处理零件表面的系统和方法

文档序号:3805454阅读:145来源:国知局
专利名称:处理零件表面的系统和方法
技术领域
本发明涉及用于零件表面的系统和方法,特别是但不是唯一地涉及涂 覆或修复零件(例如具有复杂形状的管等)的内表面的系统。
背景技术
"等离子体增强的化学气相沉积"(PECVD)是一种用于在多种基体 上形成薄膜的已知^支术。例如,Feltset等的美国专利No.5,224,441描述了 一种用于快速等离子体沉积的装置。在二氧化硅的等离子体增强的化学气 相沉积中,包括各种成分(例如,挥发的有机硅化合物、氧和惰性气体如 氦或氩气)的气流以降低的压力被送到密封的腔室中,并且辉光放电等离 子体从气流中或其成分中形成。当基体位于等离子体附近时,二氧化硅层 被沉积在该物体上。在这样一个系统中,压力通常是通过真空泵系统由大 气压降低的。电极表面与被引入系统的气体电连通,从而可以形成放电或 等离子体。这种放电的目的是激励系统中的一半离子,并且使得它们被沉 积在工件或基体上以涂上涂层。"空心阴极效应,,的使用可以从本申请的受让人所拥有的公开的国际 专利申请No. WO 2006/019565获得了解,在该专利申请中,管和管状物 的内表面用处理工艺修复,在该处理工艺中,工件自身形成沉积腔室。当艺通过施加在工件中或只是在工件的外部的电极与工件本身之间的偏压 在工件内进行。处理气体包含要被沉积或植入的元素,且压力要足够低以 产生并保持"空心阴极效应",在空心阴极效应中,电子平均自由行程略 小于工件的直径,从而引起电子振荡以及使得所希望的元件被植入或沉积在零件自身的表面下或上。等离子体沉积系统(物理气相沉积PVD或化学气相沉积CVD)通常 采用固定尺寸的真空腔室,且要被涂覆的工件位于该腔室中。在气体被引 入之前,腔室被抽成低压,并且通过在腔室中的电极之间施加电力来产生 等离子体。只要该部件未超出腔室的尺寸限制,各种尺寸的工件其外部可以被涂覆。但是,涂覆内表面的能力十分有限。本申请的受让人所有的公开的国际专利申请No. WO 2006/019565,公开了 一种自身适宜于进行内表 面处理的结构。在该结构中,管状物在其各端被密封住以产生密闭体积, 该密闭体积可以被抽空并且在位于管状物的外侧的电极与管状物自身之 间的偏压^皮施加之前处理气体可以从该密闭容积中经过,/人而产生涂覆所的理想系统,但是采用这种结构对复杂形状的处理或适用于处理不同尺寸 的零件或不同尺寸的零件孔径并不容易。另外,阳极本身就要经受涂覆效 应并且它们的性能会随时间下降。发明内容因此,本发明提供一种处理工件(例如管状物等)的系统,包括偏压 系统,该偏压系统用于连接到工件和阳极,例如使工件相对于阳极负偏压;用于抽空工件内部的真空源;气体供应装置,用于引入包含处理所述工件 的处理材料的气体;用于控制该偏压系统、真空源和气体供应装置的控制 系统;和联接头,该联接头包括壳体和可移去的护罩,该壳体包括用于 从所述气体供应装置接收气体的入口和用于连接到要被处理的工件的出 口,该护罩至少部分地遮护住壳体,使壳体与被引入的任意气体隔开。在本发明的作为选择的另一形式中,提供了一种处理工件的系统,包 括偏压系统,该偏压系统用于连接到工件和阳极,例如使工件相对于阳极 负偏压;用于抽空工件内部的真空源;气体供应装置,用于引入包含处理 所述工件的处理材料的气体;用于控制该偏压系统、真空源和气体供应装 置的控制系统; 一对联接头,包括(a)具有壳体的输入联接头,所述壳 体具有用于从所述气体供应装置接收气体的入口和与要被处理的工件相 连接的出口, (b)具有壳体的输出联接头,所述壳体具有用于连接到工件 且用于从所述工件接收气体的入口和与所述真空源相连接的出口, (c)以 及可移去的护罩,该护罩至少部分地遮护住壳体,使壳体与被引入的气体 隔开。优选地,护罩包括环形护罩,该环形护罩其中具有用于接收气体进入 其内部的入口和用于与联接头的出口相联接的出口。它还包括阳极孔口, 用于当阳极被插入到所述壳体中时接纳阳极。壳体可以包括用于将阳极接 纳入所述壳体内的阳极安装架,且该安装架可以包括外部安装座,所述阳极可以被插穿过该外部安装座以突入到所述壳体中。