悬置式感应装置及其制作方法

专利名称：悬置式感应装置及其制作方法
技术领域：
本发明有关于一种悬置式感应装置及其制作方法，尤指一种通过一欲牺牲 材料以将一第二电极悬浮地交错设置于多个第一电极上方，使得第二电极与第 一电极保持一垂直面上的间距，以感知速度的变化以及变化的方向。
背景技术：
随着科技不断进步，各种电子产品的尺寸亦日益微小化，故，如何在微小 尺寸内制作感应器(例如加速度传感器)，使得电子产品可感知外界环境的改 变，而产生各种控制功能，提高电子产品的价值，实为业界潜心研究的目标。
例如现有的加速度传感器藉由精细且复杂的蚀刻工艺后，于晶圆上形成 一固定电极梳状体及一连接有弹性体的活动电极梳状体，固定电极梳状体与活 动电极梳状体互不相连且交错设置，使固定电极梳状体与活动电极梳状体于相 同水平面高度分别形成电容的两个平行板。当速度改变时，固定电极梳状体与 活动电极梳状体间的电容值将产生变化，并藉由变化的电容值以产生各种控制 功能。

发明内容
本发明的主要目的，在于提供一种悬置式感应装置，其第二电极通过多个 支柱以悬浮设置于基底的垂直延伸位置处，使得第二电极与设置于基底上的第 一电极在垂直面上保持有一间距，第一电极与第二电极交错设置，并在第二电 极将产生位移时，使第二电极会与第一电极产生面积重叠而形成电容的两个平 行板，于是产生有可量测的电容值变化，以利用电容值变化感知速度的变化以 及变化的方向。
本发明的次要目的，在于提供一种悬置式感应装置，其第一电极设有多个 第一电极凸出部，而第二电极则相对设有多个第二电极凸出部，藉由调整第一 电极凸出部与第二电极凸出部的数量，而可决定悬置式感应装置的灵敏度。本发明的又一目的，在于提供一种悬置式感应装置，于第二电极的上表面 可设有一配重体，以调整第二电极的重量，藉以控制第二电极在速度改变时的 感测灵敏度。
本发明的又一目的，在于提供一种悬置式感应装置的制作方法，藉由区分 多种蚀刻材质，并通过对应不同蚀刻材质所进行的多次蚀刻程序，以及回填程 序，以形成悬置式感应装置，因此可使结构微小化。
本发明的又一目的，在于提供一种悬置式感应装置的制作方法，其悬置式
感应装置是通过CMOS工艺形成，各个结构使用分层沉积、图案化及/或蚀刻 而形成，使得悬置式感应装置的工艺较为容易及便利。
为此，为达成上述目的，本发明提供一种悬置式感应装置，主要包括有 一基底；多个第一电极，离散设置于基底的上表面；多个基座，离散设置于基 底的上表面，且不与第一电极连接；多个支柱，每一支柱的一端连设于基座的 上表面；及一第二电极，连接各支柱的另一端，致使第二电极悬浮于基底的垂 直延伸位置处，以相对第一电极交错设置，并与第一电极保持一垂直面上的间 距。
又，为达上述目的，本发明提供一种悬置式感应装置的制作方法，其步骤 包括有形成一具有一第一物质结构及一基底彼此叠设的复合基板，并对第一 物质结构进行一第一图案化程序；移除部分第一物质结构，以形成多个第 -电 极及多个基座，各第一电极及各基座皆离散设置；形成一第二物质结构以覆盖 第一电极及基座，并对第二物质结构进行一第二图案化程序；移除部分第二物 质结构，以形成多个槽孔，并使基座显露于槽孔底部；形成一第三物质结构以 覆盖第二物质结构，致使第三物质结构填满槽孔及第二物质结构的上表面，并 对第三物质结构进行一第三图案化程序；移除部分第三物质结构，以使第二物 质结构显露，且被保留之第三物质结构将形成一第二电极，并相对第一电极交 错设置；及移除第二物质结构，第二电极将设置于多个支柱上，且第一电极与 第二电极保持一垂直面上的间距，以形成一悬置式感应装置。


图l:为本发明悬置式感应装置一实施例的剖视图； 图2:为本发明悬置式感应装置一实施例的俯视5图3:为本发明悬置式感应装置的作动示意图4A至图4B :为本发明悬置式感应装置一实施例的制作流程图； 图5A至图5K:为本发明悬置式感应装置一实施例的制作过程示意图； 为配重体一实施例的制作过程示意为配重体又一实施例的制作过程示意为本发明悬置式感应装置又一实施例的部分制作过程示
