、 H2022. 24重量份，去尚子水143. 58重量份。
[0077] 实施例3
[0078] 将1重量份的质量分数为55%的氢氟酸、15重量份的氟化钠、1重量份的质量分数 为69%的硝酸和400重量份的去离子水混合，得到处理液。
[0079] 实施例4
[0080] 将1重量份的质量分数为30%的氢氟酸、1重量份的氟化钾、1重量份的03和20 重量份的去离子水混合，得到处理液。
[0081] 实施例5
[0082] (1)将黑硅原料浸渍在体积比为1 :5的质量分数为49%的氢氟酸和去离子水的清 洗液中，在15°C下清洗5min，再用去离子水在40°C下水洗5min，得到待处理的黑硅。
[0083] (2)将待处理的黑硅浸渍在实施例1提供的处理液中，在30°C下反应5min，再用去 离子水在40°C下水洗5min，得到表面处理后的黑硅。
[0084] (3)将表面处理后的黑硅浸渍在体积比为1 :1 :10的质量分数为49%的氢氟酸、 质量分数为37%的盐酸和去离子水的混合酸溶液中，在15°C下酸洗5min，再用去离子水在 40°C下水洗5min，得到优化后的黑硅表面结构。
[0085] 采用Hitachi(日立）S-4800型扫描电镜对实施例5所用的黑硅原料表面结构及 得到的优化后的黑硅表面结构进行扫描电镜分析，分别得到扫描电镜照片如图4~5所示， 其中，图4为本发明实施例5所用的黑硅原料表面结构的扫描电镜图，图5为本发明实施例 5得到的优化后的黑硅表面结构的扫描电镜图。比较图4~5可知，采用本发明实施例5提 供的处理方法对黑硅表面结构的处理效果明显，能够有效降低黑硅表面复合。
[0086] 分别采用D8型反射率测试仪、Halm1-V型测试仪和NPC1-V型测试仪对实施例 5提供的处理方法处理前后的黑硅反射率、相应电池效率和相应组件功率进行检测，结果见 表3〇
[0087] 表3实施例5提供的处理方法处理前后的黑硅效果参数
[0089] 由表3可知，采用本发明实施例5提供的处理方法对黑硅表面结构进行处理，在保 证黑硅具有较低反射率的同时，能够提高电池效率和组件功率。
[0090] 实施例6
[0091] (1)将实施例5所用的黑硅原料浸渍在体积比为1 :5的质量分数为49%的氢氟酸 和去离子水的清洗液中，在15°C下清洗5min，再用去离子水在40°C下水洗5min，得到待处 理的黑硅。
[0092] (2)将待处理的黑硅浸渍在实施例2提供的处理液中，在20°C下反应lOmin，再用 去离子水在5°C下水洗lOmin，得到表面处理后的黑硅。
[0093] (3)将表面处理后的黑硅浸渍在体积比为1 :1 :10的质量分数为49%的氢氟酸、 质量分数为37%的盐酸和去离子水的混合酸溶液中，在5°C下酸洗lOmin，再用去离子水在 40°C下水洗5min，得到优化后的黑硅表面结构。
[0094] 对实施例6提供的处理方法处理后的黑硅的反射率、相应电池效率和相应组件功 率进行检测，结果表明，处理后的黑硅的反射率为10. 5,相应电池效率为19. 04%，相应组 件功率为271W。
[0095] 实施例7
[0096] (1)将实施例5所用的黑硅原料浸渍在体积比为1 :5的质量分数为49%的氢氟酸 和去离子水的清洗液中，在15°C下清洗5min，再用去离子水在40°C下水洗5min，得到待处 理的黑硅。
[0097] (2)将待处理的黑硅浸渍在实施例3提供的处理液中，在50°C下反应lmin，再用去 离子水在80°C下水洗5min，得到表面处理后的黑硅。
[0098] (3)将表面处理后的黑硅浸渍在体积比为1 :1 :10的质量分数为49%的氢氟酸、 质量分数为37%的盐酸和去离子水的混合酸溶液中，在20°C下酸洗lmin，再用去离子水在 40°C下水洗5min，得到优化后的黑硅表面结构。
[0099] 对实施例7提供的处理方法处理后的黑硅的反射率、相应电池效率和相应组件功 率进行检测，结果表明，处理后的黑硅的反射率为9. 5,相应电池效率为19. 03%，相应组件 功率为272W。
[0100] 实施例8
