粘合片、使用该粘合片的被粘物的加工方法及粘合片剥离装置的制作方法

专利名称：粘合片、使用该粘合片的被粘物的加工方法及粘合片剥离装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及粘合片、使用该粘合片的被粘物的加工方法以及粘合片剥离装置， 其中所述粘合片作为保护被粘物不受由研磨被粘物导致的“破裂”、“碎裂”的临时 固定用粘合片来使用，可抑制在将被粘物研磨得极薄后产生的被粘物的“翘曲”，使用 后，可通过加热粘合片使粘合片的外缘部从被粘物上浮起、形成剥离开端(peel starting point) ο背景技术
以硅、锗、镓-砷等为材料的半导体晶片在以大直径状态制造后，进行背面磨 削(backgrind)以达到规定的厚度，进一步根据需要实施背面处理(蚀刻、抛光等)、裁切 加工等，从而制造半导体芯片。近年来，对半导体材料薄型化、轻量化的要求进一步提 高，对于半导体晶片，产生了将厚度减少至ΙΟΟμιη或ΙΟΟμιη以下的需要，而研磨得这 样薄的半导体晶片是非常脆弱、容易破裂的。因此，在半导体晶片加工时，采用如下方 法使用临时固定用粘合片(以下有时称为“背面磨削带”)来保持半导体晶片，实施适 当的加工，然后从半导体晶片上剥离背面磨削带，进行回收。
然而，若将背面磨削带贴合到半导体晶片上，则在贴合到半导体晶片上时由于 施加在背面磨削带上的力引起背面磨削带产生弹性变化，产生弹性变化的背面磨削带要 恢复原状的力(应力)传递给半导体晶片，但研磨得较薄的脆弱半导体晶片由于刚性小而 无法对抗该应力，使得脆弱半导体晶片产生“翘曲”或“挠曲”，会产生难以输送或者“翘曲”太大时脆弱半导体晶片破裂等问题。
另外，背面磨削带一般由活性能量射线固化型粘合剂层构成，半导体晶片的研 磨等加工工序结束后，通过照射活性能量射线使粘合剂层固化，使其粘合力降低，将其 从半导体晶片上剥离，虽然通过照射活性能量射线，背面磨削带的粘合力会降低，但常 常由于大气压而紧贴在半导体晶片表面上。因此，在剥离背面磨削带时，首先常常为了 制造剥离开端而将背面磨削带夹起，或以搓的方式来制造剥离开端。然而，存在脆弱半 导体晶片容易由于该操作而损坏的问题。
另外，一般的背面磨削带的剥离装置为如下的构造将研磨处理过的半导体晶 片·背面磨削带层叠体(以下有时称为“已研磨晶片”)固定到吸附台上，进而将组 装在剥离装置中的剥离用胶带贴附到已研磨晶片的背面磨削带面上，进行剥离，从而除 去背面磨削带。该剥离带是如下物质在已研磨晶片的背面磨削带表面上从端部向内 部贴附，通过拉拽该剥离带来剥离不再需要的背面磨削带。然而，相对于吻合地贴合到 圆形的半导体晶片上的圆形的背面磨削带，不可能不超出端部地贴附矩形的剥离带，实 际上，虽然极少，但有时剥离带会超出背面磨削带。在这里，随着半导体晶片的薄化推 进，剥离带的超出面会贴附到剥离装置等上，若在该状态下拉拽剥离带，则会使半导体 晶片一起弯曲，有时会造成半导体晶片损坏。另外，若不将剥离带一直贴附到端部，则可避免上述半导体晶片损坏，但该情况下，有时即使拉拽剥离带，剥离应力也无法充分 传递给背面磨削带，难以除去背面磨削带。
日本特开2000-U9223号公报中公开了由收缩性薄膜和刚性薄膜以及能量射线 固化型粘合剂层构成的半导体晶片保护用粘合片。其中记载了，根据该粘合片，若照射 活性能量射线使粘合剂层的粘合力降低、并使用所用的单元使收缩性薄膜收缩，则粘合 片变形，半导体晶片与粘合剂层的接触面积减少，因而可容易地从半导体晶片上剥离粘 合片。然而，本发明人在选择任意材料来研究同样的粘合片时发现，由于收缩性薄膜从 多个方向产生收缩等原因，加热后的粘合片有可能堆叠在半导体晶片表面上等而引起剥 离困难、被粘物破坏。
S卩，现状是仍未发现如下的背面磨削带，所述背面磨削带用于在对半导体晶片 进行背面磨削时保护半导体晶片不受损坏等，即使将半导体晶片研磨得极薄也可抑制半 导体晶片产生“翘曲”、背面磨削结束后可不损坏且不污染半导体晶片地剥离不再需 要的背面磨削带，以及仍未发现不损坏且不污染半导体晶片地剥离背面磨削带的剥离装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1 日本特开2000-U9223号公报 发明内容
发明要解决的问题
因此，本发明的目的在于，提供一种粘合片，所述粘合片用于在对被粘物进行 背面磨削时防止被粘物产生“破裂”、“碎裂”，即使将被粘物研磨得极薄也可抑制研 磨后所得到的脆弱被粘物产生“翘曲”、背面磨削结束后可不损坏且不污染脆弱被粘物 地进行剥离。
本发明的目的还在于，提供使用本发明的粘合片的被粘物的加工方法、以及前 述被粘物的加工中使用的粘合片剥离装置。
用于解决问题的方案
本发明人等为了解决上述课题而进行了深入的研究，结果在基于材料力学的梁 理论对“翘曲”量抑制方法进行研究时发现，针对由基材层X/粘合剂层Y构成的2层 结构的粘合片，若提高构成粘合片的基材层的刚性，则即使使半导体晶片薄膜化，也可 减小所得到的脆弱半导体晶片的曲率R，可抑制“翘曲”的产生。然而，为了提高基材 层的刚性而加厚基材层时，在半导体晶片上的贴合、从脆弱半导体晶片上的剥离操作变 得困难，因此并不能称之为现实的解决方法。
本发明人等进一步反复研究，结果发现，若使粘合片为基材层(X-I)/粘合剂层 (Y-I)/基材层(X-2)/粘合剂层(Y-2)这样的4层结构，则即使不增加基材层的总厚度 (即，基材层X的厚度2基材层(X-I)的厚度+基材层(x-幻的厚度)，通过使带层叠结 构为规定的结构，也可使半导体晶片的曲率R’小于上述R，可获得更强的抑制“翘曲” 产生的效果(参照图3)。
另外，本发明人等考虑，为了不损坏且不污染脆弱半导体晶片地剥离不再需要的背面磨削带，需要附带易剥离性功能的粘合片。而且，作为赋予易剥离性功能的方 法，认为若能通过对贴合在半导体晶片上的背面磨削带施加加热处理等，使背面磨削带 翘曲以使其贴合在半导体晶片上的面成凹面，从而使其与被粘物之间产生浮起、成为剥 离开端，则可形成符合目标的背面磨削带。这是由于，对于外缘部这样翘曲、从半导体 晶片上产生浮起的背面磨削带，不需要为了制造剥离开端而夹起或搓。此外，即使不将 剥离带贴附至背面磨削带端部，也可通过将剥离带贴附到背面磨削带的、从半导体晶片 上浮起的部分与仍粘合在半导体晶片上的部分的界面处并进行拉拽，从而使剥离应力充 分传递给背面磨削带，剥离不再需要的背面磨削带，这是由于，通过在极力保持较大的 剥离角度的同时拉拽该剥离带，可极力减小剥离应力。即，可将损坏脆弱半导体晶片的 可能性减至极小。
进而，剥离应力减小意味着粘合剂被剥取到脆弱半导体晶片上的可能性也小， 因此可减小由于剥离而污染脆弱半导体晶片的可能性。另外，即使临时贴附到脆弱半导 体晶片研磨面侧的部件上，也仍然可将剥离应力减至极小，因此损坏脆弱半导体晶片的 可能性也变小。
因此，本发明人等发现了如下的粘合片通过使用热收缩性基材制作粘合片， 并设法将由加热引起的热收缩性基材的收缩的力转换为力偶，从而使粘合片的外缘部从 半导体晶片的表面上浮起、形成剥离开端。
而且发现，若使用具有上述结构的粘合片作为半导体晶片等被粘物的背面磨削 带，则即使将其贴附到半导体晶片等被粘物上、将半导体晶片研磨得极薄，也可抑制所 得到的脆弱半导体晶片产生“翘曲”，在不再需要该粘合片时，可通过加热容易地形成 剥离开端，可不污染、损坏被粘物地容易地进行剥离，从而完成了本发明。
S卩，本发明提供粘合片，其为依次层叠具有下述特性的基材层A、粘合剂层A、 基材层B、和粘合剂层B而成的，
基材层A 25°C下的杨氏模量与基材厚度的积为1.0 X IO5 4.0X 105N/m、80°C 下的杨氏模量与基材厚度的积为2.8X 105N/m以下的基材层；
粘合剂层A 80°C下的剪切模量为0.2MPa以下的粘合剂层；
基材层B 25°C下的杨氏模量与基材厚度的积小于25°C下的基材层A的杨氏模 量与基材厚度的积、在80°C下加热所引起的主收缩方向的收缩率和与主收缩方向正交的 方向的收缩率均为20%以上的热收缩性基材层；
粘合剂层B: 80°C下的杨氏模量为IOMPa以上、且对硅制晶片的粘合力为 0.2N/10mm(180°剥离、拉伸速度300mm/分钟)以下的粘合剂层。
基材层A优选在80°C下加热所引起的收缩率、膨胀率均为以下。
粘合剂层B优选为活性能量射线固化型粘合剂层，优选含有在侧链含有(甲 基)丙烯酸酯的丙烯酸系聚合物、交联剂和活性能量射线聚合引发剂。
本发明还提供被粘物的加工方法，其特征在于，将上述粘合片贴合到被粘物 上，对该被粘物实施所需的加工，然后通过加热使前述粘合片翘曲以使得基材层A的表 面成凹面，从而使粘合片与被粘物之间产生浮起而剥离。
