本发明属于双向拉伸薄膜领域，特别是阻隔性薄膜领域。
背景技术：
MXD6是由间苯二甲胺和己二酸缩聚得到的聚己二酰间苯撑二甲胺，是一种具有优异阻隔性能的芳香族聚酰胺树脂，阻隔性能受环境湿度影响较小，蒸煮处理后恢复快。中国专利申请CN 102837474报道了采用MXD6改性PA6得到的高阻隔尼龙薄膜中，但在现有的生产工艺条件下，MXD6相通常以大球晶形态存在，而PA6相对结晶比较细致，由此造成产品物性上存在不足，强度不高，脆性较大，雾度高的问题。本发明通过大量研究，提出一种解决上述问题的方法。
技术实现要素：
本发明人惊讶的发现在高阻隔薄膜的配方中加入纳米稀土成核剂可以改善MXD6与PA6的结晶行为，促使薄膜中两种材料的晶体更为细致且均匀；同时在MXD6与PA6的混合体系中加入特定的相容剂，提高两相的相容性，进而获得具有优异阻隔性能，力学强度高，透明性良好的薄膜。
一种改性的高阻隔薄膜，所述薄膜包括表层a、芯层、表层b，其特征是：表层a中MXD6的含量为10～30％，PA6的含量为63～84.9％，其特征在于：表层a中MXD6的含量为30～40％，PA6的含量为63～85％，防粘母料的含量为2～4％，相容剂的含量为3～8％，纳米稀土成核剂的含量为5.5～8％；芯层中MXD6的含量为95～99.9％，纳米稀土成核剂的含量为0.1～5％；在表层b中MXD6的含量为10～30％，PA6的含量为63～85％，防粘母料的含量为2～4％，相容剂的含量为8.5-12％，纳米稀土成核剂的含量为2～4.5％。
在一个实施方案中，表层a中所述纳米稀土成核剂的含量为6.0～7.5％；芯层中所述纳米稀土成核剂的含量为1.5-3.5％；表层b中所述纳米稀土成核剂的含量为3.0％。
所述的纳米稀土成核剂是硬脂酸铈、氯化铈、富马酸镧、氧化钨、氧化镨中的一种或几种混合物。
所述的纳米稀土成核剂，其粒径为90-400nm，更优选150-250nm，比表面积为10～100m2/g，松装比重为0.5～2.0g/cm3。
所述的相容剂为聚乙二醇400接枝MXD6；优选地，相容剂的含量为4～6％；最优选地，相容剂的含量为5.5％。
在一个实施方案中，所述的高阻隔薄膜，其特征在于：在表层a中MXD6的含量为30％，PA6的含量为64.5％，防粘母料的含量为2％，相容剂的含量为3％，纳米稀土成核剂的含量为6.0％；芯层中MXD6的含量为99.5％，纳米稀土成核剂的含量为6.0％；在表层b中MXD6的含量为30％，PA6的含量为64.5％，防粘母料的含量为2％，相容剂的含量为3％，纳米稀土成核剂的含量为0.5％。
在一个实施方案中，所述的高阻隔薄膜，其特征在于：在表层a中MXD6的含量为30％，PA6的含量55％，防粘母料的含量为2％，相容剂的含量为8％，纳米稀土成核剂的含量为5％；芯层中MXD6的含量为95％，纳米稀土成核剂的含量为5％；在表层b中MXD6的含量为30％，PA6的含量为55％，防粘母料的含量为2％，相容剂的含量为8％，纳米稀土成核剂的含量为5％。
在一个实施方案中，所述的高阻隔薄膜，其特征在于：在表层a中MXD6的含量为30％，PA6的含量60.5％，防粘母料的含量为2％，相容剂的含量为5.5％，纳米稀土成核剂的含量为2％；芯层中MXD6的含量为98％，纳米稀土成核剂的含量为2％；在表层b中MXD6的含量为30％，PA6的含量为60.5％，防粘母料的含量为2％，相容剂的含量为5.5％，纳米稀土成核剂的含量为2％。
本发明的有益效果：
本发明通过添加纳米稀土成核剂及相容剂，提高了薄膜的拉伸强度，降低了薄膜的雾度，同时添加纳米稀土成核剂对薄膜的阻隔性能并没有什么影响。添加纳米稀土成核剂，MXD6的结晶形态明细细致且均匀。
具体实施方式
为了使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面进一步披露一些非限制实施例对本发明作进一步的详细说明。
下面实施例中的高阻隔薄膜采用中国专利申请CN 201210250206.0公开的方法制备。
实施例1
按照以下配方进行制备高阻隔薄膜：在表层a中MXD6的含量为30％，PA6的含量为64.5％，防粘母料的含量为2％，聚乙二醇400接枝MXD6的含量为3％，硬脂酸铈的含量为6.0％；芯层中MXD6的含量为99.5％，硬脂酸铈的含量为2.0％；在表层b中MXD6的含量为30％，PA6的含量为64.5％，防粘母料的含量为2％，聚乙二醇400接枝MXD6的含量为3％，硬脂酸铈的含量为3.0％。
实施例2
按照以下配方进行制备高阻隔薄膜：在表层a中MXD6的含量为30％，PA6的含量55％，防粘母料的含量为2％，聚乙二醇400接枝MXD6的含量为8％，氧化镧的含量为6.5％；芯层中MXD6的含量为95％，氧化镨的含量为2.0％；在表层b中MXD6的含量为30％，PA6的含量为55％，防粘母料的含量为2％，聚乙二醇400接枝MXD6的含量为8％，氧化镧的含量为3.0％。
高阻隔薄膜的制备过程同实施例1。
实施例3
按照以下配方进行制备高阻隔薄膜：在表层a中MXD6的含量为30％，PA6的含量60.5％，防粘母料的含量为2％，聚乙二醇400接枝MXD6的含量为5.5％，氧化钨的含量为6.0％；芯层中MXD6的含量为98％，氧化钨的含量为2％；在表层b中MXD6的含量为30％，PA6的含量为60.5％，防粘母料的含量为2％，聚乙二醇400接枝MXD6的含量为5.5％，氧化钨的含量为3.0％。
高阻隔薄膜的制备过程同实施例1.
比较例1
按照以下配方进行制备高阻隔薄膜：在表层a中MXD6的含量为30％，PA6的含量68％，防粘母料的含量为2％；芯层中MXD6的含量为100％；在表层b中MXD6的含量为30％，PA6的含量为68％，防粘母料的含量为2％。
高阻隔薄膜的制备过程同实施例1。
表1
从上表可以看出，实施例1-3添加有纳米稀土成核剂及相容剂，对薄膜的拉伸强度及雾度有较好的改善作用，同时添加纳米稀土成核剂对薄膜的阻隔性能并没有什么影响。添加纳米稀土成核剂，对于MXD6的结晶具有明显的改善作用，未添加前，芯层可以看到明显的大球晶形态的晶体，而添加有纳米稀土成核剂，结晶形态明细细致且均匀。
本发明的方法已经通过较佳实施例进行了描述，相关人员明显能在本发明内容、精神和范围内对本文所述的方法和应用进行改动或适当变更与组合，来实现和应用本发明技术。本领域技术人员可以借鉴本文内容，适当改进工艺参数实现。特别需要指出的是，所有类似的替换和改动对本领域技术人员来说是显而易见的，它们都被视为包括在本发明内。