[0101] (1)将实施例5所用的黑硅原料浸渍在体积比为1 :5的质量分数为49%的氢氟酸 和去离子水的清洗液中，在15°C下清洗5min，再用去离子水在40°C下水洗5min，得到待处 理的黑硅。
[0102] (2)将待处理的黑硅浸渍在实施例4提供的处理液中，在30°C下反应5min，再用去 离子水在40°C下水洗lmin，得到表面处理后的黑硅。
[0103] (3)将表面处理后的黑硅浸渍在体积比为1 :1 :10的质量分数为49%的氢氟酸、 质量分数为37%的盐酸和去离子水的混合酸溶液中，在15°C下酸洗5min，再用去离子水在 40°C下水洗5min，得到优化后的黑硅表面结构。
[0104] 对实施例8提供的处理方法处理后的黑硅的反射率、相应电池效率和相应组件功 率进行检测，结果表明，处理后的黑硅的反射率为10,相应电池效率为19. 02%，相应组件 功率为271W。
[0105] 所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对 这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一 般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将 不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致 的最宽的范围。
【主权项】
1. 一种用于优化黑硅表面结构的处理液，其特征在于，包括以下组分： 刻蚀剂1重量份； 缓冲剂1重量份~15重量份； 氧化剂1重量份~15重量份； 水20重量份~400重量份； 所述刻蚀剂为氢氟酸。2. 根据权利要求1所述的处理液，其特征在于，所述缓冲剂包括氟化铵、氟化钠和氟化 钾中的一种或多种。3. 根据权利要求1所述的处理液，其特征在于，所述氧化剂包括Η202、03和HNO3中的一 种或多种。4. 一种用于优化黑硅表面结构的处理方法，其特征在于，包括以下步骤： 采用权利要求1~3任一项所述的处理液，将待处理的黑硅进行表面处理，得到优化后 的黑硅表面结构。5. 根据权利要求4所述的处理方法，其特征在于，所述表面处理的过程具体为： 将待处理的黑硅浸渍在所述处理液中进行反应，再经水洗，得到优化后的黑硅表面结 构。6. 根据权利要求5所述的处理方法，其特征在于，所述反应的温度为20°C~50°C，时间 为lmin~10min〇7. 根据权利要求5所述的处理方法，其特征在于，所述水洗的温度为5°C~80°C，时间 为lmin~10min〇8. 根据权利要求4所述的处理方法，其特征在于，所述进行表面处理后，还包括： 将表面处理后的黑硅进行酸处理，得到优化后的黑硅表面结构； 所述酸处理的过程具体为： 将表面处理后的黑硅浸渍在酸溶液中进行酸洗，再经水洗，得到优化后的黑硅表面结 构。9. 根据权利要求8所述的处理方法，其特征在于，所述酸洗的温度为5°C~20°C，时间 为lmin~10min〇10. 根据权利要求4所述的处理方法，其特征在于，所述进行表面处理前，还包括： 将黑硅原料进行预清洗，得到待处理的黑硅； 所述预清洗的过程具体为： 将黑硅原料浸渍在清洗液中进行清洗，再经水洗，得到待处理的黑硅。
【专利摘要】本发明提供了一种用于优化黑硅表面结构的处理液和处理方法，所述处理液包括以下组分：刻蚀剂1重量份；缓冲剂1重量份～15重量份；氧化剂1重量份～15重量份；水20重量份～400重量份；所述刻蚀剂为氢氟酸。本发明提供的处理液通过刻蚀剂、缓冲剂和氧化剂的协同作用，使处理液能够缓慢而均匀的对黑硅表面结构进行优化，去除黑硅表面损伤和悬挂键，降低黑硅表面结构的复合速率。本发明采用上述处理液将黑硅进行表面处理，得到优化后的黑硅表面结构，在保证黑硅具有较低反射率的同时，能够提高黑硅相应电池效率和相应组件功率。
【IPC分类】C30B33/10
【公开号】CN105274626
【申请号】CN201510651827
【发明人】刘长明, 金井升, 蒋方丹, 金浩
【申请人】浙江晶科能源有限公司, 晶科能源有限公司
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2015年10月10日