专利名称：一种低硬度点胶成型屏蔽导电胶及其制备方法和应用的制作方法
技术领域：
本发明涉及含有金属基导电填料的屏蔽导电胶，具体地说，本发明涉及一种屏蔽导电胶组合物。
背景技术：
现有技术中，为有效地抑制电子设备中射频元器件在工作时产生的电磁干扰，常采用在集成电路板屏蔽结构件的接合面处，加载弹性屏蔽导电胶衬垫，来实现电磁密封和屏蔽。对于越来越薄的高精密度、轻量化电子设备中应用的复杂的屏蔽结构件，由于电子单元功能的高度集成和整体尺寸的微型化，使得传统的屏蔽导电胶材料无法满足缩小的组装空间要求；为减轻重量，大量非金属材料结构件得以广泛应用，但随之产生的翘曲和表面平整度问题日益增多。因而，屏蔽导电胶的硬度、成型特点、定位安装工艺就至关重要。点胶成形屏蔽导电胶，是针对尺寸小之又小的电磁密封衬垫需求，出现的一类新型高性能电磁屏蔽复合材料。这种材料被专门设计为流体状态，包装在专用的容器中，使用时，通过计算机操作的CNC数控机床，把流体状态的导电胶，施加压力后从针头点涂于指定位置。点出的胶料不流淌、不塌陷，经过特定的固化条件后，在原位成形，并和基底形成永久粘结。专利ZL03809897. 0公开了一种导电硅橡胶组合物，该导电硅橡胶含有金属基导电填料和球形硅橡胶颗粒，具有低硬度和低永久压缩形变且由于添加橡胶颗粒降低了其增稠性，硬度为59，永久压缩形变为55%。根据该专利说明书的记载可知，该导电硅胶为固化成型产品，成型时，需要借助高温高压设备模压成型或挤出成型。对于模压成型的制品， 使用时，需要将型材冲切成特定形状和尺寸以安装定位；对于挤出成型的制品，使用时，则需要开槽安装、粘结或螺栓定位。受到实际的生产工艺和制造成本限制，难以适应目前高速度、高集成度、体积微小、结构复杂的电子系统产品多样性的需求。在公开的专利资料(申请号200910056933. 1)中，提到了一种热固化导电胶组合物，作为屏蔽导电胶，应用于要求电磁屏蔽和环境密封的中等密封力场合，如基站屏蔽结构件中。该屏蔽导电胶组合物，固化成型后，邵氏A硬度在65以上。虽然该屏蔽导电胶的点胶成型特点和其他性能，如导电率、拉伸强度等，可以满足多数的应用，但对于要求低密封力的应用需求，如非金属结构件，65以上的邵氏A硬度，严重限制了其形变性能，由于组装时屏蔽导电胶垂直受力，横向变形，从而也增大了组装时结构件承受的应力，不能满足应用需求。
发明内容
本发明的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种点胶成型能力好，在较小密封力作用下，可容许50%以上的形变的低硬度点胶成型屏蔽导电胶及其制备方法和应用。
本发明的目的可以通过以下技术方案来实现一种低硬度点胶成型屏蔽导电胶， 其特征在于，该导电胶包括以下重量份含量的组分(A) 100重量份的每一个分子含有至少两个链烯基的有机聚硅氧烷；(B) 2重量份-10重量份每一个分子中含有至少两个硅氢键和一个可水解基团的有机聚硅氧烷； (C) 100重量份-350重量份金属基导电填料；(D) 0. 001重量份-0. 005重量份的钼基催化剂；(E)O. 1重量份-2. 0重量份的铝化合物、锆化合物或钛化合物。