优选的是，使用粘合剂层B为活性能量射线固化型粘合剂层的粘合片作为粘合 片，并且将该粘合片贴合到被粘物上，对该被粘物实施所需的加工，然后通过照射活性能量射线使粘合剂层B固化，接着，通过加热使前述粘合片翘曲以使得基材层A的表面 成凹面，从而使粘合片与被粘物之间产生浮起。
作为粘合片的剥离方法，优选的是，通过向上方拉拽贴附在变形的粘合片的基 材层A侧的表面外缘部的剥离带来剥离粘合片。
进而，本发明还提供粘合片剥离装置，其为在上述被粘物的加工方法中使用的 粘合片剥离装置，其具备以下单元作为活性能量射线源的紫外线曝光单元；用于加热 贴合在被粘物上的粘合片的加热单元；以及用于剥离粘合片的剥离单元，其中所述粘合 片是通过加热而翘曲以使得基材层A的表面成凹面，从而与被粘物之间产生了浮起的粘合片。
发明的效果
将本发明的粘合片作为背面磨削带来使用时，可不产生“破裂”、“碎裂”地 将半导体晶片等被粘物研磨得薄至厚度20 μ m 25 μ m左右，可抑制所得到的脆弱半导 体晶片产生“翘曲”。进而，通过加热已研磨晶片，本发明的粘合片翘曲以使得基材 层A的表面成凹面，从而产生浮起、形成剥离开端，因而在贴附矩形的剥离带时，即使 不将其最大限度地贴附到粘合片的外缘部，也可容易且干净地剥离不再需要的粘合片。 进而，本发明的粘合片通过本发明的粘合片剥离装置，经过活性能量射线照射、加热工 序，可不损坏半导体晶片等被粘物地顺利地剥离，进行回收。


图1是示出本发明的粘合片的一例的截面示意图。
图2是示出本发明的剥离装置的一例的侧面示意图。
图3是示出贴合有本发明的粘合片的半导体晶片的曲率(R’ )的侧面图(3-1)和 示出贴合有2层结构的粘合片的半导体晶片的曲率(R)的侧面图(3-2)。
附图标记说明
1基材层A
2粘合剂层A
3基材层B
4粘合剂层B
5粘合片
6加热单元、紫外线曝光单元
7吸附台
8粘合片回收用剥离带
9 环框(ring frame)
10半导体晶片
11切割带具体实施方式
以下，根据需要一边参照附图一边详细说明本发明的实施方式。图1是示出本 发明的粘合片的一例的截面示意图，图2是示出本发明的粘合片剥离装置的一例的侧面示意图。
在图1的例子中，本发明的粘合片(5)的基材层A(I)与基材层B(3)由粘合剂 层AO)接合，进而，在基材层BC3)上层叠有粘合剂层BG)。
在图2的例子中，本发明的剥离装置具备加热单元、紫外线曝光单元6，回收粘 合片5的剥离带8，粘合片5贴附在半导体晶片10上，该半导体晶片10贴合在由吸附台 7上的环框9固定的切割带11上。利用加热单元6进行加热，使粘合片5与半导体晶片 10之间产生浮起，从上方将剥离带8贴附到粘合片5上，将剥离带8剥离，从而将粘合片 5从半导体晶片10上剥离。
[粘合片]
本发明的粘合片通过依次层叠基材层A、粘合剂层A、基材层B、和粘合剂层B 而成。
[基材层A]
基材层A构成粘合片的最外层，需要具有保护被粘物不受研磨被粘物时的研磨 时应力、研磨屑、研磨水、和研磨热的功能，即使将被粘物研磨得极薄也可抑制所得到 的脆弱被粘物产生“翘曲”。因此，优选力学特性优异、热尺寸稳定性优异、化学稳定。
作为力学特性，为了在将被粘物研磨得极薄后抑制所得到的脆弱被粘物产生 “翘曲”，已研磨晶片的曲率(R’)越小越好，其特征在于，在研磨时温度、例如25°C下的杨氏模量与基材厚度的积为1.0 X IO5 4.0 X 105N/m (优选为1.5 X IO5 2.0 X IO5N/ m)。25°C下的杨氏模量与基材厚度的积低于1.0X105N/m时，具有脆弱被粘物产生的 “翘曲”变大的倾向，具有脆弱被粘物容易损坏的倾向。另一方面，25°C下的杨氏模量 与基材厚度的积高于4.0X 105N/m时，刚性过高，具有难以贴附到被粘物上的倾向。此 外，刚性高时，由贴附粘合片时的应力产生的弹性变形力大，在将半导体晶片等被粘物 研磨得较薄时产生的“翘曲”容易变得更大。
另外，其特征在于，剥离时温度、例如80°C下的基材层A的杨氏模量与厚度的 积为2.8 X 105N/m以下(优选为1.0 X IO5 2.0X 105N/m)。80°C下的杨氏模量与厚度的 积超过2.8X 105N/m时，具有难以不损坏脆弱被粘物地剥离具有该基材层的粘合片的倾向。
作为热尺寸稳定性，具体来说，基材层B在双轴方向收缩20%以上的规定温 度、例如80°C下的热收缩率、热膨胀率均为以下(优选为0.5%以下)是优选的。80°C 下的热收缩率、热膨胀率均超过时，在加热剥离粘合片时，粘合片会堆叠在被粘物表 面上等，具有容易发生剥离困难、被粘物破坏的倾向。
作为本发明的基材层A，从制造时的操作简便性、处理便利性、经济性考虑， 在被粘物研磨时温度、例如25°C下的杨氏模量优选为IXlO9 IOXlO9Pa,进一步优 选为1.0X109 5.0X109Pa。在剥离时温度、例如80°C下的杨氏模量优选为3X IO6 2X IO10Pa,进一步优选为IX IO8NlXlOuiPatj杨氏模量过小时，在研磨被粘物后产生的 脆弱被粘物的“翘曲”变大，脆弱被粘物具有容易损坏的倾向。另一方面，杨氏模量过 大时，具有难以贴附到被粘物上的倾向。基材层A的厚度优选为低于100 μ m(例如5 IOOym左右)，更优选为5 75μιη左右。前述厚度过厚时，具有难以贴附到被粘物上的倾向，另外，处理性、经济性差，是不优选的。此外，刚性高时，由贴附粘合片时的 应力产生的弹性变形力大，将半导体晶片等被粘物研磨得较薄时产生的“翘曲”容易变 得更大。另外，设置在基材层B上的粘合剂层B为活性能量射线固化型粘合剂层、且通 过基材层A进行活性能量射线照射时，基材层A需要由可透射规定量以上的活性能量射 线的材料(例如，具有透明性的树脂)构成。
作为构成本发明的基材层A的基材，例如可适宜使用聚丙烯、聚乙烯、它们 的共聚物等聚烯烃类，聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚乳酸等聚酯 类，Kapton等聚酰亚胺类，乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、氯乙烯等聚乙烯类，6，6-尼龙等 聚酰胺类，聚醚磺酸类，聚降冰片烯等具有紫外线透射性的聚合物。可以根据加热条件 等从这些聚合物中适当选择，这些聚合物可以单独使用或者将2种以上混合使用。
作为本发明的基材层A，其中，由聚酯类构成的基材层是优选的，由聚对苯二 甲酸乙二醇酯构成的基材层是特别优选的。这是由于，其具有如下优点成本面等经济 性优异，与后述基材层B的贴附中使用的粘合剂层A的贴合性高，此外，耐热稳定性优 异，具有高机械强度等。
作为本发明的基材层A，例如可使用商品名“Kapton” (Du Pont Kabushiki Kaisha 制造)、商品名 “Torayfan” (TORAY INDUSTRIES, INC.制造)、商品名"Lumirror" (TORAY INDUSTRIES, INC.制造)、商品名“ARTON“ (JSR公司制造)、 商品名 ‘‘ZEONOR，，(ZEON CORPORATION 制造)、商品名 ‘‘Melinex，，(Teijin DuPont Films Japan Limited制造)等市售产品，其中，可优选使用商品名‘‘Lumirror” (TORAY INDUSTRIES, INC.制造)、商品名 ‘‘Melinex” (Teijin DuPont Films Japan Limited 制 造)。另外，可以根据需要对上述市售产品实施适当的拉伸处理、交联处理，也可以对表 面实施电晕处理、印刷加工处理。
根据本发明的基材层A，可在与基材层B层叠时抵抗基材层B的收缩应力，具有 防止通过加热使该层叠体以贴合在被粘物上的状态进行收缩而使被粘物损坏的功能。进 而，通过抵抗基材层B的收缩应力而生成的反作用的应力具有如下功能将收缩应力转 换为力偶、促进具有基材层A的本发明粘合片外缘部的变形。
[基材层B]
本发明的基材层B作为驱动力源，用于在通过从任意方向加热具有该基材层B 的粘合片时，使粘合片翘曲以使得基材层A的表面成凹面，从而与被粘物之间产生浮 起。在本发明中，从不用选择实施加热处理的方向的观点考虑，使用具有双轴收缩性的 热收缩性基材。在70 250°C的范围内的规定温度、例如80°C下的主收缩方向(MD)的 收缩率(％)和与主收缩方向正交的方向(TD)的收缩率(％)均为20%以上即可。由于 本发明的基材层B具有双轴收缩性，推测实际上是在2个收缩轴产生的收缩应力合成来发 挥作用的，因此，不但从相互正交的2个方向加热会收缩，从任何方向加热都会收缩， 可作为驱动力，使具有该基材层B的粘合片翘曲以使得基材层A的表面成凹面，从而使 粘合片与被粘物之间产生浮起、形成剥离开端。
