复合量子点材料、制备方法及其显示装置与流程
本发明是关于一种复合量子点材料、复合量子点材料的制备方法及其显示装置，特别是一种可提升量子点之稳定性及发光效率的复合量子点材料、复合量子点材料的制备方法及其显示装置。
背景技术：
量子点从被制作以后，由于其优异的光电性能引起了科学界和工业界广泛的兴趣。与传统荧光材料相比，量子点的发光性能更具有半峰宽窄、颗粒小、无散射损失和光谱随尺寸可调控等优点，被广泛地认为将在显示、照明和生物荧光标记等领域具有重大应用前景。
各单位皆投入了大量的时间和人力成本进行量子点材料的研究，使量子点的光电性能得到不断的提升，相关应用的元件也相继出现。
其中，量子点作为发光材料应用于显示设备被认为是量子点最先实现突破的应用领域。然而，量子点作为一种优越的发光材料，仍然存在许多基础问题尚未能得到解决，尤其又以量子点的稳定性问题困扰着许多的研究单位，成为限制量子点领域发展的瓶颈之一。进一步而言，量子点在其它应用领域，如太阳能电池、生物标记以及环境污染冶理等方面，其稳定性也是很大的挑战。
技术实现要素：
根据上述背景技术中存在的不足，本发明的目的在于提出一种可提升量子点稳定性及发光效率的复合量子点材料、复合量子点材料的制备方法及其显示装置。
首先，本发明提出一种复合量子点材料。所述复合量子点材料包括：一光学核心；一无机配体层，包覆于所述光学核心的表面上，所述无机配体层包括至少一硅的氧化物(siox)材料；以及一水氧阻障层，包覆于所述无机配体层的表面上。其中，所述水氧阻障层是由包括有至少一金属氧化物的复数个层积结构，以不规则的排列方式堆栈而成。
再者，本发明还提出一种复合量子点材料的制备方法，包括以下步骤：(a)提供一光学核心，并对所述光学核心进行硅烷化处理；(b)添加一表面活性剂和一非极性溶剂于经硅烷化处理后的所述光学核心；(c)添加一含硅化合物，使得所述光学核心表面具有至少一硅的氧化物(siox)材料；(d)添加一含水化合物，所述含水化合物与所述含硅化合物进行水解和缩合反应，以形成一无机配体层；(e)混合一醋酸锌水合物和乙醇，并添加至包覆有所述无机配体层的所述光学核心；以及(f)将包覆有所述无机配体层的所述光学核心浸泡于氢氧化钠(naoh)-乙醇(ethanol)水溶液，形成一复合量子点材料。
本发明还提出另一种复合量子点材料的制备方法，包括以下步骤：(g)提供一光学核心，并对所述光学核心进行硅烷化处理；(h)添加一表面活性剂和一非极性溶剂于经硅烷化处理后的所述光学核心；(i)添加一含硅化合物，使得所述光学核心表面具有至少一硅的氧化物(siox)材料；(j)添加一含水化合物，所述含水化合物与所述含硅化合物进行水解和缩合反应，以形成一无机配体层；(k)添加异丙醇钛(titaniumisopropoxide,ttip)或钛酸四丁酯(tbot)至包覆有所述无机配体层的所述光学核心；以及(l)将包覆有所述无机配体层的所述光学核心浸泡于水-醇溶液，形成一复合量子点材料。
本发明还提出另一种复合量子点材料的制备方法，包括以下步骤：(m)提供一光学核心定锚于无机氧化物上；(n)添加一非极性溶剂于至少含一量子点成长于无机氧化物；(o)添加一含硅化合物，使得所述光学核心表面形成一无机配体层；(p)混合一醋酸锌水合物和乙醇，并添加至包覆有所述无机配体层的所述光学核心；以及(q)将包覆有所述无机配体层的所述光学核心浸泡于氢氧化钠(naoh)-乙醇(ethanol)水溶液，形成一复合量子点材料。
本发明还提出另一种复合量子点材料的制备方法，包括以下步骤：(r)提供一光学核心定锚于无机氧化物上；(s)添加一非极性溶剂于至少含一量子点成长于无机氧化物；(t)添加一含硅化合物，使得所述光学核心表面形成一无机配体层；(u)添加异丙醇钛(titaniumisopropoxide,ttip)或钛酸四丁酯(tbot)至包覆有所述无机配体层的所述光学核心；以及(v)将包覆有所述无机配体层的所述光学核心浸泡于水-醇溶液，形成一复合量子点材料。
再者，本发明更提出一种复合量子点显示装置，包括：一背光源；至少一复合量子点材料，设于所述背光源；以及一液晶显示模块，设置于含有至少一复合量子点材料之背光源上。
其中，所述至少一复合量子点材料包括：一光学核心；一无机配体层，包覆于所述光学核心的表面上，所述无机配体层包括至少一硅的氧化物(siox)材料；以及一水氧阻障层，包覆于所述无机配体层的表面上。其中，所述水氧阻障层是由包括有至少一金属氧化物的层积结构堆栈而成。
本发明更提出另一种复合量子点显示装置，包括：一微发光源，为主动式微led晶粒或被动式微led晶粒；以及至少一复合量子点材料，置放于所述微发光源上。其中，所述至少一复合量子点材料包括：一光学核心；一无机配体层，包覆于所述光学核心的表面上，所述无机配体层包括至少一硅的氧化物(siox)材料；以及一水氧阻障层，包覆于所述无机配体层的表面上。其中，所述水氧阻障层是由包括有至少一金属氧化物的层积结构堆栈而成。
以上对本发明的简述，目的在于对本发明的数种面向和技术特征作一基本说明。发明简述并非对本发明的详细表述，因此其目的不在特别列举本发明的关键性或重要元件，也不是用来界定本发明的范围，仅为以简明的方式呈现本发明的数种概念而已。
附图说明
图1为本发明较佳实施例的复合量子点材料的示意图；
图2为本发明另一较佳实施例的复合量子点材料的示意图；
图3为本发明第一较佳实施例的复合量子点材料的制备方法流程图；
图4为本发明第二较佳实施例的复合量子点材料的制备方法流程图；
图5为本发明第三较佳实施例的复合量子点材料的制备方法流程图；
图6为本发明第四较佳实施例的复合量子点材料的制备方法流程图；
图7a为本发明较佳实施例的无机配体层包覆光学核心的电显图；
图7b为本发明较佳实施例的无机配体层包覆光学核心的电显图；
图7c为本发明较佳实施例的无机配体层包覆光学核心的电显图；
图8a为本发明较佳实施例的复合量子点材料的水氧阻障层为氧化钛的电显图；
图8b为本发明较佳实施例的复合量子点材料的水氧阻障层为氧化钛的金相图；
图8c为本发明较佳实施例的复合量子点材料的水氧阻障层为氧化钛的金相图；
图9a为本发明较佳实施例的复合量子点材料的水氧阻障层为氧化锌的电显图；