所述的组分(A)中链烯基包括乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基、己烯基或庚烯基， 链烯基在分子链中的位置包括分子链端位、分子链侧链或者分子链的端位和侧链，组分(A) 的分子结构包括线型、部分支化的线型或网状结构；组分(A)在25°C下的粘度在2000mPa. s-100000mPa. s 范围内；所述的组分(B)作为组分(A)的交联剂，同时作为反应性粘接促进剂，组分(B)中氢含量为0.06-1.55Wt%，组分(B)中的可水解基团，包括甲氧基、乙氧基、环氧丙氧基或环氧乙氧基；组分(B)在25°C下的粘度在IOmPa. s-500mPa. s范围；所述的组分(C)包括导电金属粉末或含金属镀层的微细粉末，组分(C)的平均粒度优选范围为20微米-180微米，组分(C)的含量，以100重量份组分㈧计，为150重量份-300重量份；所述的组分⑶包括钼黑、吸附钼的氧化铝粉末、氯钼酸、氯钼酸的醇溶液、钼烯烃络合物或钼链烯基硅氧烷络合物；组分(D)的含量为0. 002-0. 004重量份；所述的组分(E)为铝化合物时，包括烷氧基铝、芳氧基铝或者酰氧基铝或铝的 beta-二酮配合物；所述的烷氧基包括甲氧基、乙氧基或异丙氧基；所述的芳氧基包括苯氧基或对甲基苯氧基；所述的酰氧基包括乙酰氧基、丙酰氧基、异丙酰氧基或丁酰氧基；所述的组分(E)为锆化合物时，包括四正丙基锆酸酯、双(柠檬酸二乙酯)二丙氧基锆螯合物或四乙酰丙酮锆；所述的组分(E)为钛化合物时，包括四O-乙基-1，3-己二醇)钛、钛酸四正丁酯、四异丙氧基钛、2-乙基-1-己醇钛、钛酸四正丙酯、聚钛酸丁酯、三异硬脂酸钛酸异丙酯、三异硬脂酸钛酸异丙酯混合物、三异硬脂酸钛酸异丙酯的复配物、三异硬脂酸钛酸异丙酯的复配物、二(乙酰丙酮基)钛酸二异丙酯、双(乙酰乙酸乙酯)钛酸二异丙酯或双 (乙酰乙酸乙酯)钛酸二异丁酯。所述的组分㈧中链烯基为乙烯基，组分㈧在25 °C下的粘度在5000mPa. s-50000mPa. s 范围内；所述的组分⑶在25°C下的粘度在IOmPa. s-400mPa. s范围；所述的组分(C)为金粉、银粉、镍粉或用金粉、银粉、镍粉涂镀的陶瓷粉、玻璃粉、 铝粉、石墨粉中的一种或几种，组分(C)的平均粒度优选范围为35微米-150微米。所述的组分(A)包括乙烯基封端二甲基聚硅氧烷或乙烯基硅油；组分(B)的结构式为((CH3) 3Si0) [ (CH3) 2Si0]m [ (CH3) HSi0]n[ (CH3) RSiO] Si (CH3) 3, m = 0 30，η
=3 30，R为环氧丙氧丙基、环氧乙氧丙基、三甲氧基硅丙基、三乙氧基硅丙基、乙酰乙酸丙酯基、苯甲酰乙酸丙酯基或三甲氧基硅基丙基氧羰基异丙基(-CH2CH(CH3)COOCH2CH2CH2Si (OCH3) 3)；所述的组分(C)为银粉、镀银的玻璃粉、镀银的铝粉、镍粉或石墨镀镍粉或铝镀镍粉。所述的导电胶进一步包括组分(F)反应抑制剂和/或组分(G)有机溶剂，以100 重量份组分(A)计，所述的组分(F)的含量为0. 1重量份-0. 5重量份，组分(G)的含量为 5. 0重量份-30重量份范围内。所述的组分(F)包括1-乙炔基-1-环己醇、2-甲基-3-丁炔-2-醇、2-苯基-3-丁炔-2-醇、2-乙炔基异丙醇、2-乙炔基丁 -2-醇、3，5- 二甲基-1-己炔-3-醇或1，3，5，7-四甲基-1，3，5，7-四乙烯基环四硅氧烷；所述的组分(G)包括二甲基苯、三甲基苯、正十二烷基苯、环己基苯、正癸烷、异癸烷、正i^一烷、正十二烷、正十三烷、正十四烷或环辛烷。一种低硬度点胶成型屏蔽导电胶的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤: 将100重量份的每一个分子含有至少两个链烯基的有机聚硅氧烷、100重量份-350重量份金属基导电填料和0. 