技术特征：
1.一种二维硒化钨的生长方法，其特征是，以硒化钨为靶材，加热；加热到目标温度时，通入保护气体，进行化学气相沉积，将硒化钨沉积在衬底上，生长完成后，迅速降温以阻止合成的硒化钨受到刻蚀，得到二维硒化钨；在加热过程中，从衬底向靶材通入保护气体。2.如权利要求1所述的二维硒化钨的生长方法，其特征是，所述衬底为sio2/si衬底。3.如权利要求1所述的二维硒化钨的生长方法，其特征是，所述保护气体为氩气。4.如权利要求1所述的二维硒化钨的生长方法，其特征是，在开始加热前，通入保护气体以清洗气路，保护气体的流动方向为从衬底向靶材方向。5.如权利要求4所述的二维硒化钨的生长方法，其特征是，在开始加热前，通入保护气体以清洗气路时，保护气体的流速为500sccm。6.如权利要求1-5任一项所述的二维硒化钨的生长方法，其特征是，在加热时，通入保护气体，保护气体的流速为80-120sccm。7.如权利要求1-5任一项所述的二维硒化钨的生长方法，其特征是，所述目标温度为1150℃，化学气相沉积的气压为标准大气压。8.如权利要求1-5任一项所述的二维硒化钨的生长方法，其特征是，进行化学气相沉积时，将保护气体从靶材吹扫向衬底，保护气体的气流速度为80-120sccm。9.如权利要求1-5任一项所述的二维硒化钨的生长方法，其特征是，硒化钨和衬底都放置在化学气相沉积的管式炉中，硒化钨置于管式炉的中部，衬底距离硒化钨的距离为19-25cm。10.如权利要求1-5任一项所述的二维硒化钨的生长方法，其特征是，迅速降温以阻止硒化钨沉积的方式为，将衬底所在的装置暴露在外界，以迅速降温。
技术总结
本发明属于材料技术领域，具体涉及一种二维硒化钨的生长方法，以硒化钨为靶材，加热；加热到目标温度时，通入保护气体，进行化学气相沉积，将硒化钨沉积在衬底上，生长完成后，迅速降温以阻止合成的硒化钨受到刻蚀，得到二维硒化钨；在加热过程中，从衬底向靶材通入保护气体；本申请的二维硒化钨可以通过控制温度，得到不同的晶体形态，且底层的硒化钨的尺寸较好；本申请的硒化钨晶体的均匀性较好，各层之间的耦合作用差异较大；两层硒化钨之间具有均匀的应变分布和层间耦合，二维硒化钨的整体质量较高。量较高。量较高。
技术研发人员：王广 吕志权 周溯媛 杨鸣 彭刚
受保护的技术使用者：中国人民解放军国防科技大学
技术研发日：2022.12.02
技术公布日：2023/3/21