图6A至图6E 图7A至图7C 图8A至图8C
第一电极 第二电极 第一旁侧
图9:为本发明悬置式感应装置又一实施例的剖视图。主要组件符号说明
20
22
23 232 234
24 26 29 401 403 405 術 409 412 414 416 418 502 511
配重体
重叠面积
第一物质结构
第三物质结构
第一保护层
第三保护层
第四保护层
第一移除区域
第二移除区域
第三移除区域
第四移除区域
第二导体层
第一导体层遮盖区域
间距
21基底
221第一电极凸出部231第二电极凸出部
233第二旁侧
235第四旁侧
25支柱
28第一方向
400复合基板
402第二物质结构
404槽孔
406第二保护层
408第四物质结构
411第一遮盖区域
413第二遮盖区域
415第三遮盖区域
417第四遮盖区域
501第一导体层
503第一导体层保护层
512第一导体层移除区域首先，请参阅图1至图2，如图所示，本发明的悬置式感应装置20主要 结构包括有一基底21、多个第一电极22、多个基座24、多个支柱25及一第 二电极23。第一电极22及基座24皆离散设置于基底21的上表面，且第一电 极22与基座24互不连接。每一支柱25的一端连设于基座24的上表面，而第 二电极23则连设于各支柱25的另一端，致使第二电极23悬浮于塞底21的垂 直延伸位置处。第二电极23与各第一电极22交错设置，且两者于垂直面上保 持有一间距L(如图1所示)。
悬置式感应装置20是通过CMOS工艺形成，其各个结构是通过分层沉积、 图案化及/或蚀刻而形成，与现有的感应装置相比，本发明的悬置式感应装置 20的工艺较为容易及便利，悬置式感应装置20的制作方法容后详述之。
由于悬置式感应装置20为一弹性结构体，且第二电极23仅依靠支柱25 悬浮于基底21的垂直延伸位置处，故，第一电极22与第二电极23虽交错设 置，实质上却彼此并未碰触。同时，第一电极22与第二电极23皆由一导电材 质制成。故，当悬置式感应装置20产生速度变化时，第二电极23将产生位移， 使第二电极23与第一电极22产生面积重叠。此时，第一电极22与第二电极 23便形成电容的两个平行板，于是产生有可量测的电容值变化，致使悬置式 感应装置20感知速度的变化以及变化的方向。
例如如图2及图3所示，第一电极22包括有多个第一电极凸出部221， 而第二电极23则包括有多个第二电极凸出部231，第一电极凸出部221与第 二电极凸出部231相对交错设置，并保持有一垂直面上的间距(L，如图1所示)， 而支柱25是相对设置于第二电极23相对应的两侧。当悬置式感应装置20产 生速度变化时，第二电极23将于一第一方向28上产生位移。故，第二电极凸 出部231与第一电极凸出部221形成电容的两平行板，并产生一重叠面积29， 于是产生可量测的电容值变化，致使悬置式感应装置20得以感知速度的变化。 而当第二电极23在不同时间点沿第一方向28(如图3中之箭头所示)朝向不同 方向位移时，分置于第二电极23两侧的不同第一电极22(分设于第二电极23 左侧及右侧的第一电极22)将可分别量得有差异的两个电容值，根据电容值的 大小可判别速度变化的方向。
图3中所示的第一电极凸出部221及第二电极凸出部231的数量与形状仅
7为其中一种实施方式，并非用以局限悬置式感应装置20的结构。设置有越多
数量的第一电极凸出部221及第二电极凸出部231将可增加重叠面积29的区 域，于是可提高电容值，使得本发明的悬置式感应装置20有能力检测微小的 速度变化。
请再次参照图2，各第一电极22是分设于第二电极23的一第一旁侧232 及一第二旁侧233，且各第一电极22是用以同时感知速度的变化及速度变化 的方向。而于另一实施例中，在第二电极23位移径向的旁侧(在图2中，第二 电极23位移径向的旁侧是指一第三旁侧234及一第四旁侧235)可设置有多个 方向感知电极(未显示)，于是各第--电极22将可仅用以感知速度的变化，而 各方向感知电极(未显示)则用以感知速度变化的方向，而成为另一种实施例。