图9b为本发明较佳实施例的复合量子点材料的水氧阻障层为氧化锌的金相图；
图9c为本发明较佳实施例的复合量子点材料的水氧阻障层为氧化锌的金相图；
图10a为本发明另一较佳实施例的复合量子点材料的电显图；
图10b为本发明另一较佳实施例的复合量子点材料的电显图；
图10c为本发明另一较佳实施例的复合量子点材料的电显图；
图11为本发明第一实施例的复合量子点发光二极管(qd-led)封装结构示意图；
图12为本发明第二实施例的复合量子点发光二极管(qd-led)封装结构示意图；
图13为本发明第三实施例的复合量子点发光二极管(qd-led)封装结构示意图；
图14为本发明一实施例的复合量子点液晶显示装置示意图；
图15a为本发明另一实施例的复合量子点液晶显示装置示意图；
图15b为本发明再一实施例的复合量子点液晶显示装置示意图；
图16为本发明第一实施例的复合量子点微发光二极管(microled)显示装置示意图；
图17为本发明第二实施例的复合量子点微发光二极管(microled)显示装置示意图；
图18为本发明第三实施例的复合量子点微发光二极管(microled)显示装置示意图；
图19为本发明较佳实施例的复合量子点材料的温度测试图；
图20为本发明较佳实施例的复合量子点材料的阻水氧测试图；
图21为本发明较佳实施例的复合量子点材料的阻水氧测试图；
图22为本发明较佳实施例的复合量子点显示装置色域比较图。
附图标号说明：
142、142a、142b、142’…复合量子点材料
421、421a、421b、421c…光学核心
431…定量前驱物
1001、1001a、1001b、1001c…无机配体层
2001…水氧阻障层
201…层积结构
52、54…量子点液晶显示装置
42…液晶显示模块
420…玻璃基板
422…液晶分子层
424…薄膜晶体管层
32…侧光式背光模块
34…直下式背光模块
320…导光板
322…反射片
380…框架
100…背光源
100a、100b、100c…量子点发光二极管
120…基板
122…金属电极
130…发光二极管芯片
140…波长转换薄膜
144…光阻层
146…复合光阻层
150…阻挡层
151…氧化金属层
160…保护层
170…透明胶体材料
180…塑料电极芯片载体
190…金属导线
200a、200b、200c…量子点微发光二极管显示装置
220…发光二极管芯片
222…第一电极
224…第二电极
226…发光层
240…微发光源
260…间隔层
具体实施方式
实施例：复合量子点材料
首先，请参考图1，其为本发明较佳实施例的复合量子点材料的示意图。如图1所示，本较佳实施例的复合量子点材料142包括：一光学核心421、一无机配体层1001以及一水氧阻障层2001。
其中，所述光学核心421可以是由半导体材料制成的量子点，例如：ii-vi族量子点(cdse或cds)、iii-v族量子点((al,in,ga)p、(al,in,ga)as或(al,in,ga)n)、具有壳-核结构的ii-vi族量子点(cdse/zns)、具有壳-核结构的iii-v族量子点(inp/zns)、具有合金结构的非球形ii-vi量子点(zncdses)、上述任意两者的组合或上述任意两者以上的组合。
所述光学核心421也可以是具有化学通式max3的钙钛矿量子点，所述钙钛矿量子点主要包括有机-无机杂化钙钛矿量子点、全无机钙钛矿量子点或其组合。其中，阳离子m为有机离子的甲胺离子、乙胺离子、甲脒离子或无机离子的铯离子(cs+)；金属离子a为二价的铅离子(pb2+)、锡(sn2+)或锗离子(ge2+)；卤素离子x为属于立方、正交或者四方晶系的氯离子(cl-)，溴离子(br-)或碘离子(i-)。
进一步而言，所述全无机钙钛矿量子点为具有化学通式cspbcl3的蓝光全无机钙钛矿量子点、cspbbr3的绿光全无机钙钛矿量子点、具有化学通式cspb(i/br)3的琥珀光全无机钙钛矿量子点、具有化学通式cspbi3的红光全无机钙钛矿量子点或其组合。本较佳实施例的复合量子点材料142能受第一光线激发而发出不同于第一光线之波长的第二光线，并具有具优异的量子效率与光线波长转换效率，能展现出半高宽窄的放光光谱及优异的纯色性，使得光线波长转换效果佳，且应用在发光装置能提升其发光效率。
前述的量子点可通过成分及/或尺寸之调整，依据能带宽度的差异(bandgap)改变发光颜色(第二光线波长)，例如从蓝色、绿色到红色色域，能够弹性运用；其中，该些量子点具有奈米级尺寸。在本较佳实施例中，光学核心421的粒径大小介于1奈米(nm)至30奈米之间(例如20奈米)。然而，使用者可先决定光学核心421的光激荧光的颜色，再依据所挑选的半导体材料决定适合的光学核心421尺寸大小，本发明不应以此为限。
其中，所述无机配体层1001是包覆于所述光学核心421的表面上，且所述无机配体层1001包括至少一硅的氧化物(siox)材料。在本较佳实施例中，所述硅的氧化物(siox)材料的厚度介于1奈米(nm)至1000奈米之间，例如10奈米至100奈米。其中，所述硅的氧化物(siox)材料可以是二氧化硅(sio2)或一氧化硅(sio)。值得注意的是，二氧化硅(sio2)的透光度高，不会使来自至少一量子点的出光效率下降，且能减少量子点的配体(ligand)损失并达到量子效率的提升，同时也可以防止量子点的光致氧化。
此外，本较佳实施例更在所述无机配体层1001的表面上包覆一水氧阻障层2001，且所述水氧阻障层2001是由包括有至少一金属氧化物的层积结构201，以不规则的排列方式堆栈而成，可有效降低无机配体层1001可能会导致量子点(光学核心421)的奈米结构于固化高分子材料之中分散性表现不佳的影响。其中，所述至少一金属氧化物为氧化钛(tio2)、氧化锌(zno)、氧化铝(alox)或其组合。
另一方面，请参考图2，其为本发明另一较佳实施例的复合量子点材料的示意图。如图2所示，本另一较佳实施例的复合量子点材料142’包括：一定量前驱物431、一光学核心421、一无机配体层1001以及一水氧阻障层2001。