1重量份-2. 0重量份铝化合物或锆化合物或钛化合物粗混，所得粗混物在110°C抽真空脱水处理30-60min后，在氮气保护下移入配备循环冷却夹套的行星式混合器，冷却至室温，加入2重量份-10重量份每一个分子中含有至少两个硅氢键和一个可水解基团的有机聚硅氧烷，在真空条件下进一步混合，最后加入0. 001重量份-0. 005重量份的钼基催化剂，混合反应，进行脱泡处理，真空灌装，点胶成型并固化后，即得产品。所述的粗混物还可添加组分(F)反应抑制剂和/或组分(G)有机溶剂。一种低硬度点胶成型屏蔽导电胶的应用，其特征在于，作为低硬度点胶成型屏蔽导电胶，用于电子设备的屏蔽结构件。为了调节所得屏蔽导电胶组合物的加工性和物理性能，本发明的组合物可含有气相法二氧化硅和其它增强填料；另外，可含有阻燃剂、热稳定剂和颜料。由于其特殊的性能要求，本发明配制加工时不可避免的要同时解决两个相互矛盾的问题一方面，液态硅橡胶基础聚合物胶的黏度虽然大大低于模压和挤出类硅橡胶，但是，为保证产品的实用强度和弹性，液态基础聚合物的黏度必须控制在10000厘泊以上，当直接填加大量固体导电填料后，黏度会急剧上升，黏度高达数百万乃至千万厘泊，使得物料体系很难混合和加工。另一方面，本发明产品在使用时，则要求易于挤出和涂敷。此外，在工艺方面，配制加工本项目产品时，还必须在无水无氧条件下配制，否则，会导致胶料增稠而报废。与现有技术相比，本发明导电胶主要功能是在导电表面之间提供低阻抗、柔性连接和环境密封性能，直接用于设计复杂的电子通讯设备的整体密封和电磁屏蔽，如基站、手机，PDA, MP、PCMCIA卡等无线通信器材中模块的屏蔽部位。本发明采用铝化合物或锆化合物或钛化合物，提高了钼类催化剂的稳定性，有效克服了在配制加工中钼类催化剂易受到抑制的问题，并有助于改善导电胶的粘接性能。本发明产品具有优良的触变性能，可现场原位成型，因而能方便的直接应用在多种金属化塑料和金属材料制成的法兰表面上。本发明采用组分(B)每一个分子中含有至少两个硅氢键和一个可水解基团的有机聚硅氧烷作为组分(A)的交联剂，同时作为反应性粘接促进剂，与组分C、D、E进行配合，获得了优良的电学性能、较低的硬度、良好的物理机械性能和对金属基材良好的粘接效果， 所得导电胶在受到较小应力后即可容许50%以上的形变。与专利ZL03809897. 0公开的一种非粘接性导电硅橡胶组合物相比，本发明在减少材料消耗、简化生产工艺、降低能耗、降低制造和装配成本、满足苛刻的装配空间限制、提高生产效率和产品的性价比等方面，有无可比拟的优势。本发明产品还具有如下显著特点30分钟内快速固化、大于2. OMPa的高抗张强度、在铝基材上的附着力高达30N/cm、25 %的低永久压缩形变。
具体实施例方式下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。本发明所用原材料均为市售产品，其中组分(A)购自晨光化工研究院；组分(B)购自Gelest Inc.和Laur特种化学品(上海)有限公司。实施例1在干燥、洁净的环境中均勻混合下列组分80重量份5000mPa. S黏度乙烯基封端二甲基聚硅氧烷、20重量份20000mPa. S黏度乙烯基封端二甲基聚硅氧烷，250重量份平均粒度为50微米的铜镀银粉作为金属基导电填料和0. 2重量份的三乙酰丙酮铝粗混，所得粗混物在110°C抽真空脱水处理30min后，在氮气保护下移入配备循环冷却夹套的行星式混合器，在无水无氧条件下加入10重量份的((CH3)3SiO) [(CH3) 2SiO]2(1[ (CH3) HSiO] 5[ (CH3) ((CH2CH2O) CH2OCH2CH2CH2) SiO] Si (CH3) 3，在真空条件下进一步混合，最后加入0. 