一种利用铸锭炉余热的清洗系统的制作方法

本实用新型属于多晶硅生产工艺领域，尤其涉及一种利用铸锭炉余热的清洗系统。

背景技术：

多晶硅料的表层含有很多非硅材料，在铸锭炉中会影响晶体的生长，因而在将多晶硅料投入铸锭炉中前需要对多晶硅料进行清洗。清洗过程一般包括酸洗和水洗，用酸洗将多晶硅料表层的非硅材料去除，用水洗将残留的酸液去除。传统的水洗的方式为将经酸洗后的多晶硅料放入水池中浸泡清洗，若采用冷水浸泡，由于活性差，去酸的能力较低，浸泡时间长且浪费的水量大。经过验证，浸泡的水温在38～40℃的温度时，其去酸效果最好。

铸锭炉在工作时，炉体内的温度可以高达1500℃左右，在工作时需要降温。申请人针对铸锭炉需要降温以及用于浸泡去酸的最佳水温在38～40℃的事实，设计了一种利用铸锭炉余热的清洗系统，即给铸锭炉降了工作温度，得到了38～40℃浸泡用水，节省了浸泡时间，减少了水资源的浪费。

技术实现要素：

为了解决上述的技术问题，本实用新型的目的是提供一种利用铸锭炉余热的清洗系统，即给铸锭炉降了工作温度，得到了38～40℃浸泡用水，节省了浸泡时间，减少了水资源的浪费。

为了实现上述的目的，本实用新型采用了以下的技术方案：

一种利用铸锭炉余热的清洗系统，包括铸锭炉、浸泡清洗池以及板式换热器，所述铸锭炉的内壁设置有盘管，所述盘管的进出水口穿透铸锭炉炉壁露于铸锭炉外部，所述浸泡清洗池与盘管的进水口之间连接有进水管道，所述进水管道上设置有第一水泵，在盘管的出水口与板式换热器之间设置有出水管道；所述板式换热器包括热水管道、冷水管道以及换热片，所述换热片紧贴热水管道和冷水管道设置，出水管道与热水管道的进水口相连，热水管道的出水口与浸泡清洗池之间连接有回水管道。将浸泡清洗池里的水通过第一水泵及进水管道不停输送至铸锭炉炉体内的盘管，有效降低铸锭炉的炉温，加热后的高温水通过板式换热器换热后得到38～40摄氏度的水流回浸泡清洗池内，对放置在浸泡清洗池的多晶硅料进行浸泡去酸工作，本实用新型即降低了工作炉温，又节省了多晶硅料的浸泡时间，减少了水资源的浪费。

作为优选，所述盘管由一整根金属管盘绕弯折而成，包括柱状盘管以及位于柱状盘管底部的平面盘管，所述柱状盘管紧贴铸锭炉侧壁设置，平面盘管紧贴铸锭炉的炉底设置。

作为优选，所述盘管通过设置支架与铸锭炉之间完成固定。

作为优选，所述支架有四根且均呈Z形，所述的支架一端固定在铸锭炉的内侧壁上，另一端固定在铸锭炉的炉底。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：将浸泡清洗池里的水通过第一水泵及进水管道不停输送至铸锭炉炉体内的盘管，有效降低铸锭炉的炉温，加热后的高温水通过板式换热器换热后得到38～40摄氏度的水流回浸泡清洗池内，对放置在浸泡清洗池的多晶硅料进行浸泡去酸工作，本实用新型既降低了工作炉温，又节省了多晶硅料的浸泡时间，减少了水资源的浪费。

附图说明

图1是本实用新型的工作框图。

图2是盘管的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做一个详细的说明。

如图1～图2所示的一种利用铸锭炉余热的清洗系统，包括铸锭炉1、浸泡清洗池2以及板式换热器3，所述铸锭炉1的内壁设置有盘管4，所述盘管4的进出水口穿透铸锭炉1炉壁露于铸锭炉1外部，所述浸泡清洗池2与盘管4的进水口之间连接有进水管道5，所述进水管道5上设置有第一水泵6，在盘管4的出水口与板式换热器3之间设置有出水管道7；所述板式换热器3包括热水管道(图上未标示)、冷水管道8以及换热片(图上未标示)，所述换热片(图上未标示)紧贴热水管道(图上未标示)和冷水管道8设置，出水管道7与热水管道(图上未标示)的进水口相连，热水管道的出水口与浸泡清洗池2之间连接有回水管道9。盘管4由一整根金属管盘绕弯折而成，包括柱状盘管41以及位于柱状盘管41底部的平面盘管42，所述柱状盘管41紧贴铸锭炉1侧壁设置，平面盘管42紧贴铸锭炉1的炉底设置。盘管4通过设置支架43与铸锭炉1之间完成固定。支架43有四根且均呈Z形，所述的支架43一端固定在铸锭炉1的内侧壁上，另一端固定在铸锭炉1的炉底。

其工作过程如下：将浸泡清洗池里的水通过第一水泵及进水管道不停输送至铸锭炉炉体内的盘管，有效降低铸锭炉的炉温，加热后的高温水通过板式换热器换热后得到38～40摄氏度的水流回浸泡清洗池内，对放置在浸泡清洗池的多晶硅料进行浸泡去酸工作。

本实用新型即降低了工作炉温，又节省了多晶硅料的浸泡时间，减少了水资源的浪费。

本说明书中所描述的以上内容仅仅是对本实用新型所作的举例说明。本实用新型所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，只要不偏离本实用新型说明书的内容或者超越本权利要求书所定义的范围，均应属于本实用新型的保护范围。