80°C下的主收缩方向的收缩率(％ )和与主收缩方向正交的方向的收缩率(％ ) 低于20%时，与收缩应力相比，粘合片整体的刚性更强，因此即使从任意一个方向加热 具有该基材层B的粘合片，也无法产生使得基材层A的表面成凹面的翘曲，或者即使产生翘曲也是极少的，有时难以得到剥离开端。然而，两个轴各自的收缩率可以不相等， 例如可以是一个轴的收缩率为20%、另一个轴的收缩率为30%这样的情况，该情况下， 以收缩率较大的轴方向为主收缩方向。
本发明的基材层B的双轴收缩性，例如可通过对由挤出机挤出的薄膜实施双轴 拉伸处理来赋予，可通过这一拉伸的程度来调整收缩率。作为构成本发明的基材层B的 热收缩性基材，优选的是，通过利用剥离装置的加热单元进行加热可使具有该热收缩性 基材的粘合片产生足以形成剥离开端的收缩的物质，且如前所述，在使用活性能量射线 固化型粘合剂层作为设置在基材层B上的粘合剂层B、且通过基材层B进行活性能量射线 的照射时，基材层B需要由能透射规定量以上的活性能量射线的材料(例如，具有透明性 的树脂)构成。
作为构成本发明的基材层B的热收缩性基材，例如可适宜使用聚丙烯、聚乙 烯、它们的共聚物等聚烯烃系收缩基材，聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇 酯、聚乳酸等聚酯系收缩基材，对乙烯-醋酸乙烯酯共聚物等化学上稳定的基材进行了 拉伸处理的收缩基材等具有紫外线透射性的聚合物。可根据加热条件等剥离环境从这些 聚合物中适当选择，另外，这些聚合物可单独使用或将2种以上混合使用。
作为本发明的基材层B，其中，聚酯系收缩基材是优选的。这是由于，其具有 下述优点成本面等经济性优异，与前述基材层A的贴附中使用的粘合剂层A的粘合性 高，此外，对收缩起始温度的响应性高等。
另外，其特征在于，基材层B在被粘物研磨时温度、例如25°C下的杨氏模量与 基材厚度的积小于同温度(25°C)下的上述基材层A的杨氏模量与基材厚度的积，例如 为 1.0 X IO4 4.0X l(^N/m(优选为 5.0 X IO4 2.0X 105N/m)。基材层 B 在 25°C下的杨 氏模量与基材厚度的积为同温度下的基材层A的杨氏模量与基材厚度的积以上时，曲率 (R’)具有上升的倾向。在本发明中，25°C下的基材层B的杨氏模量与基材厚度的积的 值优选为25°C下的基材层A的杨氏模量与基材厚度的积的值的80%以下，其中，优选为 10 60%左右。
在被粘物研磨时温度、例如25°C下，基材层B的杨氏模量优选为IXlO9 IOXlO9Pa,进一步优选为 lX109 4X109Pa。
作为基材层B的厚度，例如优选为5 100 μ m(优选为20 80 μ m)。厚度低 于5μιη时，制造时将薄膜卷取、卷开的操作等变困难等操作性差，另一方面，厚度超过 100 μ m时，不仅不经济，而且由于刚性过高而导致基材层B的收缩不充分，具有难以使 粘合片翘曲以使得基材层A的表面成凹面的倾向。另外，刚性高时，由贴附粘合片时的 应力产生的弹性变形力大，在将半导体晶片等被粘物研磨得较薄时产生的“翘曲”容易 变得更大。
作为本发明的基材层B，例如可使用商品名“SPACECLEAN”(东洋纺织公司 制造)、商品名“Suntec”(旭化成公司制造)、商品名“Fancy wrap” (GUNZE Limited 制造)、商品名 “SOPRA” (SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.制造)、商品名 “KOHJIN POLYSET"(兴人公司制造)、商品名“TERRAMAC”(UNITIKA LTD.制造)等市售产品，其中，由于商品名“SPACECLEAN”(东洋纺织公司制造)兼具上述必要条件， 且还具有较大的收缩率，因而可优选使用。另外，可以根据需要对上述市售产品实施适当的拉伸处理、交联处理，也可以对表面实施电晕处理、印刷加工处理。通过实施拉伸 处理，可将其改良为具有更高收缩率的基材。
根据本发明的基材层B，在与基材层A的层叠体中，可以作为驱动力，用于在 通过从任意一个方向加热使粘合片翘曲而使基材层A的表面成凹面，从而使粘合片与 被粘物之间产生浮起、形成剥离开端，若使用具有该基材层B的粘合片作为例如半导体 晶片的背面磨削带，则在贴附到半导体晶片上时不需要考虑粘合片的收缩方向，可从任 何方向贴附，通过从任意一个方向加热粘合片，可形成剥离开端，可从该剥离开端容易 地、且不损坏脆弱被粘物地剥离粘合片。
[粘合剂层A]
本发明的粘合剂层A优选具有足以使基材层A与基材层B接合的粘接力(或粘 合力)。另外，在将具有前述基材层A、粘合剂层A、和基材层B的本发明的粘合片贴 合到被粘物上来使用时，为了抑制在将被粘物研磨得较薄时产生的“翘曲”，粘合剂层 A优选具有适度的刚性。
作为在被粘物研磨时温度、例如25°C下的剪切模量，例如为5.0X104 5.0X106:Pa左右，优选为1.0X IO5 1.0X 106 左右。25°C下的剪切模量低于5.0X IO4Pa 时，由于刚性过小，具有脆弱被粘物产生的“翘曲”变大的倾向，另一方面，高于 5.0X IO6Pa时，刚性过高，因而由贴附粘合片时的应力产生的弹性变形力大，在将半导体 晶片等被粘物研磨得较薄时产生的“翘曲”容易变得更大。
另一方面，在加热剥离粘合片时，为了将基材层B的收缩应力传递给基材层 A，粘合片优选具有随着基材层B的收缩而变形的柔软性，例如80°C下的剪切模量为 0.2MPa以下(优选为0.01 0.2MPa)。80°C下的剪切模量高于0.2MPa时，具有抑制加 热时基材层B的收缩的倾向，无法使粘合片翘曲以使得基材层A的表面成凹面，具有难 以形成剥离开端的倾向。另一方面，80°C下的剪切模量低于O.OlMRi时，由基材层B的 收缩引起粘合剂层A被拖曳似地变形，因而容易造成层叠体破坏。
作为本发明的粘合剂层A的厚度，优选为1 ΙΟΟμιη，其中，更优选为5 60 μ m。粘合剂层A的厚度低于Iym时，具有粘接基材层A与基材层B的粘接力不足 的倾向，另外，由于粘合片的刚性不足，因而具有研磨后产生的脆弱被粘物的“翘曲” 增大的倾向。另一方面，粘合剂层A的厚度高于100 μ m时，不仅不经济，而且由于刚 性过高，具有抑制加热时基材层B的收缩的倾向，无法使粘合片翘曲以使得基材层A的 表面成凹面，具有难以形成剥离开端的倾向。
作为本发明的粘合剂层A在80°C下的刚性(剪切模量X厚度)，例如为1 1000N/m左右，优选为10 200N/m。若加热至80°C时的粘合剂层A的刚性低于IN/ m，则无法将基材层B的收缩应力传递给基材层A，粘合剂层A由基材层B的收缩引起 拖曳似地变形，结果，无法使粘合片翘曲以使得基材层A的表面成凹面，具有难以形成 剥离开端的倾向。另一方面，若加热至80°C时的粘合剂层A的刚性高于1000N/m，则一 般粘合力不充分，基材层B与粘合剂层A之间分离，容易造成层叠体破坏。另外，由于 粘合片的刚性过大，因而无法将基材层B的收缩传递给基材层A，只有基材层B变形， 因此有可能由于该应力而破坏被粘物等。
作为本发明的粘合剂层A对上述基材层A和基材层B的、在80°C下的粘接力(180°C剥离、拉伸速度300mm/分钟)，例如为ΙΝ/lOmm以上，其中，优选为4N/mm以 上。对基材层A和基材层B的在80°C下的粘接力(180°C剥离、拉伸速度300mm/分钟) 低于ΙΝ/lOmm时，会由于裁切粘合片时的剪切应力导致基材层A与基材层B剥离、在加 热基材层B使其收缩时产生层叠体破坏，无法使粘合片翘曲以使得基材层A的表面成凹 面，具有难以形成剥离开端的倾向。
作为构成本发明的粘合剂层A的粘合剂，例如有以天然橡胶、各种合成橡胶为 基础聚合物的橡胶系粘合剂；以丙烯酸系聚合物(均聚物或共聚物)作为基础聚合物的 丙烯酸系粘合剂，其中丙烯酸系聚合物是以使用(甲基)丙烯酸烷基酯(例如，甲酯、乙 酯、丙酯、异丙酯、丁酯、异丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-羟 基乙酯、2-乙基己酯、异辛酯、异癸酯、十二酯、十三酯、十五酯、十六酯、十七酯、 十八酯、十九酯、二十酯等CV2tl烷基酯等)的1种或2种以上作为单体成分而获得的； 乙烯基烷基醚系粘合剂；硅酮系粘合剂；聚酯系粘合剂；聚酰胺系粘合剂；聚氨酯系粘 合剂；苯乙烯-二烯嵌段共聚物系粘合剂；在这些粘合剂中配合熔点约为200°C以下的热 熔融性树脂的蠕变特性改良型粘合剂等公知的粘合剂，这些可使用1种或将2种以上组合 使用(例如参照日本特开昭56-61468号公报、日本特开昭61-174857号公报、日本特开 昭63-17981号公报、日本特开昭56-13040号公报等)。