本实施例与图1的复合量子点材料142的差异在于，本实施例的复合量子点材料142’更包括一定量前驱物431，所述定量前驱物431为一无机氧化物，且在可能的实施样态中，所述无机氧化物可为一奈米球结构，其材料可选用至少一无机氧化物，如二氧化硅(sio2)、一氧化硅(sio)或其组合。另外，请同时参考图10a(其比例尺大小为15奈米)、图10b(其比例尺大小为20奈米)及图10c(其比例尺大小为50奈米)，其为本发明另一较佳实施例(含有定量前驱物)的复合量子点材料的电显图。如图10a、图10b及图10c所示，首先，对所述定量前驱物431进行一胺基化的步骤；完成后，所述光学核心421可定锚并成长于所述定量前驱物431上，而所述无机配体层1001包覆于所述定量前驱物431及所述光学核心421的表面上。最后，所述水氧阻障层2001又包覆于所述无机配体层1001心的表面上，以形成本实施例的复合量子点材料142’。
实施例：复合量子点材料的制备方法
请参考图3，其为本发明第一较佳实施例的复合量子点材料的制备方法流程图。如图3所示，本发明的复合量子点材料可透过以下方式制备：(a)提供一光学核心，并对所述光学核心进行硅烷化处理；(b)添加一表面活性剂和一非极性溶剂于经硅烷化处理后的所述光学核心；(c)添加一含硅化合物，使得所述光学核心表面具有至少一硅的氧化物(siox)材料；(d)添加一含水化合物，所述含水化合物与所述含硅化合物进行水解和缩合反应，以形成一无机配体层；(e)混合一醋酸锌水合物和乙醇，并添加至包覆有所述无机配体层的所述光学核心；以及(f)将包覆有所述无机配体层的所述光学核心浸泡于氢氧化钠(naoh)-乙醇(ethanol)水溶液，形成一复合量子点材料。
在本实施例的步骤(a)中，所述光学核心可以是由半导体材料制成的量子点，例如：ii-vi族量子点(cdse或cds)、iii-v族量子点((al,in,ga)p、(al,in,ga)as或(al,in,ga)n)、具有壳-核结构的ii-vi族量子点(cdse/zns)、具有壳-核结构的iii-v族量子点(inp/zns)、具有合金结构的非球形ii-vi量子点(zncdses)、上述任意两者的组合或上述任意两者以上的组合。
所述光学核心也可以是具有化学通式max3的钙钛矿量子点，所述钙钛矿量子点主要包括有机-无机杂化钙钛矿量子点、全无机钙钛矿量子点或其组合。其中，阳离子m为有机离子的甲胺离子、乙胺离子、甲脒离子或无机离子的铯离子(cs+)；金属离子a为二价的铅离子(pb2+)、锡(sn2+)或锗离子(ge2+)；卤素离子x为属于立方、正交或者四方晶系的氯离子(cl-)，溴离子(br-)或碘离子(i-)。进一步而言，所述全无机钙钛矿量子点为具有化学通式cspbcl3的蓝光全无机钙钛矿量子点、具有化学通式cspbbr3的绿光全无机钙钛矿量子点、具有化学通式cspb(i/br)3的琥珀光全无机钙钛矿量子点、具有化学通式cspbi3的红光全无机钙钛矿量子点或其组合。
在本实施例的步骤(b)中，所述表面活性剂为曲拉通x-100(tritonx-100，c14h22o(c2h4o)n)或壬基酚聚醚-5(igepalco-520)；所述非极性溶剂为己烷(hexane)、环己烷(cyclohexane)、苯(benzene)、甲苯(toluene)、氯仿(chloroform)或乙酸乙酯(ethylacetate)。
在本实施例的步骤(c)中，所述含硅化合物为四乙基硅酸盐(teos)、四甲基硅酸盐(tmos)或3-氨基丙基三乙氧基硅烷(aptes)。所述硅的氧化物(siox)材料可为二氧化硅(sio2)、一氧化硅(sio)或其组合。
在本实施例的步骤(d)中，所述含水化合物为纯水(h2o)或氨水(nh4oh)溶液。
请参照图7a及图7b，其为本发明较佳实施例的无机配体层包覆光学核心的电显图(其比例尺大小为20奈米)，透过上述制备方法的步骤(a)至(d)，即可完成无机配体层1001a包覆光学核心421a的制作。首先，如图7a所示，其比例尺大小为20奈米，由图中可明显看出所述复合量子点材料的光学核心421a大小约为5奈米，无机配体层1001a的厚度约为3奈米，且复合量子点材料的无机配体层1001a包覆有单一颗光学核心421a；再者，如图7b所示，其比例尺大小同样为20奈米，由图中可明显看出所述复合量子点材料的光学核心421b大小约为7奈米，无机配体层1001b的厚度约为11.5奈米，且复合量子点材料的无机配体层100b同样包覆有单一颗光学核心421b。由此可知，本发明可透过调配上述步骤(a)至(d)溶剂或化合物的浓度，来控制包覆光学核心的无机配体层的厚度。另外，请进一步参照图7c，其为本发明较佳实施例的无机配体层包覆光学核心的电显图(其比例尺大小为50奈米)，图7c与图7a和7b的差别在于，图7c中所述复合量子点材料的无机配体层1001c可同时包覆多颗光学核心421c。
同时参照图8a，其为本发明较佳实施例的复合量子点材料的水氧阻障层为氧化钛的电显图。透过上述制备方法所制成的复合量子点材料142a，包括：一光学核心，一包覆于所述光学核心表面上的无机配体层，以及一包覆于所述无机配体层表面上的水氧阻障层，且所述水氧阻障层是由包括有至少一金属氧化物的层积结构，以不规则的排列方式堆栈而成(可参照图8a，其比例尺大小为100奈米)。其中，所述光学核心为上述的半导体材料制成的量子点或具有化学通式max3的钙钛矿量子点；所述无机配体层为二氧化硅(sio2)、一氧化硅(sio)或其组合；所述至少一金属氧化物为氧化钛(tio2)。另外，图8b、图8c为本发明较佳实施例的复合量子点材料的水氧阻障层为氧化钛的金相图，其中图8b中荧光黄色部分为复合量子点材料中含有硅(si)的材料(其比例尺大小为15奈米)，图8c中荧光绿色部分为复合量子点材料中含有钛(ti)的材料(其比例尺大小为15奈米)。
除此之外，请参考图4，其为本发明第二较佳实施例的复合量子点材料的制备方法流程图。如图4所示，本发明的复合量子点材料还可透过以下方式制备：(g)提供一光学核心，并对所述光学核心进行硅烷化处理；(h)添加一表面活性剂和一非极性溶剂于经硅烷化处理后的所述光学核心；(i)添加一含硅化合物，使得所述光学核心表面具有至少一硅的氧化物(siox)材料；(j)添加一含水化合物，所述含水化合物与所述含硅化合物进行水解和缩合反应，以形成一无机配体层；(k)添加异丙醇钛(titaniumisopropoxide,ttip)或钛酸四丁酯(tbot)至包覆有所述无机配体层的所述光学核心；以及(l)将包覆有所述无机配体层的所述光学核心浸泡于水-醇溶液，形成一复合量子点材料。