于本发明其中一实施例中，悬置式感应装置20可包括有一配重体26，配 重体26设置于第二电极23的上表面，以调整第二电极23的重量，藉以控制 第二电极23于速度改变时的感测灵敏度。
请同时参阅图4A至图4B，并一并配合图5A至图5K以辅助说明。为制 作本发明的悬置式感应装置20(如第5J图及第5K图所示)，其步骤包括有
步骤301:形成一具有一第一物质结构401及一基底21彼此叠设的复合 基板400，并对第一物质结构401进行一第一图案化程序，如图5A所示。其 中，第一物质结构401可通过各种方式形成于基底21的上表面，例如沉积 程序。其沉积程序可为化学气相沉积及/或物理气相沉积等程序，以于基底21 的上表面均匀形成第一物质结构401。又例如第一物质结构401可通过涂布 并固化的程序而于基底21的上表面均匀形成第一物质结构401，其固化的方 式可为光固化及/或热固化等各种可应用的方式。又例如本发明亦可通过对 基底21的上表面进行一氧化程序，以于基底21的上表面形成第一物质结构 401。而第一图案化程序则用以限制第一物质结构401欲移除的范围。
步骤303:移除部分第一物质结构(401，如图5A所示)，以形成多个第一 电极22及多个基座24，各第一电极22及各基座24皆离散设置，如图5B及 图5C所示。藉由第一图案化程序将可轻易定义出第一电极22的形状，例如 在各第一电极22定义出多个第一电极凸出部221，如图5C所示。
步骤305:形成一第二物质结构402以覆盖各第一电极22及各基座24， 并对第二物质结构402进行一第二图案化程序，如图5D所示。例如藉由一沉积程序以于各第一电极22及各基座24上沉积第二物质结构402。其沉积程 序可为化学气相沉积及/或物理气相沉积等程序。而裸露的基底21的上表面亦 同时沉积有第二物质结构402。又例如藉由涂布并固化的程序而将第二物质 结构402涂布于各第一电极22及各基座24的上表面及基底21的上表面，并 使用光固化及/或热固化等各种方式使第二物质结构402固化并附着。形成各 第一电极22及各基座24的第一物质结构(401，如图5A所示)与第二物质结构 402乃为两种不同物质，且于移除其中一种物质时，另外一种物质将不受影响 而被保留。例如第一物质结构(401，如图5A所示)可为一导电材质(例如 多晶硅)所制成，而相对于由多晶硅制成的第一物质结构(401，如图5A所示)， 第二物质结构402则可为一二氧化硅所制成。当然，第二物质结构402亦可由 其它种物质所制成，于此则不加赘述。第二图案化程序则用以限制第二物质结 构402欲移除的范围。
歩骤307:移除部分第二物质结构402(如图5E所示)，以形成多个槽孔 404，并使基座24显露于槽孔404底部，如图5E及图5F所示。
步骤309:形成一第三物质结构403以覆盖第二物质结构402，致使第三 物质结构403填满槽孔(404，如图5E所示)及第二物质结构402的上表面，并 对第三物质结构403进行一第三图案化程序，如图5G所示。例如藉由一沉 积程序以于槽孔404内及第二物质结构402的上表面沉积第三物质结构403。 其沉积程序可为化学气相沉积及/或物理气相沉积等程序。又例如藉由涂布 并固化的程序而将第三物质结构403涂布于第二物质结构402的上表面及槽孔 (404，如图5E所示)内，并使用光固化及/或热固化等各种方式使第三物质结 构403固化并附着。而第三图案化程序则用以限制第三物质结构403欲移除的 范围。
于其中一实施例中，第一物质结构(401，如5A图所示)及第三物质结构 403为相同的物质，第二物质结构402则为另一种物质。当移除其中一种物质 时，另一种物质将不受影响而被保留。例如第一物质结构(401，如图5A所 示)及第三物质结构403可为一导电材质(例如多晶硅)所制成，而相对于由多 晶硅制成的第一物质结构(401，如图5A所示)及第三物质结构403，第二物质 结构402则可为一二氧化硅所制成。当然，第二物质结构402亦可由其它种物 质所制成，于此则不加赘述。同时，因第一物质结构(401，如图5A所示)及第