此外，为了改善内聚力、耐热性、交联性等，根据需要，前述丙烯酸系聚合物 可以包含对应于可与前述(甲基)丙烯酸烷基酯共聚的其他单体成分的单元。作为这样 的单体成分，例如可列举出丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、 衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸等含羧基单体，马来酸酐、衣康酸酐等酸酐单体，(甲 基)丙烯酸羟基乙酯、(甲基)丙烯酸羟基丙酯、(甲基)丙烯酸羟基丁酯、(甲基)丙 烯酸羟基己酯、(甲基)丙烯酸羟基辛酯、(甲基)丙烯酸羟基癸酯、(甲基)丙烯酸羟 基月桂酯、甲基丙烯酸(4-羟基甲基环己基)甲酯等含羟基单体，苯乙烯磺酸、烯丙基磺 酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙烷磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙烷磺酸、(甲基)丙烯酸 磺基丙酯、(甲基)丙烯酰氧萘磺酸等含磺酸基单体，(甲基)丙烯酰胺、N，N-二甲基 (甲基)丙烯酰胺、N-丁基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲 基丙烷(甲基)丙烯酰胺等(N-取代)酰胺系单体，(甲基)丙烯酸氨基乙酯、(甲基) 丙烯酸N，N-二甲基氨基乙酯、(甲基)丙烯酸叔丁基氨基乙酯等(甲基)丙烯酸氨基 烷基酯系单体，(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等(甲基)丙烯 酸烷氧基烷基酯系单体，N-环己基马来酰亚胺、N-异丙基马来酰亚胺、N-月桂基马来 酰亚胺、N-苯基马来酰亚胺等马来酰亚胺系单体，N-甲基衣康酰亚胺、N-乙基衣康酰 亚胺、N-丁基衣康酰亚胺、N-辛基衣康酰亚胺、N-2-乙基己基衣康酰亚胺、N-环己基 衣康酰亚胺、N-月桂基衣康酰亚胺等衣康酰亚胺系单体，N-(甲基)丙烯酰氧亚甲基琥 珀酰亚胺、N-(甲基)丙烯酰基-6-氧六亚甲基琥珀酰亚胺、N-(甲基)丙烯酰基-8-氧 八亚甲基琥珀酰亚胺等琥珀酰亚胺系单体，醋酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、N-乙烯基吡咯烷 酮、甲基乙烯基吡咯烷酮、乙烯基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌嗪、乙 烯基吡嗪、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基噁唑、乙烯基吗啉、N-乙烯基羧酸酰胺 类、苯乙烯、α-甲基苯乙烯、N-乙烯基己内酰胺等乙烯系单体，丙烯腈、甲基丙烯腈 等氰基丙烯酸酯单体，(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等含环氧基丙烯酸系单体，(甲基)丙烯酸聚乙二醇酯、(甲基)丙烯酸聚丙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙二醇酯、(甲基) 丙烯酸甲氧基聚丙二醇酯等二醇系丙烯酸酯单体，(甲基)丙烯酸四氢糠醇酯、氟代(甲 基)丙烯酸酯、硅酮(甲基)丙烯酸酯等具有杂环、卤素原子、硅原子等的丙烯酸酯系 单体，己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二 (甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟 甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙 烯酸酯、环氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯Curethane acrylate)、丁二 醇二(甲基)丙烯酸酯等多官能单体，异戊二烯、丁二烯、异丁烯等烯烃系单体，乙烯基 醚等乙烯基醚系单体等。这些单体成分可单独使用或将2种以上混合使用。
前述丙烯酸系共聚物可通过聚合前述单体成分得到。作为单体成分的聚合方 法，可采用惯用的方法，例如可列举出溶液聚合、乳液聚合、本体聚合、悬浮聚合等。
粘合剂除粘合性成分(基础聚合物)以外，还可以包含交联剂(例如多异氰酸 酯、烷基醚化三聚氰胺化合物等)、赋粘剂(例如松香衍生物树脂、多萜烯树脂、石油树 脂、油溶性酚醛树脂等)、增塑剂、填充剂、防老剂等适当的添加剂。另外，可以添加由 玻璃或树脂形成的微珠。通过添加由玻璃或树脂形成的微珠，具有容易控制粘着特性、 剪切模量的倾向。
作为本发明的粘合剂层A的形成方法，可采用公知惯用的方法，例如可列举出 如下方法根据需要使用溶剂来制备包含粘合剂等的涂布液，将其直接涂布到基材层上 的方法；在适当的分隔件(剥离纸等)上涂布前述涂布液来形成粘合剂层A，将其转印 (传递)到基材层上的方法等。在利用转印的情况下，有时在其与基材层的界面处会残 留空隙(gap)。该情况下，利用高压釜处理等实施加温加压处理，可使空隙扩散、消失。 粘合剂层A可以是单层、多层的任一种。
[粘合剂层B]
本发明的粘合剂层B优选的是，在半导体晶片等被粘物的研磨工序中，牢固地 贴合在被粘物上、防止研磨中被粘物损坏，在研磨工序结束后，粘合力显著降低、容易 地从被粘物表面上剥离。
因此，在剥离粘合片时，要求其对被粘物的粘合力低、可容易剥离、且具有足 以反抗实施加热处理所引起的基材层B的收缩的刚性。为了满足前述条件，本发明的 粘合剂层B，其特征在于，80°C下的杨氏模量为IOMPa以上，对硅制晶片的粘合力为 0.2N/10mm(180°剥离、拉伸速度300mm/分钟)以下，由此，在加热至80°C时，粘合剂 层A由于剪切模量小，因而为了缓和基材层B的收缩应力而迅速变形，而粘合剂层B由 于杨氏模量大，因而难以变形，针对基材层B的收缩的反作用力起作用，使基材层B相 对于被粘物表面垂直抬起的力起作用，因此可使粘合片外缘部以使得基材层A的表面成 凹面的方式翘曲，从而使粘合片与被粘物之间产生浮起、形成剥离开端。
80°C下的粘合剂层B的杨氏模量为IOMPa以上，优选为15MPa以上(例如为 15 IOOMPa)。80°C下的粘合剂层B的杨氏模量低于IOMRi时，针对基材层B的收缩 的反作用力过弱，因而使基材层B相对于被粘物表面垂直抬起的力变弱，无法使粘合片 外缘部以使得基材层A的表面成凹面的方式翘曲、不能产生浮起，具有难以形成剥离开 端的倾向。
另外，本发明的特征在于，粘合剂层B在80°C下对硅制晶片的粘合力为 0.2N/10mm(180°剥离、拉伸速度300mm/分钟)以下。由此，通过加热至80°C，可容 易地从被粘物上剥离粘合片，不会由剥离粘合片导致脆弱被粘物损坏。
另一方面，在被粘物的研磨工序中，优选粘合片牢固地贴附在被粘物上来保护 被粘物，优选25°C下对硅制晶片的粘合力为0.5N/10mm(180°剥离、拉伸速度300mm/ 分钟)以上。
作为本发明的粘合剂层B的厚度，优选为1 100 μ m，其中，更优选为5 60μιη。粘合剂层B的厚度低于Iym时，具有贴附粘合片与被粘物的力不足的倾向，另 外，具有研磨后产生的脆弱被粘物的“翘曲”增大的倾向。另一方面，粘合剂层B的厚 度高于100 μ m时，不仅不经济，而且由于刚性过高，具有抑制加热时基材层B的收缩的 倾向，无法使粘合片翘曲以使得基材层A的表面成凹面，从而不能产生浮起，具有难以 形成剥离开端的倾向。
优选的是，本发明的粘合剂层B需要兼具上述必要条件，可使被粘物在研磨工 序时(25°C )和粘合片剥离时(80°C )的对硅制晶片的粘合力变化。作为使粘合力变化的 方法，例如可列举出使用活性能量射线固化型粘合剂的方法、使用压敏型粘合剂的方法寸。
粘合剂层使用活性能量射线固化型粘合剂层时，可通过照射活性能量射线来降 低粘合力。另一方面，粘合剂层使用压敏型粘合剂时，使用调整组成和添加剂等得到的 压敏型粘合剂，从而可通过加热来降低粘合力。作为本发明的粘合剂层B，其中，优选 使用可通过照射活性能量射线使粘合力变化的活性能量射线固化型粘合剂。
作为构成用作粘合剂层的活性能量射线固化型粘合剂层的活性能量射线固化型 粘合剂，例如可列举出在作为基础聚合物的丙烯酸系粘合剂中添加了活性能量射线固化 性化合物的粘合剂、或者赋予基础聚合物自身以活性能量射线固化性的丙烯酸系粘合 剂。