002重量份催化剂1，3- 二乙烯基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷钼混合反应，进行脱泡处理，真空灌装，点胶成型并固化后，即得产品。根据需要上述粗混物中还可加入0. 1重量份的1-乙炔基-1-环己醇，6重量份的三甲苯，5重量份比表面积为200m2/g的疏水性气相法白炭黑增强性填料，得到邵氏A硬度为40，最小伸长率250%，导电率为0. 0040hm. cm的低硬度点胶成型屏蔽导电胶组合物，组合物保存在SEMCO的密封胶筒容器中，需要使用所述组合物时，从容器中取出，在150摄氏度高温下固化成目标屏蔽导电胶组合物。实施例2在干燥、洁净的环境中均勻混合下列组分80重量份IOOOOmPa. S黏度乙烯基封端二甲基聚硅氧烷、15重量份20000mPa. S黏度乙烯基封端二甲基聚硅氧烷、5重量份500mPa. S黏度侧基含有乙烯基的二甲基聚硅氧烷，300重量份平均粒度为35微米的片状银粉和0. 2 重量份的四正丙基锆酸酯粗混，所得粗混物在110°C抽真空脱水处理30min后，在氮气保护下移入配备循环冷却夹套的行星式混合器，在无水无氧条件下加入8重量份((CH3)3SiO) [(CH3)2SiO]20[ (CH3)HSiO]5[ (CH3) ((C2H5O) 3SiCH2CH2CH2) SiO] Si (CH3) 3，在真空条件下进一步混合，最后加入0. 005重量份催化剂H2PtCl6 · 6H20,混合反应，进行脱泡处理，真空灌装，点胶成型并固化后，即得产品。上述粗混物中还可加入8重量份的二甲苯，根据需要加入0. 1重量份的2-甲基-3- 丁炔-2-醇，3重量份比表面积为130m2/g的疏水性气相法白炭黑，得到硬度为35， 最小伸长率300%，导电率为0. 002hm. cm的低硬度场成型高屏蔽导电胶组合物，组合物保存在SEMCO的密封胶筒容器中，需要使用所述组合物时，从容器中取出，在150摄氏度高温下固化成目标屏蔽导电胶组合物。实施例3在干燥、洁净的环境中均勻混合下列组分95重量份15000mPa. S黏度乙烯基封端二甲基聚硅氧烷、5重量份500mPa. S黏度侧基含有乙烯基的二甲基聚硅氧烷、150重量份平均粒度为120微米的石墨镀镍作为金属基导电填料和0.2重量份的双(乙酰乙酸乙酯)钛酸二异丙酯粗混，所得粗混物在110°C抽真空脱水处理30min后，在氮气保护下移入配备循环冷却夹套的行星式混合器，在无水无氧条件下加入6重量份((CH3)3SiOK(CH3) HSiO] 4 [ (CH3) ((CH3O) 3SICH2CH2CH2) SiO] Si (CH3) 3，在真空条件下进一步混合，最后加入 0. 002重量份催化剂氯钼酸的异丙醇溶液，混合反应，进行脱泡处理，真空灌装，点胶成型并固化后，即得产品。根据需要上述粗混物中还可加入0. 1重量份的1，3，5，7-四甲基-1，3，5，7-四乙烯基环四硅氧烷，6重量份的正十二烷，5重量份比表面积为200m2/g的疏水性气相法白炭黑增强性填料，1. 2重量份环氧丙氧丙基三甲氧基硅烷粘接促进剂，得到邵氏A硬度为40， 最小伸长率300%，导电率为0. 0400hm. cm的低硬度点胶成型屏蔽导电胶组合物，组合物保存在SEMCO的密封胶筒容器中，需要使用所述组合物时，从容器中取出，在150摄氏度高温下固化成目标屏蔽导电胶组合物。