为了适应于不同孔口尺寸的工件,可以提供尺寸可调整的联接装置用 于将所述联接头联接到多种不同尺寸的工件。这种联接装置可以包括ultra-torr类装配件,该装配件易于改变以适合于多种不同尺寸的工件。通过可调整的安装架可以提供进一步的调整,所述联接头位于可调整 的安装架上,例如以允许在一维或多维上进行调整。在一种结构中,该可 调整的安装架包括直线轨道,而在另一种结构中,它包括铰接的臂结构。 在又一种结构中,该可调整的安装架包括铰接的臂和直线轨道的组合。当 该可调整的安装架以铰接的臂的形式时,其可包括多个可枢转的臂, 一个 或多个臂绕着大体上垂直的轴线安装,从而可相对于相邻的臂枢转运动。 这种结构允许快速地改变联接头的位置,从而可以适合于不同尺寸的工件 之间的快速变换。铰接的臂可以带有外部的气体供应通道,或者如在优选 实施例中所描述的,可以在这些臂自身中形成内部通道,从而以有利于气 体从联接头进出。内部通道的使用减少了由于臂的运动范围过大所导致的 供应管道扭绞和损坏的可能性,且一般也会减少作业环境的凌乱。当具有 内部气体通道时,这些臂包括与临近的臂连通的入口和出口,并且在这些 臂之间还进一步包括气体密封件,从而确保气体不会泄露到大气中。这些 气体密封件可以差压地被泵吸,确保整体防泄露。联接头优选带有可闭合的开口或门,护罩可以被插穿过该开口或门, 并且在该开口和门中可以放置有观察窗,从而允许对在工件内部的等离子 体产生进行观察并且监控阳极的状态。可闭合的开口的 一部分可以设有定 位表面,用于与在护罩自身上设置的相应的定位凸缘相配合,从而至少部 分地将护罩定位在壳体中。为了更精确地定位护罩,所希望的是可以使用 在所述头上的第二定位表面,用于连同护罩自身上的第二定位凸缘或部分 一起实现定位。在优选的结构中,系统包括大体上如上所描述的一对联接头,从而以 在它们之间容纳工件,并且用于联接所述工件自身上的孔口。当希望快速 地处理大量不同尺寸且不同形状的工件时,这种结构时特别有利的。上述系统还进一步设有在联接头之间的交叉管道,并且包括与各联接 头相关联的两个真空泵。这种交叉连接允许当降低工件内的压力时两个 泵组合在一起使用,当驱动气体穿过工件时两个泵分开使用。现已发现在联接头与工件之间使用 一个或多个等离子体反射器可以8获得益处。这样的反应器有助于确保在等离子体进入工件之前完全地形 成,并且这有助于确保工件表面的处理更均匀地处理。气体可以用多种方法生成和引入。例如,人们可以采用加压的气体源,在这种情况下,可以在气体源与所述头之间使用简单的压力调节器和质量k量控制器(MFC)。作为选择地,人们可以使用气泡发生装置或蒸发器。 在以上的结构中,配置偏压系统从而用来施加足够的电压以在工件中 产生等离子体,并且配置真空源从而用来建立空心阴极效应。 该系统使用了可移除的阳极和护罩,但也可以是固定的。 根据本发明的另一方面,提供了操作上述系统的方法,该方法包括这 些步骤连接工件到所述联接头,使得所述联接头的出口与工件的内部流 体连通;减小所述工件内的压力,并且在工件和阳极之间施加偏压,从而 来建立空心阴极效应并在工件内产生等离子体;和引导包含处理材料的气 体进入到所述联接头内并经过它进入到所述工件内,从而允许处理材料沉 积或植入。


图l是本发明的系统的总图,并且说明工件与联接头之间的相对位置 和相互作用;图2是图1的系统的部分等角投影视图,并更详细地说明了铰接的臂 以及它们与联接头之间的相互作用;图3是输入和输出联接头的剖视图,并且说明了这些联接头之间的相 互关系;图4是联接头的全视图,并且说明了可选的玻璃中心门/孔口的位置;图5是图4的联接头的端视图,并且说明了所述头中护罩的位置以及 阳极相对于护罩和孔口的定位;图6是图3和图5中示出的护罩的全视图,并且说明了孔口的构造以 允许气体通路进入所述护罩中并且用于阳极插入到所述护罩的内部;图7概略地示出了本发明系统的另一种形式,其中采用了直线轨道以 使耳关接头彼此相对定位;图8是示意图,说明了气体供应装置以及连接到联接头和工件的电连接;图9是图2中所示的臂之间的连接件的分解视图;图IO是图9的元件在装配上以形成联4^组件时的部分剖4^L图; 图11是适合用在上述的系统中的等离子体护罩的剖视图;和 图12是臂部的透视图。
