的KF，0.9摩尔的 3102,0.1摩尔的此02,4摩尔的顺4?，并加入3%^的4瓜作为助剂，将所称取的所有原料置 于刚玉研钵中混合均匀，混料时间一般不少于〇.5h，整个混合过程需在通风橱中进行。将混 合好的原料放入钼坩埚中压实，并将坩埚放入烧结炉中。在烧结炉中通入F#PN 2的混合气体 作为保护气氛，其中F2和N2的体积比为10:90;以10°C/min的升温速率升至760°C，于760°C下 进行烧结，保温时长（即烧结时长)为8h。之后再以5°C/min的降温速率降至100°C，再自然降 至室温，得到烧结产物。将烧结产物取出，经研磨后过50目筛;再用丙醇进行洗涤，并于120 °C下干燥1.5h，得到成品荧光粉K2Si〇. 9Mn〇.正6。
[0025]所制备的成品荧光粉K2Sio.9Mno.iF6外观为一种微黄色粉末状物质。采用460nm激发 光源激发荧光粉1(251〇.!*1().$6得到的发射光谱如图1所示，由图1可看出，其发射峰值为 630nm，半峰宽为2.8nm。成品荧光粉K2Sio.9Mno.iF6的扫描电镜测试结果如图2所示。其中心粒 径D50为12μπι左右。成品荧光粉K 2Si〇. 9Mn〇.正6的X射线衍射图如图3所示。
[0026] 参照实施例1中荧光粉K2Sio.9Mno.iF6的制备方法，改变Si和Μη的配比，同时改变烧 结条件，以制备出通式为KsSihMnxFs的荧光粉。对所制备的这些荧光粉进行测试，所得结果 见表1。
[0027]表 xMnxF6 荧光粉
[0029] 实施例HfcGeo.iiMno.iFs荧光粉的制备。
[0030] 按照通式K2Geo.9Mno.iF6中各元素的化学计量比，分别称取KF，Ge02，Mn02，NH4F^W 入3%wt的A1F3作为助剂。将所称取的所有原料置于刚玉研钵中混合均匀，混料时间一般不 少于0.5h，整个混合过程需在通风橱中进行。将混合好的原料放入钼坩埚中压实，并将坩埚 放入烧结炉中。在烧结炉中通入F 2和N2的混合气体作为保护气氛，其中F2和N2的体积比为 15 :85，以8°(3/11^11的升温速率升至760°(3;于760°(3下进行烧结，保温时长为5211。烧结结束 后，以7°C/min的降温速率降至100°C，再自然降温至室温后取出，得到烧结产物。将烧结产 物研磨后过50目筛；再用丙醇进行洗涤，并于110°C下干燥1.5h，得到成品荧光粉 K2Geo.9Mno.iF6。其量子效率为97%，在蓝光激发下可发射波长为632nm左右的红光，半峰宽为 2.9nm〇
[0031] 参照实施例14中荧光粉K2Geo.9Mno.iF6的制备方法，改变Ge和Μη的配比，同时改变烧 结条件，以制备出通式为K 2Gei-xMnxF6的荧光粉。对所制备的这些荧光粉进行测试，所得结果 见表2。
[0032] 表2:K2Gei-xMnxF6 荧光粉
[0034] 其它实施例参见表3。表3中各实施例的制备方法与实施例1类似，不同之处在于改 变了通式AA-xMn xF6中的A和B，还对Μη(+4价）的掺杂量进行了微调，同时改变了烧结条件。 表3中还给出了这些实施例的测试结果。
[0035] 表3:
[0036]
【主权项】
1. 一种窄谱带红光荧光粉，其特征是，其化学通式为AnBi-xMnxFs;通式中，A为Na、K、Ba和 Zn中的至少一种，B为Ti、Si、Ge、Gd中的至少一种;且1 <η<2,0<χ<0·2。2. -种窄谱带红光荧光粉的制备方法，其特征是，包括如下步骤： a、 按照化学通式AnBuMnxFs中各元素的化学计量比分别称取Α的氟化物、含有元素 Β的 化合物、含有元素 Μη的化合物及NH4F;通式AnBi-xMnxF6中，A为Na、K、Ba和Zn中的至少一种，B 为 Ti、Si、Ge、Gd中的至少一种;且1 <η<2,0<χ<0·2; b、 将步骤a中所称取的各原料混合均匀，并置于坩埚中； c、 在保护气氛下以升温速率V1升温至第一温度!^，在第一温度h下保温第一时间。，然 后以降温速率v 2降温至l〇〇°C，再自然降温至室温，得到烧结产物； d、 将得到的烧结产物取出研磨，之后用丙酮洗涤，接着在第二温度^下烘干第二时间 t2，即得目标产物AnBi-xMnxF6。3. 根据权利要求2所述的窄谱带红光荧光粉的制备方法，其特征是，步骤c中的保护气 氛指的是F2和N2的混合气，F 2和N2的体积比为F2 :N2=5:95-20:80。4. 根据权利要求2所述的窄谱带红光荧光粉的制备方法，其特征是，步骤c中，升温速率 vi满足:5°C/min < vi < 10°C/min;降温速率V2满足:5°C/min < V2 < 10°C/min。5. 根据权利要求2所述的窄谱带红光荧光粉的制备方法，其特征是，步骤c中，第一温度 T!满足:600°C < < 800°C;第一时间乜满足:3h < < 60h。6. 根据权利要求2所述的窄谱带红光荧光粉的制备方法，其特征是，步骤d中，第二温度 T2满足:80°C < T2 < 150°C;第二时间 t2满足：lh < t2 < 3h。
【专利摘要】本发明提供了一种窄谱带红光荧光粉及其制备方法。所述窄谱带红光荧光粉的化学通式为AnB1-xMnxF6；通式中，A为Na、K、Ba和Zn中的至少一种，B为Ti、Si、Ge、Gd中的至少一种；且1≤n≤2，0＜x≤0.2。本发明所提供的AnB1-xMnxF6荧光粉，其内量子效率可达90%，且具有极窄的半峰宽，作为窄谱带红光荧光粉在背光领域具有很大的发展空间。本发明所提供的窄谱带红光荧光粉的制备方法，因使用高温固相法进行制备，有效地避免了采用较高浓度的氢氟酸，进而避免了对人体及对环境所造成的危害；同时，采用高温固相烧结法进行制备更适合于规模化工业生产。
【IPC分类】C09K11/66, C09K11/85, C09K11/61, C09K11/67
【公开号】CN105505384
【申请号】CN201510880730
【发明人】杨志平, 李璇璇, 路亚娟, 赵金鑫
【申请人】河北利福光电技术有限公司
【公开日】2016年4月20日
【申请日】2015年12月3日