专利名称：用于对半导体废气进行处理的净气器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用于对源于半导体工艺的废气进行处理的净气器(scrubber)(在下文中称为“半导体废气处理净气器”)，并特别涉及一种半导体废气处理净气器，其使用高温火焰来燃烧来自于半导体工艺的废气、使用水来过滤和收集燃烧后的废气、然后将所过滤和收集的气体排到大气中。
背景技术：
通常，在半导体制造工艺中用于在晶片上形成薄膜或蚀刻晶片的各种反应气体包含有氧化物组分、磷化物组分、有毒组分，等等。因此，如果这样的反应气体(在下文中称为“废气”)在使用后原封不动地排出到大气中，它不仅对人体是有害的，而且会造成环境污染。从而，在半导体设备中设置有净气器，以在除去氧化物组分、磷化物组分、有毒组分等后再把这些废气排出。
用于在半导体制造工艺中除去废气的半导体废气处理净气器分成三类1)间接燃烧湿式净气器，其燃烧废气然后再次用水过滤该废气，其中该净气器也称为“热湿式净气器”；2)湿式净气器，其用水来收集废气然后对水进行净化，其中该净气器也称为“湿式净气器”；以及3)直接燃烧湿式净气器，其使用高温火焰来燃烧废气然后用水来收集该气体，其中该净气器也称为“燃烧湿式净气器”。
在此，半导体废气主要是含硅的气体，其在由热湿式净气器或燃烧湿式净气器处理时产生大量的微粒。化学反应式的示例可以表示为
类似地，如果燃烧这样的半导体废气，则会产生大量的微粒。因此，如果用水来过滤和收集微粒，则可以显著地减少存在于半导体废气中的有害组分的浓度。
然而，如上所述的传统半导体废气处理净气器具有以下所述的各种问题。
首先，传统的净气器的一个问题在于用于这种净气器中的燃烧器在燃烧半导体废气方面的效率不高，所以不能完全地燃烧半导体废气。也就是说，存在这样的一个问题为燃烧器供应有燃料和氧气以及半导体废气，其中由于废气、燃料和氧气以彼此平行流动的方式供应，它们未迅速地彼此混合，因此，燃烧器在燃烧半导体废气方面的效率低。
第二，半导体废气燃烧后所产生的微粒由于吸力和摩擦力而逐渐变厚地沉积在燃烧室的内壁上，并随着时间的流逝而固化。因此，存在这样的不便在经过一预定的时间段后，必须手动地清理燃烧室的整个内壁。通常，这样的燃烧室的内壁往往每三到四天就需要清理一次。
第三，为了如上所述地清理燃烧室，需要将燃烧室从净气器的壳体完全地分离。然而，在传统的半导体废气处理净气器中，因为燃烧室由多个螺栓和螺母固定，这样的燃烧室的分离和连接需要非常长的时间。
第四，如上所述的湿式净气器或燃烧湿式净气器可包括用于注入预定量的水的湿塔。除了喷水之外，这样的湿塔通常设置有多个过滤器，以过滤和除去微粒。然而，这样的净气器的效率不高，原因在于这样的湿式塔将要在未改变其组装状况的情况下持续地使用，哪怕其组装时不曾考虑到各种处理条件和安装情形也是如此。此外，对于这样的传统湿塔，在清理湿塔的内部时，有时对一特定区域进行清理可能就已足够。然而，在这种情形中，也需要将整个的湿塔拆开，所以清理特定区域也要花费相当长的时间。
第五，如上所述的湿式净气器或燃烧湿式净气器可包括储水罐，该储水罐中含有预定量的水。这样的储水罐用于将半导体废气通过燃烧器的火焰而燃烧时所形成的微粒收集到水中。当然，这样的微粒和水可每隔预定的时间间隔排到外部，且新鲜的水可供应到储水罐内。但是，随着时间的流逝，如上所述地收集在储水罐的水内的微粒因为重力的作用而沉淀并积聚在储水罐的底部上。因为随着时间的流逝它们由于重力会积聚得更厚，从而，微粒由于自重而粘附到储水罐的底部上，因此，即使将水排出，微粒也没有被排到外部。相应地，现有技术中存在这样的问题必须每隔一预定的时间就将储水罐拆开并进行清理，这是非常费力和耗时的。
发明内容
因此，为了解决上述发生在现有技术中的问题而作出了本发明，本发明的一个目的是提供一种半导体废气处理净气器，其具有燃烧器，该燃烧器燃烧半导体废气的效率提高了。
发明的另一个目的是提供一种半导体废气处理净气器，其具有燃烧室，通过一预定大小的压力而对该燃烧室的内壁提供脉冲波，从而使得微粒不会沉积在燃烧室的内壁上。
发明的又一个目的是提供一种半导体废气处理净气器，其中燃烧室适于容易地分离，且室支撑部分设置在燃烧室的下方以便可以容易地附装和卸下燃烧室，从而可以容易地维护和修复燃烧室。
发明的再一个目的是提供一种半导体废气处理净气器，其具有湿塔，其中该湿塔的上、下部分之间的连接状态可根据半导体制造工艺和排气状况而随意改变。
发明的又再一个目的是提供一种半导体废气处理净气器，其具有含水的储水罐，用于收集来自于半导体废气的微粒，其中在水中周期性地产生气泡，从而使得收集于水中的微粒不会粘附在储水罐的底部上。
为了实现上述的目的，本发明提供了一种用于处理半导体废气的净气器，其包括供应部分，用于供应半导体废气、燃料和氧气；燃烧器，该燃烧器连接于所述供应部分而通过火焰来燃烧半导体废气；燃烧室，该燃烧室结合于所述燃烧器而使得在半导体废气燃烧时所产生的微粒掉落；湿塔，该湿塔安装在所述燃烧室的侧部而使得在用水吸附后从所述燃烧室传递过来的微粒掉落；以及储水罐，该储水罐连接于所述燃烧室和湿塔而用以收集从所述燃烧室和湿塔掉落的微粒。
本发明还可包括室支撑部分，该室支撑部分设置在所述燃烧室下端之下而支撑该燃烧室。
所述供应部分可包括至少一个废气供应管，其连接于所述燃烧器而为该燃烧器供应半导体废气；至少一个旁通废气供应管，其连接于所述废气供应管而为半导体废气设置旁路；至少一个燃料供应管，其连接于所述燃烧器而将燃料供应到该燃烧器；以及至少一个氧气供应管，其连接于所述燃烧器而将氧气供应到该燃烧器。
所述燃烧器可包括主体，其具有至少一个半导体废气供应通道、至少一个燃料供应通道以及至少一个氧气供应通道；燃料喷嘴体，该燃料喷嘴体装配在所述主体的周缘上，从而形成燃料供应空间和燃料供应喷嘴；氧气喷嘴体，该氧气喷嘴体装配在所述主体和燃料喷嘴体的周缘上，从而形成氧气供应空间和氧气供应喷嘴；以及组装体，该组装体装配在所述主体和氧气喷嘴体的周缘上，从而形成冷却剂流动空间，所述组装体连接于所述燃烧室。
所述主体可包括延伸部分，该延伸部分大致从所述主体的下端水平且径向向外地延伸预定的长度，并且其具有至少一个形成在周面上的凹槽；位于所述延伸部分的上方的第一凸缘，该第一凸缘从所述主体水平且径向向外地延伸一大于所述延伸部分的延伸长度的长度；以及位于所述第一凸缘的上方的第二凸缘，该第二凸缘从所述主体水平且径向向外地延伸一大于所述第一凸缘的延伸长度的长度；而且其中至少一个半导体废气供应通道大致竖直地延伸穿过所述主体，所述至少一个燃料供应通道竖直地延伸穿过所述主体，使得所述燃料供应通道的出口形成于所述延伸部分和第一凸缘之间，且所述至少一个氧气供应通道竖直地延伸穿过所述主体，使得所述氧气供应通道的出口形成于所述第一凸缘和第二凸缘之间。
所述形成于主体上的凹槽可以如下方式倾斜其下端的虚拟延长线与主体的中心轴线相交，且其中所述主体与燃料喷嘴体紧密地接触，从而，所述凹槽形成燃料喷嘴，而所述燃料喷嘴体紧密地接触延伸部分和第一凸缘，从而，在所述主体和燃料喷嘴体之间形成燃料空间。
所述燃料喷嘴体可包括中央孔，其穿过该燃料喷嘴体中央部而形成，所述主体装配入该孔内；以及延伸部分，其绕所述燃料喷嘴体周面的下端形成并沿径向延伸一预定的长度，其中至少一个凹槽形成在该延伸部分的周面上。
形成在所述燃料喷嘴体的延伸部分上的至少一个凹槽可倾斜一角度，该倾斜角度大于形成在主体的延伸部分上的凹槽的倾斜角度，所述燃料喷嘴体与氧气喷嘴体紧密地接触，从而，所述位于燃料喷嘴体的延伸部分上的至少一个凹槽形成至少一个氧气喷嘴，而所述氧气喷嘴体与所述主体的第二凸缘以及所述的燃料喷嘴体的至少一个凹槽紧密地接触，从而，在所述第一凸缘和第二凸缘之间以及在所述燃料喷嘴体和氧气喷嘴体之间形成一个或多个氧气空间。
所述氧气喷嘴体可包括中央孔，其穿过该氧气喷嘴体中央部而形成，所述燃料喷嘴体装配入该孔内；以及延伸部分，其绕所述氧气喷嘴体的周面的下端形成并沿径向向外延伸一预定的长度。
所述的组装体可包括中央孔，该中央孔穿过该组装体中央部而形成，所述氧气喷嘴体装配入该孔内，且在所述氧气喷嘴体的外周面和所述组装体的内周面之间形成冷却剂流动空间，一冷却剂管连接于该冷却剂流动空间。
所述主体可具有倒转的锥面，该倒转锥面的顶点形成所述主体的下端；以及阻挡壁，其绕所述锥面向下延伸预定的长度。
所述燃烧室可包括顶盖，所述燃烧器装配入该顶盖的中央部；绕所述燃烧器从所述顶盖底侧悬设的内室；以及绕所述内室从所述顶盖底侧悬设的外室。
可在所述顶盖和外室之间的空间中设置冷却管来供应冷却剂，且在该冷却管中形成至少一个通孔，从而，冷却剂注入到位于所述内室和外室之间的空间中。
所述内室可包括上内室和下内室，该上内室和下内室可彼此拆开，且所述外室也包括上外室和下外室，该上外室和下外室可彼此拆开。
所述燃烧室可包括穿过所述外室和内室、位于所述燃烧器的下端处的引燃器，用以实现初始点火；以及穿过所述外室和内室、位于所述燃烧器的下端处的紫外线传感器，用以检测是否成功地实现了初始点火。
所述燃烧室可进一步包括去除微粒的气体供应部分，该去除微粒的气体供应部分供应具有预定压力的气体，使得微粒不会在燃烧室的内壁上积聚。
所述去除微粒的气体供应部分可包括结合于所述燃烧室顶盖外部的气体供应管；连接于该气体供应管的气体管，该气体管沿着所述顶盖和内室之间的空间形成为环状；以及至少一个气体喷嘴，其结合于所述气体管并在所述内室中延伸一预定长度。
所述气体喷嘴可包括平行于所述燃烧室的内壁延伸的直部以及从该直部的端部朝所述燃烧室内壁弯曲的弯曲部，从而，气体可以向所述燃烧室内壁供应冲力。
可设置有四个气体喷嘴，这四个气体喷嘴以所述内室的中心为中心排列，并彼此间隔开90度的角度间隔。
