电子部件的制作方法

专利名称：电子部件的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种例如表面声波元件等的电子部件。
背景技术：
对半导体元件等的功能元件，以将半导体元件的有源面朝向基板侧的状态安装得到的电子部件，被使用在各种用途上。如上所述的电子部件中，使用功能元件本身来作为用于形成密封的空间的基板，通过将功能元件的有源面朝向基板侧配置，来在基板与功能元件之间所形成的密封空间内安置有源面。这里，在如上所述的电子部件中，为了确保电子部件的正常的动作，采取了用于维持密封空间内的环境的对策。例如，提出一种通过将功能元件与基板用树脂、焊锡粘合，来在内部的密封空间内密封有源面的方法(例如，参照专利文献1 4) O专利文献1 特开平11-87406号公报专利文献2 特开平11-97584号公报专利文献3 特开2000-77458号公报专利文献4 特开2003-92382号公报但是，上述以往的电子部件中，还希望使密封空间的气密性提高。

发明内容
本发明借鉴上述以往的问题，以提供使密封空间的气密性提高的电子部件作为目的。本发明为了解决上述课题采用了以下的结构。即本发明涉及的电子部件，在第1 及第2基板之间形成由密封构件包围的密封空间，在该密封空间内配置有功能元件的至少一部分，其特征在于，上述密封构件，具有在上述第1基板上形成的具有弹性的芯部；和， 在该芯部的表面设置的金属膜，该金属膜与上述第2基板相接合。在该发明中，因为芯部进行弹性变形，因此即使在第2基板的表面中的与密封构件的接触区域形成有凹凸形状、或者在第2基板上发生翘曲，金属膜与第2基板间也以充分的接合面积而良好地接合。因此，密封构件下的密封空间能得到充分的气密性。即，在第1 及第2基板粘合时，在将密封构件对第2基板挤压时，芯部与金属膜一同模仿第2基板的表面形状进行弹性变形。为此，第2基板与金属膜之间的接触面积增大。因此，金属膜与第2 基板，以充分的强度相接合。另外，因为芯部发生弹性变形，即使第1及第2基板之间有热膨胀系数差，也能保持金属膜与第2基板之间的接合状态。而且，即使在例如热循环试验时等中，第1及第2基板间发生了剥离力的情况，因为芯部进行弹性变形，密封构件也能追随第1及第2基板的变形。因此，能良好地维持密封空间的气密性。另外，本发明的电子部件优选，在上述第2基板中与上述密封构件的接触区域中， 形成有与上述金属膜金属接合的接合用金属膜。
在本发明中，通过金属膜与接合用金属膜进行金属接合，第1及第2基板以形成密封空间的状态被粘合在一起。另外，本发明的电子部件优选，上述金属膜与上述接合用金属膜，被常温接合。在本发明中，通过将金属膜与接合用金属膜常温接合，能抑制在第1及第2基板分别、或者功能元件中发生热膨胀。因此，能提高密封空间的气密信赖性。另外，通过进行常温接合，能防止对功能元件施加热损害。另外，本发明的电子部件中，上述密封构件，可被热压接在上述第2基板上。在本发明中，通过将金属膜对第2基板热压接，来相互进行接合。另外，本发明的电子部件优选，具备保持上述金属膜与上述第2基板的接合状态的保持构件。在本发明中，通过保持构件保持金属膜与第2基板之间的接合状态，能更加提高密封空间的气密可靠性。另外，本发明的电子部件中优选，上述保持构件，包围上述密封构件的外围。 在本发明中，能更加可靠地保持金属膜与第2基板之间的接合状态。另外，密封构件中密封空间侧的侧面不易被污染，能抑制功能元件的特性变化。另外，本发明的电子部件中，上述功能元件，可在由于应力或者热导致其特性变化的同时，被载置在上述第1及第2基板的任何一方的上面。在本发明中，能将由于外部应力、热应力而产生的功能元件的特性变化，抑制为最小限度。也就是说，即使对电子部件施加外部应力，或由于电子部件暴露在有温度变化的环境中，第1及第2基板各自的热膨胀系数差所引起的热应力施加给电子部件，通过芯部进行弹性变化，也能防止第1及第2基板的翘曲和变形。因此，能抑制由于外部应力、热应力而产生的功能元件的特性变化。另外，本发明的电子部件中，上述功能元件，可被直接形成在上述第1及第2基板的任何一方的上面。在本发明中，虽然功能元件容易直接受到来自第1及第2基板的一方的影响，但与上述同样，即使对电子部件施加外部应力、热应力，通过芯部进行弹性变化，也能防止第1 及第2基板的翘曲、变形。因此，能抑制由于外部应力、热应力而产生的功能元件的特性变化。另外，本发明的电子部件中，上述功能元件，可被接合载置在上述第1及第2基板的任何一方的上面。在本发明中，与上述同样，S卩使对电子部件施加外部应力、热应力，通过芯部进行弹性变化，第1及第2基板的一方上接合的功能元件也不易经接合部分发生变化。因此，能抑制由于外部应力、热应力而产生的功能元件的特性变化。