在本实施例的步骤(g)中，所述光学核心可以是由半导体材料制成的量子点，例如：ii-vi族量子点(cdse或cds)、iii-v族量子点((al,in,ga)p、(al,in,ga)as或(al,in,ga)n)、具有壳-核结构的ii-vi族量子点(cdse/zns)、具有壳-核结构的iii-v族量子点(inp/zns)、具有合金结构的非球形ii-vi量子点(zncdses)、上述任意两者的组合或上述任意两者以上的组合。
所述光学核心也可以是具有化学通式max3的钙钛矿量子点，所述钙钛矿量子点主要包括有机-无机杂化钙钛矿量子点、全无机钙钛矿量子点或其组合。其中，阳离子m为有机离子的甲胺离子、乙胺离子、甲脒离子或无机离子的铯离子(cs+)；金属离子a为二价的铅离子(pb2+)、锡(sn2+)或锗离子(ge2+)；卤素离子x为属于立方、正交或者四方晶系的氯离子(cl-)，溴离子(br-)或碘离子(i-)。进一步而言，所述全无机钙钛矿量子点为具有化学通式cspbcl3的蓝光全无机钙钛矿量子点、具有化学通式cspbbr3的绿光全无机钙钛矿量子点、具有化学通式cspb(i/br)3的琥珀光全无机钙钛矿量子点、具有化学通式cspbi3的红光全无机钙钛矿量子点或其组合。
在本实施例的步骤(h)中，所述表面活性剂为曲拉通x-100(tritonx-100，c14h22o(c2h4o)n)或壬基酚聚醚-5(igepalco-520)；所述非极性溶剂为己烷(hexane)、环己烷(cyclohexane)、苯(benzene)、甲苯(toluene)、氯仿(chloroform)或乙酸乙酯(ethylacetate)。
在本实施例的步骤(i)中，所述含硅化合物为四乙基硅酸盐(teos)、四甲基硅酸盐(tmos)或3-氨基丙基三乙氧基硅烷(aptes)。所述硅的氧化物(siox)材料可为二氧化硅(sio2)、一氧化硅(sio)或其组合。
在本实施例的步骤(j)中，所述含水化合物为纯水(h2o)或氨水(nh4oh)溶液。
可同时参照图9a，其为本发明较佳实施例的复合量子点材料的水氧阻障层为氧化锌的电显图(其比例尺大小为100奈米)。透过上述制备方法所制成的复合量子点材料142b，包括：一光学核心，一包覆于所述光学核心表面上的无机配体层，以及一包覆于所述无机配体层表面上的水氧阻障层，且所述水氧阻障层是由包括有至少一金属氧化物的层积结构，以不规则的排列方式堆栈而成(可参照图9a，其比例尺大小为100奈米)。其中，所述光学核心为上述的半导体材料制成的量子点或具有化学通式max3的钙钛矿量子点；所述无机配体层为二氧化硅(sio2)、一氧化硅(sio)或其组合；所述至少一金属氧化物为氧化锌(zno)。另外，图9b、图9c为本发明较佳实施例的复合量子点材料的水氧阻障层为氧化锌的金相图，其中图9b中荧光蓝色部分为复合量子点材料中含有硅(si)的材料(其比例尺大小为250奈米)，图9c中荧光黄色部分为复合量子点材料中含有锌(zn)的材料(其比例尺大小为250奈米)。
最后，关于含有定量前驱物之复合量子点材料的制备方法如下。首先，请参考图5，其为本发明第三较佳实施例的复合量子点材料(含有定量前驱物)的制备方法流程图。如图5所示，所述制备方法步骤包括：(a)提供一光学核心定锚于一无机氧化物上，且在可能的实施样态中，所述无机氧化物可为一奈米球结构；(b)添加一非极性溶剂于至少含一量子点成长于所述无机氧化物；(c)添加一含硅化合物，使得所述光学核心表面具有至少一硅的氧化物(siox)材料；以及(d)形成外表包覆有所述至少一硅的氧化物(siox)材料一复合量子点材料。
其中，所述表面活性剂为曲拉通x-100(tritonx-100，c14h22o(c2h4o)n)或壬基酚聚醚-5(igepalco-520)。其中，所述含硅化合物为四乙基硅酸盐(teos)、四甲基硅酸盐(tmos)或3-氨基丙基三乙氧基硅烷(aptes)。
除此之外，再参考图6，其为本发明第四较佳实施例的复合量子点材料(含有定量前驱物)的制备方法流程图。如图6所示，所述制备方法步骤包括：(a’)提供至少一定量前驱物，并对所述至少一定量前驱物进行胺基化处理，所述至少一定量前驱物为一无机氧化物，且所述无机氧化物为一奈米球结构；(b’)提供至少一光学核心；(c’)添加一表面活性剂或一非极性溶剂，使得所述至少一光学核心形成于所述至少一定量前驱物的表面上；(d’)添加一含硅化合物，使得所述光学核心表面具有至少一硅的氧化物(siox)材料；以及(e’)形成外表包覆有所述至少一硅的氧化物(siox)材料一复合量子点材料。
其中，所述胺基化处理是在有机化合物分子中引入胺基的一种化工单元过程，胺基化不仅可以在有机化合物中引入一个胺基，还可以置换两个或三个胺基，而胺基化处理的方法主要分为两种：还原，对含有硝基的化合物进行还原；以及氨解，用有机卤化物和氨直接反应，用胺基取代卤素原子。其中，所述表面活性剂为曲拉通x-100(tritonx-100，c14h22o(c2h4o)n)或壬基酚聚醚-5(igepalco-520)。其中，所述含硅化合物为四乙基硅酸盐(teos)、四甲基硅酸盐(tmos)或3-氨基丙基三乙氧基硅烷(aptes)。
而依据上述方法所制备含有定量前驱物的复合量子点材料，可参考前述的图10a、图10b及图10c的电显图。
实施例：复合量子点材料的显示装置
本发明的复合量子点材料可应用于各种发光装置例如照明灯具，用于手机荧幕、电视荧幕等的显示装置的发光模块(前光模块、背光模块)或用于显示装置的面板画素或次画素。再者，当使用越多种不同成分的复合量子点材料，也就是使用越多种不同发光波的量子点时，光源的放射光谱越宽，甚至能达到全谱(fullspectrum)的需求。因此，使用本发明的复合量子点材料能提高显示装置的色域，也能有效提升显示装置色纯度与色彩真实性。