9三物质结构403为相同的物质，故于槽孔(404，如图5E所示)内第一物质结构 (401，如图5A所示)及第三物质结构403的接面处将可轻易并稳固接合，而无 需考虑异质性的问题。
而于另一实施例中，第一物质结构(401，如图5A所示)与第三物质结构 403亦可分别由两种不同导电材质所制成，而第二物质结构402则由异于第一 物质结构(401，如图5A所示)及第三物质结构403的另外-一种物质所制成。在 移除三者其中一种物质时，另外两种物质将可不受影响而被保留。
步骤312:移除部分第三物质结构(403，如图5G所示)，以使第二物质结 构402显露，且被保留的第三物质结构(403，如图5G所示)将形成一第二电极 23，第二电极23可相对第一电极22交错设置，如图5H及图5I所示。亦艮P， 从图5 I的俯视角度观察，可见到第二电极23将与埋设在第二物质结构402 内的各第一电极22呈比邻的状态。然而，从图5H的剖视角度观察，可知第 二电极23与各第一电极22则因为第二物质结构402的存在，而在垂直面上保 持有一间距L(如图5H所示)，也由于第二物质结构402存在的因素，第二电 极23与各第一电极22将分处于不同的水平面上。
藉由第三图案化程序将可轻易定义出第二电极23的形状，例如在各第 二电极23定义出多个第二电极凸出部231，第二电极凸出部231相对第一电 极凸出部221呈交错设置，并保持有一垂直面上的间距(L，如图5H所示)，如 图5I所示。即如前所述，各第二电极凸出部231与各第一电极凸出部221呈 比邻的状态，且各第二电极凸出部231与各第一电极凸出部221分处于不同的 水平面上。
步骤315:移除第二物质结构(402，如图5H所示)，第二电极23将设置 于多个支柱25上，且第一电极22与第二电极23保持一垂直面上的间距L， 以形成一悬置式感应装置20，并结束流程，如图5J及图5K所示。通过不同 物质在移除时互不影响的特性，从外露的第二物质结构(402，如图5H所示) 处连带将夹设于第二电极23及第一电极22内之第二物质结构(402，如第5H 图所示)完全移除，故形成悬置式感应装置20。
藉由将第一物质结构(401，如图5A所示)、第二物质结构(402，如图5H 所示)及第三物质结构(403，如图5G所示)区分为两种或三种不同物质，使得 移除其中一种物质时，其它物质将不受影响而被保留的特性，而形成悬置式感应装置20(如图5J及图5K所示)，如此工艺便可应用于制造微机电系统 (MEMS， Micro-Electro-Mechanical Systems)的感应装置，也因此而可将结构微 小化。如5J图及5K图所示，与先前曾述及的相同，悬置式感应装置20为一 弹性结构体，藉由设置于第二电极23相对应的两侧的支柱25提供第二电极 23固定点，且第二电极23仅依靠支柱25以悬浮于基底21的垂直延伸位置处， 故当悬置式感应装置20产生速度变化时，第二电极23将产生位移，使第二电 极23与第一电极22产生面积重叠，以形成可量测的电容值变化，致使悬置式 感应装置20得感知速度的变化以及变化的方向。
于本发明其中一实施例中，第一图案化程序包括有
步骤302:于第一物质结构401上的部分面积形成一第一保护层405(例如 屏蔽)，如图5A所示。由于第一物质结构401的移除方式可选择为一等向性蚀 刻或一非等向性蚀刻，故通过第一保护层405将第一物质结构401的上表面区 分成一第一遮盖区域411及一第一移除区域412，因此，于步骤303中，便可 通过控制蚀刻第一移除区域412的时间，以移除第一移除区域412内的第一物 质结构401，如图5B及图5C所示。
是以，本发明悬浮式微机电结构体20的制作方法，其步骤尚包括有
步骤304:移除第一保护层405。
于本发明其中一实施例中，第二图案化程序包括有