所述气体喷嘴可相对于所述内室的竖直方向倾斜，从而，在所述内室中，气体可以旋涡的方式供应。
通过所述去除微粒的气体供应部分所供应的气体可以是惰性气体。
通过所述去除微粒的气体供应部分所供应的气体可以脉冲的形式供应。
大致上呈漏斗形的下室可拆卸地附装到燃烧室外室的下部，而微粒导引构件结合在所述下室的内部中，所述导引室大致呈漏斗形地朝向所述下室的下端，从而将废气燃烧后所产生的微粒导引到湿塔和水罐。
所述微粒导引构件还可包括用于注入惰性气体的惰性气体管，从而防止产生于储水罐内的蒸气被导入到所述燃烧室内。
所述下室可设置有用于支撑所述燃烧室以及使得所述燃烧室可被分离的室支撑部分。
所述室支撑部分可包括一对线性安装在支撑板上的导轨；一对安装在所述导轨上而可沿水平方向往复运动的导块；一对安装在所述导块上并向上延伸一预定距离的支撑台，所述支撑台每个都具有形成于该支撑台顶部的水平表面以及从该水平表面以预定角度向下延伸的下降表面；以及一个或多个将所述支撑台相互连接起来的支撑杆，所述下室设置有滚动体，这些滚动体安装成可以沿所述支撑台的水平表面或下降表面滑动。
所述湿塔可包括具有基部喷嘴的圆筒形基塔；可移除地安装在所述基塔的顶部的圆筒形的第一塔，在该第一塔内设置了第一过滤器和第一喷嘴；可移除地安装在所述第一塔的顶部的圆筒形的第二塔，在该第二塔内设置了第二过滤器和第二喷嘴；可移除地安装在所述第二塔的顶部的圆筒形的第三塔，在该第三塔内设置了第三过滤器和第三喷嘴；以及可移除地安装在所述第三塔的顶部的圆筒形的第四塔，在该第四塔内设置了气体供应管和多个冲击板，其中，所述第一塔和第二塔可以不同的顺序组装，而所述第三塔和第四塔也可以不同的顺序组装。
所述第一塔和第二塔的高度和直径可以是彼此相同的，且所述第三塔和第四塔的高度和直径是彼此相同的，且所述第一塔和第二塔的直径与所述第三塔和第四塔的直径不同。
所述第一过滤器、第二过滤器以及第三过滤器的孔隙率以第一过滤器、第二过滤器到第三过滤器的顺序逐渐减小。
新鲜的水可通过基部喷嘴进行供应，且经所述储水罐净化的水通过所述第一、第二和第三喷嘴进行供应。
顶部开口的盖可装配在所述第四塔的顶部上，具有压力检测口、温度检测口以及冷却空气供应口的第一排出管连接于所述盖，而第二排出管连接于所述第一排出管的顶端，所述第二排出管具有排出量控制构件，从而可以对排出量进行控制。
所述基塔可通过中间连接管和下连接管连接于所述燃烧室和储水罐，且基部喷嘴设置成可向上地朝安装在所述第一塔中的第一过滤器喷水。
所述基塔还可包括有压力检测口，用于检测该基塔中的压力。
所述第一塔的第一喷嘴可设置在第一过滤器的上方，其设置方式为使得可以向下地朝所述第一过滤器喷水。
所述第一塔还可包括形成于所述第一塔的壁中的透明的第一窗，从而，可以直观地看到位于该第一塔内的第一过滤器。
所述第二塔的第二喷嘴可设置在第二过滤器的上方，其设置方式为使得可以向下地朝所述第二过滤器喷水。
所述第二塔还可包括形成于所述第二塔的壁中的透明的第二窗，从而，可以直观地看到位于所述第二塔内的第二过滤器。
所述第三塔的第三喷嘴可设置在第三过滤器的上方，其设置方式为使得可以向下地朝所述第三过滤器喷水。
所述第四塔的冲击板可形成为各自都有多个通孔，且所述冲击板叠置成沿竖直方向彼此隔开，形成在两个相邻冲击板中的通孔彼此错开，而所述气体供应管设置在所述冲击板的上方，其设置方式为使得可以向下地朝所述冲击板供应惰性气体。
所述储水罐可包括第一区域，该第一区域组装在所述燃烧室和湿塔的下方而收集从该燃烧室和湿塔掉落的水和微粒；第二区域，该第二区域通过分隔件与所述第一区域分开并从所述第一区域供应已过滤掉了微粒的水；以及过滤部分，该过滤部分设置在所述第一区域和第二区域之间而将微粒从水中滤掉。
排出泵可又连接于所述第一区域，用于将水和微粒一起排出到外部。
所述排出泵可具有流体入口和流体出口，用以吸入和排出水及微粒；空气入口和空气出口，用于向所述排出泵供应气压而运行该排出泵；以及至少一个气泡产生器，该气泡产生器通过管连接于所述空气出口并浸入到所述储水罐第一区域的水中一预定的深度。
所述排出泵可以是气动膜片泵。
所述气泡产生器可以是用于减少排出泵的噪音的减噪器。
每次从所述排出泵排出空气，所述气泡产生器就可以在储水罐的水中产生气泡，从而，收集在水中的微粒持续地漂浮在水中而不会沉积或积聚在储水罐的底部上。
循环泵的入口可连接于所述储水罐的第二区域，而循环泵的出口可经过热交换器连接于所述湿塔。
通过下文的详细描述，同时结合附图，本发明的上述以及其它目的、特征和优点将变得更为明显，其中图1为示出了本发明的半导体废气处理净气器的主要构造的立体图；图2a到2c为以剖视方式示出了本发明的半导体废气处理净气器的正视图、左视图和右视图；图3为示出了本发明的半导体废气处理净气器的外观的正视图；图4为以剖视方式示出了本发明的半导体废气处理净气器的相互连接的状态的左视图；图5a和5b为以剖视方式示出了本发明的半导体废气处理净气器的供应部分的正视图和左视图；图6a和6b为以剖视方式示出了本发明的半导体废气处理净气器的燃烧器的正视图；图7a为本发明半导体废气处理净气器的燃烧器的分解剖视图，图7b为图7a中的7b部分的放大视图，而图7c为图7a中的7c部分的放大视图；图8为本发明半导体废气处理净气器的燃烧器的仰视图；图9a到9c为以剖视方式示出了本发明半导体废气处理净气器的燃烧室的正视图、俯视图和仰视图；图10a和10b为以剖视方式示出了该半导体废气处理净气器的燃烧室的左视图和右视图；图11a为以剖视方式示出了本发明半导体废气处理净气器的燃烧室的右视图，而图11b为燃烧室的剖视图；图12a为下室和室支撑部分的左视图，其中该下室结合到本发明半导体废气处理净气器的下端，而图12b为示出了该下室和室支撑部分的局部剖视右视图；图13a和13b为以剖视方式示出了本发明半导体废气处理净气器的湿塔的正视图和右视图；图14a和14b分别为沿图13b中14a-14a线和14b-14b线的剖视图，而图14c为图13b中的区域1550的立体图；图15a到15d为以剖视方式示出了本发明半导体废气处理净气器1000的储水罐1600的俯视图、左视图、正视图和右视图；以及图16为示出了循环泵和热交换器的侧视图，该循环泵和热交换器用于将来自本发明半导体废气处理净气器的储水罐的水净化并供应到湿塔。
具体实施例方式
在下文中，将参照附图对本发明的优选实施方式进行描述。在下文的描述和附图中，用相同的参考标号来指代相同或类似的零部件，从而将省略对相同或类似零部件的重复描述。
图1为示出了本发明的半导体废气处理净气器1000的主要构造的立体图。
如图所示，本发明的半导体废气处理净气器1000包括供应部分1100，用于供应半导体废气、燃料以及氧气；燃烧器1200，其连接于供应部分1100而用火焰来燃烧该半导体废气；燃烧室1300，其连接于燃烧器1200而使得半导体废气燃烧过程中产生的微粒或类似物落下；室支撑部分1400，其设置在燃烧室1300的下方，用以支撑燃烧室1300；湿塔1500，其安装在燃烧室1300的侧部而将过滤后的气体排出到大气中，同时使用水吸附从燃烧室1300传送过来的微粒或类似物并使其落下；以及储水罐1600，其结合于燃烧室1300和湿塔1500，用以使用含于其中的水来收集和排出从燃烧室1300和湿塔1500落下的微粒或类似物。
在此，燃烧室1300和湿塔1500可通过中间连接管1353和1513相互连接。此外，燃烧室1300和储水罐1600可通过中间连接管1353和下连接管1354相互连接，而湿塔1500和储水罐1600可通过另一下连接管1514相互连接。
图2a到2c为以剖视方式示出了本发明的半导体废气处理净气器1000的正视图、左视图和右视图。
如图所示，供应部分1100用于将半导体废气、燃料和氧气供应到燃烧器1200。这样的供应部分1100包括多个废气供应管1111、多个旁路废气供应管1112、至少一个燃料供应管1115以及至少一个氧气供应管1112。在附图中，参考标号1113指示三通阀，而标号1114指示传感器单元。下文将对供应部分1100进行更加详细的描述。
燃烧器1200用于将从供应部分1100供应的半导体废气、燃料以及氧气适当地混合起来并同时产生火焰，从而燃烧废气而产生微粒。这样的燃烧器1200包括主体(未图示)，半导体废气、燃料和氧气通过该主体；燃料喷嘴体(未图示)，其用作燃料供应喷嘴；氧气喷嘴体(未图示)，其用作氧气供应喷嘴；以及组装体(未图示)，其包含有冷却剂并使得燃烧器1200可固定到燃烧室1300。下文将对这样的燃烧器1200进行更为详细的描述。
燃烧室1300防止燃烧器1200的热量流出到外部，并将由燃烧器产生的微粒、残余气体或类似物导向到位于燃烧室1300侧部的湿塔1500或者位于燃烧室1300下方的储水罐。这样的燃烧室1300包括顶盖1310，燃烧器1200耦连到其中部；内室1320，其从顶盖1310的底侧以及燃烧器1200的周缘往下延伸一预定的长度；以及外室1330，其从顶盖1310的底部延伸一预定的长度并环绕内室1320的外周边缘。此外，在燃烧室1300内还设置有去除微粒的气体供应部分1360，用于供应用于去除微粒的气体，从而防止燃烧器1200的火焰所产生的微粒沉积在内壁上。将在下文对燃烧室1300以及去除微粒的气体供应部分1360进行更为详细的描述。
室支撑部分1400安装在燃烧室1300的下方，并用于在燃烧室1300的下方向上地支撑燃烧室1300。如下文所述，当横向地移动室支撑部分1400时，可容易地移开燃烧室1300。这将在下文中进行更为详细的描述。
湿塔1500用于使用水来过滤和收集从燃烧室1300传送的微粒及类似物、将其送到位于湿塔1500之下的储水罐1600、以及将过滤后的清洁气体排到外部。这样的湿塔1500包括基塔1510、第一塔1520、第二塔1530、第三塔1540以及第四塔1550。这样的湿塔1500将在下文中更为详细得描述。