具体实施方式
现在总体参考众附图并且具体参考图1,用于改善工件12的表面的系 统10包括基部14,第一联接头16和或i午有的第二联接头18安装在该基 部14上。 一个或多个联接头16, 18安装成在铰接的臂20 (未标出)上可 相对运动,以在三个轴X, Y,Z中的一个或多个轴上运动。臂20自身包括 多个可枢转的臂22, 24, 26,这些可枢转的臂中的每个可分别绕着轴线A, B: C枢转,从而以适合于在轴Y和Z方向上运动,并且这些可枢转的臂中每 个都优选提供从入口 28延伸到出口 30的内通道乂人而以形成气体通道,气 体通道的功能将会在下文中详述。可选地,气体可以通过外部气体供应管 线提供,如虚线32所示意性地示出。这些臂通过支承安装架相互安装在 一起,支承安装架包含气体密封件并且其结构允许臂彼此可相对枢转的同 时防止气体泄露到大气中,这种结构最清楚地参见图9和IO且将在下文 中详述。臂组件的一端提供"升降"机构,如38处所示意性地示出,该 "升降"机构允许整个臂在Z轴上运动。现在结合参考图1和2,将会理 解到臂的另一自由端上有联接头16, 18,各个联接头各自安装支承在安装 架52, 54上用于绕着轴线D旋转运动。绕着轴线A至D运动的组合允许 联接头在希望位置之间快速地重定位,并且有利于联接到多种形状的工 件。基部中具有交叉联接的管道40并且该管道起到将臂连接到基部自身 所具有的真空泵42, 44的作用。隔离器46, 48, 50允许这些泵一起使用或 单独使用,以从位于系统IO上的工件的各端或两端抽吸来形成真空。现在总体参考图1到6,这些联接头大致相同,并因此同样的参考标 记将用于标识同样的零件。所述头16, 18包括壳体56,所述壳体56具有 连接到臂中的气体通道的第一开口 58和与位于所述头之间的工件相连接 的第二开口 60。门62盖在另一个开口 64上,且通过铰链安装并且具有锁 紧机构68和密封件70,以有利于接近4关4^头16, 18的内部,同时还有利 于需要时保持真空。可以在门62中提供可能有的透明窗口 72,从而以允 许观察任何在工件内产生的等离子体。壳体56还设有用于接纳阳极76的 安装点74,该安装点延伸穿过壳体并且进入联接头的内部,从而该安装点位于与工件连通的开口的附近。护罩78 (最佳可见于图3和5)通过带凸 缘的定位表面80可移除地安装在所述头16, 18中,该定位表面80与所述 头的开口部分上的相应的定位表面82相接合。远离凸缘80的护罩78端 部具有第二定位凸缘或部分84,该第二定位凸缘或部分84与在所述头16, 18上的相应的定位表面86相接合。图6更详细地说明了护罩,并且还进 一步说明了用于允许处理气体进入所述头的孔口 88以及阳极76可以插穿 过的另一孔口 90。现在具体地参考图3,系统的另外零件包括可调整的联接装置92,该 联接装置92例如采用装配于所述头16, 18上的KF100 (直径4")型装 配件94和装配于工件上的4"ultra-torrTM型装配件96的形式。其它直径的 工件(更小或更大)可以通过使用具有不同直径的ultra-torrTM装配件的连 接器来被容纳住,ultra-torr 可在尺寸上上或下适合地装配到所述头的 KF10()TM装配件。KF10()TM装配件中的定心环98由绝缘材料(例如陶乾) 制成以在被偏压成阴极的管状物与所述头16, 18之间提供电绝缘。另一陶 瓷片100也可以被插入到管状物的外半径与阳极壳体的内半径之间以防止 在管状物的外侧形成杂散的等离子体。图7说明了作为选择的另一系统200,其中联接头16, 18通过以204 示意性地示出的升降机构各自被安装在直线轨道结构202上。联接头16, 18 和密封机构的详细情况仍是如同以上所描述的那样,除了删除了联接臂 22, 24, 26之外。图8通过平面示意图说明了气体供应装置和电连接装置。工件12通 过连接装置220, 222连接到气体供应装置,连接装置220, 222依次连接 到以224, 226和228大概地示出的多个气体供应装置。