步骤306:于第二物质结构402上的部分面积形成一第二保护层406(例如 屏蔽)，如图5D所示。与前述相同，第二物质结构402的移除方式可选择为一 等向性蚀刻或一非等向性蚀刻。藉由第二保护层406将第二物质结构402的上 表面区分成一第二遮盖区域413及一第二移除区域414，同时控制蚀刻时间， 以移除第二移除区域414内的第二物质结构402，让基座24显露于槽孔(404， 如图5E及图5F所示)底部。
是以，本发明悬浮式微机电结构体20的制作方法，其步骤尚包括有
步骤308:移除第二保护层406。
于本发明其中一实施例中，第三图案化程序包括有
步骤311:于第三物质结构403上的部分面积形成一第三保护层407(例如 屏蔽)，如图5G所示。与前述相同，第三物质结构403的移除方式可选择为一 等向性蚀刻或一非等向性蚀刻。藉由第三保护层407将第三物质结构403的上
ii表面区分成一第三遮盖区域415及一第三移除区域416，同时控制蚀刻时间， 以移除第三移除区域416内的第三物质结构403，如图5H及图5 I所示。故 第二物质结构402的部分面积将曝露，以供后续进行第二物质结构402的移除 步骤。
是以，本发明悬浮式微机电结构体20的制作方法，其步骤尚包括有 步骤313:移除第三保护层407。
如图5J及图5K所示，悬置式感应装置20是通过CMOS工艺形成，其
各个结构是通过分层沉积、图案化及/或蚀刻而形成，与现有的感应装置相比， 本发明的悬置式感应装置20的工艺较为容易及便利。藉由使用第一保护层405 (如图5A所示)、第二保护层406 (如图5D所示)及第三保护层407 (如图5G所 示)，即可轻易对第一物质结构401 (如图5 A所示)、第二物质结构402 (如图5 D所示及第三物质结构403 (如图5G所示)定义出形状，达成图案化并进行蚀 刻等程序。
请参照图6A至图6E，同时一并参照图4A及图4B，本发明的悬置式感 应装置20(如图6 D及图6 E所示)可于第二电极23的上表面设有一配重体26。 为了于第二电极23的上表面制作配重体26，前述的制作流程尚可包括有
步骤314:于第三物质结构403(亦即第二电极23)上的部分面积形成一配 重体26，如图6B所示。配重体26可通过黏合的方式以固定于第二电极23 的上表面，随后便接续步骤315的工艺，以将第二物质结构402完全去除，以 形成悬置式感应装置20(如图6D及图6E所示)。
当然，配重体26亦可通过CMOS工艺产生，例如请参照图6A，此图 为接续于步骤312(或步骤313)的后续流程。此时，第二电极23乃因对第三物 质结构403进行有第三图案化程序而形成，同时第二物质结构402尚未被移除。 故，可形成一第四物质结构408以覆盖第三物质结构403，并对第四物质结构 408进行一第四图案化程序。第四物质结构408可藉由一沉积程序或涂布并固 化的程序以形成于第三物质结构403的上表面，其实施方式与前述各层物质结 构(401、 402、 403)相同，故于此则不加赘述。接续，如图6B及图6C所示， 经过第四图案化程序后便可将部分第四物质结构408移除，而被保溜于第二电 极23的上表面的部分第四物质结构408则形成配重体26。随后，接续于步骤 315的后续流程，将第二物质结构402 (如6B图所示)完全去除后，便可形成悬置式感应装置20，如图6D及图6E所示。
请再次参阅图6A，于本发明其中一实施例中，第四图案化程序可藉由一 第四保护层409将第四物质结构408区分成一第四遮盖区域417及一第四移除 区域418，以利进行一等向性蚀刻或一非等向性蚀刻，使得第三物质结构403(亦 即第二电极23)的上表面形成有配重体26。于配重体26形成后，即可将第四 保护层409予以移除，以便让第二物质结构402显露供移除。
请参照图6D至图7C，同时一并参照图4A及图4B，相较于前述的配重 体26的制作过程，本实施例主要是将配重体26形成的步骤移至步骤309之后， 其形成过程可详述如下，在步骤309时，第三物质结构403己覆盖于第二物质 结构402的上表面，且第三物质结构403尚未进行第三图案化程序。此时，便 可于第三物质结构403的上表面制作配重体26，其步骤包括有