首先，请参考图11，其为本发明第一实施例的复合量子点发光二极管(qd-led)封装结构示意图。如图11所示，所述复合量子点发光二极管100a采芯片封装形式，并包括有一基板120、一金属电极122、一发光二极管芯片130、一波长转换薄膜140以及一阻挡层150(barrierlayer)，而金属电极122、发光二极管芯片130、波长转换薄膜140以及阻挡层150(barrierlayer)的两侧还可分别设有一含硅材质(如硅氧树脂(siliconeresin))的保护层160，用以阻隔水气与氧气的渗入。其中，所述阻挡层150(barrierlayer)最佳可选自玻璃及硅胶；其中又以玻璃为最佳选择。而整体复合量子点发光二极管100a外围更可用原子层沉积系统(ald)镀上一氧化金属层151，所述氧化金属层151的构成可以是原子级氧化铝材料。
所述复合量子点发光二极管100a的相对位置是将所述基板120设置于底部。所述金属电极122设置于所述基板120上方。所述发光二极管芯片130设置于所述金属电极122上方，并与所述金属电极122做电性连接。所述波长转换薄膜140及所述阻挡层150(barrierlayer)皆设置于所述发光二极管芯片130之上，且所述阻挡层150包覆所述波长转换薄膜140，以避免所述波长转换薄膜140受到发光二极管芯片130发光时所产生的热能而影响波长转换的效率，甚至破坏所述波长转换薄膜140。其中，所述阻挡层150的材料为聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)、光学玻璃、环氧塑酯、或硅氧树脂(siliconeresin)等。
其中，所述波长转换薄膜140为具有前述的复合量子点材料142、142’(请同时参照图1或图2)的波长转换薄膜140，所述波长转换薄膜140也可以是具有前述的复合量子点材料142、142’与一透明胶体材料(图未示)混合后形成复合波长转换薄膜140，所述透明胶体材料可以是聚甲基丙烯酸甲脂(polymathicmethacrylate,pmma)、乙烯对苯二甲酸酯(polyethyleneterephthalate,pet)、聚苯乙烯(polystyrene,ps)、聚乙烯(polypropylene,pp)、尼龙(polyamide,pa)、聚碳酸酯(polycarbonate,pc)、环氧树脂(epoxy)、硅氧树脂(siliconeresin)、硅胶(silicone)或其组合。
所述复合式的波长转换薄膜140还可包括其他荧光材料(图未示)，如无机荧光材料或有机荧光材料与前述的量子点材料142、142’混合使用，无机荧光材料如铝酸盐荧光粉(如luyag、gayag、yag等)、硅酸物荧光粉、硫化物荧光粉、氮化物荧光粉、氟化物荧光粉、、含四价锰离子的氟硅酸钾(ksf)等。有机荧光材料包括包括单分子结构、多分子结构、寡聚物(oligomer)以及聚合物(polymer)。所述荧光材料由主晶体、助活化剂(敏感剂)与活化剂组成。所述荧光材料可以为黄色、蓝色、绿色、橙色、红色或其组合，如黄橙色和红黄色之氮化物荧光粉，所述荧光材料之材质是选自于有机荧光粉、荧光颜料、无机荧光粉、放射性元素或其组合。
在本实施例中，所述波长转换薄膜140的制作方法如下：首先，执行步骤(a)，将复合量子点材料透过极性或非极性溶剂进行分散。接着，执行步骤(b)，将含有复合量子点材料的分散液与透明胶材进行均匀混合，并放置烤箱烘干形成复合量子点胶材。再者，执行步骤(c)，将复合量子点胶材透过刮刀涂布法涂布于透明基板上，或透过渗透法将复合量子点胶材渗入两片透明基板的间隙中。最后，执行步骤(d)，进行胶材uv固化或热固化成型，完成所述波长转换薄膜140的制作。
在本实施例中，所述波长转换薄膜140的另一制作方法如下：首先，执行步骤(a)，将复数个奈米球堆栈为周期性或非周期性之一堆栈结构。接着，执行步骤(b)，以一骨架胶体渗入所述堆栈结构的缝隙间，且所述骨架胶体混有前述的复合量子点材料。再者，执行步骤(c)，固化所述骨架胶体，并以一去球剂去除所述堆栈结构中的所述复数个奈米球。最后，执行步骤(d)，制作完成所述波长转换薄膜140，所述波长转换薄膜140中包括周期性或非周期性的一奈米球状孔洞结构。
在执行完步骤(d)之后，如对于更多波长的光谱具有提高其光强度的需求，还可执行步骤(e)，在所述波长转换薄膜140中的奈米球状孔洞结构渗入前述的复合量子点材料。
所述波长转换薄膜的制作方法还可透过以下方法：首先，执行步骤(f)，将复数个前述的复合量子点材料为周期性或非周期性之一堆栈结构。接着，执行步骤(g)，以一骨架胶体渗入所述堆栈结构的缝隙间。再者，执行步骤(h)，固化所述骨架胶体。最后，执行步骤(i)，制作完成所述波长转换薄膜140，所述波长转换薄膜中包括周期性或非周期性的复数个复合量子点材料。
在另一实施例中，所述复合波长转换薄膜140的制作方法如下：首先，执行步骤(a1)，将复数个奈米球堆栈为周期性或非周期性之一堆栈结构。接着，执行步骤(b1)，以一骨架胶体渗入所述堆栈结构的缝隙间，且所述骨架胶体混有前述的复合量子点材料，以及前述的荧光材料、透明胶体材料或其组合。再者，执行步骤(c1)，固化所述骨架胶体，并以一去球剂去除所述堆栈结构中的所述复数个奈米球。最后，执行步骤(d1)，制作完成所述复合波长转换薄膜140，所述复合波长转换薄膜140中包括周期性或非周期性的一奈米球状孔洞结构。
在执行完步骤(d1)之后，如对于更多波长的光谱具有提高其光强度的需求，还可执行步骤(e1)，在所述复合波长转换薄膜140中的奈米球状孔洞结构渗入前述的复合量子点材料。
在上述二实施例中，复数个奈米球可选用二氧化硅(sio2)、聚苯乙烯(polystyrene,ps)、聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxane)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate)所形成之直径10奈米至1000奈米粒径大小的奈米球。