对于在作为基础聚合物的丙烯酸系粘合剂中添加了活性能量射线固化性化合物 的粘合剂，作为该粘合剂中的活性能量射线固化性化合物，例如可适宜使用分子内含有 多个乙烯基、甲基丙烯酰基、炔基等具有碳-碳多键的官能团的化合物。对于这些化合 物所含有的具有碳-碳多键的官能团，通过照射活性能量射线使键断裂、生成自由基， 该自由基成为交联剂，形成三维网状结构。另外，作为活性能量射线固化性化合物，也 可适宜使用碘鐺盐、鳞盐、锑盐、锍盐、硼酸盐等有机盐类和含有多个环氧乙烷、氧杂 环丁烷、氧杂环戊烷、硫杂丙环、氮丙啶等杂环作为官能团的化合物。对于含有多个杂 环作为官能团的化合物，通过照射活性能量射线使有机盐断裂、生成离子，该离子成为 引发剂引起杂环的开环反应，从而形成三维网状结构。
作为本发明的活性能量射线固化性化合物，其中，优选为一分子中含有2个以 上具有丙烯酸酯基等碳-碳双键的官能团的活性能量射线固化性化合物(参照日本特开 2003-292916号公报)。从对活性能量射线显示较高反应性、或可选择多样的丙烯酸系 粘合剂等反应性、操作性的观点考虑，优选为丙烯酸酯基。作为一分子中含有2个以上 碳-碳双键的活性能量射线固化性化合物，例如可列举出三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯 酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1，4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、 四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1，6-己二醇(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙 烯酸酯、(甲基)丙烯酸与多元醇的酯化物、酯丙烯酸酯低聚物、2-丙烯基-3-丁烯基氰 脲酸酯、异氰脲酸酯、异氰脲酸酯化合物等。这些活性能量射线固化性化合物可单独使 用或将2种以上混合使用。
作为前述活性能量射线固化性化合物的添加量，并没有特别的限定，例如，相 对于粘合剂中的100重量份丙烯酸系共聚物，为0.5 200重量份左右，其中，更优选为 1 50重量份左右。相对于100重量份丙烯酸系共聚物，活性能量射线固化性化合物的 配合量高于200重量份时，低分子量物质的含量过多，结果，有时贴附粘合片与被粘物 的力会降低。另一方面，相对于100重量份丙烯酸系共聚物，活性能量射线固化性化合 物的配合量低于0.5重量份时，有时难以通过照射活性能量射线来使得粘合剂层B对被粘 物的粘合力发生变化。此外，活性能量射线固化性化合物的粘度没有特别的限定。
作为赋予基础聚合物自身以活性能量射线固化性的丙烯酸系粘合剂，例如可举 出在侧链键合有具有碳-碳双键的官能团等的丙烯酸系粘合剂。对于在侧链键合有(甲 基)丙烯酸酯基等作为具有碳-碳双键的官能团的丙烯酸系粘合剂，例如可如下得到 使在侧链具有羟基的丙烯酸系聚合物与异氰酸丙烯酰氧基乙酯、异氰酸甲基丙烯酰氧基 乙酯等异氰酸酯化合物通过氨基甲酸酯键进行键合。作为构成丙烯酸系聚合物的主要单 体，可列举出(甲基)丙烯酸烷基酯[例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸异戊酯、(甲基)丙烯酸正己酯、(甲基)丙烯酸 2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲 基)丙烯酸十二烷酯等]。这些单体成分可使用1种或2种以上。
在丙烯酸系聚合物中，为了改善内聚力、耐热性、交联性等，可以根据需要包 含对应于可与前述(甲基)丙烯酸烷基酯共聚的其他单体成分的单元。作为这样的单体 成分，例如可适宜使用醋酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、N-乙烯基吡咯烷酮、甲基乙烯基吡咯 烷酮、乙烯基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌嗪、乙烯基吡嗪、乙烯基吡 咯、乙烯基咪唑、乙烯基噁唑、乙烯基吗啉、N-乙烯基羧酸酰胺类、苯乙烯、α-甲基 苯乙烯、N-乙烯基己内酰胺等乙烯系单体。
另外，为了改善粘接性，例如可列举出丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙 酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸等含羧基单体，(甲基)丙烯酸 2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯 酸羟基己酯、(甲基)丙烯酸羟基辛酯、(甲基)丙烯酸羟基癸酯、(甲基)丙烯酸羟基 月桂酯、甲基丙烯酸(4-羟基甲基环己基)甲酯等含羟基单体，(甲基)丙烯酰胺、N， N-二甲基(甲基)丙烯酰胺、N-丁基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基(甲基)丙烯酰胺、 N-羟甲基丙烷(甲基)丙烯酰胺、丙烯酸吗啉等(N-取代)酰胺系单体，丙烯腈、甲基 丙烯腈等氰基丙烯酸酯单体，(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等含环氧基丙烯酸系单体，(甲 基)丙烯酸二甲基氨基乙酯、(甲基)丙烯酸二乙基氨基乙酯、(甲基)丙烯酸二甲基氨 基丙酯等含叔氨基单体等。这些单体成分可使用1种或2种以上。
使用赋予了活性能量射线固化性的丙烯酸系粘合剂作为构成粘合剂层B的基础 聚合物时，可以不另外添加活性能量射线固化性化合物，也可以添加。另外，由赋予基础聚合物以活性能量射线固化性的丙烯酸系粘合剂构成的粘合剂层B中可以完全不包含 或包含少量的为低分子成分的活性能量射线固化性化合物等，因而活性能量射线固化性 化合物等不会经时地向粘合剂层中移动，可形成稳定的层结构的粘合剂层B。
作为本发明的粘合剂层B，其中，从容易控制照射活性能量射线前后的弹性变 化的观点考虑，赋予基础聚合物以活性能量射线固化性的丙烯酸系粘合剂是优选的，在 侧链键合有(甲基)丙烯酸酯等作为具有碳-碳双键的官能团的丙烯酸系粘合剂是特别优 选的。
在粘合剂层B中，为了提高形成三维网状结构的反应速度，优选配合活性能量 射线聚合引发剂。活性能量射线聚合引发剂可根据所使用的活性能量射线的种类(例 如红外线、可见光线、紫外线、辐射线、电子射线等)适当选择公知惯用的聚合引发 剂。从操作效率的观点考虑，可以通过紫外线引发光聚合的化合物是优选的。作为代 表性的活性能量射线聚合引发剂，可列举出二苯甲酮、苯乙酮、醌、萘醌、蒽醌、芴酮 等酮系引发剂，偶氮二异丁腈等偶氮系引发剂，过氧化苯甲酰、过苯甲酸等过氧化物 系引发剂等，但不限定于这些。作为市售产品，例如有Ciba Japan K.K.制造的商品名“IRGACURE 184”、"IRGACURE 651"等。
活性能量射线聚合引发剂可单独使用或将2种以上混合使用。相对于100重量 份构成粘合剂的丙烯酸系共聚物，活性能量射线聚合引发剂的用量例如为0.01 10重量 份左右。此外，可以根据需要将活性能量射线聚合促进剂与前述活性能量射线聚合引发 剂一起组合使用。
进而，粘合剂层B优选含有交联剂(例如多异氰酸酯、烷基醚化三聚氰胺化合物 等)。通过含有交联剂，容易控制粘合剂层的内聚性、对基材层的锚固性。本发明的粘 合剂层可以进一步添加由玻璃或树脂形成的微珠。通过添加由玻璃或树脂形成的微珠， 容易提高杨氏模量、降低粘合力。除此之外，可以包含赋粘剂(例如松香衍生物树脂、 多萜烯树脂、石油树脂、油溶性酚醛树脂等)、增塑剂、增粘剂、填充剂、防老剂等适当 的添加剂。
对于粘合剂层B的形成，例如可用如下方法进行将包含前述天然橡胶、合成 橡胶或具有橡胶弹性的合成树脂等粘合剂层形成材料的涂布剂涂布到基材层B上的方法 (干涂布法)；在适当的分隔件(剥离纸等)上涂布前述涂布剂来形成粘合剂层，将其转 印(传递)到基材层B上的方法(干层压法)；将包含基材层B的构成材料的树脂组成物 和涂布剂共挤出的方法(共挤出法)等适当的方法。在利用转印的情况下，有时在粘合 剂层B与基材层B的界面处会残留空隙(gap)。该情况下，利用高压釜处理等实施加温 加压处理，可使空隙扩散、消失。粘合剂层可以是单层、多层的任一种。
