一种导电陶瓷复合材料的制作方法

文档序号:9640992阅读:395来源:国知局
一种导电陶瓷复合材料的制作方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及电子材料技术领域,具体涉及一种导电陶瓷复合材料。
【背景技术】
[0002]陶瓷材料的应用十分广泛,而且其种类繁多,其中在电子器件领域最著名的当属导电陶瓷材料。而导电陶瓷材料在现有技术中已有广泛报道,诸如分别以二氧化锡、二氧化钼、碳化硅、氧化锆、氧化钍等为主的导电陶瓷材料。众所周知,通常陶瓷不导电,是良好的绝缘体。例如在氧化物陶瓷中,原子的外层电子通常受到原子核的吸引力,被束缚在各自原子的周围,不能自由运动。所以氧化物陶瓷通常是不导电的绝缘体。然而,某些氧化物陶瓷加热时,处于原子外层的电子可以获得足够的能量,以便克服原子核对它的吸引力,而成为可以自由运动的自由电子,这种陶瓷就变成导电陶瓷。随着材料科学技术的发展,导电陶瓷材料的应用越来越广泛,但是在这些导电陶瓷材料的性能已不能满足目前的实际需要,亟需一种新型的导电陶瓷材料。
[0003]因此,针对上述问题,本发明提出了一种新的技术方案。

【发明内容】

[0004]本发明的目的是提供一种导电陶瓷复合材料。
[0005]本发明是通过以下技术方案来实现的:
一种导电陶瓷复合材料,包括以下重量份数的原料组成:氧化锆35~70份,氧化钍25-40份,碳化硅15~30份,氧化铁5~15份,氧化锌3~5份,纳米氧化钛5~20份,氧化钴
0.5-2.5份,硼酸钙5~15份,甘油2~6份,分散剂2~5份,抗磨剂1~5份和粘结剂2~8份。
[0006]进一步地,所述分散剂为十二烷基苯磺酸钠。
[0007]进一步地,所述抗磨剂为纳米石墨。
[0008]进一步地,所述粘结剂为聚乙稀醇。
[0009]本发明的有益效果是:本发明所提出的复合材料,在保证陶瓷材料性能的同时,有效地提高了其导电效果,同时,提高了其韧性以及耐磨性能,耐电蚀效果好,而且,导热性能优异,制备方法简单,具有广阔的市场前景。
【具体实施方式】
[0010]下面结合实施例对本发明做进一步地说明。
[0011]实施例1
一种导电陶瓷复合材料,包括以下重量份数的原料组成:氧化锆35份,氧化钍25份,碳化硅15份,氧化铁5份,氧化锌3份,纳米氧化钛5份,氧化钴0.5份,硼酸钙5份,甘油2份,十二烷基苯磺酸钠2份,纳米石墨1份和聚乙烯醇2份。
[0012]实施例2
一种导电陶瓷复合材料,包括以下重量份数的原料组成:氧化锆45份,氧化钍30份,碳化硅22份,氧化铁10份,氧化锌4份,纳米氧化钛12份,氧化钴.2份,硼酸钙10份,甘油4份,十二烷基苯磺酸钠3份,纳米石墨2.5份和聚乙烯醇4.5份。
[0013]实施例3
一种导电陶瓷复合材料,包括以下重量份数的原料组成:氧化锆70份,氧化钍40份,碳化硅30份,氧化铁15份,氧化锌5份,纳米氧化钛20份,氧化钴2.5份,硼酸钙15份,甘油6份,十二烷基苯磺酸钠5份,纳米石墨5份和聚乙烯醇8份。
[0014]本发明所提出的复合材料,在保证陶瓷材料性能的同时,有效地提高了其导电效果,同时,提高了其韧性以及耐磨性能,耐电蚀效果好,而且,导热性能优异,制备方法简单,具有广阔的市场前景。
[0015]以上所述,仅是本发明的实施例而已,并非是对本发明作任何其他形式的限制,而依据本发明所提出的实施例所作的任何修改或等同变化,仍属于本发明所要求保护的范围。
【主权项】
1.一种导电陶瓷复合材料,其特征在于:包括以下重量份数的原料组成:氧化锆35~70份,氧化钍25~40份,碳化硅15~30份,氧化铁5~15份,氧化锌3~5份,纳米氧化钛5~20份,氧化钴0.5-2.5份,硼酸钙5~15份,甘油2~6份,分散剂2~5份,抗磨剂1~5份和粘结剂2~8份。2.根据权利要求1所述一种导电陶瓷复合材料,其特征在于:所述分散剂为十二烷基苯磺酸钠。3.根据权利要求1所述一种导电陶瓷复合材料,其特征在于:所述抗磨剂为纳米石墨。4.根据权利要求1所述一种导电陶瓷复合材料,其特征在于:所述粘结剂为聚乙烯醇。
【专利摘要】本发明提出了一种导电陶瓷复合材料,其特征在于:包括以下重量份数的原料组成:氧化锆35~70份,氧化钍25~40份,碳化硅15~30份,氧化铁5~15份,氧化锌3~5份,纳米氧化钛5~20份,氧化钴0.5~2.5份,硼酸钙5~15份,甘油2~6份,分散剂2~5份,抗磨剂1~5份和粘结剂2~8份。本发明所提出的复合材料,在保证陶瓷材料性能的同时,有效地提高了其导电效果,同时,提高了其韧性以及耐磨性能,耐电蚀效果好,而且,导热性能优异,制备方法简单,具有广阔的市场前景。
【IPC分类】C04B35/49
【公开号】CN105399417
【申请号】CN201510774451
【发明人】符建豪
【申请人】太仓荣中机电科技有限公司
【公开日】2016年3月16日
【申请日】2015年11月13日
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