图1是表示第1实施方式中的电子部件的概要截面图。图2是图1的放大图。图3是表示半导体基板的斜视图。图4是图2的部分放大图。
图5是表示密封构件的放大截面图。图6是表示密封构件与密封基板间的接合工序的说明图。图7是表示具备电子部件的便携电话机的斜视图。图8是表示可应用本发明的密封构件的其它构造的截面图。图9同上，是表示可应用本发明的的密封构件的其它的构造的截面图。图10是表示第2实施方式中的电子部件的截面图。图11是图10的部分放大图。图12是表示第3实施方式中的电子部件的截面图。图13是表示晶体振荡器的斜视图。图14是表示其它的晶体振荡器的斜视图。图15是表示第4实施方式中的电子部件的斜视图。图中1、120、130、160-电子部件，2-半导体基板(第1基板)，3_密封基板(第2 基板)，4-SAW元件(功能元件)，5、110、115_密封构件，31-接合用金属膜，51-树脂芯(芯部)，52、111、116-金属膜，121-粘结层(保持构件)，131、140-晶体振荡器(功能元件)。
具体实施例方式(第1实施方式)以下，根据

本发明中的电子部件的第1实施方式。另外，在以下的说明使用的各附图中，为了能识别各构件的尺寸，适当变更了比例尺。这里，图1是表示电子部件的概要截面图，图2是图1的放大图，图3是表示半导体基板的斜视图，图5是表示密封构件的放大截面图，图6是表示密封构件与密封基板间的接合工序的说明图。(电子部件)本发明中的电子部件1，如图1所示，是由SAW (Surface Acoustic Wave:以下称为 SAW元件)元件和半导体元件形成的SAW振荡器，在电路基板P上通过凸起B安装。而且， 电子部件1，如图2所示，具备半导体基板(第1基板)2、密封基板(第2基板)3、表面声波元件(功能元件)4、和密封构件5。半导体基板2。例如用硅基板所形成。另外，在半导体基板2的一面2A上，形成有 SAff元件4。然后，在半导体基板2的另一面2B上，形成有集成电路(省略图示)、基底层 (lower layer) 11、电极12、第1绝缘膜13、多个第1布线14、第2绝缘膜15、多个第2布线 16和凸起B。集成电路，为包含例如晶体管、存储器元件等的其它的电子元件的结构。基底层11，由例如作为Si (硅)的氧化膜的SiO2 (二氧化硅)等的绝缘材料形成， 将半导体基板2的另一面2B覆盖住。电极12，由例如Ti (钛)、TiN(氮化钛)、A1 (铝)、Cu (铜)等的导电材料形成，在基底层11的下面形成。而且，电极12适当连接着上述的集成电路。第1绝缘膜13，由例如聚酰亚胺树脂、硅变性聚酰亚胺树脂、环氧树脂、硅变性环氧树脂、丙烯树脂、酚醛树脂、苯并环丁烯(BCB)、聚对苯撑苯并双噁唑(PBO)等的绝缘材料形成，在基底层11的下面中的电极12的非形成区域上形成。多个第1布线14，分别叠层包含例如Cu、Cr (铬)、Ti、Ni (镍)、TiW(钛/钨)、Au (金)、Ag(银)、Al、NiV(镍/钒)、W、TiN, Pb (铅)之中的至少1个或其中的至少2个材料而形成。而且，多个第1布线14分别在第1绝缘膜13的下面形成，一部分与电极12 相连接。第2绝缘膜15，由例如与第1绝缘膜13同样的绝缘材料或Si02、SiN(氮化硅)等的绝缘材料形成，将第1绝缘膜13和多个第1布线14的一部分覆盖住。而且，第1布线14 中没有被第2绝缘膜15覆盖的区域，构成了提岸(land)部17。第2布线16，在第2绝缘膜15的下面形成，与提岸部17相连接。凸起B，由例如无铅焊锡、金等的导电材料形成，与第2布线16相连接。而且，凸起 B，作为电子部件1的端子电极发挥功能，与在电路基板P上形成的布线图案相连接。另外，在半导体基板2上，如图2及图3所示，形成有将半导体基板2贯通的一对贯通孔21。而且，在贯通孔21中填充有贯通电极22。