在此，燃烧室1300和湿塔1500通过如上所述的中间连接管1353和1513相互连接。此外，燃烧室1300通过中间连接管1353和下连接管1354而连接到位于燃烧室1300的下方的储水罐1600。此外，湿塔1500通过下连接管1514连接到储水罐。
储水罐1600用于使用水来收集从燃烧室1300和湿塔1500落下的微粒及类似物。此外，湿塔1600用于将所收集的微粒送到外部或将水净化并送到湿塔1500。这样的储水罐1600包括连接于燃烧室1300和湿塔1500的第一区域1613、用于通过从第一区域1613分离微粒而仅接收清洁的水的第二区域1614(见图2b)、以及设置在第一区域1613和第二区域1614之间、用于对水进行过滤的过滤部分1617。在此，第一区域1613设置有气泡产生器1630，用于每隔一预定时间就产生气泡，从而防止微粒的积聚。此外，还设置有排出泵1620，用于操作气泡产生器1630及将微粒和水从第一区域1613排出。此外，第二区域1614设置有循环泵1640，用于抽吸经第二区域1614过滤后的水并将其输送到湿塔1500(见图2b)，第二区域1614还设置有用于对水进行冷却的热交换器1650(见图2c)。这样的储水罐1600将在下文中更为详细地描述。
在附图中，参考标号1701指代形成了本发明净气器1000外观的壳体，1702指代操作面板，而1703指代脚轮。
图3为示出了本发明的半导体废气处理净气器1000的外观的正视图。
上述的供应部分、燃烧器、燃烧室、室支撑部分、湿塔、以及储水罐可以全部都安装在基本上为方形的壳体1701中。此外，操作面板1702可设置在壳体1701的前部以对各零部件进行控制。此外，可在壳体1701的下方安装多个脚轮1703。
图4为示出了本发明的半导体废气处理净气器1000和2000相互连接的状态的左视图。
如图所示，本发明的半导体废气处理净气器1000和2000可彼此连接。即，设置在一个净气器1000中的传感器单元1114可与设置在另一净气器2000中的传感器单元1114通过连接管1704连接起来。因此，如果半导体废气没有顺利地供应到所述的一个净气器1000，则相应的传感器1114测量到这个情况并使得废气通过连接管1704传送到所述的另一净气器2000。在附图中，参考标号1112指代半导体废气供应管，而标号1113指代三通阀。
图5a和5b为以剖视方式示出了本发明的半导体废气处理净气器1000的供应部分1100的正视图和左视图。
如图所示，供应部分1100包括废气供应管1111、旁通废气供应管1112、燃料供应管1115、氧气供应管1116、三通阀1113以及传感器单元1114。废气供应管1111连接到燃烧器1200而将半导体废气供应到燃烧器1200。旁通废气供应管1112分别连接到废气供应管1111，用以将从废气供应管1111溢出的废气送到另一个设备或净气器。燃料供应管1115连接到燃烧器1200而把燃料(诸如液化天然气、液化石油气体等)供应到燃烧器1200。氧气供应管1116连接到燃烧器1200而把例如空气供应到燃烧器1200。三通阀1113连接在废气供应管1111和旁通废气供应管1112之间，从而确定废气的供应方向。此外，传感器单元1114如上所述地检测所供应的废气量，并判断是否把废气传输到另一净气器。
图6a和6b为示出了本发明的半导体废气处理净气器1000的燃烧器1200的不同的正视图。
此外，图7a为本发明半导体废气处理净气器1000的燃烧器1200的分解剖视图，图7b为图7a中的7b部分的放大视图，而图7c为图7a中的7c部分的放大视图。
此外，图8为本发明半导体废气处理净气器1000的燃烧器1200的仰视图。
首先，如图6a和6b所示，燃烧器1200包括主体1210、燃料喷嘴体1220、氧气喷嘴体1230以及组装体1240。
主体1210形成有至少一个连接到半导体废气供应管(未图示)的废气供应通道1112，其中，该废气供应通道1112形成为从主体1210的顶部延伸到主体1210的底部，从而通过该供应通道供应半导体废气。此外，主体1210形成有用于供应燃料的燃料供应通道1212，该燃料供应通道连接于供应部分1100的燃料供应管1115，其中所述燃料供应通道1212穿过主体1210从主体1210的顶部向下延伸、然后朝主体1210的侧部弯曲，在该侧部处形成了燃料供应通道的出口。此外，主体1210形成有氧气供应通道1213，所述氧气供应通道连接于供应部分1100的氧气供应管1116，其中氧气供应通道1213从主体1210的顶部向下延伸、然后相对于燃料供应通道朝主体1210的相对侧部分弯曲，在该相对侧处形成氧气供应通道1213的出口。在图6a中，G指代通过废气供应通道1211供应的废气，F指代通过燃料供应通道1212供应的燃料，而O指代通过氧气供应通道1213而供应的氧气。
接下来，参照图7a，主体1210形成有倒转的锥面1214，该倒转锥面的顶点从主体1210向下地突出，且在锥面1214的周围以延伸预定长度的方式形成阻挡壁1215。此外，绕阻挡壁1215的外周边缘还形成了延伸部分1216并且该延伸部分1216由该阻挡壁1215的外周边缘径向向外延伸出一预定的水平长度，其中延伸部分1216在其外周面上形成有一个或多个凹槽1216a(见图7b)。在延伸部分1216上方，绕主体1210外周面还形成了带有阶梯部分1217a的第一凸缘1217，且该第一凸缘1217从该主体1210的外周面径向向外延伸出大于延伸部分1216的水平长度的水平长度。在第一凸缘1217上方，绕主体1210的外周面还形成了第二凸缘1218，且该第二凸缘1218从主体1210的外周面径向向外延伸出大于第一凸缘1217的水平长度的水平长度，其中，第二凸缘1218形成有具有预定深度的凹入部分1281a。
在此，燃料供应通道1212从主体1210的顶部穿过主体1210向下延伸、然后弯向主体1210的侧部，从而燃料供应通道1212的出口1212a形成于延伸部分1216和第一凸缘1217之间。此外，氧气供应通道1213从主体1210的顶部穿过主体1210向下延伸、然后弯向主体1210的侧部，从而氧气供应通道1213的出口1213a形成于第一凸缘1217和第二凸缘1218之间。
形成在主体1210延伸部分1216上的凹槽1216a以预定的角度倾斜(例如为15度)(见图7b)，从而从其下端延伸的虚拟线与主体1210的中心线相交。此外，延伸部分1216与燃料喷嘴体1220紧密地接触，从而，凹槽1216a形成燃料喷嘴1216b(见图6b)，而燃料喷嘴体1220也与第一凸缘1217以及延伸部分1216紧密地接触(见图6b)，从而在主体1210和燃料喷嘴体1220之间形成燃料空间1216c。在此，燃料喷嘴体1220的顶端与第一凸缘1217的阶梯部分1217a接合。
如图7a所示，燃料喷嘴体1220形成有一个延伸通过其中央部的中央孔1221，从而，主体1210配合入该中央孔1221内，燃料喷嘴体1220还形成有延伸部分1222，该延伸部分122绕燃料喷嘴体1220周面的下端形成并从该燃料喷嘴体1220的周面下端径向向外延伸一预定的水平长度，其中，在该延伸部分1222的周面上形成一个或多个凹槽1222a。形成在燃料喷嘴体1220的延伸部分1222上的凹槽1222a(见图7c)倾斜一个角度(例如30度)，该倾斜角度大于形成在主体1210的延伸部分1216上的凹槽1216a的角度。此外，燃料喷嘴体1220的中央孔1221形成有倾斜表面1223，该倾斜表面设置成能够抵靠主体1210的延伸部分1216，从而覆盖主体1210的凹槽1216a。随着燃料喷嘴体1220的倾斜表面1223与氧气喷嘴体1230的延伸部分1222紧密地接触(见图6b)，由凹槽1222a形成氧气喷嘴1222b，而随着氧气喷嘴体1230与主体1210的第二凸缘1218以及燃料喷嘴体1220的延伸部分1222紧密地接触(见图6b)，通过第一凸缘1217、第二凸缘1218、燃料喷嘴体1220以及氧气喷嘴体1230限定氧气空间1222c。在此，氧气喷嘴体1230的顶端与第二凸缘1218的凹入部分1218a接合。
如图7a所示，氧气喷嘴体1230具有通过该氧气喷嘴体1230的中央部的中央孔1231，从而，燃料喷嘴体1220可配合入该中央孔1231中，氧气喷嘴体1230还具有延伸部分1232，该延伸部分1232绕氧气喷嘴体1230的下端形成并从该氧气喷嘴体1230的下端径向向外延伸一预定的水平长度，其中，在延伸部分1232上形成阶梯部分1233。在此，氧气喷嘴体1230的中央孔1231也形成有倾斜表面1234，该倾斜表面设置成能够抵靠燃料喷嘴体1220的延伸部分1222。
如图7a所示，组装体1240具有通过该组装体1240中央部的中央孔1241，从而，氧气喷嘴体1230可配合入该中央孔1241中，组装体1240还具有延伸部分1242，该延伸部分1242绕组装体1240的顶端形成并从该组装体1240的顶端径向向外延伸一预定的水平长度。如图6b所示，组装体1240在其下端处与氧气喷嘴体1230的阶梯部分1233接合，且在氧气喷嘴体1230和组装体1240之间形成冷却剂流动空间1235。当然，冷却剂管1236连接于冷却剂流动空间1235。
同时，如图8所示，燃料喷嘴1216b通常以环形阵列设置，且每个燃料喷嘴都大致上形成为凹入形式的形状。此外，如图8所示，氧气喷嘴1222b也通常以环形阵列设置，且每个氧气喷嘴都大致上形成为凹入形式的形状。当然，氧气喷嘴1222b设置在燃料喷嘴1216b的外侧。