步骤310:于第三物质结构403(如图7B所示)上的部分面积形成一配重体 26，如图7B及图7C所示。配重体26可通过黏合的方式固定于第三物质结构 403(如图7B所示)的上表面，随后便可接续步骤311(或步骤312)至步骤315 的工艺，以形成悬置式感应装置20，如图6D及图6E所示。
当然，配重体26亦可通过CMOS工艺产生，例如如图7A所示，此图 为接续于步骤309之后续流程，此时，第三物质结构403己覆盖于第二物质结 构402的上表面，且第三物质结构403尚未进行第三图案化程序。故，可形成 一第四物质结构408以覆盖第三物质结构403，并对第四物质结构408进行一 第四图案化程序。第四物质结构408的形成及实施方式即如前所述，故于此则 不加赘述。接续，如图7B及图7C所示，经过第四图案化程序后便可将部分 第四物质结构408 (如图7A所示)移除，而被保留于第三物质结构403的上 表面的部分第四物质结构408 (如图7A所示)则形成配重体26。此时便可接 续步骤311(或步骤312)至步骤315的工艺，以形成悬置式感应装置20(如图6 D及图6E所示)。
第四图案化程序同样可藉由一第四保护层409来进行部分蚀刻，使得第三 物质结构403的上表面形成有配重体26。形成及实施方式即如前所述，故于 此则不加赘述。
最后，请同时参照图8A至图9，并一并参照图4A至图4B，如图所示， 第一物质结构401及第三物质结构403(如图8C及图9所示)亦可由绝缘材质
13所制成，同时，于第一物质结构401及第三物质结构403表面分别形成有一第
一导体层501(例如多晶硅)及一第二导体层502(例如多晶硅)，以使第一物
质结构401及第一导体层501组成各第一电极22，而第三物质结构403及第 二导体层502则组成第二电极23，而达成相同目的。
本实施例大体上的工艺与图4A至图5K中所述相同，其主要差异在于 于步骤303中，移除部分第一物质结构401后，在第一物质结构401上形成有 一第一导体层501，第一导体层501的形成方式可为一沉积程序或一涂布并固 化的程序。在第一导体层501形成后，便对第一导体层501进行一第一导体层 图案化程序，例如使用一第一导体层保护层503(例如 一屏蔽)以将第一导 体层501区分为一第一导体层遮盖区域511及一第一导体层移除区域512，如 图8A所示。
随后，移除第一导体层移除区域512内的第一导体层501 (如图8 A所示)， 致使第一物质结构401及第一导体层501彼此叠设以组成各第一电极22，而 第一导体层移除区域512 (如图8A所示)内被保留的第一物质结构401 (如图8 A所示)则形成基座24，如图8B所示。
此时便可接续步骤305(或步骤304)至步骤315的工艺，以形成悬置式感 应装置20，如图8C所示。目前为止，因第二电极23尚仅由第三物质结构403 制成，故第二电极23仍旧无法导电。因此，为使第二电极23具有导电性，将 需于第三物质结构403的部分上表面或是第三物质结构403的全部上表面形成 有一第二导体层502。于是，第三物质结构403及第二导体层502彼此叠设以 组成第二电极23，而形成悬置式感应装置20。
而在不同的实施例中，第二导体层502亦可通过其它工艺以形成于第三物 质结构403的下表面，使得第三物质结构403及第二导体层502彼此叠设以组 成第二电极23，如图9所示。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，在不 背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作 出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权 利要求的保护范围。
权利要求