根据本发明的粘合剂层B，即使将被粘物研磨得较薄也可抑制所得到的脆弱被 粘物产生“翘曲”。进而，在被粘物的研磨工序结束后，通过实施加热处理等，可使具 有粘合剂层B的本发明的粘合片外缘部翘曲以使得基材层A的表面成凹面，从而使粘合 片与被粘物之间产生浮起、形成剥离开端，因此可容易地从被粘物上剥离。
本发明的粘合片借助于粘合剂层A接合前述基材层A与基材层B、在基材层B 上进一步层叠粘合剂层B来形成。另外，在使用之前，可以在粘合剂层面上贴合分隔件 (剥离衬垫)来保护本发明的粘合片。另外，还可以根据需要设置底漆层、粘合剂层A等中间层。
根据本发明的粘合片，可在加工半导体晶片等被粘物时贴附到被粘物上，固定 被粘物，不损坏被粘物地实施所期望的加工。而且，根据本发明的粘合片，即使不使粘 合片的刚性高于现有的粘合片的刚性，也可降低粘合片的曲率(R’)，可不损害对被粘 物的贴附操作、剥离操作等的操作性地抑制加工后脆弱被粘物所产生的“翘曲”。另 外，对被粘物实施所期望的加工，然后通过从任意一个方向加热(粘合剂层使用活性能 量射线固化型粘合剂层时，通过照射活性能量射线、接着加热来进行)，可使粘合剂层 的粘合力显著降低，并且使基材层B收缩，因此可使粘合片外缘部从被粘物上剥离、翘 曲，从而使粘合片与被粘物之间产生浮起、形成剥离开端。通过在所得到的剥离开端上 贴附剥离带，拉拽该剥离带，可不损伤脆弱被粘物地、不会因不完全的剥离而污染被粘 物地极简单地从被粘物表面上除去。
[分隔件]
在本发明的粘合片中，从保护粘合剂层表面、防止粘连的观点等来看，可以在 粘合剂层B表面上设置分隔件(剥离衬垫)。分隔件是在将粘合片贴合到被粘物上时被 剥离的物质。作为所用的分隔件，并没有特别的限定，可使用公知惯用的剥离纸等。例 如可使用具有利用硅酮系、长链烷基系、氟系、硫化钼系等剥离剂进行了表面处理的 塑料薄膜、纸等剥离层的基材，由聚四氟乙烯、聚氯三氟乙烯、聚氟化乙烯、聚偏二氟 乙烯、四氟乙烯·六氟丙烯共聚物、氯氟乙烯·偏二氟乙烯共聚物等氟系聚合物构成的 低粘接性基材，由烯烃系树脂(例如聚乙烯、聚丙烯等)等非极性聚合物形成的低粘接性 基材等。
[被粘物的加工方法]
本发明的被粘物的加工方法的特征在于，将上述粘合片贴合到被粘物上，对该 被粘物实施所需的加工，然后通过加热使前述粘合片翘曲以使得基材层A的表面成凹 面，从而使粘合片与被粘物之间产生浮起而剥离。
作为被粘物，例如可列举出以硅、镓-砷等为材料的半导体晶片、半导体封装 体、玻璃、或陶瓷等。关于对被粘物实施的加工的种类，例如包括磨削、裁切、研磨、 镜面研磨、蚀刻、旋床加工、加热(其中，温度限定于低于基材层B的热收缩起始温度) 等，只要为可使用该粘合片进行的加工，则没有特别的限定。本发明的粘合片被贴合到 半导体晶片等被粘物表面上，具有保护半导体晶片表面不受对利用该粘合片进行临时固 定的被粘物实施研磨等加工时施加的应力、磨削水、磨削屑(硅酮尘土)的功能。另外， 使用本发明的粘合片作为背面磨削带时，即使将被粘物研磨得极薄也可抑制所得到的脆 弱被粘物产生“翘曲”。对该被粘物实施所需的加工后，可以将本发明的粘合片从被粘 物上剥离、回收。
作为粘合片的加热方法，根据进行剥离操作时的需要，可以从任意一个方向加 热粘合片，以在粘合片外缘部的一部分形成剥离开端，也可以整体加热粘合片，以在被 粘物的整个外周形成剥离开端。粘合片的加热温度和加热时间可根据所使用的基材层B 的热收缩性进行适当调节，加热温度例如为70 180°C左右，优选为70 140°C。加热 时间例如为5 180秒钟左右。
使用本发明的粘合片作为半导体晶片等被粘物的背面磨削带时，对被粘物实施研磨等加工后，不用选择加热的方向而可以通过从任意方向进行加热，使粘合片翘曲以 使得基材层A的表面成凹面，从而使粘合片与被粘物之间产生浮起、形成剥离开端。而 且，加热后的粘合片不会堆叠在半导体晶片等被粘物表面而使得剥离困难。
另外，使用粘合剂层B为活性能量射线固化型粘合剂层粘合片作为粘合片时， 优选的是，将该粘合片贴合到被粘物上，对该被粘物实施所需的加工，然后照射活性能 量射线使粘合剂层B固化，接着，进行加热使前述粘合片翘曲以使得基材层A的表面成 凹面，从而使粘合片与被粘物之间产生浮起。通过对活性能量射线固化型粘合剂层照射 活性能量射线，可使与被粘物坚固粘接的粘合剂层B的粘合力显著降低，可更简单地从 被粘物上剥离。而且，通过在被粘物加工后照射活性能量射线，接着实施加热处理，从 而可更有效地通过加热使得粘合片变形(使粘合片翘曲以使得基材层A的表面成凹面，从 而使粘合片与被粘物之间产生浮起)。
活性能量射线照射的照射强度、照射时间等照射条件没有特别的限定，可根据 需要适当设定，例如使用紫外线作为活性能量射线时，在50 2000mJ/Cm2下照射1 180秒钟左右。
进而，作为以使得基材层A的表面成凹面的方式翘曲的粘合片的剥离方法，优 选的是，在变形的粘合片的基材层A侧的表面外缘部贴附剥离带，向上方拉拽该剥离带 从而剥离粘合片。此时，由于本发明的粘合片发生变形，已从被粘物外缘部上剥离5 15mm左右，因此即使不从粘合片的外缘部向粘合片中心部贴附剥离带(例如从距离粘合 片的外缘部4mm左右的内侧向粘合片中心部贴附)，也可容易地剥离。由此，可防止在 将剥离带贴附到粘合片上时剥离带附着在装置等上，可防止在剥离时半导体晶片等被粘 物损坏。另外，由于粘合片外缘部从被粘物产生了浮起，因此可尽可能大地保持剥离时 的剥离角度，由此可使剥离应力极小来抑制被粘物的损坏。进而，由于通过减小剥离应 力，使得粘合剂被剥取到被粘物上的可能性也变小，因而可减小由剥离导致污染被粘物 的可能性。另外，即使贴附到被粘物上，由于可将剥离应力减至极小，因此仍可减小损 坏被粘物的可能性。
[剥离装置]
本发明的粘合片剥离装置为在上述被粘物的加工方法中使用的粘合片剥离装 置，其具备以下单元作为活性能量射线源的紫外线曝光单元；用于加热贴合在被粘物 上的粘合片的加热单元；以及用于剥离粘合片的剥离单元，其中所述粘合片是通过加热 而翘曲以使得基材层A的表面成凹面，从而与被粘物之间产生了浮起的粘合片。
本发明的粘合片剥离装置可以进一步具备贴附切割带(dicing tape)的单元、固定 已研磨晶片的单元等。此外，本发明的剥离装置可以一体化地具备所有这些单元，也可 以是各个单元相互独立的装置。
对于作为活性能量射线源的紫外线曝光单元，为了使构成本发明的粘合片的活 性能量射线(紫外线)固化型粘合剂固化，只要能照射活性能量射线(紫外线)即可，例 如可使用具有中·高压汞灯、UV激光器、UV LED等能有效地生成紫外线的光源的紫 外线曝光装置。
作为加热单元，只要能加热已研磨晶片等以使粘合片从半导体晶片等被粘物表 面上产生浮起即可，例如作为加热单元，可使用干燥机、热风器、红外线灯等非接触方式的加热单元、在被粘物固定用卡盘座上装有热源的加热单元、热辊等接触式的加热单 元等可迅速加温至基材层B开始收缩的温度的装置。
作为加热方法，只要能从任意一个方向加热粘合片端部即可，例如可以从已研 磨的半导体晶片的粘合片面或半导体晶片面的任一面进行加热，也可以加热双面。作为 加热温度，为基材层B产生收缩的温度即可，例如为70 100°C左右。
通过加热使粘合片翘曲以使得基材层A的表面成凹面、使粘合片与被粘物之 间产生浮起后，可利用用于剥离粘合片的剥离单元将粘合片从半导体晶片等被粘物上除 去。作为用于剥离粘合片的剥离单元，具体来说，有如下方法使用剥离带，将该剥离 带粘合到以使得基材层A的表面成凹面的方式翘曲的粘合片中的、与被粘物之间产生浮 起的部分的基材层A侧的表面上，然后剥离回收的方法；使吸附夹头(collet)吸附到以使 得基材层A的表面成凹面的方式翘曲的粘合片中的、与被粘物之间产生浮起的部分上来 进行剥离的方法；或者，用机器人手臂将以使得基材层A的表面成凹面的方式翘曲的粘 合片中的、与被粘物之间产生浮起的部分夹起来进行剥离等方法。其中，在本发明的粘 合片剥离装置中，使用剥离带来剥离粘合片的方法是优选的。
作为固定已研磨晶片的单元，只要在直至从贴合有本发明的粘合片的半导体晶 片等被粘物等上回收粘合片为止的一系列工序中，能够固定被粘物，使其不会因为各种 操作施加的应力等而发生位置偏离即可，例如可以利用使用静电、空气压力的带卡盘底 座等进行临时固定；也可以在具有足以固定被粘物的刚性的基材上涂布粘合剂，将其贴 附到被粘物上，永久地固定；也可以贴附带芯片贴装薄膜(die attach film)的切割带等在 将本发明的粘合片从已研磨晶片等上剥离后所需要的材料。另外，固定被粘物的装置可 以具有在剥离操作所需要的装置之间依次移动被粘物这样的结构。
根据本发明的粘合片剥离装置，可不污染、不损坏半导体晶片等被粘物地顺利 地剥离在被粘物的加工工序结束后不再需要的本发明的粘合片，进行回收，所述粘合片 是为了在半导体晶片等被粘物的加工工序中保护被粘物而被贴附到被粘物表面上的粘合 片。