示出的真空泵42, 44 连接到交叉联接的管道40。虽然可以使用多种形式的气体供应装置,但读 者会注意到以224表示的蒸发器结构,在该蒸发器结构中提供蒸发器230 以蒸发来自注入机构232的液态的类金刚石成分源。该注入机构提供少量 的液体,且这些液体在加热的闪蒸器224中被完全蒸发。惰性运载气体(例 如氩或氮)被加入以有助于输送蒸发的液体到腔室中。单元226说明了加 热器结构234,在其中,先驱物液体被加热到一定的温度,此时它具有一 定的蒸汽压。然后运载气体以"气泡"的形式通过被加热的液体,使得气 泡在那温度下以及超过气泡发生装置中的总压力的压力下以一定液体蒸 汽压力的比率带走大量的先驱物液体。在采用先驱物固体的情况下也可以使用升华器。在这种情况下,固体被加热以产生一定的蒸汽压力,并且运载气体被用来使先驱物气体运动到腔室。单元228公开了另一种结构,其 中,在238处大致示出的压力气体源通过以240大致示出的质量流量控制 器来供应,并且然后直接到达连接装置220和/或222。以242大致示出的 偏压系统包括直流(DC)电源和连接到工件12与阳极76的脉动机构,如 图1中示意性地所示。以244示意性地示出的控制计算才几或CPU连接到 气体和电力供应部件,以在处理过程中根据必要控制所述部件。控制计算 机包括顺序控制用于根据所需要的或预编制好的控制顺序来控制所选择 的供应。上述的操作需要工件12连接到联接头16, 18,从而所述头16, 18处亍 流动线路中并且通过操作真空泵42, 44降低所述工件内部的压力到所希望 的压力。然后通过偏压系统242施加偏压到工件和阴极之间,从而建立空 心阴极效应并且在所述工件内产生等离子体。控制计算机244配置用于控 制偏压的施加、真空泵和气体供应装置的使用,从而提供产生空心阴极效 应所需的状态并且用于处理材料的沉积或植入。然后为了有利于处理材料 植入或沉积到工件的表面内或工件的表面上,执行 一 系列必须的气体处理 步骤。这样的过程在公开的国际申请WO 2006/019565中进行了详细的描 述,因此在此不再作进一步的细节描述。现在参考图9和10,其中说明了设在臂22, 24, 26之间的4关接组件300, 并且从图9和10中将会理解到该组件分别包括上部分和下部分302, 304。 上部分包括外表面306,该外表面306具有在周向上延伸的槽308, 310和 312,槽308, 310和312容纳住在支^c件两侧上的密封件314和316,该支 承件用318示意性地示出。上部分302装配到组件的下部分中,从而密封 件314, 316和支岸"牛318接合下部分304上的内表面320,并且在支承件 表面的两侧上提供气密封,支承件表面允许一部分相对于另 一部分旋转以 有利于臂22,24,26的铰接。在图9和10中还示出了分别设在上和下表面 326和328上的另外的密封件322和324,该密封件322和324在操作中 起到使联接装置的端部相对于它所固接的臂部被密封住的作用。为了有利 于联接装置的固定,可以在下部分304的凸缘332上设置一系列的孔330 用于接纳螺栓(未示出),螺栓可以被固定在下臂中的螺紋孔(图12)中。 上部分可以设有相应的螺紋孔334用于接纳从上臂的内部穿过的螺栓口包括孔338,该孔338延伸穿过部分304并且在内端与设有支岸义件318 的槽312相连通。孔的一部分设有螺紋340用于接纳具有相应的螺紋部分 344的管配件342,该螺紋部分344设置在一端且柔性管346设置在另一 自由端上。该柔性管346依次可操作地连接到图1的真空泵42, 44或单独 设的泵(未示出)上。 一系列联接装置支承件可以通过歧管系统(未示出) 连接。在操作中,在密封件314和316之间保持降低的压力,从而以排空 任何穿过臂并逃逸到联接装置的支承件部分中的处理气体。这样一种系统 在本文中也^1称作"差压地#1泵吸"。