1.一种悬置式感应装置，其特征在于，主要包括有一基底；多个第一电极，离散设置于该基底的上表面；多个基座，离散设置于该基底的上表面，且不与该第一电极连接；多个支柱，每一支柱的一端连设于该基座的上表面；及一第二电极，连接各支柱的另一端，致使第二电极悬浮于该基底的垂直延伸位置处，以相对该第一电极交错设置，并与第一电极保持一垂直面上的间距。
2. 如权利要求1所述的悬置式感应装置，其特征在于，该悬置式感应装 置为一弹性结构体，且该支柱相对设置于该第二电极相对应的两侧。
3. 如权利要求1所述的悬置式感应装置，其特征在于，包括有一配重体 以设置于该第二电极的上表面。
4. 如权利要求1所述的悬置式感应装置，其特征在于，该第一电极包括 有多个第一电极凸出部，而该第二电极包括有多个第二电极凸出部，第一电极 凸出部与第二电极凸出部相对交错设置，并保持有一垂直面上的间距。
5. —种悬置式感应装置的制作方法，其特征在于，步骤包括有 形成一具有一第一物质结构及一基底彼此叠设的复合基板，并对第一物质结构进行一第 一 图案化程序；移除部分第一物质结构，以形成多个第一电极及多个基座，各第一电极及 各基座皆离散设置；形成一第二物质结构以覆盖该第一电极及该基座，并对第二物质结构进行 一第二图案化程序；移除部分第二物质结构，以形成多个槽孔，并使该基座显露于槽孔底部；形成一第三物质结构以覆盖该第二物质结构，致使第三物质结构填满该槽 孔及第二物质结构的上表面，并对第三物质结构进行一第三图案化程序；移除部分该第三物质结构，以使该第二物质结构显露，且被保留的第三物 质结构将形成一第二电极，并相对该第一电极交错设置；及 、移除该第二物质结构，该第二电极将设置于多个支柱上，且该第一电极与 第二电极保持一垂直面上的间距，以形成一悬置式感应装置。
6. 如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，该第一图案化程序包括有于该第一物质结构上的部分面积形成一第一保护层；及移除该第一保护层，在该第一物质结构受图案化程序完毕后将第一保护层 移除。
7. 如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，该第二图案化程序包括有于该第二物质结构上的部分面积形成一第二保护层；及移除该第二保护层，在该第二物质结构受图案化程序完毕后将第二保护层 移除。
8. 如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，该第三图案化程序包括有于该第三物质结构上的部分面积形成一第三保护层；及 移除该第三保护层，在该第三物质结构受图案化程序完毕后将第三保护层 移除。
9. 如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，步骤还包括有于该第三物质结构上的部分面积形成一配重体。
10. 如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，该第一电极包括有多个 第一电极凸出部，而该第二电极包括有多个第二电极凸出部，第一电极凸出部 与第二电极凸出部相对交错设置，并保持有一垂直面上的间距，且该第一物质 结构与该第三物质结构为相同物质。
全文摘要
本发明公开了一种悬置式感应装置及其制作方法，于一基底上形成离散设置的多个第一电极，并在第一电极上形成一欲牺牲材料，藉由欲牺牲材料提供形成多个支柱及一第二电极的支撑，并于支柱及第二电极形成后将欲牺牲材料蚀刻去除，使得第二电极与第一电极保持一垂直面上的间距，让第二电极相对于各第一电极悬浮地交错设置，当悬置的第二电极产生位移时，第二电极将与第一电极产生面积重叠，以形成可量测的电容值变化，致使悬置式感应装置感知速度的变化以及变化的方向。
文档编号B81B7/02GK101576570SQ20081009703
公开日2009年11月11日 申请日期2008年5月8日 优先权日2008年5月8日
发明者林昶伸, 梁伟成 申请人:芯巧科技股份有限公司;梁伟成