如上所述，燃料喷嘴1216b和氧气喷嘴1222b倾斜预定的角度，并基本上朝向燃烧器1200的下端的中心定向。即，氧气喷嘴1222b的倾斜角度大于燃料喷嘴1216b的倾斜角度，并朝向燃烧器1200的中心轴线定向。因此，可在喷嘴1216b和1222b的附近方便地混合由喷嘴1216b和1222b射出的燃料和氧气，并且可形成漏斗形的火焰，该漏斗形的火焰会聚于燃烧器1200下端的中心。
此外，由于阻挡壁基本上形成于燃烧器1200的下端，所以可以将燃料和氧气的混合气体与半导体废气分离。这防止了燃料和氧气的混合气体的稀释——该稀释由混合气体与含有大量惰性气体(氮气)的废气的混合而引起，从而使得火焰的根部位置可以保持稳定。
此外，依据本发明的燃烧器1200，在主体1210的下部处形成有倒转的锥面1214，用以延迟废气流的相互混合。这是考虑了延迟与相邻废气供应通道1211的废气流的相互混合作用而设置的，其可通过使各废气供应通道1211的出口端位置在空间上彼此不同而实现。
由此，由于通过漏斗形的火焰而确定地实现了燃料和氧气的混合，燃烧器1200的燃烧效率得以提高。此外，由于通过设置在火焰形成位置附近的阻挡壁1215而将燃料和氧气的混合气体与废气彼此分离，所以，可以稳定保持火焰的根部位置。此外，由于燃烧器1200的中央下部形成为漏斗的形状以延迟废气流的相互混合，所以，燃烧效率得以提高。
图9a到9c为以剖视方式示出了本发明半导体废气处理净气器1000的燃烧室1300的正视图、俯视图和仰视图。
如图所示，燃烧室1300包括顶盖1310，燃烧器1200装配在该顶盖的中央；内室1320，其绕燃烧器1200从顶盖1310的底侧悬设；外室1330，其绕内室1320从顶盖1310的底侧悬设；以及下室(未图示)，其连接到外室1330的下部。下文将对该下室进行详细的描述。内室1320包括上内室1321和下内室1322。此外，外室1330也包括上外室1331和下外室1332。上内室1321和下内室1322可拆开地彼此接合。上外室1331和下外室1332也可拆开地彼此接合。
如上所述构造的燃烧器1200基本上结合到顶盖1310的中央部。此外，内室1320的上内室1321绕燃烧器1200的外周边缘结合到顶盖1310的底侧，而下内室1322结合到上内室1321的下端。外室1330的上外室1331绕内室1320的外周边缘结合到顶盖1310的底侧，而下外室1332结合到上外室1331的下端。此外，多个锚固构件1346接合于下内室1322和下外室1332之间，从而将这两个室彼此地锚固。采用这种构造，本发明使得下内室1322和下外室1332可容易地一起自上内室1321和上外室1331分离。
在此，于顶盖1310和内室1320的上内室1321之间还设置有密封环1341，其中，至少一橡胶环1342与密封环1341的内表面接合，并与顶盖1310紧密地接触。上内室1321通过螺栓和螺母固定到顶盖1310，所述螺栓延伸穿过密封环1341和顶盖1310。此外，冷却管1343耦接于顶盖1310和外室1330的上外室1331之间，冷却剂通过该冷却管供应，从而，在燃烧器1200工作期间，燃烧室1300不会过热。当然，冷却管1343形成有一个或多个用于喷射冷却剂的通孔1343a。引燃器1344和紫外线(UV)传感器1345分别地穿过上外室1331和上内室1321安装。引燃器1344用于实现燃烧器1200的初始点燃，而紫外线传感器1345用于检测是否正确地实现了点火。当然，如果紫外线传感器1345确定已经实现了点火，则引燃器1344停止工作。上述的储水罐1600通过一个结构连接到燃烧室1300的下端，这将在下文进行详细的描述。
同时，燃烧室1300还设置有去除微粒的气体供应部分1360，去除微粒的气体供应部分1360包括气体供应管1361、连接于该气体供应管1361的气体管1362、以及至少一个连接于该气体管1362的气体喷嘴1363。
气体供应管1361结合于燃烧室1300的顶盖1310，并延伸通过设置在顶盖1310和上内室1321之间的密封环1341。
此外，气体管1362的截面大致为方形，且该气体管1362设置在密封环1341和上内室1321之间。
连接于气体管1362的气体喷嘴1363在上内室1321中向下延伸一预定的长度。更具体地，气体喷嘴1363包括平行于燃烧室1300的内壁延伸的直部1363a以及从直部1363a的端部朝燃烧室1300内壁弯曲的弯曲部1363b。可设置四个气体喷嘴1363，所述四个气体喷嘴大致以燃烧室1300的中心为中心排列，且相邻两个气体喷嘴1363之间的角度间隔为90度。当然，气体喷嘴1363的数量只是一个示例，本发明并不限于所述的气体喷嘴1363的数量。此外，气体喷嘴1363可相对于燃烧室1300的竖直方向成角度地或倾斜地设置，从而使得可在燃烧室1300(即，上内室1321和下内室1322)内以旋涡的方式供应气体。
优选地，可将不与半导体废气反应的惰性气体用作通过去除微粒的气体供应部分1360供应到内室1320的内部的气体。更优选地，在半导体制造工艺中最常用的氮气可用于作为所述气体，但是本发明并不限于这样的气体。
优选地，通过去除微粒的气体供应部分1360而供应到内室1320的内部的气体大致以脉冲的形式供应。这是因为，如果以脉冲的形式供应所述气体，传递到内室1320的内壁上的冲力大于以固定流率连续地供应气体时所传递到内壁上的冲力。通过传递到内室1320的内壁上的冲力，将会沉积或者已经沉积在内室1320的内壁上的微粒自内壁分离或脱离而自由下落。在图9a中，微粒以参考标号P指代。
更具体地，通过去除微粒的气体供应部分1360而供应的惰性气体的压力的范围优选地在1kgf/cm2到10kgf/cm2范围。即，通过对微粒沉积或去除的程度以及所述装置的稳定性的综合研究——其通过改变惰性气体的压力而进行这个研究，发现如果惰性气体的压力不大于1kgf/cm2，则虽然装置的稳定性非常好但微粒较易于沉积或难于去除；而如果惰性气体的压力不小于10kgf/cm2，则虽然微粒难以沉积或易于去除但装置的稳定性受损。在此，装置的稳定性意味着装置的性能不会受半导体废气、燃料、氧气等的抽吸效率降低现象的影响，所述抽吸效率降低现象因为由于惰性气体的供应而形成的正压力而产生。当然，燃烧室1300的内部通常处于负压状态下。
在实际中，根据半导体废气的类型和数量，通过去除微粒的气体供应部分1360而供应的气体可以略微不同的形式供应，其中所述的半导体废气通过废气供应管1111和燃烧器1200而导入到燃烧室1300内。
例如，如果导入含有大量的硅的废气，则会产生大量的微粒。因此，有利的是，在燃烧器1200的整个操作过程中，以脉冲的形式来供应惰性气体，从而使得微粒不会沉积在内室1320的内壁上。
此外，如果所导入的废气中所含的硅的数量很少，则会产生较少的微粒。因此，有利的是，仅在一个预定的时长内以脉冲的形式来间歇地供应惰性气体。也就是说，即使没有在燃烧器1200的整个操作过程中一直供应用于去除微粒的惰性气体、而仅仅是隔一预定的时间供应一段时间，还是可以容易地去除已经沉积在内室1320的内壁上的微粒。
偶尔，也可以仅仅在微粒在燃烧室1300的内壁上沉积和积聚得超过了一预定的厚度后才供应惰性气体。也就是说，只有在燃烧室1300的压力低于与大气压接近的压力时，才对燃烧室1300供应一定时间的惰性气体，以便可以去除已经沉积在内壁上的微粒。当然，可以在内室1320中安装压力传感器(未图示)，以检测燃烧室1300内的压力，尤其是检测内室1320中的压力。
在图9b中，参考标号“h”指代升降把手，该把手安装在下外室1332上，从而使得使用者可以将下外室1332和下内室1322一起拉到外部。此外，参考标号“f”指代安装在废气处理装置内而用以支撑燃烧室1300的框架，而“b”指代用于将燃烧室1300结合到所述框架的托架。
图10a和10b为以剖视方式示出了半导体废气处理净气器1000的燃烧室1300的左视图和右视图。
如图所示，依据本发明，至少一个升降把手h设置在外室1330的下外室1332的前侧上，而穿过上外室1331和上内室1321设置引燃器1344和紫外线传感器1345。当然，燃烧器1200大致结合在顶盖1310的中央部。由于已经结合图9a到9c对其它零部件进行了描述，不再对其进一步地解释。
图11a和图11b分别为以剖视方式示出的右视图和截面图，示出了本发明半导体废气处理净气器1000的燃烧室1300。
如图所示，依据本发明，引燃器1344和紫外线传感器1345穿过上外室1331和上内室1321安装，而燃烧器1200大致安装在顶盖的中央部。此外，锚固构件1346在下外室1332中从该下外室1332延伸，其中下内室1322耦连于锚接构件1346。由于已经结合图10a和10b对其它零部件进行了描述，不再对其进一步地解释。
通过上述的构造，本发明半导体废气处理净气器1000的燃烧室1300和去除微粒的气体供应部分1360如下地操作。
首先，燃料和氧气分别地从燃料供应管1115和氧气供应管1116供应，所述燃料供应管1115和氧气供应管1116连接于燃烧器1200，然后，引燃器1344工作而使得从燃烧器1200产生火焰。紫外线传感器1345检测燃烧器1200的点火状态，且在燃烧器1200确定地实现了点火之后，引燃器1344停止工作。
然后，半导体废气从半导体制造处理管路通过连接于燃烧器1200的废气供应管1111供应。废气通过燃烧器1200导入到燃烧室1300的内室1320中。导入到内室1320中的废气通过来自燃烧器1200的火焰燃烧，从而形成一定量的微粒。
在此，通过安装在外室1330和顶盖1310中的冷却管1343供应冷却剂，从而，冷却剂沿内室1320的外壁1610流动，由此，内室1320不会被加热到高出预定的温度水平。