图ll说明了图3中所示的联接装置92的另一种实例。在该作为选择 的实例中,壁部318在装配件94,96之间渐缩,该壁部允许在其中产生的 等离子体在进入被涂覆的零件之前完全地形成。实际上,该壁部起到类似 于偏转器的作用,使产生的等离子体在穿过该部分的时候聚集起来。图12 提供了臂结构22,24,26的透视图,并且示出了拧螺栓的位置360,设置这 些拧螺栓的位置以允许图9和10的联接构件300的部分304, 306可以被 固定到它们各自的臂部中。
权利要求
1.一种处理工件的系统,包括偏压系统,用于联接到工件和阳极之间,从而以使工件相对于阳极负偏压;真空源,用于抽空工件的内部;气体供应装置,用于将包含处理材料的气体引入到所述工件;控制系统,用于控制偏压系统,真空源和气体供应装置;和联接头,包括壳体,具有用于从所述气体供应装置接收气体的入口和用于与要被处理的工件相连接的出口;和可移除的护罩,至少部分地遮护住壳体,使壳体与被引入的气体隔开。
2. 根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述护罩包括环形护 罩,该环形护罩其中具有用于接收进入该环形护罩的内部的入口和用于与 联接头的出口相耳关接的出口 。
3. 根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述护罩包括用于当阳 极被插入到所述壳体中时接纳阳极的阳极孔口 。
4. 根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述壳体包括用于接纳 在所述壳体内部的阳极的阳极安装架。
5. 根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述阳极安装架包括所 述阳极可以被插穿入的外部安装座,从所述阳极突入到所述壳体内。
6. 根据权利要求1所述的系统,其特征在于,还包括尺寸可调整的联 接装置,用于联接所述联接头到多种不同尺寸的工件。
7. 根据权利要求6所述的系统,其特征在于,所述联接装置包括 ultm-torr型装配件。
8. 根据权利要求1所述的系统,其特征在于,还包括可调节的安装架, 所述联接头被放置在在该安装架上,并且其中所述安装架在三个轴线中的 一个或多个上可调节。
9. 根据权利要求8所述的系统,其特征在于,所述可调节的安装架包 括直线轨道。
10. 根据权利要求8所述的系统,其特征在于,所述可调节的安装架包括铰接的臂。
11. 根据权利要求8所述的系统,其特征在于,所述可调节的安装架 包括铰接的臂和直线轨道。
12. 根据权利要求8所述的系统,其特征在于,所述可调节的安装架 包括多个枢转臂, 一个或多个臂被绕着大体上垂直的轴线安装,用于相对 于相邻的臂作枢转运动。
13. 根据权利要求8所述的系统,其特征在于,所述可调节的安装架 包括铰接的臂,并且包括用于输送气体到所述联接头的气体通道。
14. 根据权利要求8所述的系统,其特征在于,可调节的安装架包括 铰接的臂,所述铰接的臂具有内部气体通道用于输送气体到所述联接头。
15. 根据权利要求8所述的系统,其特征在于,可调节的安装架包括 安装在支^^f牛中的多个枢转臂,用于相对于相邻的臂枢转运动。
16. 根据权利要求8所述的系统,其特征在于,所述可调节的安装架 包括多个枢转臂,所述多个枢转臂具有经过所述枢转臂的气体通道以及用 于与相邻的臂连通的入口和出口 ,并且在各对臂中的一对或多对之间具有 气体密封件。
17. 根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述联接头包括具有 定位表面的可关闭开口,并且所述护罩包括相应的定位凸缘,且其中所述 护罩通过所述定位凸缘的作用至少部分地位于所述壳体中。
18. #4居权利要求17所述的系统,其特征在于,所述可关闭开口包括 具有透明部分的门。
19. 根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述联接头还包括第 二定位表面,并且所述护罩包括第二定位凸缘。
20. 根据权利要求1所述的系统,其特征在于,包括两个联接头,所 述两个联接头被放置成容纳工件于它们之间并且联接到所述工件上的孔 n 。
