专利名称：含芳环的聚合物及含有该聚合物的硬掩膜组合物的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种适用于平版印刷术的具有增透特性的硬掩膜组合物。本发明更具 体地涉及在短波长区域内(如157、193*M8nm)具有强吸收作用的含芳环的聚合物、和含 有任意一种所述聚合物的硬掩膜组合物。
背景技术：
在大多数印刷工艺中，为了达到更好的分辨率，使用增透涂层(antireflective coating,ARC)来将抗蚀材料层和基底之间的反射率降到最小。然而，由于各结构层之间的 基本组成相似，因此ARC材料赋予图像层很差的蚀刻选择性。相应地，图像化之后，在ARE 的蚀刻过程中图像层的许多部分不可避免地被消耗掉，在随后的蚀刻步骤中因而需要另外 的图像化。在一些平版印刷工艺中所用的抗蚀材料的耐蚀刻性并不足以有效地将所需的图 案转印到抗蚀材料的下层。例如，在许多情况下，当需要极薄的抗蚀材料、待蚀刻的基底很 厚、需要相当大的基底蚀刻深度、对于特殊基底需要使用特殊的蚀刻剂或它们的组合时，硬 掩膜用作具有图案的抗蚀层和将要形成图案的基底之间的中间层来处理抗蚀下层膜。硬掩 膜用来接收来自具有图案的抗蚀层的图案并且将图案转印到基底。用于处理抗蚀下层膜的 硬掩膜层必须能够经受转印图案所需要的蚀刻过程。例如，将抗蚀图案用作处理基底的掩膜，如氧化硅膜。然而，小型化使得抗蚀层厚 度降低，抗蚀层对基底的掩护能力变差。因而，基本上不可能无损地处理氧化物膜。根据克 服这些问题的方法，抗蚀图案被转印到用于处理氧化物膜的下层膜，然后以具有图案的下 层膜作掩膜对氧化物膜进行干蚀刻。用于处理氧化物膜的下层膜指的是在增透膜下边形成 的用作增透膜下层的膜层。因为在这个过程中抗蚀层的蚀刻速度与下层膜的蚀刻速度相 似，所以有必要在抗蚀层和下层膜之间形成掩膜来处理下层膜。即，形成由氧化物膜、用于 处理氧化物膜的下层膜、用于处理下层膜的掩膜和抗蚀层组成的多层结构。用于处理下层膜的掩膜的折射率和吸光率随着用于处理氧化物膜的下层掩膜的 折射率、吸光率和厚度而改变。用于处理下层膜的掩膜必须要满足如下要求(1)该掩膜必须能够形成没有缺陷 的(如，卷边)抗蚀图案；⑵该掩膜必须与抗蚀层良好地粘结；和(3)在处理用于处理氧 化物膜的下层膜时，该掩膜必须有足够的掩护特性。然而，满足所有这些要求的掩膜材料至 今没有发现。特别地，因为用于处理下层膜的掩膜的折射率和吸光率不是最佳的，增透特性 没有被有效利用，因此很难保证平版印刷工艺边缘。
权利要求
1.一种含芳环的聚合物，其特征在于，该聚合物如式3所示
2.根据权利要求1所述的含芳环的聚合物，其中，该聚合物的重均分子量为 1000-30000。
3.—种增透硬掩膜组合物，该组合物含有含芳环的聚合物和有机溶剂， 所述含芳环的聚合物如式3所示
4.根据权利要求3所述的增透硬掩膜组合物，其中，所述含芳环的聚合物的重均分子 量为 1000-30000。
5.根据权利要求3所述的增透硬掩膜组合物，其中，该组合物还含有交联剂和催化剂。
6.根据权利要求5所述的增透硬掩膜组合物，其中，所述硬掩膜组合物含有1-20重 量％的含芳环的聚合物、75-98. 8重量％的有机溶剂、0. 1-5重量％的交联剂和0. 001-0. 05重量％的催化剂。
7.根据权利要求5所述的增透硬掩膜组合物，其中，所述催化剂选自由包括NH4OH和 NR4OH在内的氢氧化铵、2-甲基咪唑、一水合对甲苯磺酸、对甲苯磺酸吡啶鐺、2，4，4，6-四溴 环己二烯酮、苯偶姻甲苯磺酸酯、2-硝基苯甲基甲苯磺酸酯、以及有机磺酸的烃基酯所组成 的组中。
8.根据权利要求5所述的增透硬掩膜组合物，其中，所述交联剂选自由醚化氨基树脂、 N-甲氧基甲基-三聚氰胺树脂、N- 丁氧基甲基-三聚氰胺树脂、甲醇醚化尿素树脂、丁醇醚 化尿素树脂、甘脲衍生物、2，6- 二(羟甲基)_对甲酚、二环氧化合物、以及它们的混合物所 组成的组中。
9.根据权利要求3所述的增透硬掩膜组合物，其中，该组合物还含有表面活性剂。
全文摘要
本发明提供了说明书中描述的式3的含芳环的聚合物。本发明还提供了一种具有增透特性的硬掩膜组合物，该组合物含有所述含芳环的聚合物。该硬掩膜组合物适用于平版印刷工艺并且具有优异的光学特性和机械特性。另外，该组合物易于通过旋转涂布技术施用。特别地，该组合物对干蚀刻有很高的抗蚀性。因此，该组合物可用于提供形成高纵横比图案的多层薄膜。
文档编号C08G61/02GK102060981SQ201010566229
公开日2011年5月18日 申请日期2007年12月20日 优先权日2006年12月20日
发明者吴昌一, 尹敬皓, 李镇国, 邢敬熙, 金旼秀, 金钟涉, 鱼东善 申请人:第一毛织株式会社