在此操作过程中，本发明的去除微粒的气体供应部分1360也进行工作。即，例如氮气等的惰性气体通过气体供应管1361供应，并随后通过气体管1362和气体喷嘴1363供应到内室1320中。
每个喷嘴1363包括直部1363a以及弯曲部1363b，其中，所述弯曲部1363b的末端朝向内室1320的内壁定向，从而，来自于气体喷嘴1363的惰性气体直接地吹到内室1320的内壁上。也就是说，一预定程度的冲力传递到内室1320的内壁上。因此，将要沉积或已经沉积在内室1320的内壁上的微粒自内室1320分离及去除并下落。
此外，因为设置有四个气体喷嘴1363，所述四个气体喷嘴彼此等间隔地以内室1320的中心为中心排列且相对于内室1320的竖直方向倾斜一预定的角度，所以，惰性气体通过气体喷嘴1363以旋涡的方式供应到内室1320中。因此，将已经沉积在内室1320的内壁上的微粒更为有效地去除并使其下落。
如上所述，通过去除微粒的气体供应部分1360而供应到内室1320的内部的惰性气体以脉冲的形式供应。因此，由于脉冲形式的惰性气体，冲力更为有效地施加到内室1320的内壁上，由此，将要沉积或已经沉积在内壁上的微粒被顺利地去除而自由地下落。
类似地，如果导入了含有大量的硅的废气，通过去除微粒的气体供应部分1360所供应的惰性气体可被连续不断地供应。也就是说，因为在由燃烧器1200燃烧含有大量的硅的废气时产生了大量的微粒，所以，在燃烧器1200的操作过程中，连续不断地供应惰性气体。当然，在此情形下，惰性气体也以脉冲的形式供应。
此外，如果导入了含有少量的硅的废气，通过去除微粒的气体供应部分1360所供应的惰性气体可被间断地供应一段预定时长。也就是说，因为在由燃烧器1200燃烧含有少量的硅的废气的过程中产生了少量的微粒，所以，即使只是供应一段预定时长的惰性气体即可有效地去除内室1320的内壁上的微粒，而无需在燃烧器1200的工作期间连续不断地供应惰性气体。当然，在此情形下，惰性气体也以脉冲的形式供应。
此外，在已经检测了内室1320中的压力之后，如果内室1320中的压力与大气压大致接近，则可供应通过去除微粒的气体供应部分1360所供应的惰性气体。内室1320中的压力与大气压大致接近的状态意味着由于微粒在内壁上沉积和积聚到超过一预定的厚度，所以内室的内部体积已经减少。相应地，需要通过以脉冲的形式将惰性气体供应到内室1320的内部而去除已经沉积在内室1320的内壁上微粒。
图12a和12b为左视图以及局部剖视的右视图，其示出了室支撑部分1400以及结合到本发明半导体废气处理净气器1000的下端的下室1350。
如图所示，依据本发明，大致形成为漏斗形式的下室1350以可自所述外室拆开的方式安装在燃烧室的外室的下部，且微粒导引构件1351安装在下室1350中，其中，所述微粒导引构件1351大致为漏斗形，以将在废气燃烧过程中产生的微粒导引到湿塔1500和储水罐1600。
在此，微粒导引构件1351设置有惰性气体管，用于注入惰性气体，从而防止蒸气从储水罐1600再次导回到燃烧室1300内。此外，中间连接管1353连接到下室1350的下端。因此，微粒在经过微粒导引构件1351之后通过中间连接管1353落向储水罐1600。
此外，室支撑部分1400固定到下室1350上，从而可拆开地支撑燃烧室1300。
室支撑部分1400包括一对导轨1420，其线性地安装在支撑板1410上；一对导块1430，其安装在导轨1420上而可沿水平方向往复运动；数个支撑台1440，每个支撑台都具有形成于其顶部的水平表面1441以及从该水平表面以预定角度地向下延伸的下降表面1442；以及一个或多个将所述支撑台1440相互连接起来的支撑杆1450。此外，下室1350设置有滚动体1355，这些滚动体连接成可沿水平表面1441和下降表面1442滑动。
因此，如果操作人员将室支撑部分1400的支撑杆1450拉到侧部，则下室1350的滚动体1355沿水平表面1441、然后沿下降表面1442滑动，从而，下室1350可自燃烧室1300的下部容易地分离。
从这个状态，下内室1322和下外室1332可一起从上内室1321和上外室1331分离。因此，操作人员可迅速、容易地清理燃烧室1300的内部。
图13a和13b为以剖视方式示出了本发明半导体废气处理净气器1000的湿塔1500的正视图和右视图。
如图所示，湿塔1500包括基塔1510、第一塔1520、第二塔1530、第三塔1540以及第四塔1550。依据本发明，第一塔1520、第二塔1530、第三塔1540以及第四塔1550可以不同的顺序而可拆开地彼此组装。
即，依据本发明，第一塔1520和第二塔1530的高度和直径可以彼此完全相同。此外，第三塔1540和第四塔1550的高度和直径可以彼此完全相同。因此，第一塔1520和第二塔1530可以互换位置地组装或安装。此外，第三塔1540和第四塔1550也可以互换位置地组装或安装。
因此，因为第一塔1520和第二塔1530可以互换位置地安装、第三塔1540和第四塔1550可以互换位置地安装，依据本发明，湿塔1500可以不同的形式操作，其可根据半导体制造工艺和安装情况而改变。由此，可以选择一个或多个所期望的塔并使之自湿塔1500分离，由此，可以选择性地对一个或多个所期望的塔进行清理，从而极大地减少了维修和修理所需要的时长。
第一过滤器1521组装到第一塔1520上，第二过滤器1531组装到第二塔1530上，而第三过滤器1541组装到第三塔1540上，第一过滤器到第三过滤器的孔隙率设成彼此不同。具体来说，从第一过滤器1521、第二过滤器1531到第三过滤器1541，孔隙率适于顺次降低。因此，依据本发明，微粒可通过三个阶段过滤。借助于从设置在基塔1510中的基部喷嘴1511、设置在第一塔1520中的第一喷嘴1522、设置在第二塔1530中的第二喷嘴1532以及设置在第三塔1540中的第三喷嘴1542喷出的水，过滤出来的微粒落到储水罐1600中，从而，过滤出的微粒随后被收集在储水罐1600中的水中。
同时，新鲜的水通过基部喷嘴1511从外部供入，且从储水罐1600中净化过的水通过第一喷嘴1522、第二喷嘴1532、和第三喷嘴1542而供应。为此，将供水泵(未图示)连接到基部喷嘴1511以供应新鲜的水，在储水罐中设置过滤部分(未图示)，且将循环泵(未图示)连接到第一、第二和第三喷嘴1522、1532和1542，用以从储水罐供水。由于将一排水泵(未图示)连接于储水罐，所以，即使新鲜的水不断地通过供水泵供应，储水罐内的水也不会溢出。
顶部开口的盖1560耦连到第四塔1550的顶端，而第一排出管1561连接到盖1560，其中所述第一排出管1561具有冷却空气供应口1562、压力检测口1563以及温度检测口1564。在此，温度较低的冷却空气通过空气供应口1562供应，从而，如果存在有细小微粒，则使得这些细小微粒朝第四塔1550下落。通过压力检测口1563检测排出气体的压力，且通过温度检测口1564检测出气体的温度。如果通过压力检测口1563和温度检测口1564所检测到的压力和温度不在基准范围之内，则其通过警告装置向使用者提出警告或者停止装置的操作。
设置有排出量控制构件1566的第二排出管1655连接到第一排出管1561的顶端，以对排出量进行控制。在这样的排出量控制构件1566的帮助下，可根据实际产生的废气微粒量来正确地控制经净化的气体的量。
现在，对基塔1510、第一塔1520、第二塔1530、第三塔1540以及第四塔1550的构造进行详细的描述。
如图所示，基塔1510的形状大致为圆筒形，并分别地通过中间连接管1512和下连接管1513而与燃烧室1300和储水罐1600连接。此外，设置在基塔1510中的基部喷嘴1511设置成可向配备在第一塔1520中的第一过滤器1521喷水。在此，另外又在基塔1510中形成压力检测口1515，以检测基塔1510的内部压力。因此，依据本发明，如果从设置在基塔1510中的压力口1514和设置在第一排出管1561中的压力口1563处所获得的压力值不在基准范围内，则通过警告装置(未图示)向使用者提出警告或者停止装置的操作。
然后，第一塔1520的形状大致为圆筒形，并安装在基塔1510的顶部。此外，第一塔1520的第一喷嘴1522设置成可在第一过滤器1521的上方向下地喷水。因此，所有沉积或积聚在第一过滤器1521上的微粒都通过位于第一过滤器1521下方的基部喷嘴1511以及位于第一过滤器1521上方的第一喷嘴1522而下落。在此，可另外在第一塔1520的壁上设置第一透明窗1523，从而可以直观地看到第一过滤器1521。因此，通过第一透明窗1523，可以直观地看到第一过滤器1521的状态，从而可以精确地判断第一过滤器1521的清理时间。
第二塔1530的形状也大致为圆筒形，并安装在第一塔1520的上方。此外，第二塔1530的第二喷嘴1532设置成可在第二过滤器1531上方向下地喷水。在此，可另外在第二塔1530的壁上设置第二透明窗1533，从而可以直观地看到第二过滤器1531。因此，依据本发明，可以精确地判断第二过滤器的清理时间。
第三塔1540的形状也大致为圆筒形，并安装在第二塔1530的上方。此外，第三塔1540的第三喷嘴1542设置成可在第三过滤器1541上方向下地喷水。
第四塔1550的形状也大致为圆筒形，并安装在第三塔1540的上方。此外，在第四塔1550中以如下方式设置多个冲击板1551——每个冲击板都形成有多个通孔1552即使得各冲击板其彼此之间在竖直方向上是隔开的，其中形成在一个冲击板1551上的通孔1552相对于形成在相邻冲击板1551上的通孔错开。冲击板1551通过多个螺栓1554、隔离件1555和螺母而彼此叠置并锚固，从而形成一个整体结构。因此，依据本发明，即使穿过了第一过滤器1521、第二过滤器1531以及第三过滤器1541，微粒还是会撞在冲击板1551上，从而最终被过滤掉。此外，气体供应管1553设置成在冲击板的上方向下地供应例如氮气等的惰性气体。如果本发明湿塔1500的内部压力增加(也就是说，大量的微粒吸附在过滤器或冲击板上)，则通过气体供应管1553供应预定量的惰性气体，从而，所有吸附在过滤器1521、1531和1541以及冲击板1551上的微粒都可以被除去。也就是说，从气体供应管1553供应的气体用来对过滤器1521、1531和1541以及冲击板1551提供一定程度的冲力，从而，将微粒自过滤器和冲击板分离。