实施例
以下，通过实施例来更具体地说明本发明，但本发明不限定于这些实施例。
实施例和比较例中使用的基材如下所述。
[基材]
聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(TORAY INDUSTRIES, INC.制造，商品名 “ Lumirror S10”，有时称为 “ Lumirror S10” )
聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(厚度100μ m、Teijin DuPont Films Japan Limited 制造，商品名“Melinex”，有时称为“Melinex” )
双轴拉伸聚酯薄膜(厚度30 μ m、东洋纺公司制造，商品名“SPACECLEAN S7200”，有时称为 “SPACECLEAN S7200” )
双轴拉伸聚酯薄膜(厚度60 μ m、东洋纺公司制造，商品名“SPACECLEAN S5630"，有时称为 “SPACECLEAN S563O” )
制造例1-1
使100 重量份聚碳酸酯二醇(DAICEL CHEMICAL INDUSTRIES，LTD.制造，商品名“PLACCEL CD220PL”)与10重量份癸二酸反应得到酯系聚合物，在100重量 份该酯系聚合物中混合2重量份交联剂(Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.制造，商 品名“CORONATE L”)，得到粘合剂A_l。
制造例1-2
使100 重量份聚碳酸酯二醇(DAICEL CHEMICAL INDUSTRIES，LTD.制造， 商品名“PLACCEL CD220PL”)与10重量份癸二酸反应得到酯系聚合物，在100重量 份该酯系聚合物中混合3重量份交联剂(Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.制造，商 品名“CORONATE L”)，得到粘合剂A_2。
制造例1-3
在100重量份丙烯酸系聚合物、即丙烯酸2-乙基己酯/丙烯酸(90重量份10 重量份)共聚物中，混合10重量份UV固化型氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物(日本合成化 学工业公司制造，商品名“紫光UV 1700”)、3重量份活性能量射线聚合引发剂(Ciba Japan K.K.制造，商品名 “IRGACURE 651”)、3 重量份交联剂(Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.制造，商品名 “CORONATE L”)，得到粘合剂 A_3。
制造例1-4
使100 重量份聚碳酸酯二醇(DAICEL CHEMICAL INDUSTRIES，LTD.制造， 商品名“PLACCEL CD220PL”)与10重量份癸二酸反应得到酯系聚合物，在100重量 份该酯系聚合物中混合4重量份交联剂(Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.制造，商 品名“CORONATE L”)，得到粘合剂A_4。
制造例1-5
将100重量份丙烯酸系聚合物(Dai Ichi Lace Corp.制造，商品名“Leo Coat R1020S”)、10重量份季戊四醇改性丙烯酸酯交联剂(日本化药公司制造，商品名"DPHA40H" )、0.25重量份交联剂(三菱瓦斯化学公司制造，商品名“TETRAD C”)、2 重量份交联剂(Nippon Polyurethane hidustry Co.，Ltd.制造，商品名 “CORONATE L”)、3重量份活性能量射线聚合引发剂(Ciba Japan K.K.制造，商品名 "IRGACURE 651 ” )溶解到甲乙酮中，得到粘合剂A_5。
制造例2-1
丙烯酸系聚合物使丙烯酸2-乙基己酯/丙烯酸吗啉/丙烯酸2-羟基乙酯 (75摩尔25摩尔25摩尔)共聚物的来源于丙烯酸2-羟基乙酯的羟基的50%与甲 基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(2-异氰酸根合乙基甲基丙烯酸酯)键合，得到在侧链具有 甲基丙烯酸酯基的丙烯酸系聚合物。在100重量份所得到的丙烯酸系聚合物中，混合 50重量份UV固化型氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物(日本合成化学工业公司制造，商品名“紫光UV 1700”)、3重量份活性能量射线聚合引发剂(Ciba Japan K.K.制造，商品名 "IRGACURE 184" )、1.5 重量份交联剂(Nippon Polyurethane hidustry Co.，Ltd.制造， 商品名“CORONATE L”)，得到粘合剂B_l。将所得到的粘合剂B_1用涂覆器涂布到 分隔件(Mitsubishi Polyester Film，bic.制造，商品名“MRF38”)上、干燥，以使干燥 后的厚度为30 μ m，得到粘合剂层B-I。
制造例2-2
在100重量份丙烯酸系聚合物、即丙烯酸丁酯/丙烯酸(100重量份3重量份)共聚物中，混合0.7重量份环氧系交联剂(三菱瓦斯化学公司制造，商品名 “TETRAD C”)、2 重量份交联剂(Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.制造，商品名 “CORONATE L”)，得到粘合剂B_2。将所得到的粘合剂B_2用涂覆器涂布到分隔件 (Mitsubishi Polyester Film, bic.制造，商品名“MRF38”)上、干燥，以使干燥后的厚度 为30μιη，得到粘合剂层Β-2。
[基材层A、B在25°C、80°C下的杨氏模量的测定方法]
实施例和比较例中使用的基材层的杨氏模量根据JISK7127用以下方法测定。使 用岛津公司制造的AutographAG-IkNG(带加温罩)作为拉伸试验器。
以IOOmm的卡盘间距离装上裁切成长度200mmX宽度IOmm的基材，作为试 样。利用加温罩形成25°C或80°C的气氛，然后以拉伸速度5mm/分钟拉伸试样，得到应 力-应变相关的测定值。求出应变为0.2%和0.45%这2点的载荷，得到杨氏模量。针 对同一试样重复5次该测定，采用其平均值。
[粘合剂层A在80°C下的剪切模量的测定方法]
对于制造例1-1 1-5中得到的粘合剂A-I A_5，用涂覆器将其涂布到分隔 件(Mitsubishi Polyester Film，bic.制造，商品名“MRF38”)上、干燥，以使干燥后的 厚度为1.5 2mm，得到粘合剂层A_1 A_5。将所得到的粘合剂层A_1 A_5用直径 7.9mm的冲头进行冲孔，作为测定用的试样。
对于所得到的试样，使用粘弹性光谱仪(Rheometric Scientific公司制造，商品名 “ARES”)，使得卡盘压为IOOg重、剪切频率为1Hz，测定80°C下的剪切模量。
[粘合剂层A在80°C下对基材层A的粘合力的测定]
在本测定方法中，从粘合剂A-I A-5对基材层A的粘合力会依赖于基材层 A的材质、厚度等而发生变化的观点考虑，使用相同的PET薄膜[Lumirror SlO(厚度 50 μ m)]作为基材层A，测定粘合剂A-I A-5的粘合力。
将制造例1-1 1-5中得到的粘合剂A-I A-5用涂覆器涂布到Lumirror SlO (厚 度50 μ m)上、干燥，以使干燥后的厚度为30 μ m，形成粘合剂层A，在该粘合剂层A 侧进一步层叠Lumirror SlO (厚度50 μ m)，用手压辊使其密合，得到层叠片。
将所得到的层叠片裁切成宽度IOmm的大小，将一侧的Lumirror SlO (厚度 50 μ m)面用粘合带与刚性支持基材(硅晶片)贴附。将另一侧的Lumirror SlO (厚度 50 μ m)用粘合带贴附到剥离试验机的拉伸夹具上，将其安装到80°C的加温台上，以使刚 性支撑基材与加温台接触。以拉伸速度300ιηιη/ ι沿180°方向拉伸拉伸夹具，测定 Lumirror SlO (厚度50 μ m)与粘合剂层A之间产生剥离时的力(N/10mm)。
[粘合剂层B在80°C下的杨氏模量的测定方法]