液态骨架胶体可以为混合荧光材料的光固化胶或热固化胶，或者纯光固化胶或热固化胶。更进一步来说光固化胶的的材料包括丙烯酸酯单体、丙烯酸酯寡聚合物单体，或其组合。本实施方式中采用丙烯酸酯单体实施。主因丙烯酸酯具有优良的耐候性、透明性、保色性和力学强度，而丙烯酸酯单体可选自二缩三丙二醇二丙烯酸酯(tripropyleneglycoldiacrylate,tpgda)、新戊二醇二丙烯酸酯(neopropyleneglycoldiacrylate,npgda)、丙氧基化新戊二醇二丙烯酸酯(propoxylatedneopropyleneglycoldiacrylate,po-npgda)、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(trimethyloipropanetriacrylate,tmpta)、乙氧基化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(ethoxylatedtrimethyloipropanetriacrylate,eo-tmpta)、丙氧基化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(propoxylatedtrimethyloipropanetriacrylate,po-tmpta)、丙氧基化甘油三丙烯酸酯(propoxylatedglyceryltriacrylate,gpta)、二-(三羟甲基丙烷)四丙烯酸酯(di-trimethyloipropanetetraacrylate,di-tmpta)、乙氧基化季戊四醇四丙烯酸酯(ethoxylatedpentaerythritoltetraacrylate,eo-peta)、二季戊四醇六丙烯酸酯(dipentaerythritolhexaacrylate,dpha)或其组合。
固化骨架胶体的方式是依照骨架胶体的种类不同而选用不同的方式。如骨架胶体为含有光硬化剂的光固化胶，则施以如紫外线等外部环境因素给以固化；反之如为热固化胶时，则施以如烤箱加热等方式给以固化。
当复数个奈米球的材质选用为硅化合物时，去球剂选用为氢氟酸(hf)。可以在不腐蚀骨架胶体的前提下去除堆栈结构中的复数个奈米球。而当复数个奈米球为高分子聚合物时，去球剂选用有机溶剂来达成目的。
在本实施例中，所述发光二极管芯片130制程步骤可分为上游、中游及下游，上游包括形成基板(如蓝宝石基板、陶瓷基板、金属基板等)、单晶棒(如gan、gaas、gap等)、单晶片、结构设计、磊芯片，中游包括金属蒸镀、光照蚀刻、热处理、切割，下游封装则包括覆晶式(flip-chip)、芯片黏着式(surfacemountdevice,smd)与芯片封装式(chipsalepackage,csp)。
在本实施例中，所述复合量子点发光二极管100a的所述波长转换薄膜140与所述复合波长转换薄膜140所包括的复合量子点材料142、142’能受发光二极管芯片130所发出的第一光线激发，而发出不同于第一光线之波长的第二光线，并具有优异的量子效率，能展现出半高宽窄的放光光谱及优异的纯色性，因此光线波长转换效果佳，且应用在背光源能提升发光效果。其中，发出第一光线的发光二极管芯片130是由蓝光发光二极管芯片或紫外光发光二极管芯片所发射出来。
请参考图12，其为本发明第二实施例的复合量子点发光二极管(qd-led)封装结构示意图。如图12所示，复合量子点发光二极管100b的塑料电极芯片载体180(透过金属导线190连接)上设有发光二极管芯片130。并透过保护层160围绕形成杯状结构，以阻隔水气与氧气的渗入；并在其中填充透明胶体材料170。前述透明胶体材料170可以是聚甲基丙烯酸甲脂(polymathicmethacrylate,pmma)、乙烯对苯二甲酸酯(polyethyleneterephthalate,pet)、聚苯乙烯(polystyrene,ps)、聚乙烯(polypropylene,pp)、尼龙(polyamide,pa)、聚碳酸酯(polycarbonate,pc)、环氧树脂(epoxy)、硅氧树脂(siliconeresin)、硅胶(silicone)或其组合。在图12的实施例中，透明胶体材料170采用硅氧树脂(siliconeresin)；而在保护层160及透明胶体材料170之上设有被阻挡层150包夹的波长转换薄膜140或复合波长转换薄膜140。而整体复合量子点发光二极管100a外围更可用原子层沉积系统(ald)镀上一氧化金属层151，所述氧化金属层151的构成可以是原子级氧化铝材料。
请参考图13，其为本发明第三实施例的复合量子点发光二极管(qd-led)封装结构示意图。如图13所示，复合量子点发光二极管100c的塑料电极芯片载体180上设有发光二极管芯片130(透过金属导线190连接)。并透过保护层160围绕形成杯状结构，以阻隔水气与氧气的渗入；并在其中填充混有复合量子点材料142、142’的透明胶体材料170。其中，所述透明胶体材料170可以是聚甲基丙烯酸甲脂(polymathicmethacrylate,pmma)、乙烯对苯二甲酸酯(polyethyleneterephthalate,pet)、聚苯乙烯(polystyrene,ps)、聚乙烯(polypropylene,pp)、尼龙(polyamide,pa)、聚碳酸酯(polycarbonate,pc)、环氧树脂(epoxy)、硅氧树脂(siliconeresin)、硅胶(silicone)或其组合。而整体复合量子点发光二极管100a外围更可用原子层沉积系统(ald)镀上一氧化金属层151，所述氧化金属层151的构成可以是原子级氧化铝材料。
请参考图14，其为本发明一实施例的复合量子点液晶显示装置示意图。如图14所示，所述复合量子点液晶显示装置52包括一侧光式背光模块32及一液晶显示模块42，侧光式背光模块32包括框架380、背光源100及导光板320。在本实施例中，背光源100为图11至图13中任一复合量子点发光二极管(qd-led)100a、100b或100c，且背光源100的出光方向为面向导光板320的入光方面，且背光模块32更具有至少一反射片322借以将背光源100射出的光线能集中往导光板320，光线再经由导光板320的出光面往上方的液晶显示模块42射出。