图14a和14b分别为沿图13b中的14a-14a线和14b-14b线的截面图，而图14c为图13b中的区域1550的立体图。
如图14a所示，基部喷嘴1511可在基塔1510中交叉设置。喷射通孔1511a形成在基部喷嘴1511的中心和四个末端处，从而，水可以通过总共五个通孔1511a从基塔1510的下部向上喷射。然而，本发明并不限于这样的基部喷嘴1511的设置和形成在基部喷嘴1511中的喷射通孔1511a的数量。
如图14b所示，在第二塔1530中，第二喷嘴1532可设置成“H”形。喷射通孔1532a形成在第二喷嘴1532的中心和四个末端处，从而，水可以通过总共五个喷射通孔1532a喷射到位于第二喷嘴1532下方的第二过滤器1531上。然而，本发明并不限于这样的第二喷嘴1532的设置和形成在第二喷嘴1532中的喷射通孔1532a的数量。
如图14c所示，冲击板1551设置在第四塔1550中，其中，每个冲击板1551都形成有多个通孔1552，每个通孔1552的直径都是相对较大的。由于形成在一个冲击板1551中的通孔1552相对于形成在相邻冲击板1551中的通孔而言是错开的，如上所述，所以微粒在穿过通孔1552落下时撞在各冲击板1551上。
通过上述的构造，本发明的湿塔1500的操作如下。
首先，由半导体加工线产生的废气通过燃烧器1200的火焰而在燃烧室1300内燃烧，从而产生微粒，在所产生的微粒中，相对较重的微粒直接地掉落到储水罐1600。此外，相对较轻的微粒通过中间连接管1512移向湿塔1500的基塔1510。
此后，在升至第一塔1520的时，微粒通过安装在第一塔1520中的第一过滤器1521。同时，所有大于第一过滤器的孔隙的微粒都由第一过滤器1521截留。通过此方式截留的微粒在从基部喷嘴1511和第一喷嘴(它们分别设置在第一过滤器1521的下方和上方)喷出的水的作用下通过安装在基塔1510下方的下连接管1513而分别掉落到储水罐中。
然后，已经通过了第一塔1520的第一过滤器1521的微粒试图通过安装在第二塔1530中的第二过滤器1531。此时，所有大于第二过滤器1531的孔隙的微粒都由第二过滤器1531截留。通过此方式截留的微粒在从第二喷嘴1532(其设置在第二过滤器1531之上)喷出的水的作用下掉落到第二过滤器1531之下。从而，所掉落的微粒通过第一过滤器1521和下连接管1513而掉落到储水罐1600中。
然后，已经穿过了第二塔1530的第二过滤器1531的微粒试图通过安装在第三塔1540中的第三过滤器1541。此时，所有大于第三过滤器1541的孔隙的微粒都被截留。通过此方式截留的微粒在从第三喷嘴1542(其设置在第三过滤器1541之上)喷出的水的作用下掉落到第三过滤器1541之下。从而，所掉落的微粒通过第二过滤器1531、第一过滤器1521和下连接管1513而掉落到储水罐1600中。
然后，已经穿过了第三塔1540的第三过滤器1541的微粒通过安装在第四塔1550中的冲击板1551的通孔1552。此时，大部分的微粒都直接地撞在冲击板1551上并下落而不再上升。此外，例如氮气等的惰性气体通过气体供应管1553而从冲击板1551的上方向下供应，从而将微粒从冲击板1551上除去，而通过此方式去除的微粒因此通过第三过滤器1541、第二过滤器1531以及下连接管1513而掉落到储水罐1600中。
由此，通过了基塔1510、第一塔1520、第二塔1530、第三塔1540以及第四塔1550的气体是净化过的气体，其中，基本上所有的微粒都被除去了。最后，当净化过的气体通过第一排出管1561时，该净化过的气体由通过冷却空气供应口1562所供应的冷空气冷却，然后下降到冲击板1551。由此，通过第一排出管1561和第二排出管1562排出到外部的废气基本上是完全净化的，基本上没有任何微粒。
如上所述，基塔1510和第一排出管1561分别形成有压力检测口1514和1563。因此，可以确定通过基塔1510的气体压力与通过第一排出管1561的气体压力之间的差。如果通过基塔1510的气体和通过第一排出管1561的气体之间的压差过大，则其意味着大量的微粒沉积或积聚在第一过滤器1521、第二过滤器1531、第三过滤器1541以及冲击板1551上。相应地，通过警告装置(未示)向使用者报告这个状态或者停止装置的操作。
当这样的警告装置启动时，通过设置在第四塔1550中的气体供应管1553供应预定压力的惰性气体，从而，惰性气体所产生的冲力适于传递到冲击板1551、第三过滤器1541、第二过滤器1531以及第一过滤器1521上，从而将微粒从冲击板和过滤器上去除。
虽然通过气体供应管1553供应了气体，但是如果上下部分之间的压差仍然过大，则这意味着分离和清理第一塔1520、第二塔1530、第三塔1540以及第四塔中至少其中之一的时间快到了。通过警告装置(未图示)向使用者报告这个状态或者停止装置的操作。
图15a到15d为以剖视方式示出了本发明半导体废气处理净气器1000的储水罐1600的俯视图、左视图、正视图和右视图。
如图所示，储水罐1600包括周壁1610，所述周壁1610的横截面形状大致为方形；底壁1611，用于封闭周壁的底侧；以及顶盖1612，用于封闭周壁1610的顶侧。也就是说，储水罐1600总体上呈现中空长方体形式并容纳一定量的水。
此外，储水罐1600还包括第一区域1613，燃烧室1300和湿塔1500分别通过下连接管1354和1514而与之相连；通过带有开口1616的分隔件1615而与第一区域1613隔开的第二区域1614；以及装配在开口1616中的过滤部分1617。下连接管1354和1514与储水罐1600的顶盖1612连通，并浸入到储水罐1600内的水中一预定的深度。
此外，排出泵1620设置在储水罐1600的顶盖1612的后部区域的顶部。排出泵1620具有流体入口1612和流体出口1623，从而可以一起抽吸水和微粒。此外，排出泵1620还设置有空气入口1624和空气出口1625，从而可为排出泵1620提供气压或从排出泵1620排出气压以操作排出泵1620。在此，流体入口1612形成于排出泵1620的后侧顶部。入口管1622连接到流体入口1612，其中入口管1622延伸到储水罐1600的底部并座设于第一区域1613上，从而，其可从储水罐1600吸入水和微粒。此外，由于流体出口1623大致形成在排出泵1620的顶端，所以微粒和水可完全地排出到外部。虽然没有在附图中示出，但有一出口管连接到流体出口1623。在附图中，参考标号“a”指代空气而“w+p”指代水和微粒。
同时，空气入口1624形成于排出泵1620的前部，而预先设置在半导体管路中的空气供应管(未图示)连接于空气入口1624。此外，空气出口1625形成于排出泵1620的后侧下端，而气泡产生器1630通过管1625a连接到空气出口1625。气泡产生器1630位于储水罐1600的第一区域内。当然，气泡产生器1630延伸穿过顶盖1612并浸入到储水罐1600内的水中一预定的深度。
通过上述的结构，在排出泵1620工作期间浪费的空气通过空气出口1625和管1625a传递到气泡产生器1630，从而，预定程度的冲力周期性地传递到储水罐1600的第一区域1613内的空气中。因此，意图沉淀和沉积在第一区域1613中的微粒始终漂浮在水中。从而，当排出泵1620运转时，以这种方式漂浮的微粒沿着入口管1622、流体入口1621以及流体出口1623而与水一起容易地排到外部。也就是说，微粒不会沉淀和沉积在储水罐1600的底部上过厚。在此，气泡产生器1630优选地而非排它地由减噪器或类似设备(其可以减少来自于排出泵1620的噪音以及将预定程度的冲力输送到水中)构成。虽然附图示出仅一个气泡产生器1630耦接到顶盖1612，优选地设置至少三个气泡产生器，其连接到对应于第一区域1613的顶盖1612上并与所述顶盖1612间隔设置，从而使得在储水罐1600的整个第一区域1613中可防止微粒的沉淀和沉积。
同时，将储水罐1600分成第一区域1613和第二区域1614的分隔件1615也设置有过滤部分1617，当从俯视图观察时，所述过滤部分1617是矩形的并且其每侧都具有过滤器。因此，当第一区域1613内的水流向第二区域1614时，在颗粒通过过滤部分1617过滤之后水流过。相应地，第一区域1613内的水较浑浊，因为其含有微粒，而第二区域1614内的水较洁净，因为微粒已经被过滤掉了。
因为第一区域1613含有微粒和水，燃烧室1300通过下连接管1354连接到第一区域1613，而湿塔通过另一连接管1514连接到第一区域1613。此外，由于上述的理由，连接于排出泵1620的空气出口1625的气泡产生器1630以及入口管1622也设置在第一区域1613中。
在与储水罐1600的第二区域1614相对应的顶盖1612中形成氢氧化钠入口1618。此外，在氢氧化钠入口1618侧，连接有pH值传感器，用于检测储水罐1600中水的pH值。在附图中，只示出了一个用于附装pH值传感器的传感器托架1619。通常，在收集在水中之后，燃烧半导体废气后所产生的微粒增加了水的酸度。也就是说，微粒使水酸化。因此，如上所述，通过pH值传感器测量水的酸度，且一定量的氢氧化钠通过氢氧化钠入口1618放入水中。从而，储水罐1600中的水始终保持在中性的状态。由此，可以防止组装在储水罐1600中的各个结构被水腐蚀。
