14