一种Z型异质结光催化剂及其制备方法和应用与流程

文档序号:20837568发布日期:2020-05-22 17:04阅读:3091来源:国知局
一种Z型异质结光催化剂及其制备方法和应用与流程

本发明属于光催化技术领域,尤其涉及一种z型异质结光催化剂及其制备方法和应用。



背景技术:

h2作为一种可持续的清洁能源载体,在解决能源和环境危机等问题方面具有较大的潜力而备受关注。在过去的几十年中,利用半导体光催化分解水产生h2被认为是将太阳能转化为化学能的理想方法。在光照下,半导体可以产生等量的光生电子和空穴,其中光生电子能够驱动质子还原成h2。然而,光生空穴通常会与光生电子复合,引起光催化剂的光腐蚀,从而降低h2的释放速率。为了实现高效的h2产生,常常需要加入牺牲剂来消耗光生空穴,这不仅造成光能不能充分利用与资源浪费,而且所产生h2的价值通常远远低于牺牲剂的价值。若能在光催化过程中形成高附加值的工业化学品,代替牺牲剂来促进h2的产生,将有望解决该问题。

受自然光合作用的启发,科学家们基于两种半导体组合后具有良好匹配的能带结构的特点,设计了多种全固态人工z型异质结光催化体系。z型异质结具有特殊的电子传递路径,在光照下不仅能够产生具有足够能级的光生电子和空穴,而且具有更宽的光吸收范围,并提高电荷载流子的空间分离能力。

mofs是一种由有机配体和金属节点组成的材料,可用于均匀分散混金属中心,形成多金属固溶体。在分散金属中心过程中,可形成小尺寸异质结;同时多金属固溶体内原位形成的纳米颗粒之间紧密连接,也可形成异质结。通过调节固溶体中掺杂金属的浓度,可以精细地调节异质结构的化学组成和带隙,因此可以进一步优化光吸收能力和氧化还原活性。目前已有mofs用于构筑异质结的研究报道,但现有mofs基异质结的光氧化能力低,在光催化析出h2过程中仍需要大量牺牲剂来消耗光生空穴。



技术实现要素:

本发明的目的在于解决现有技术中存在的技术问题之一,提供一种z型异质结光催化剂及其制备方法,该z型异质结能够在无需电子牺牲剂的情况下将水光催化分解成h2,同时生成高附加值化学品。

本发明的z型异质结光催化剂由包括如下步骤的制备方法得到:

(1)将cd2+、co2+和有机配体混合后,进行水热反应,得到cd/co-mof;

(2)使cd/co-mof与硫化剂混合,进行硫化反应后得到z型异质结光催化剂。

进一步,所述水热反应温度为120~140℃,优选130℃。

进一步,所述有机配体选自5-(5-羧基-3-吡啶基)-1,3-苯二甲酸。

进一步,所述cd2+、co2+和有机配体的摩尔比为2:4:(1~2),优选2:4:1,经过实验发现,只有在2:4:1比例下或接近2:4:1比例下才能够形成mof,否则将无法形成产物。

进一步,所述硫化剂选自硫代乙酰胺、硫脲中的任意一种。

进一步,所述硫化反应温度为160~180℃,优选160℃。

进一步,所述cd/co-mof与硫化剂的质量比为1:(20~30),优选1:22。

本发明还提供上述z型异质结光催化剂的应用,即,将该z型异质结光催化剂用于催化分解水产生h2,同时催化苯甲醛氧化生成苯甲醛,具体通过如下技术方案实现:

一种同时光催化产氢和苯甲醛的方法,包括如下步骤:将h2o与苯甲醇混合,加入上述z型异质结光催化剂,在惰性气氛和光照下进行催化反应,生成h2和苯甲醛。

进一步,所述h2o、苯甲醇和z型异质结光催化剂的用量比为(1~10)ml:(10~20)μl:1mg,优选5ml:18μl:1mg。

进一步,所述催化反应温度为20~25℃,优选25℃。

进一步,所述惰性气氛选自氩气气氛或氮气气氛。

进一步,所述光照条件可为波长为400~780nm的可见光,例如选用光强为100mw/cm2、光线波长为450nm的led灯或者波长大于400nm的xe灯进行光照。

相对于现有技术,本发明将金属中心为cd2+和co2+的多金属mof进行硫化,使cd2+和co2+分别形成co9s8和cds,co9s8和cds在mof内部形成z型异质结。本发明人通过taucplot法确定co9s8和cds的带隙分别为0.93ev和2.46ev,然后通过莫特-肖特基测试得到co9s8和cds的导带分别为-0.74v和-0.37v(vs.rhe)。co9s8的导带电势足够负,足以驱动可见光驱动的产氢反应。在可见光照射下,cds的导带中的电子优先转移到co9s8的价带,在cds价带上留下空穴,co9s8价带上的光生电子,将水还原为h2。同时,cds价带上的光生空穴可以将苯甲醇氧化成苯甲醛。此外,cds导带中存在的电子与co9s8的vb中的光生空穴结合,表明co9s8/cds异质结中的电荷转移行为为z型。

因此,本发明具有如下有益效果:

(1)能够同时催化水还原为h2,将苯甲醇催化氧化成苯甲醛;