循环泵1640连接在储水罐1600的后侧壁1600上。这样的循环泵1640还具有入口1641和出口1642。循环泵1640的入口1641也连接到与储水罐1600的第二区域相对应的外壁1610。此外，循环泵1640的出口1642连接到热交换器1650。因此，储水罐内水的温度因为用来冷却燃烧室1300的水或者从燃烧室1300中通过的微粒而升高，其中水通过循环泵1640和热交换器1650冷却。此外，通过热交换器1650的水被供应到湿塔1500，然后通过下连接管1514而再次落到储水罐1600的第一区域1613中。因此，所有从湿塔1500收集而得的细小微粒都完全地收集在储水罐1600第一区域1613中的水中，且该水也由循环泵1640和热交换器1650冷却。在图16中更为详细地示出了循环泵1640和热交换器1650之间的关系。
通过上述的结构，本发明半导体废气处理净气器1000如下地操作。
如公知的，如果半导体废气通过燃烧器1200和燃烧室1300燃烧，则会产生微粒。在所产生的微粒中，较重的微粒由于其重力而通过下连接管1354掉落到储水罐1600的第一区域1613内。当然，由此掉落下的微粒收集于第一区域1613的水中。
同时，较轻的细小微粒通过中间连接管1353和1513传递到湿塔1500内而没有掉落。然而，湿塔1500设计成使得水从其上部落到下部，并设置有多个过滤器(未图示)，细小的微粒也通过下连接管1514而落到储水罐1600的第一区域1613中。因此，已经落下的细小微粒也收集于第一区域1613的水中。
然后，第一区域1613的水通过已经掉下且收集于其中的微粒弄脏。因此，排出泵1620工作一预定的时间长度，以把脏水(微粒和水)排出到外部。
在此，排出泵1620是气动操作的膜片泵。因此，存在于第一区域1613内的粉末以及微粒通过流体入口1621吸入，并通过流体出口1623排出到外部。此外，在排出泵1620工作之后，通过空气入口1625吸入的空气通过空气出口而排出，且排出的空气通过管1625a传送到气泡产生器1630。因此，只要排出泵1620工作，预定大小冲力就会通过气泡产生器1630施加到第一区域内的水中。
因此，收集于第一区域1613内的微粒持续地漂浮在水中，而不会沉淀或沉积在储水罐1600的底部1611上。相应地，漂浮的微粒和水通过流体入口管1622和流体入口1621而传送到排出泵，然后通过流体出口1623排出到外部，从而，储水罐1600内的微粒和水一起容易地排出到外部。即使在储水罐1600的底部1611上沉积了一定的厚度，但气泡产生器1630所产生的气泡和冲力可击碎微粒并使其漂浮于水中。此外，如果多个气泡产生器1630(例如三个)设置在第一区域1613中且彼此间隔设置，则可以防止微粒在第一区域1613内的特定区域处沉积或硬化。
然后，在储水罐1600外壁1610的后侧，循环泵1640从第二区域1614吸水并将水送到热交换器1650，热交换器1650又把水送到湿塔1500。因此，储水罐1600的第一区域1613内的水通过安装在第一区域1613和第二区域1614之间的过滤部分1617而自然地流到第二区域1614。因为漂浮在第一区域1613中的微粒不能通过过滤部分1617，所以对第二区域1614只供以相对清洁的水。然而，水再次通过下连接管1514从湿塔1500落到储水罐1600的第一区域1613中，由此，湿塔1500中的细小微粒再次收集于储水罐1600的第一区域1613中。
同时，如上所述，pH值传感器测量储水罐1600内的水的酸度。如果pH值测量的结果显示酸度超过一预定的范围，则通过氢氧化钠入口1618将氢氧化钠置入储水罐1600。当然，氢氧化钠可通过机械或电气设备而自动地或者通过操作人员手动地置入储水罐1600。
如上所述，本发明半导体废气处理净气器在对在半导体制造工艺中所产生的废气进行燃烧以及过滤后可将所述废气安全地排出到大气中。此外，本发明的净气器使得装置可以容易地维护和修理。此外，依据本发明的净气器，可以减少废气燃烧后的微粒的沉淀/沉积过程中经过滤的微粒掺杂到装置中而引起的装置阻塞。
依据本发明半导体废气处理净气器的燃烧器，可以使燃料和氧气的混合简化，以防止燃料和氧气的混合气体与废气混合，并防止在废气燃烧之前废气流之间的相互混合，从而可以提高废气燃烧的效率。
依据本发明半导体废气处理净气器的燃烧室以及安装在燃烧室内的微粒去除装置，惰性气体(例如氮气)以脉冲的形式供应到燃烧室的内部，从而使惰性气体为燃烧室的内壁提供一预定大小的冲力，由此，可以防止微粒沉积在燃烧室的内壁上。
依据本发明，多个用于喷射惰性气体的喷嘴以如下方式设置其彼此间隔并相对于燃烧室的竖直方向倾斜一个预定的角度，从而使得惰性气体自然地以旋涡的方式供应入燃烧室。因此，可从燃烧室的内壁上更加有效地除去和分离微粒。实际上，通过依据本发明的惰性气体供应，可以确保燃烧室的清理周期从每隔三到四天一次而延长到每隔三到四个月一次。
此外，依据本发明，惰性气体可以各种方式供应到燃烧室的内部，从而，可以避免惰性气体不必要的浪费。例如，如果导入到燃烧室内的废气包含大量的硅，则在燃烧器的工作过程中，惰性气体持续地以脉冲形式供应，而如果废气包含少量的硅，则惰性气体间隔地供应一预定的时长或者仅在燃烧室内的压力接近大气压时才供应，由此，所使用的惰性气体最少。
依据本发明半导体废气处理净气器的湿塔，可以互换第一塔和第二塔的位置，或者互换第三塔和第四塔的位置，由此，可以在依据处理状况和装置状况以各种形式而选择改变湿塔的同时操作湿塔。
为此，可以将所期望的塔从湿塔上选出并分离。由此，可以选择性地清理所期望的塔，由此，可极大地减少清理所需要的时间。
依据本发明，如果内部压力由于过滤器和冲击板由微粒阻塞而升高，则通过气体供应管而强制地向下供应具有预定压力的惰性气体，从而，可以消除或减轻由微粒引起的阻塞现象并延长清理周期。
为此，依据本发明，可通过设置在第一过滤器之上的第一喷嘴以及设置在第一喷嘴之下的第二喷嘴而同时地朝安装在第一塔中的第一过滤器喷水，从而使沉积或积聚在第一过滤器上的微粒量最小化。当然，通过这个解决方案，清理周期可以进一步地延长。
此外，依据本发明，第一和第二塔设置有第一和第二透明窗，从而可以直观地看到第一和第二塔的第一和第二过滤器。由此，可以精确地判断需要清理第一和第二过滤器的时间。
依据本发明，本发明半导体废气处理净气器的储水罐以及安装在其内的微粒去除装置周期性地在储水罐内产生气泡。因此，微粒不能沉积在储水罐的底部上。此外，即使微粒已经沉积或积聚在储水罐的底部上，也可以通过气泡而粉碎微粒并使其漂浮在水中，然后可将微粒在排出泵工作时与水一起排出到外部。通过这个操作，也可以延长储水罐的维护和修复或清理周期。
此外，依据本发明，在排出泵操作时浪费的空气可再次使用而不用增加任何机构或仪器，从而，制造费用没有额外地增加。
虽然为了说明的目的而描述了本发明的优选实施方式，但是本领域内的技术人员可以理解可进行各种修改、添加和替换，而不会偏离在所附权利要求中所公开的本发明的范畴和精神。
权利要求
1.一种用于处理半导体废气的净气器，其包括供应部分，用于供应半导体废气、燃料和氧气；燃烧器，该燃烧器连接于所述供应部分而通过火焰来燃烧半导体废气；燃烧室，该燃烧室结合于所述燃烧器而使得在半导体废气燃烧时所产生的微粒掉落；湿塔，该湿塔安装在所述燃烧室的侧部而使得从所述燃烧室传送的微粒在用水吸附后掉落；以及储水罐，该储水罐连接于所述燃烧室和湿塔而用以收集从所述燃烧室和湿塔掉落的微粒。
2.如权利要求1所述的净气器，进一步包括有室支撑部分，该室支撑部分设置在所述燃烧室下端之下而支撑所述燃烧室。
3.如权利要求1所述的净气器，其中，所述供应部分包括至少一个废气供应管，其连接于所述燃烧器而为该燃烧器供应半导体废气；至少一个旁通废气供应管，其连接于所述废气供应管而为半导体废气设置旁路；至少一个燃料供应管，其连接于所述燃烧器而将燃料供应到该燃烧器；以及至少一个氧气供应管，其连接于所述燃烧器而将氧气供应到该燃烧器。
4.如权利要求1所述的净气器，其中，所述燃烧器包括主体，其具有至少一个半导体废气供应通道、至少一个燃料供应通道以及至少一个氧气供应通道；燃料喷嘴体，其装配在所述主体的周缘上，从而形成燃料供应空间和燃料供应喷嘴；和氧气喷嘴体，该氧气喷嘴体装配在所述主体和燃料喷嘴体的周缘上，从而形成氧气供应空间和氧气供应喷嘴；以及组装体，该组装体装配在所述主体和氧气喷嘴体的周缘上，从而形成冷却剂流动空间，所述组装体连接于所述燃烧室。
5.如权利要求4所述的净气器，其中，所述主体包括延伸部分，该延伸部分从所述主体的下端水平且径向向外地延伸预定的长度，并且其具有至少一个形成在周面上的凹槽；位于所述延伸部分的上方的第一凸缘，该第一凸缘从所述主体水平且径向向外地延伸一大于所述延伸部分的延伸长度的长度；以及位于所述第一凸缘的上方的第二凸缘，该第二凸缘从所述主体水平且径向向外地延伸一大于所述第一凸缘的延伸长度的长度；而且其中至少一个半导体废气供应通道基本竖直地延伸穿过所述主体，所述至少一个燃料供应通道竖直地延伸穿过所述主体，使得所述燃料供应通道的出口形成于所述延伸部分和第一凸缘之间，且所述至少一个氧气供应通道竖直地延伸穿过所述主体，使得所述氧气供应通道的出口形成于所述第一凸缘和第二凸缘之间。
6.如权利要求5所述的净气器，其中，所述形成于主体上的凹槽以如下方式倾斜其下端的虚拟延长线与主体的中心轴线相交，且其中，所述主体与燃料喷嘴体紧密地接触，从而，所述凹槽形成燃料喷嘴，而所述燃料喷嘴体紧密地接触延伸部分和第一凸缘，从而，在所述主体和燃料喷嘴体之间形成燃料空间。