实施例4一种低硬度点胶成型屏蔽导电胶的制备方法，该方法包括以下步骤将100重量份乙烯基硅油(25°C下的粘度在5000mPa. s)、150重量份金属基导电填料银粉(平均粒度优选范围为35微米)和2. 0重量份双(柠檬酸二乙酯)二丙氧基锆螯合物粗混，所得粗混物在110°C抽真空脱水处理60min后，在氮气保护下移入配备循环冷却夹套的行星式混合器，在无水无氧条件下加入 10 重量份((CH3)3SiO) [(CH3) HSiO] 3 [CH3 ((CH3O)3SiCH2CH2CH2OCO CH(CH3) CH2) SiO] Si (CH3) 3，(25°C下的粘度在IOmPa. smPa. s范围)，在真空条件下进一步混合，最后加入0. 005重量份的钼氧化铝粉末，混合反应，进行脱泡处理，真空灌装，点胶成型并固化后，即得产品。上述粗混物中还可根据需要加入0. 5重量份3，5- 二甲基-1-己炔_3_醇和30重量份环辛烷。实施例5一种低硬度点胶成型屏蔽导电胶的制备方法，该方法包括以下步骤将100重量份乙烯基硅油(25°C下的粘度在50000mPa. s)、350重量份金属基导电填料铝镀银粉(平均粒度范围为65微米)和0. 1重量份丁酰氧基铝粗混，所得粗混物在110°C抽真空脱水处理 40min后，在氮气保护下移入配备循环冷却夹套的行星式混合器，加入2重量份((CH3) 3SiO) [(CH3) 2SiO] 30 [ (CH3) HSiO] 30 [CH3 ((CH3O) 3SiCH2CH2CH20C0CH (CH3) CH2) SiO] Si (CH3) 3 (25 "C 下的粘度在5000mPa. s范围)，在真空条件下进一步混合，最后加入0. 001重量份的氯钼酸，混合反应，进行脱泡处理，真空灌装，点胶成型并固化后，即得产品。上述粗混物中还可根据需要加入0. 1重量份2-乙炔基异丙醇和5. 0重量份二甲基苯。实施例6—种低硬度点胶成型屏蔽导电胶的制备方法，该方法包括以下步骤将100重量份乙烯基硅油(25°C下的粘度在2000mPa. s)、100重量份金属基导电填料金粉(平均粒度优选范围为20微米)和0. 1重量份-2. 0重量份丁酰氧基铝粗混，所得粗混物在110°C 抽真空脱水处理60min后，在氮气保护下移入配备循环冷却夹套的行星式混合器，在无水无氧条件下加入 3 重量份((CH3)3SiO) [(CH3)HSiO] 1(1[ (CH3) ((CH2CH2O) CH2OCH2CH2CH2) SiO] Si (CH3)3 (25°C下的粘度在IOOmPa. s范围)，在真空条件下进一步混合，最后加入0. 002重量份的钼黑，混合反应，进行脱泡处理，真空灌装，点胶成型并固化后，即得产品。上述粗混物中还可根据需要加入0. 2重量份2-乙炔基异丙醇和10重量份二甲基苯。实施例7一种低硬度点胶成型屏蔽导电胶的制备方法，该方法包括以下步骤将100重量份乙烯基硅油(25°C下的粘度在lOOOOOmPa. s) ,200重量份金属基导电填料石墨镀镍(平均粒度优选范围为180微米)和0. 1重量份-2. 0重量份丁酰氧基铝粗混，所得粗混物在 110°C抽真空脱水处理60min后，在氮气保护下移入配备循环冷却夹套的行星式混合器， 在无水无氧条件下加入 5 重量份((CH3)3SiO) [(CH3) 2Si0]17[ (CH3) HSiO] 15[ (CH3) ((CH2CH2O) CH2OCH2CH2CH2) SiO] Si (CH3) 3 (25°C下的粘度在IOOOmPa. s范围)，在真空条件下进一步混合， 最后加入0. 