一种单晶硅炉的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种单晶硅炉。
【背景技术】
[0002]单晶硅炉主要是用于生产硅半导体材料，单晶硅炉主要包括硅半导体材料生长合成用的炉体以及硅籽晶的提升控制系统，而硅籽晶的质量很大程度上取决于炉体内的清洁度以及真空度，而传统技术上，炉体不易清洗，导致炉体内杂质过多，另外，传统技术上的硅籽晶提升过程不够稳定，降低了硅籽晶的质量。
【实用新型内容】
[0003]针对上述技术问题，本实用新型公开一种单晶硅炉，包括:炉体外壳，其上设置出气孔，所述炉体外壳的底部设置一排料口，所述排料口上连接一清洗管道，所述清洗管道的另一端连接一抽吸装置；炉体副腔室，其设置在所述炉体外壳的上部；升降装置，其设置在所述炉体副腔室的上部，所述升降装置包括丝杆、滑动机构以及连接在所述丝杆上的电机，所述滑动机构上连接一钢丝绳，所述钢丝绳垂直穿过所述炉体副腔室，并伸入至所述炉体外壳内，所述钢丝绳伸入至炉体外壳内的一端连接一重锤；支架，其设置在所述炉体外壳的下部。
[0004]优选地，所述抽吸装置包括抽吸机和除尘筒。
[0005]优选地，所述重锤上设置有钢丝绳穿孔。
[0006]本实用新型的有益效果是所述单晶硅炉提高了硅籽晶生产设备的稳定性，钢丝绳与钢丝绳穿孔的直径相匹配，提高了重锤升降过程中的稳定性，重轴的升降过程更加稳定可靠，且炉体外壳上连接一清洗装置，使得炉体内的废料清洗更方便，保持了炉内的环境清洁度，提尚了广品质量。
【附图说明】
[0007]图1是本实用新型所述单晶硅炉的结构示意图。
[0008]图中，1-炉体外壳；2-排料口 ；3_清洗管；4-炉体副腔室；5-升降装置；6-钢丝绳；7_重锤；8_支架；9_抽吸机；10_除尘筒。
【具体实施方式】
[0009]下面结合附图对本实用新型做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。
[0010]如图所示，本实用新型公开一种单晶硅炉，包括:炉体外壳1，其上设置出气孔，所述炉体外壳I的底部设置一排料口 2，所述排料口 2上连接一清洗管道3，所述清洗管道3的另一端连接一抽吸装置；炉体副腔室4，其设置在所述炉体外壳I的上部；升降装置5，其设置在所述炉体副腔室4的上部，所述升降装置5包括丝杆、滑动机构以及连接在所述丝杆上的电机，所述滑动机构上连接一钢丝绳6，所述钢丝绳6垂直穿过所述炉体副腔室4，并伸入至所述炉体外壳I内，所述钢丝绳6伸入至炉体外壳I内的一端连接一重锤7 ;支架8，其设置在所述炉体外壳I的下部。所述抽吸装置包括抽吸机9和除尘筒10。所述重锤7上设置有钢丝绳穿孔。所述单晶硅炉提高了硅籽晶生产设备的稳定性，钢丝绳与钢丝绳穿孔的直径相匹配，提高了重锤升降过程中的稳定性，重轴的升降过程更加稳定可靠，且炉体外壳上连接一清洗装置，使得炉体内的废料清洗更方便，保持了炉内的环境清洁度，提高了产品质量。
[0011]尽管本实用新型的实施方案已公开如上，但其并不仅仅限于说明书和实施方式中所列运用，它完全可以被适用于各种适合本实用新型的领域，对于熟悉本领域的人员而言，可容易地实现另外的修改，因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下，本实用新型并不限于特定的细节和这里示出与描述的图例。
【主权项】
1.一种单晶硅炉，其特征在于，包括: 炉体外壳，其上设置出气孔，所述炉体外壳的底部设置一排料口，所述排料口上连接一清洗管道，所述清洗管道的另一端连接一抽吸装置； 炉体副腔室，其设置在所述炉体外壳的上部； 升降装置，其设置在所述炉体副腔室的上部，所述升降装置包括丝杆、滑动机构以及连接在所述丝杆上的电机，所述滑动机构上连接一钢丝绳，所述钢丝绳垂直穿过所述炉体副腔室，并伸入至所述炉体外壳内，所述钢丝绳伸入至炉体外壳内的一端连接一重锤； 支架，其设置在所述炉体外壳的下部。
2.根据权利要求1所述的单晶硅炉，其特征在于:所述抽吸装置包括抽吸机和除尘筒。
3.根据权利要求1所述的单晶硅炉，其特征在于:所述重锤上设置有钢丝绳穿孔。
【专利摘要】本实用新型公开一种单晶硅炉，包括：炉体外壳，其上设置出气孔，所述炉体外壳的底部设置一排料口，所述排料口上连接一清洗管道，所述清洗管道的另一端连接一抽吸装置；炉体副腔室，其设置在所述炉体外壳的上部；升降装置，其设置在所述炉体副腔室的上部，所述升降装置包括丝杆、滑动机构以及连接在所述丝杆上的电机，所述滑动机构上连接一钢丝绳，所述钢丝绳垂直穿过所述炉体副腔室，并伸入至所述炉体外壳内，所述钢丝绳伸入至炉体外壳内的一端连接一重锤；支架，其设置在所述炉体外壳的下部。本实用新型所述单晶硅炉提高了硅籽晶生产设备的稳定性，清洗设备更方便，保持了炉内的环境清洁度，提高了产品质量。
【IPC分类】C30B29-06, C30B35-00
【公开号】CN204311155
【申请号】CN201420780584
【发明人】张忠安
【申请人】江西豪安能源科技有限公司
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2014年12月12日