21. 根据权利要求20所述的系统,其特征在于,所述气体供应装置包 括在所述联接头之间的交叉联接件,并且包括两个真空泵,每个所述真空 泵被连接到所述交叉联接件用于抽空其中的气体,并且各个真空泵还包括 在所述泵之间的隔离器。
22. 根据权利要求1所述的系统,其特征在于,还包括连接到所述一 个或多个联接头的一个或多个真空泵。
23. 才艮据权利要求1所述的系统,其特征在于,还包括在所述一个或多个联接头的出口处的 一个或多个等离子体反射器。
24. 根据权利要求23所述的系统,其特征在于,所述一个或多个等离 子反射器包括渐缩的反射器。
25. 根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述气体供应装置包 括一种或多种不同的气体的气体贮存器,并且所述控制系统包括气体供应 次序控制,用于有选择性地控制引导所述一种或多种不同的气体到所述系 统。
26. 根据权利要求25所述的系统,其特征在于,所述气体供应装置包 括用于加热液体以产生所述气体的加热器。
27. 根据权利要求25所述的系统,其特征在于,所述气体供应装置包 括用于蒸发液态材料源的蒸发器。
28. 根据权利要求25所述的系统,其特征在于,所述气体供应装置包 括压力气体源和用于控制它的压力和供应的压力控制器。
29. 根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述偏压装置配置用 于施加电压,使得在所述工件中产生等离子体。
30. 根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述控制系统配置用 于调节所述真空源和所述气体源,乂人而以在工件内建立空心阴才及效应。
31. 根据权利要求1所述的系统包括阳极。
32. 根据权利要求1所述的系统包括护罩。
33. 处理工件的系统,包4舌偏压系统,用于连接到工件和阳极,从而以使工件相对于阳极产生负 偏压;真空源,用于抽空工件的内部;气体供应装置,用于引导包括处理材料的气体到所述工件; 控制系统,用于控制偏压系统、真空源和气体供应装置;和 一对联接头,包括具有壳体的输入联接头,所述壳体具有用于从所述气体供应装置 接收气体的入口和连接到要被处理的工件的出口;具有壳体的输出联接头,所述壳体具有用于连接到工件并且从所 述工件接收气体的入口和用于与所述真空源相连接的出口;和可移除的护罩,至少部分地遮护住壳体,4吏壳体与被引入的气体隔开。
34.操作根据权利要求1所述的系统的方法,包括以下步骤 连接工件到所述联接头,从而所述联接头的出口与所述工件的内部流 体连通;降低所述工件内的压力,并且在工件与阴极之间施加偏压,从而以建 立空心阴才及效应并且在所述工件内部产生等离子体;和引导包含有处理材料的气体进入到所述联接头中,并且穿过它进入到 所述工件内,从而以允许处理材料进行沉积和植入。
全文摘要
用于涂覆工件(12)的表面的系统(10)包括用于连接到所述工件(12)和阳极(76)的偏压系统(242)从而以使工件相对于阳极负偏压,还包括用于抽空工件(12)内部的真空源(42,44)。气体供应装置(224,226,228)被用来将包含处理材料的气体引入到所述工件,并且控制系统(244)控制偏压系统(242)、真空源(42,44)和气体供应装置(224,226,228)从而以在工件内建立空心阴极效应。一对联接头(16,18)被支承在三个轴线中一个或多个轴上可运动的铰接臂(22,24,26)上,并且包括保护所述头(16,18)的可移除的护罩(78)和用于容纳阳极(76)的阳极安装架(74)。铰接臂允许系统适用于多种不同形状和不同尺寸的工件而护罩在沉积过程中保护联接头。
文档编号B05B5/025GK101541435SQ200780027610
公开日2009年9月23日 申请日期2007年7月20日 优先权日2006年7月21日
发明者A·W·图德普, F·孔特雷拉斯, R·D·默卡多, T·B·卡瑟利, W·J·博德曼 申请人:分之一技术公司
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