专利名称：制造半导体陶瓷电容器基片用组合烧结炉的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种半导体陶瓷电容器基片的组合烧结炉。
半导体陶瓷电容器因其体积小、比容大的特点，对优化电子线路，改善整机性能，促进产品的小型化、轻量化，具有很重要的作用。目前，一般在间歇式电炉进行生产或虽在传送式气氛炉内进行半导化处理，但不能满足大规模生产的要求。
本实用新型的目的在于提供一种半导体陶瓷电容器基片的组合式半导化处理装置。
本实用新型是通过如下技术方案实现的用左、右置换室将大气氧化气氛条件下的排胶炉内的电容器基片与混合气体保护气氛条件下的处理炉内的电容器基片进行互换。
本实用新型具有结构简单，自动化程度高，安全可靠等优点，对促进电子产品更新换代，具有十分重要的意义。
以下结合附图对本实用新型进一步说明附
图1为本实用新型主视图附图2为本实用新型俯视图见附
图1、2，本实用新型包括处理炉主推油缸1，左置换油缸2、左置换室外门油缸3、左置换室下板油缸4、处理炉内门油缸10，处理炉上板油缸11、外门21、内门22、处理炉A、排胶炉B、密封传送通道C，传送通道D。处理炉主推油缸1安装于处理炉A的一端，处理炉上板油缸11垂直于处理炉主推油缸1装于密封传送通道C上，在处理炉上板油缸11与处理炉主推油缸1之间的密封传送通道C上，固装有可将密封传送通道C分隔开的内门22，内门22与处理炉内门油缸10相连，左置换油缸2垂直于处理炉上板油缸11装于密封传送通道C上，外门21装于密封传送通道C的入口端，左置换室外门油缸3与外门21相连，左置换室下板油缸4垂直于排胶炉B，且与密封传送通道C的入口端同轴线装于传送通道D上。
当使用本实用新型时，经排胶炉B烧成并被放在匣钵E上的电容器基片被排胶炉B主推油缸(图中未标)推出炉膛后，左置换室外门油缸3的动作，外门21打开，此时，左置换室下板油缸4将匣钵E由传送通道D推入密封传送通道C内，左置换室下板油缸4复位，外门在左置换室外门油缸3的作用下关闭。
左置换油缸2改变匣钵E的移动方向，继续向前推动匣钵E，并恢复原位。此时，处理炉内门油缸10动作，将内门22打开，处理炉上板油缸11将匣钵E推入到内门22内的传送通道C里，处理炉上板油缸11复位，处理炉内门油缸10使内门22关闭。
内门22关闭后，处理炉主推油缸1将匣钵E推入处理炉A的炉膛内进行半导化处理。
同理，当处理完毕的电容器基片从密闭环境的密闭传送通道C转入到大气条件下的传送通道D上时，在处理炉A的另一头，以相反的程序在右置换室内进行变换。
因密闭传送通道C内充满H2、N2的混合气体，且内、外门21、22在开启或关闭过程是互相错开的，密闭传送通道C的内压大于传送通道D所处的常压，确保了氧气不能进入密闭传送通道C而可能产生爆炸的情况出现，将大气氧化气氛条件下的排胶炉B内的电容器基片与混合气体保护气氛条件下的处理炉A构成一个完整的整体。
处理炉A，排胶炉B亦可单独运行。
权利要求制造半导体陶瓷电容器的基片用组合烧结炉，包括处理炉主推油缸(1)、左置换油缸(2)、左置换室外门油缸(3)、左置换室下板油缸(4)、处理炉内门油缸(10)、处理炉上板油缸(11)、外门(21)、内门(22)、处理炉(A)、排胶炉(B)、密封传送通道(C)，传送通道(D)，处理炉主推油缸(1)安装于处理炉(A)的一端，处理炉上板油缸(11)垂直于处理炉主推油缸(1)装于密封传送通道(C)上，其特征在于在处理炉上板油缸(11)与处理炉主推油缸(1)之间的密封传送通道(C)上，固装有可将密封传送通道(C)分隔开的内门(22)，内门(22)与处理炉内门油缸(10)相连，左置换油缸(2)垂直于处理炉上板油缸(11)装于密封传送通道(C)上，外门(21)装于密封传送通道(C)的入口端，左置换室外门油缸(3)与外门(21)相连，左置换室下板油缸(4)垂直于排胶炉(B)，且与密封传送通道(C)的入口端同轴线装于传送通道(D)上。
专利摘要制造半导体陶瓷电容器的基片用组合烧结炉,涉及一种半导体陶瓷电容器基片的组合烧结炉。其技术方案为:用左、右置换室将大气氧化气氛条件下的排胶炉内的电容器基片与混合气体保护气氛条件下的处理炉内的电容器基片进行互换。本实用新型具有结构简单,自动经程度高,安全可靠等优点,对促进电子产品更新换代,具有十分重要的意义。
文档编号F27B9/00GK2389891SQ99236420
公开日2000年8月2日 申请日期1999年6月24日 优先权日1999年6月24日
发明者章士瀛, 赵俊斌, 陈荣春 申请人:东莞宏明南方电子陶瓷有限公司