7.如权利要求6所述的净气器，其中，所述燃料喷嘴体包括中央孔，其穿过该燃料喷嘴体中央部而形成，所述主体装配入该孔内；以及延伸部分，其绕所述燃料喷嘴体周面的下端形成并沿径向延伸一预定的长度，其中至少一个凹槽形成在该延伸部分的周面上。
8.如权利要求7所述的净气器，其中，所述形成在所述燃料喷嘴体的延伸部分上的至少一个凹槽倾斜一角度，该倾斜角度大于形成在主体的延伸部分上的凹槽的倾斜角度，所述燃料喷嘴体与氧气喷嘴体紧密地接触，从而，所述位于燃料喷嘴体的延伸部分上的至少一个凹槽形成至少一个氧气喷嘴，而所述氧气喷嘴体与所述主体的第二凸缘以及所述的燃料喷嘴体的至少一个凹槽紧密地接触，从而，在所述第一凸缘和第二凸缘之间以及在所述燃料喷嘴体和氧气喷嘴体之间形成一个或多个氧气空间。
9.如权利要求5所述的净气器，其中，所述氧气喷嘴体包括中央孔，其穿过该氧气喷嘴体中央部而形成，所述燃料喷嘴体装配入该孔内；以及延伸部分，其绕所述氧气喷嘴体的周面的下端形成并沿径向向外延伸一预定的长度。
10.如权利要求9所述的净气器，其中，所述组装体包括中央孔，该中央孔穿过该组装体中央部而形成，所述氧气喷嘴体装配入该孔内，且在所述氧气喷嘴体的外周面和所述组装体的内周面之间形成冷却剂流动空间，一冷却剂管连接于该冷却剂流动空间。
11.如权利要求5所述的净气器，其中，所述主体具有倒转的锥面，该倒转锥面的顶点形成所述主体的下端；以及阻挡壁，其绕所述锥面向下延伸预定的长度。
12.如权利要求1所述的净气器，其中，所述燃烧室包括顶盖，所述燃烧器装配入该顶盖的中央部；绕所述燃烧器从所述顶盖底侧悬设的内室；以及绕所述内室从所述顶盖底侧悬设的外室。
13.如权利要求12所述的净气器，其中，在所述顶盖和外室之间的空间中设置冷却管来供应冷却剂，且在该冷却管中形成至少一个通孔，从而，冷却剂注入到位于所述内室和外室之间的空间中。
14.如权利要求12所述的净气器，其中，所述内室包括上内室和下内室，该上内室和下内室是可彼此拆开的，且所述外室也包括上外室和下外室，该上外室和下外室是可彼此拆开的。
15.如权利要求12所述的净气器，其中，所述燃烧室包括穿过所述外室和内室、位于所述燃烧器的下端处的引燃器，用以实现初始点火；以及穿过所述外室和内室、位于所述燃烧器的下端处的紫外线传感器，用以检测是否成功地实现了初始点火。
16.如权利要求12所述的净气器，其中，所述燃烧室进一步包括去除微粒的气体供应部分，该去除微粒的气体供应部分供应具有预定压力的气体，使得微粒不会在燃烧室的内壁上积聚。
17.如权利要求16所述的净气器，其中，所述去除微粒的气体供应部分包括结合于所述燃烧室顶盖外部的气体供应管；连接于该气体供应管的气体管，该气体管沿着所述顶盖和内室之间的空间形成为环状；以及至少一个气体喷嘴，其结合于所述气体管并在所述内室中延伸一预定长度。
18.如权利要求17所述的净气器，其中所述气体喷嘴包括平行于所述燃烧室的内壁延伸的直部；以及从该直部的端部朝所述燃烧室的内壁弯曲的弯曲部，从而，气体能够以向所述燃烧室内壁供应冲力。
19.如权利要求17所述的净气器，其中，设置有四个气体喷嘴，这四个气体喷嘴以所述内室的中心为中心排列，并彼此间隔开90度的角度间隔。
20.如权利要求17所述的净气器，其中，所述气体喷嘴相对于所述内室的竖直方向倾斜，从而，在所述内室中，气体能够以旋涡的方式供应。
21.如权利要求17所述的净气器，其中，通过所述去除微粒的气体供应部分所供应的气体是惰性气体。
22.如权利要求17所述的净气器，其中，通过所述去除微粒的气体供应部分所供应的气体以脉冲的形式供应。
23.如权利要求17所述的净气器，其中，基本呈漏斗形的下室可拆卸地附装到燃烧室外室的下部，而一微粒导引构件结合在所述下室的内部，所述导引室呈漏斗形地朝向所述下室的下端而用以将废气燃烧后所产生的微粒导引到所述湿塔和水罐。
24.如权利要求23所述的净气器，其中，所述微粒导引构件还包括用于注入惰性气体的惰性气体管，从而防止产生于储水罐内的蒸气被导入到所述燃烧室内。
25.如权利要求23所述的净气器，其中所述下室设置有用于支撑所述燃烧室以及使得所述燃烧室被分离的室支撑部分。
26.如权利要求25所述的净气器，其中，所述室支撑部分包括一对线性安装在支撑板上的导轨；一对安装在所述导轨上而能够沿水平方向往复运动的导块；一对安装在所述导块上并向上延伸一预定距离的支撑台，所述支撑台每个都具有形成于该支撑台顶部的水平表面以及从该水平表面以预定角度向下延伸的下降表面；以及一个或多个将所述支撑台相互连接起来的支撑杆，所述下室设置有滚动体，这些滚动体安装成沿所述支撑台的水平表面或下降表面是可滑动的。
27.如权利要求1所述的净气器，其中，所述湿塔包括具有基部喷嘴的圆筒形基塔；可移除地安装在所述基塔的顶部的圆筒形的第一塔，在该第一塔内设置了第一过滤器和第一喷嘴；可移除地安装在所述第一塔的顶部的圆筒形的第二塔，在该第二塔内设置了第二过滤器和第二喷嘴；可移除地安装在所述第二塔的顶部的圆筒形的第三塔，在该第三塔内设置了第三过滤器和第三喷嘴；以及可移除地安装在所述第三塔的顶部的圆筒形的第四塔，在该第四塔内设置了气体供应管和多个冲击板，其中，所述第一塔和第二塔能够不同的顺序组装，而所述第三塔和第四塔也能够以不同的顺序组装。
28.如权利要求27所述的净气器，其中，所述第一塔和第二塔的高度和直径是彼此相同的，且所述第三塔和第四塔的高度和直径是彼此相同的，且所述第一塔和第二塔的直径与所述第三塔和第四塔的直径不同。
29.如权利要求27所述的净气器，其中，所述第一过滤器、第二过滤器以及第三过滤器的孔隙率以第一过滤器、第二过滤器到第三过滤器的顺序递减。
30.如权利要求27所述的净气器，其中，新鲜的水通过基部喷嘴进行供应，且经所述储水罐净化的水通过所述第一、第二和第三喷嘴进行供应。
31.如权利要求27所述的净气器，其中，顶部开口的盖装配在所述第四塔的顶部上，具有压力检测口、温度检测口以及冷却空气供应口的第一排出管连接于所述盖，而第二排出管连接于所述第一排出管的顶端，所述第二排出管具有排出量控制构件，从而能够对排出量进行控制。
32.如权利要求27所述的净气器，其中，所述基塔通过中间连接管和下连接管连接于所述燃烧室和储水罐，且所述基部喷嘴设置成能够向上地朝安装在所述第一塔中的第一过滤器喷水。
33.如权利要求27所述的净气器，其中，所述基塔还包括有压力检测口，用于检测该基塔中的压力。
34.如权利要求27所述的净气器，其中，所述第一塔的第一喷嘴设置在第一过滤器的上方，其设置方式为使得能够向下地朝所述第一过滤器喷水。
35.如权利要求27所述的净气器，其中，所述第一塔还包括形成于所述第一塔的壁中的透明的第一窗，从而，能够直观地看到位于该第一塔内的第一过滤器。
36.如权利要求27所述的净气器，其中，所述第二塔的第二喷嘴设置在所述第二过滤器的上方，其设置方式为使得能够向下地朝所述第二过滤器喷水。
37.如权利要求27所述的净气器，其中，所述第二塔还包括形成于所述第二塔的壁中的透明的第二窗，从而，能够直观地看到位于所述第二塔内的第二过滤器。
38.如权利要求27所述的净气器，其中，所述第三塔的第三喷嘴设置在所述第三过滤器的上方，其设置方式为使得能够向下地朝所述第三过滤器喷水。
39.如权利要求27所述的净气器，其中，所述第四塔的冲击板每个都形成有多个通孔，且所述冲击板叠置成沿竖直方向彼此隔开，形成在两个相邻冲击板中的通孔彼此错开，而所述气体供应管设置在所述冲击板的上方，其设置方式为使得能够向下地朝所述冲击板供应惰性气体。
40.如权利要求1所述的净气器，其中，所述储水罐包括第一区域，该第一区域组装在所述燃烧室和湿塔的下方而收集从该燃烧室和湿塔掉落的水和微粒；第二区域，该第二区域通过分隔件与所述第一区域分开并从所述第一区域供应已过滤掉了微粒的水；以及过滤部分，该过滤部分设置在所述第一区域和第二区域之间而将微粒从水中滤掉。
41.如权利要求40所述的净气器，其中，一排出泵也连接于所述第一区域，用于将水和微粒一起排出到外部。
42.如权利要求41所述的净气器，其中，所述排出泵具有流体入口和流体出口，用以吸入和排出水及微粒；空气入口和空气出口，用于向所述排出泵供应气压而运行该排出泵；以及至少一个气泡产生器，该气泡产生器通过管连接于所述空气出口并浸入到所述储水罐第一区域的水中一预定的深度。
43.如权利要求42所述的净气器，其中，所述排出泵是气动膜片泵。
44.如权利要求42所述的净气器，其中，所述气泡产生器是用于减少排出泵噪音的减噪器。
45.如权利要求42所述的净气器，其中，每次从所述排出泵排出空气，所述气泡产生器都在储水罐的水中产生气泡，从而，收集在水中的微粒持续地漂浮在水中而未沉积或积聚在储水罐的底部上。
46.如权利要求42所述的净气器，其中，循环泵的入口连接于所述储水罐的第二区域，而循环泵的出口经过热交换器连接于所述湿塔。
全文摘要
本发明公开一种用于对半导体制造工艺中产生的半导体废气进行处理的净气器，该净气器以高温火焰燃烧废气、过滤及收集废气燃烧后所产生的微粒、将滤掉了微粒的废气排出到大气中。该半导体废气处理净气器包括供应部分，用于供应半导体废气、燃料和氧气；燃烧器，连接于供应部分而通过火焰来燃烧半导体废气；燃烧室，结合于燃烧器而使半导体废气燃烧时所产生的微粒掉落；湿塔，安装在燃烧室的侧部而使从燃烧室传送的微粒在用水吸附后掉落；以及储水罐，连接于燃烧室和湿塔，从而收集从燃烧室和湿塔掉落的微粒。本发明增加了废气燃烧效率、使得微粒不会沉积在燃烧室的内壁上且使得易于对燃烧室进行维护和修复。
文档编号B01D53/74GK1923342SQ200610103589
公开日2007年3月7日 申请日期2006年7月25日 优先权日2005年9月2日
发明者李瑢灿, 金滢克, 李相根 申请人:清洁系统韩国股份有限公司