004重量份的钼黑，混合反应，进行脱泡处理，真空灌装，点胶成型并固化后，即得广品。上述粗混物中还可根据需要加入0. 3重量份2-乙炔基异丙醇和20重量份二甲基苯。本发明的屏蔽导电胶组合物的特征在于含有金属基导电填料，点胶成型能力好， 成型后邵氏A硬度小于45，伸长率大于200%，在较小密封力作用下，可容许50%以上的形变。适合用作形成要求低应力和高导电率(低电阻)的屏蔽导电胶的原材料以及用作导电粘合剂。
权利要求
1.一种低硬度点胶成型屏蔽导电胶，其特征在于，该导电胶包括以下重量份含量的组分(A)100重量份的每一个分子含有至少两个链烯基的有机聚硅氧烷；(B)2重量份-10重量份每一个分子中含有至少两个硅氢键和一个可水解基团的有机聚硅氧烷；(C)100重量份-350重量份金属基导电填料；(D)O.001重量份-0. 005重量份的钼基催化剂；(E)O.1重量份-2. 0重量份的铝化合物、锆化合物或钛化合物。
2.根据权利要求1所述的一种低硬度点胶成型屏蔽导电胶，其特征在于，所述的组分 (A)中链烯基包括乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基、己烯基或庚烯基，链烯基在分子链中的位置包括分子链端位、分子链侧链或者分子链的端位和侧链，组分(A)的分子结构包括线型、部分支化的线型或网状结构；组分(A)在25°C下的粘度在2000mPa. s-lOOOOOmPa. s范围内；所述的组分(B)作为组分(A)的交联剂，同时作为反应性粘接促进剂，组分(B)中氢含量为0.06-1. 55wt%，组分(B)中的可水解基团，包括甲氧基、乙氧基、环氧丙氧基或环氧乙氧基；组分(B)在25°C下的粘度在IOmPa. s-500mPa. s范围；所述的组分(C)包括导电金属粉末或含金属镀层的微细粉末，组分(C)的平均粒度优选范围为20微米-180微米，组分(C)的含量，以100重量份组分㈧计，为150重量份-300 重量份；所述的组分(D)包括钼黑、吸附钼的氧化铝粉末、氯钼酸、氯钼酸的醇溶液、钼烯烃络合物或钼链烯基硅氧烷络合物；组分(D)的含量为0. 002-0. 004重量份；所述的组分(E)为铝化合物时，包括烷氧基铝、芳氧基铝或者酰氧基铝或铝的beta-二酮配合物；所述的烷氧基包括甲氧基、乙氧基或异丙氧基；所述的芳氧基包括苯氧基或对甲基苯氧基；所述的酰氧基包括乙酰氧基、丙酰氧基、异丙酰氧基或丁酰氧基；所述的组分 (E)为锆化合物时，包括四正丙基锆酸酯、双(柠檬酸二乙酯)二丙氧基锆螯合物或四乙酰丙酮锆；所述的组分(E)为钛化合物时，包括四O-乙基-1，3-己二醇)钛、钛酸四正丁酯、 四异丙氧基钛、2-乙基-1-己醇钛、钛酸四正丙酯、聚钛酸丁酯、三异硬脂酸钛酸异丙酯、三异硬脂酸钛酸异丙酯混合物、三异硬脂酸钛酸异丙酯的复配物、三异硬脂酸钛酸异丙酯的复配物、二(乙酰丙酮基)钛酸二异丙酯、双(乙酰乙酸乙酯)钛酸二异丙酯或双(乙酰乙酸乙酯)钛酸二异丁酯。
3.根据权利要求2所述的一种低硬度点胶成型屏蔽导电胶，其特征在于，所述的组分 (A)中链烯基为乙烯基，组分(A)在25 °C下的粘度在5000mPa. s-50000mPa. s范围内；所述的组分(B)在25°C下的粘度在IOmPa. s-400mPa. s范围；所述的组分(C)为金粉、银粉、镍粉或用金粉、银粉、镍粉涂镀的陶瓷粉、玻璃粉、铝粉、 石墨粉中的一种或几种，组分(C)的平均粒度优选范围为35微米-150微米。