对粘合剂层B-I (或粘合剂层B-2)进行紫外线照射(500mJ/Cm2、25秒钟)，然 后将裁切成长度50mmX宽度IOmm的粘合剂层B_1 (或粘合剂层B_2)以IOmm的卡盘 间距离进行安装，作为试样。通过加温罩形成80°C的气氛后，以拉伸速度5mm/分钟拉 伸试样，得到应力-应变相关的测定值。求出应变为0.2%和0.45%这2点的载荷，得到 杨氏模量。针对同一试样重复3次该测定，采用其平均值。
[粘合剂层B在80°C下对硅制晶片的粘合力的测定]
用手压辊使在制造例2-1、2-2中得到的粘合剂层B-l、B_2与Lumirror SlO (厚度38μιη)密合，得到层叠片。将所得到的层叠片裁切成宽度IOmm后，除去粘合剂 层 B-l、Β-2 上的分隔件(Mitsubishi Polyester Film，he.制造，商品名 “MRF38”)， 用手压辊使粘合剂层B-l、Β-2侧与刚性支持基材(硅制晶片)密合。进行紫外线照射 (500mJ/cm2、25秒钟)后，将Lumirror SlO (厚度38 μ m)用粘合带贴附到剥离试验机 的拉伸夹具上，将其安装到80°C的加温台上，以使硅晶片与加温台接触。以拉伸速度 300mm/mte沿180°方向拉伸拉伸夹具，测定Lumirror SlO (厚度38 μ m)与粘合剂层B 之间产生剥离时的力(N/10mm)。
实施例1
将粘合剂A-I以干燥后的厚度为30 μ m的方式涂布到Lumirror SlO (厚度 25 μ m)的一侧的面上，在其上重叠SPACECLEANS7200，用手压辊进行层叠，得到层叠片。
在所得到的层叠片的SPACECLEAN S7200侧层叠制造例2_1中得到的粘合剂层 B-I的粘合剂层侧，用手压辊使其密合，得到粘合片1。
实施例2
使用粘合剂A-2代替粘合剂A-I，除此之外，与实施例1同样地进行，得到粘合 片2。
实施例3
使用Lumirror SlO (厚度38 μ m)代替 Lumirror SlO (厚度25 μ m)，除此之外，与实施例1同样地进行，得到粘合片3。
实施例4
使用Lumirror SlO (厚度50 μ m)代替 Lumirror SlO (厚度25 μ m)，除此之外，与实施例1同样地进行，得到粘合片4。
实施例5
使用Lumirror SlO (厚度75 μ m)代替 Lumirror SlO (厚度25 μ m)，除此之外，与实施例1同样地进行，得到粘合片5。
实施例6
使用粘合剂A-3代替粘合剂A-I，并且使用Lumirror SlO (厚度50 μ m)代替 Lumirror SlO (厚度25 μ m)，除此之外，与实施例1同样地进行，得到粘合片6。
实施例7
使用粘合剂A-3代替粘合剂A-I，并且使用Lumirror SlO (厚度38 μ m)代替 Lumirror SlO (厚度25 μ m)，除此之外，与实施例1同样地进行，得到粘合片7。
比较例1
使用Melinex (厚度100 μ m)代替 Lumirror SlO (厚度25 μ m)，除此之外， 与实施例1同样地进行，得到粘合片8。
比较例2
将粘合剂A-I以干燥后的厚度为30 μ m的方式涂布到Lumirror SlO (厚度 50 μ m)的一侧的面上，在其上重叠SPACECLEAN S5630，用手压辊进行层叠，得到层叠片。
在所得到的层叠片的SPACECLEAN S5630侧层叠制造例2_1中得到的粘合剂层B-I的粘合剂层侧，用手压辊使其密合，得到粘合片9。
比较例3
使用粘合剂A-4代替粘合剂A-I，除此之外，与实施例1同样地进行，得到粘合 片10。
比较例4
使用制造例2-2中得到的粘合剂层B-2代替制造例2-1中得到的粘合剂层B_l， 除此之外，与实施例1同样地进行，得到粘合片11。
比较例5
将粘合剂A-I涂布以干燥后的厚度为30 μ m的方式到Lumirror SlO (厚度 38 μ m)的一侧的面上，在其上重叠SPACECLEANS7200，用手压辊进行层叠，得到层叠片。
在所得到的层叠片的Lumirror SlO侧层叠制造例2_1中得到的粘合剂层B_1的粘 合剂层侧，用手压辊使其密合，得到粘合片12。
针对上述实施例和比较例中所得到的粘合片1 12，通过以下方法评价其作为 背面磨削带的特性、以及剥离性。
[粘合片的易剥离性评价]
将实施例和比较例中得到的粘合片1 12分别贴附到4英寸的镜面硅晶片上， 然后在40°C、5kgf/cm2、5分钟的条件下进行高压釜处理以改善密合性，得到粘合片/晶 片层叠体。
对于所得到的粘合片/晶片层叠体，进行紫外线照射(500mJ/Cm2)，然后安装到 80°C和90°C的带气动卡盘的热台上。
安装后，以目视观察有无成为剥离开端的“浮起”，基于下述基准进行评价。
评价基准
在晶片整个外周产生3mm以上的“浮起” ◎
在晶片整个外周产生Imm以上、低于3mm的“浮起”〇
虽产生Imm以上的“S曲”、但未到达晶片整个外周Δ
完全未产生“翘曲” X
[研磨后产生的被粘物的“翘曲”的评价]
对实施例3、4和比较例5中得到的粘合片进行评价。
将实施例3、4和比较例5中得到的粘合片分别贴附到8英寸硅晶片上后，使 用背面磨削装置(DISCO公司制造，商品名“DFG8560”)进行研磨，以使晶片厚度为 27 μ m,进一步使用抛光机(polisher) (DISCO公司制造，商品名“DFP8140”)进行镜面 研磨精加工，得到晶片厚度为25 μ m的已研磨晶片。
将所得到的已研磨晶片安装到平板(surface plate)上，测定由于已研磨晶片的翘 曲引起的离平板最远位置到平板的距离，将其作为“翘曲”量。
上述结果汇总示于下述表。
[表1]
权利要求
1.一种粘合片，其为依次层叠具有下述特性的基材层Α、粘合剂层Α、基材层B、和 粘合剂层B而成的，基材层A 25°C下的杨氏模量与基材厚度的积为1.0 X IO5 4.0X 105N/m、80°C下的 杨氏模量与基材厚度的积为2.8X 105N/m以下的基材层；粘合剂层A 80°C下的剪切模量为0.2MPa以下的粘合剂层；基材层B 25°C下的杨氏模量与基材厚度的积小于25°C下的基材层A的杨氏模量与 基材厚度的积、在80°C下加热所引起的主收缩方向的收缩率和与主收缩方向正交的方向 的收缩率均为20%以上的热收缩性基材层；粘合剂层B : 80°C下的杨氏模量为IOMPa以上、且对硅制晶片的粘合力为 0.2N/10mm(180°剥离、拉伸速度300mm/分钟)以下的粘合剂层。
2.根据权利要求1所述的粘合片，其中，在80°C下加热基材层A所引起的收缩率、 膨胀率均为以下。
3.根据权利要求1或2所述的粘合片，其中，粘合剂层B为活性能量射线固化型粘合剂层。
4.根据权利要求1 3的任一项所述的粘合片，其中，粘合剂层B含有在侧链含 有(甲基)丙烯酸酯的丙烯酸系聚合物、交联剂和活性能量射线聚合引发剂。
5.—种被粘物的加工方法，其特征在于，将权利要求1 4的任一项所述的粘合片贴 合到被粘物上，对该被粘物实施所需的加工，然后通过加热使所述粘合片翘曲以使得基 材层A的表面成凹面，从而使粘合片与被粘物之间产生浮起而剥离。
6.根据权利要求5所述的被粘物的加工方法，其中，使用粘合剂层B为活性能量射线 固化型粘合剂层的粘合片作为粘合片，并且将该粘合片贴合到被粘物上，对该被粘物实 施所需的加工，然后通过照射活性能量射线使粘合剂层B固化，接着，通过加热使所述 粘合片翘曲以使得基材层A的表面成凹面，从而使粘合片与被粘物之间产生浮起。
7.根据权利要求5或6所述的被粘物的加工方法，其中，通过向上方拉拽贴附在变形 的粘合片的基材层A侧的表面外缘部的剥离带来剥离粘合片。
8.一种粘合片剥离装置，其为在权利要求5 7的任一项所述的被粘物的加工方法中 使用的粘合片剥离装置，其具备以下单元作为活性能量射线源的紫外线曝光单元；用 于加热贴合在被粘物上的粘合片的加热单元；以及用于剥离粘合片的剥离单元，其中所 述粘合片是通过加热而翘曲以使得基材层A的表面成凹面，从而与被粘物之间产生了浮 起的粘合片。
全文摘要
本发明提供一种粘合片，其为依次层叠下述材料而成的基材层A25℃下的杨氏模量与基材厚度的积为1.0×105～4.0×105N/m、80℃下的杨氏模量与基材厚度的积为2.8×105N/m以下；粘合剂层A80℃下的剪切模量为0.2MPa以下；基材层B25℃下的杨氏模量与基材厚度的积小于25℃下的基材层A的杨氏模量与基材厚度的积、在80℃下加热所引起的MD收缩率和TD收缩率均为20％以上；粘合剂层B80℃下的杨氏模量为10MPa以上、对晶片的粘合力为0.2N/10mm以下。
文档编号C09J133/00GK102027086SQ20098011699
公开日2011年4月20日 申请日期2009年5月1日 优先权日2008年5月12日
发明者木内一之, 西尾昭德 申请人:日东电工株式会社