(2)催化过程中不需使用牺牲剂,能对光能进行充分有效的利用。

附图说明

图1为co9s8/cdsz型异质结光催化剂的高分辨透射电镜图;

图2为co9s8/cdsz型异质结光催化剂的粉末x-射线衍射图;

图3为co9s8/cdsz型异质结光催化剂的不同光照条件下的h2产率。

具体实施方式

以下结合具体实施例和附图进一步说明本发明的技术方案。

实施例1

本实施例提供一种z型异质结光催化剂,该z型异质结光催化剂由包括如下步骤的方法制备得到:

(1)将cd2+、co2+和有机配体混合后,进行水热反应,得到cd/co-mof。

具体地,将119mg(0.39mmol)cd(no3)2·4h2o、220mg(0.76mmol)co(no3)2·6h2o和56mg(0.19mmol)5-(5-羧基-3-吡啶基)-1,3-苯二甲酸(h3l)溶解在dmf和水的混合溶剂中,再加入1.25ml冰乙酸。然后将混合物转移到带有聚四氟乙烯内衬的高压釜中,在130烘箱中加热72h进行水热反应。反应结束后,自然冷却至室温,通过离心收集获得的产物,并用蒸馏水和乙醇洗涤几次。最后将所得晶体在60℃干燥12h,得到co/cd-mof。

(2)使cd/co-mof与硫化剂混合,进行硫化反应后得到z型异质结光催化剂。

具体地,将9.7mgco/cd-mof添加至含有220mg硫代乙酰胺(taa)的5ml乙醇溶液中。搅拌2min混合均匀后,将混合物转移到15ml装有聚四氟乙烯内衬的高压釜中,并在160℃的烘箱中保持24h进行硫化反应。反应结束后,自然冷却至室温,将所得的沉淀物用乙醇洗涤3次,并在烘箱中60℃干燥,得到co9s8/cdsz型异质结光催化剂。

对co9s8/cdsz型异质结光催化剂进行结构表征,结果如下:

(1)形貌

co9s8/cdsz型异质结光催化剂的高分辨透射电镜图如图1所示,从图1可以看出,co9s8/cdsz-型异质结催化剂的粒径为10~20nm,0.316nm和0.286nm的晶格间距分别对应于cds的(101)晶面和co9s8的(222)晶面。很明显,cds和co9s8纳米颗粒彼此紧密连接,在固溶体中不同金属阳离子的迁移过程中形成紧密接触,这可以促进光催化反应过程中光生载流子的转移。

(2)粉末x-射线衍射

co9s8/cdsz型异质结光催化剂的粉末x-射线衍射图如图2所示,从图2可以看出,co9s8/cds的粉末x-射线衍射图谱显示了两组特征峰,可以分别归因于cds(jcpdscard41-1049)和co9s8(jcpdscard86-2273)。

实施例2

本实施例提供一种光催化产氢和苯甲醛的方法,将上述z型异质结光催化剂用于催化分解水产生h2,同时催化苯甲醛氧化生成苯甲醛,具体包括如下步骤:

将1mg的co9s8/cdsz型异质结光催化剂、5mlh2o和18μl苯甲醇添加到16ml石英瓶中,其中苯甲醇浓度为32mm。密封后,将该混合物用氩气鼓泡20min,然后在450nmled灯(100mw/cm2,25℃)或300wxe灯(λ≥400nm)下照射,进行催化反应,反应时间为6h。

反应过程中,使用气相色谱仪(gc-2014)对释放出的h2进行定量测量,同时使用高效液相色谱(lc-2030)和核磁共振波谱仪(avanceiiihd400mhz)对光催化过程中产生的苯甲醛定量测量。

图3为不同可见光驱动下h2产率从图3可以看出,无光照时不生成h2;相同的苯甲醇浓度(32mm下),在xe灯(λ≥400nm)照射下,h2产率从led灯照射下的25900μmol·g-1增加到41200μmol·g-1,表明光吸收在h2中起重要作用。

当将苯甲醇浓度从32mm提高至160mm时,在6h内h2产率可达61924μmol·g-1

反应6h后,结束反应,将co9s8/cdsz型异质结光催化剂从反应混合物中分离,洗涤干燥后进行下一轮相同的催化反应,如此循环多次,每次反应时间为6h,经四次循环后co9s8/cdsz型异质结光催化剂的催化活性基本保持不变,表明co9s8/cdsz型异质结光催化剂具有较好的稳定性。

另外,为了确认光生空穴的作用,通过高效液相色谱和核磁共振光谱进一步分析了光催化的液体产物。检测到产物苯甲醛具有很高的选择性(>99.9%),并且在20h内转化率可以达到72%

对比例1

将1mg的co9s8/cdsz型异质结光催化剂和5mlh2o和添加到16ml石英瓶中。密封后,将该混合物用氩气鼓泡20min,然后在450nmled灯(100mw/cm2,25℃)或300wxe灯(λ≥400nm)下照射,进行催化反应,反应时间为6h。通过气相检测气体产物,未检测到h2的产生。

上述实施例为本发明较佳的实施方式,但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制,其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化,均应为等效的置换方式,都包含在本发明的保护范围之内。

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