一种防止玻璃电熔钼电极氧化的装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种用于防止玻璃电熔钼电极氧化的装置，特别适用于熔制料性较短的玻璃的电熔窑。
【背景技术】
[0002]金属钼作为玻璃电熔窑的电极材料具有非常优越的性能，不仅耐高温，且耐腐蚀、耐冲刷，同时相对于铂金又具有较低的价格，目前金属钼在玻璃电熔方面得到广泛应用。但是金属钼作为高温电极材料也存在着致命的缺点，那就是在有氧的环境下极易被氧化，因此，当采用钼电极进行玻璃熔制时，采取怎样的方法防止钼电极被氧化成为一个至关重要的问题。
[0003]目前保护钼电极的主要方法有风冷、水冷和充氮气保护，针对不同的玻璃性质采取不同的保护方法。在采用冷却水包时，由于靠近水包部位的钼板冷却强度较大，对于一些料性较短的玻璃，当热玻璃液还没有将该部位钼电极完全包裹住时已经开始冷凝，造成电极根部没有被玻璃完全包裹住而造成电极氧化断裂。
【发明内容】
[0004]本实用新型要解决的技术问题是现有的钼电极的抗氧化处理方式不能满足钼电极的抗氧化要求。
[0005]为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是:一种防止玻璃电熔钼电极氧化的装置，包括金属圆环形电极保护套和封装保护层；所述金属圆环形电极保护套位于外设的钼电极根部且与钼电极同轴设置，其位于电极孔内且底部满焊连接在钼电极的冷却水包上；所述封装保护层为低熔点玻璃粉末层，其覆盖金属圆环形电极保护套并完全填充电极孔。
[0006]通过金属圆环形电极保护套的隔离作用，隔离了靠近水包部位的钼板，使得热玻璃液不会出现还没有将该部位钼电极完全包裹住时已经开始冷凝的现象，避免了造成电极根部没有被玻璃完全包裹住而造成电极氧化断裂现象的产生，低熔点玻璃采用现有的成分比如下的低熔点玻璃:Si02:50-75%, A1203:1.0?15%，CaO+MgO: 10-25%, R20:5-15%。
[0007]作为本实用新型的一种改进方案，金属圆环形电极保护套为耐高温合金。
[0008]本发明的有益效果在于:提高了钼电极在使用过程中的可靠性，大大降低了钼电极在使用过程中发生氧化断裂的概率；防止玻璃电熔钼电极氧化的方法及装置在一定程度上也增加了整个池窑运行过程的稳定性和池窑的使用寿命，结构简单、加工方便、易于安装。
【附图说明】
[0009]图1是本实用新型的结构示意图。
【具体实施方式】
[0010]下面结合具体实施例，对本实用新型防止玻璃电熔钼电极氧化的方法及装置的实施效果作进一步阐述。
[0011]本实用新型包括金属圆环形电极保护套I和封装保护层2 ;所述金属圆环形电极保护套I位于外设的钼电极3根部且与钼电极3同轴设置，其位于电极孔内且底部满焊连接在钼电极3的冷却水包4上；所述封装保护层2为低熔点玻璃粉末层，其覆盖金属圆环形电极保护套I并完全填充电极孔；金属圆环形电极保护套I为耐高温合金。
[0012]通过金属圆环形电极保护套I的隔离作用，隔离了靠近冷却水包4部位的钼板5，使得热玻璃液不会出现还没有将该部位钼电极3完全包裹住时已经开始冷凝的现象，避免了造成钼电极3根部没有被玻璃完全包裹住而造成电极氧化断裂现象的产生，低熔点玻璃采用现有的成分比如下的低熔点玻璃:Si02:50-75%, A1203:1.0~15%, CaO+MgO: 10-25%,R20:5-15% ο
[0013]实验时，实验者将该装置用于熔制一种深色料性较短的玻璃，在整个窑期内没有任何一根电极发生故障，整个电熔窑的使用寿命由之前的6~8个月提高至30个月左右。
【主权项】
1.一种防止玻璃电熔钼电极氧化的装置，其特征在于:包括金属圆环形电极保护套和封装保护层； 所述金属圆环形电极保护套位于外设的钼电极根部且与钼电极同轴设置，其位于电极孔内且底部满焊连接在钼电极的冷却水包上； 所述封装保护层为低熔点玻璃粉末层，其覆盖金属圆环形电极保护套并完全填充电极孔。
2.如权利要求1所述的一种防止玻璃电熔钼电极氧化的装置，其特征在于:金属圆环形电极保护套为耐高温合金。
【专利摘要】本实用新型公开了一种防止玻璃电熔钼电极氧化的装置，包括金属圆环形电极保护套和封装保护层；所述金属圆环形电极保护套位于外设的钼电极根部且与钼电极同轴设置，其位于电极孔内且底部满焊连接在钼电极的冷却水包上；所述封装保护层为低熔点玻璃粉末层，其覆盖金属圆环形电极保护套并完全填充电极孔。本实用新型提高了钼电极在使用过程中的可靠性，大大降低了钼电极在使用过程中发生氧化断裂的概率；防止玻璃电熔钼电极氧化的方法及装置在一定程度上也增加了整个池窑运行过程的稳定性和池窑的使用寿命，结构简单、加工方便、易于安装。
【IPC分类】C03B5-167
【公开号】CN204310943
【申请号】CN201420714780
【发明人】王振朋, 刘劲松, 周建淼, 黄松林
【申请人】中材科技股份有限公司
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2014年11月25日