4.根据权利要求3所述的一种低硬度点胶成型屏蔽导电胶，其特征在于，所述的组分 (A)包括乙烯基封端二甲基聚硅氧烷或乙烯基硅油；组分(B)的结构式为((CH3)3SiO) [ (CH3) 2Si0]m[ (CH3) HSiO] n[(CH3) RSiO] Si (CH3) 3，m = 0 30，η = 3 30，R为环氧丙氧丙基、环氧乙氧丙基、三甲氧基硅丙基、三乙氧基硅丙基、乙酰乙酸丙酯基、苯甲酰乙酸丙酯基或三甲氧基硅基丙基氧羰基异丙基(-CH2CH(CH3)COOCH2CH2CH2Si(OCH3)3)；所述的组分(C)为银粉、镀银的玻璃粉、镀银的铝粉、镍粉或石墨镀镍粉或铝镀镍粉。
5.根据权利要求1所述的一种低硬度点胶成型屏蔽导电胶，其特征在于，所述的导电胶进一步包括组分(F)反应抑制剂和/或组分(G)有机溶剂，以100重量份组分(A)计，所述的组分(F)的含量为0. 1重量份-0. 5重量份，组分(G)的含量为5. 0重量份-30重量份范围内。
6.根据权利要求5所述的一种低硬度点胶成型屏蔽导电胶，其特征在于，所述的组分 (F)包括1-乙炔基-1-环己醇、2-甲基-3- 丁炔-2-醇、2-苯基-3- 丁炔-2-醇、2-乙炔基异丙醇、2-乙炔基丁 -2-醇、3，5- 二甲基-1-己炔-3-醇或1，3，5，7-四甲基-1，3，5，7-四乙烯基环四硅氧烷；所述的组分(G)包括二甲基苯、三甲基苯、正十二烷基苯、环己基苯、正癸烷、异癸烷、 正十一烷、正十二烷、正十三烷、正十四烷或环辛烷。
7.—种如权利要求1所述的低硬度点胶成型屏蔽导电胶的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤将100重量份的每一个分子含有至少两个链烯基的有机聚硅氧烷、100 重量份-350重量份金属基导电填料和0. 1重量份-2. 0重量份铝化合物或锆化合物或钛化合物粗混，所得粗混物在110°C抽真空脱水处理30-60min后，在氮气保护下移入配备循环冷却夹套的行星式混合器，冷却至室温，加入2重量份-10重量份每一个分子中含有至少两个硅氢键和一个可水解基团的有机聚硅氧烷，在真空条件下进一步混合，最后加入0. 001 重量份-0. 005重量份的钼基催化剂，混合反应，进行脱泡处理，真空灌装，点胶成型并固化后，艮口得广品。
8.根据权利要求7所述的低硬度点胶成型屏蔽导电胶的制备方法，其特征在于，所述的粗混物还可添加组分(F)反应抑制剂和/或组分(G)有机溶剂。
9.一种如权利要求1所述的低硬度点胶成型屏蔽导电胶的应用，其特征在于，作为低硬度点胶成型屏蔽导电胶，用于电子设备的屏蔽结构件。
全文摘要
本发明涉及一种低硬度点胶成型屏蔽导电胶及其制备方法和应用。该导电胶包括以下重量份含量的组分(A)100重量份的每一个分子含有至少两个链烯基的有机聚硅氧烷；(B)2重量份-10重量份每一个分子中含有至少两个硅氢键和一个可水解基团的有机聚硅氧烷；(C)100重量份-350重量份金属基导电填料；(D)0.001重量份-0.005重量份的铂基催化剂；(E)0.1重量份-2.0重量份的铝或锆或钛化合物。与现有技术相比，本发明具有低硬度、高导电、高屏蔽性能、强赋型能力和粘接性好等突出优点。
文档编号C09J9/02GK102516929SQ201110383570
公开日2012年6月27日 申请日期2011年11月25日 优先权日2011年11月25日
发明者孙凯, 李成刚, 柴莹 申请人:上海锐朗光电材料有限公司