请参考图15a，其为本发明另一实施例的复合量子点液晶显示装置示意图。如图15a所示，所述复合量子点液晶显示装置54包括一直下是背光模块34及一液晶显示模块42，直下式背光模块34包括框架380及背光源100。在本实施例中，背光源100为图11至图13中任一复合量子点发光二极管100a、100b或100c，或蓝光发光二极管(led)，且背光源100的出光方向为面向液晶显示模块42，且框架380更具有至少一反射片322借以将背光源100射出的光线能集中往液晶显示模块42，光线再由液晶显示模块42射出。
其中，所述液晶显示模块42包括一玻璃基板420，设于所述侧光式背光模块32或所述直下是背光模块34上方，一薄膜晶体管层424，设于所述玻璃基板420与所述侧光式背光模块32或所述直下是背光模块34之间，以及一液晶分子层422，设于所述玻璃基板420与所述薄膜晶体管层424之间。
另外，请参考图15b，其为本发明再一实施例的复合量子点液晶显示装置示意图。如图15b所示，所述复合量子点液晶显示装置54包括一直下是背光模块34、一液晶显示模块42以及一波长转换层140或一复合波长转换层140，直下式背光模块34包括框架380及背光源100。在本实施例中，背光源100同样可为图11至图13中任一复合量子点发光二极管(qd-led)100a、100b或100c，或蓝光发光二极管(led)，且背光源100的出光方向为面向液晶显示模块42，且框架380更具有至少一反射片322借以将背光源100射出的光线能集中后，经由波长转换层140或复合波长转换层140射往液晶显示模块42，光线再由液晶显示模块42射出。本实施例与图15a的差异在于，所述直下式背光模块34中背光源100上还可放置有前述的波长转换层140或复合波长转换层140(可参照图11、图12)。
其中，所述液晶显示模块42包括一玻璃基板420，设于所述侧光式背光模块32或所述直下是背光模块34上方，一薄膜晶体管层424，设于所述玻璃基板420与所述侧光式背光模块32或所述直下是背光模块34之间，以及一液晶分子层422，设于所述玻璃基板420与所述薄膜晶体管层424之间。
除此之外，请参考图16，其为本发明第一实施例的复合量子点微发光二极管(microled)显示装置示意图。如图16所示，复合量子点微发光二极管(microled)显示装置200a包括一微发光源240，所述微发光源240为主动式为发光二极管晶粒或被动式为发光二极管晶粒，以及至少一复合量子点材料142，涂布于所述微发光源的表面上。其中，所述至少一复合量子点材料142包括一光学核心；一无机配体层，包覆于所述光学核心的表面上(可参照图1)，所述无机配体层包括至少一硅的氧化物(siox)材料；以及一水氧阻障层，包覆于所述无机配体层的表面上。其中，所述水氧阻障层是由包括有至少一金属氧化物的层积结构堆栈而成。
其中，所述光学核心可以是由半导体材料制成的量子点，例如：ii-vi族量子点(cdse或cds)、iii-v族量子点((al,in,ga)p、(al,in,ga)as或(al,in,ga)n)、具有壳-核结构的ii-vi族量子点(cdse/zns)、具有壳-核结构的iii-v族量子点(inp/zns)、具有合金结构的非球形ii-vi量子点(zncdses)、上述任意两者的组合或上述任意两者以上的组合。
所述光学核心也可以是具有化学通式max3的钙钛矿量子点，所述钙钛矿量子点主要包括有机-无机杂化钙钛矿量子点、全无机钙钛矿量子点或其组合。其中，阳离子m为有机离子的甲胺离子、乙胺离子、甲脒离子或无机离子的铯离子(cs+)；金属离子a为二价的铅离子(pb2+)、锡(sn2+)或锗离子(ge2+)；卤素离子x为属于立方、正交或者四方晶系的氯离子(cl-)，溴离子(br-)或碘离子(i-)。
其中，所述硅的氧化物(siox)材料可以是二氧化硅(sio2)或一氧化硅(sio)。所述至少一金属氧化物为氧化钛(tio2)、氧化锌(zno)、氧化铝(alox)或其组合。
在本实施例中，微发光源220包括一发光二极管芯片220以及复数个间隔层260，所述至少一复合量子点材料142设于发光二极管芯片220的出光侧，更详细地说，所述至少一复合量子点材料142间隔涂布于发光二极管芯片220之出光侧表面，所述复数个间隔层260且间隔配置在所述发光二极管芯片220与所述至少一复合量子点材料142之间。其中，所述发光二极管芯片220为垂直式发光二极管芯片，包括一第一电极222、一第二电极224，以及设于所述第一电极222与所述第二电极224之间依序的p型半导体层、发光层226与n型半导体层，而发光二极管芯片220的出光测与所述第一电极222位在相同侧。
在本实施例中，采用雾化喷涂的方式将至少一复合量子点材料142涂布于微发光源的表面上，雾化喷涂的方法是将至少一复合量子点材料142混和胶材(如硅胶)后均匀喷涂在微发光源240的表面，将单颗发光二极管芯片220所需的颜色利用雾化喷涂机台，自动对位并喷涂复合量子点材料142于发光二极管芯片220上，进而达到全彩型的微发光二极管(microled)显示装置。
请参考图17，其为本发明第二实施例的量子点微发光二极管(microled)显示装置示意图。如图17所示，复合量子点微发光二极管(microled)显示装置220b包括一微发光源240，所述微发光源240为主动式为发光二极管晶粒或被动式为发光二极管晶粒，以及至少一复合量子点材料142，涂布于所述微发光源240的表面上。其中，所述至少一复合量子点材料包括一光学核心；一无机配体层，包覆于所述光学核心的表面上，所述无机配体层包括至少一硅的氧化物(siox)材料；以及一水氧阻障层，包覆于所述无机配体层的表面上。其中，所述水氧阻障层是由包括有至少一金属氧化物的层积结构堆栈而成(可参照图1)。
