技术特征：
技术总结
本发明公开了一种纳米多孔SEBS薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、使用电化学阳极氧化的方法在铜箔的表面生长一层氢氧化铜纳米线阵列；S2、在所述铜箔的表面涂覆一层SEBS薄膜，将所述铜箔上生长出的氢氧化铜纳米线阵列包裹到所述SEBS薄膜中；S3、将所述SEBS薄膜从所述铜箔剥离下来；S4、将所述SEBS薄膜中的氢氧化铜纳米线去除，得到所述纳米多孔SEBS薄膜。本发明的纳米多孔SEBS薄膜制备方法简单易行，成本低廉，孔径可控性好，可实现大面积纳米多孔SEBS薄膜的制备。
技术研发人员：张旻;常诚谊
受保护的技术使用者：清华大学深圳研究生院
技术研发日：2018.05.02
技术公布日：2018.08.14