本实施例与图16的复合量子点微发光二极管(microled)显示装置200a的差异在于，所述微发光源240与所述至少一复合量子点材料142间更设有一光阻层144，如光阻屏蔽层(photoresistmask,prm)、屏障层(barrierlayer)或其组合。其中，所述光阻层144的材料为聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)，或其他光阻材料如正型光阻剂酚醛树脂(phenol-formaldehyderesin)或环氧树脂(epoxyresin)、负型光阻剂聚异戊二烯橡胶(polyisoprenerubber)以及反转型光阻剂等；又，光阻层144还可以是图9及图10中所述的波长转换薄膜140或复合波长转换薄膜140。
在本实施例中，采用雾化喷涂加上黄光微影制程方式，制作光阻层144于微发光源240与所述至少一复合量子点材料142之间，并透过绿光和红光两道波长转换之喷涂制程，来达到全彩型的微发光二极管(microled)显示装置。
请参考图18，其为本发明第三实施例的复合量子点微发光二极管(microled)显示装置示意图。如图18所示，复合量子点微发光二极管(microled)显示装置200c包括一微发光源240，所述微发光源240为主动式为发光二极管晶粒或被动式为发光二极管晶粒，以及至少一复合量子点材料142，涂布于所述微发光源240的表面上。其中，所述至少一复合量子点材料包括一光学核心；一无机配体层，包覆于所述光学核心的表面上，所述无机配体层包括至少一硅的氧化物(siox)材料；以及一水氧阻障层，包覆于所述无机配体层的表面上。其中，所述水氧阻障层是由包括有至少一金属氧化物的层积结构堆栈而成。
本实施例与图17的复合量子点微发光二极管(microled)显示装置200b的差异在于，所述至少一复合量子点材料142更可与一光阻材料形成一复合光阻层146。所述光阻材料为聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)，或其他光阻材料如正型光阻剂酚醛树脂(phenol-formaldehyderesin)或环氧树脂(epoxyresin)、负型光阻剂聚异戊二烯橡胶(polyisoprenerubber)以及反转型光阻剂等；复合光阻层146还可以是图9及图10中所述的波长转换薄膜140或复合波长转换薄膜140。
在本实施例中，采用旋转涂布制程和黄光微影制程的方式达到全彩型的微发光二极管(microled)显示装置，由于本发明的复合量子点材料142可以与无极性溶液互溶，透过甲基丙烯酸甲酯(pmma)电子光阻可以将甲苯溶解的特性进行不同溶度的调配，此方法可以调配出复合量子点材料混合甲基丙烯酸甲酯(pmma)的复合光阻层146，以提升黏着度。再利用旋转涂布方式将复合光阻层146覆盖于微发光源240上，并配合黄光微影的方式形成定址的量子点材料沉积。
实验结果
最后，将本发明的复合量子点材料封装于发光二极管元件中(如图11至图13)，并对其进行耐热及耐水氧的实验。首先，请参照图19，其为本发明较佳实施例的复合量子点材料的温度测试图。如图19所示，在加热过程中(图中实线部分)，封装有本发明的复合量子点材料的发光二极管元件与熟知的发光二极管元件，其发光强度皆会随着温度的增加而下降。另一方面，在冷却过程中(图中虚线部分)，熟知的发光二极管元件在温度由摄氏约150度降低至20度，其发光强度仅能恢复至原先强度的百分之二十；然而，封装有本发明的复合量子点材料的发光二极管元件，在温度同样由摄氏约150度降低至20度的条件下，其发光强度可恢复至原先强度的百分之八十。由此可知，本发明的复合量子点即使在高温环境下仍不会被破坏，可有效维持发光元件的发光强度。
再者，请参照图20、图21，其为本发明较佳实施例的复合量子点材料的阻水氧测试图。如图20所示，实验分别针对熟知的发光二极管元件、封装有本发明的无机配体层包覆光学核心的发光二极管元件、以及封装有本发明复合量子点材料(包括材料为量子点的光学核心、材料为硅的氧化物的无机配体层以及材料为氧化钛的水氧阻障层)的发光二极管元件进行烧测，其中烧测的环境为摄氏60度，且相对湿度为90％的高温高湿环境。从图中可明显看出，熟知的发光二极管元件约在实验第50小时，其发光强度的维持率仅剩下原先强度的百分之十；而装有本发明的无机配体层包覆光学核心的发光二极管元件，约在实验第100小时的发光强度维持率还保持在原先强度的百分之五十；让人惊艳的是，封装有本发明复合量子点材料的发光二极管元件，即使在此高温高湿的环境之下实验100小时后，其发光强度的维持率仍具有原先强度的百分之九十五，实具有阻水氧及耐高温的功效。
而图21同样针对熟知的发光二极管元件、封装有本发明的无机配体层包覆光学核心的发光二极管元件、以及封装有本发明复合量子点材料(包括材料为量子点的光学核心、材料为硅的氧化物的无机配体层以及材料为氧化钛的水氧阻障层)的发光二极管元件进行烧测，并将烧测的环境改为摄氏25度，且相对湿度为50％的一般环境。从图中可明显看出，熟知的发光二极管元件约在实验第1000小时，其发光强度的维持率仅剩下原先强度的百分之二十五；而装有本发明的无机配体层包覆光学核心的发光二极管元件，约在实验第1000小时的发光强度维持率还保持在原先强度的百分之五十；同样让人惊艳的是，封装有本发明复合量子点材料的发光二极管元件，即使在此高温高湿的环境之下实验1000小时后，其发光强度的维持率仍具有原先强度的百分之九十五。
最后，请参照图22，其为本发明较佳实施例的复合量子点显示装置色域比较图。本发明更进一步将前述的封装有本发明复合量子点材料的发光二极管元件应用于液晶显示装置(可参照图14及图15a、图15b)，如图22所示，将本发明的复合量子点(液晶)显示装置的光谱更进一步进行rec.2020色域计算，得知本发明的复合量子点(液晶)显示装置的色域范围约为90％(ntsc>130％)(图20中实线三角形区域)，相较于熟知的广色域显示装置的rec.2020色域范围约为70％(ntsc>90％)(图20中虚线三角形区域)，由此可知本发明的量子点显示装置的rec.2020色域提升将近1.3倍。
以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，并不能以此限定本发明实施的范围，即使依照本发明申请专利范围及说明内容所作的简单变化与修饰，皆仍属本发明涵盖的范围内。
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