另外，在半导体基板2中的贯通孔21 的内周面上，设置有第3绝缘膜23，贯通电极22与半导体基板2之间被电绝缘。一对的贯通电极22的一方，如图3所示，一端与SAW元件4的后述的叉指电极42 相连接，并且，另一端通过电极12与集成电路相连接。另外，另一方的贯通电极22中，一端与SAW元件4的后述的叉指电极43相连接，并且，另一端通过电极12与集成电路相连接。 因此，SAW元件4与集成电路导通。第3绝缘膜23，如图2所示，为了防止由于电流泄漏的发生、或氧及水分等对半导体基板2的侵蚀等而设置。这里，第3绝缘膜23，能使用使用PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor D印osition)形成的四乙基原硅酸盐 CTetra Ethyl Ortho Silicate Si (OC2H5)4 以下，称为TE0S)，即使用PE-TEOS及臭氧CVD形成的TEOS,即使用O3-TEOS或 CVD形成的Si02。另外，第3绝缘膜23分别具有绝缘性即可，也可以是树脂材料等其它的绝缘材料。另外，在图2中，为了容易进行图示，省略了在第1绝缘膜13上所设置的第3绝缘膜23的图示。密封基板3，由例如玻璃基板形成，在半导体基板2的一面2A中的外面侧中与半导体基板2隔出间隔而配置。另外，在朝向密封基板3的半导体基板2的一面3A中平面看去与密封构件5重叠的区域上，如图2及图4所示，形成有接合用金属膜31。接合用金属膜31，例如由Au等的金属材料膜形成。而且，接合用金属膜31中，在平面看去与密封构件5的形成区域相重叠的区域中，形成为矩形的框形状。而且，密封基板3，通过密封构件5与半导体基板2粘合在一起，与半导体基板2之间形成由密封构件5所围成的密封空间32。在密封空间32内，密封了 SAW元件4。另外， 密封空间32内，为了抑制SAW元件4的表面氧化、水分子的结合，优选用干燥气体或者氮气来置换，或形成由低于密封空间32外的压力而获得的置换密封或者真空密封。SAff元件4，如图2及图3所示，在半导体基板2的一面2A上形成，具备在半导体基板2的一面2A上所形成的压电体薄膜41、和在该压电体薄膜41上所形成的一对叉指电极 42、43。压电体薄膜41，由例如SiO (氧化锌)、A1N(氮化铝),LiNbO3 (铌酸锂)^LiTaO3 (钽酸锂)、KNbO3 (铌酸钾)等的压电材料形成。叉指电极42、43，分别由例如Al等的导电材料形成。而且，叉指电极42、43，分别与贯通电极22各自的一端相导通。
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另外，SAff元件4，被由Si02、Si3N4 (氮化硅)、TiN等所形成的保护膜(省略图示)
所覆盖。密封构件5，如图2至图5所示，在半导体基板2的一面2A上形成，以将密封空间 32围着的方式，平面看去形成为矩形的框形状。另外，密封构件5，具备用具有弹性的树脂材料所形成的树脂芯(芯部)51、和在树脂芯51的表面上所形成的金属膜52。树脂芯51，由聚酰亚胺树脂、丙烯树脂、酚醛树脂、硅树脂、硅变性聚酰亚胺树脂、 环氧树脂、等的感光性绝缘树脂或热硬化性绝缘树脂形成。另外，树脂芯51，如图3及图5所示，在使密封构件5与半导体基板2接合前，形成为近似半柱面状。这里，所谓半柱面状，是与密封基板3的一面3A接触的内面(底面)为平面，并且为非接触面的外面侧成为弯曲面的柱状形状。具体来说，所谓近似半柱面状，例如有横截面为近似半圆状、近似半椭圆状、近似梯形状等。而且，树脂芯51，如图2及图4所示，通过以半导体基板2与密封基板3相对接近的方式而被挤压，以其顶端形状模仿接合用金属膜31的表面形状的方式而弹性变形。
基于此，即使半导体基板2、密封基板3弯曲或膨胀，树脂芯51也能追随其变化，保持良好的密封状态。另外，即使在密封处稍微有一些垃圾、损伤，也同样能保持良好的密封状态。再有，半导体基板2、密封基板3是不同种类的材料、热膨胀系数不同时，在密封物的温度环境变化时，也因树脂芯51的弹性变形而带来的追随从而密封部不易发生热应力， 在密封空间内不易受到热应力。另外，在对电子部件1 (SAW振荡器)全体施加来自外部的应力的情况下，通过由树脂芯的弹性变形而带来的追随，在密封空间内不易传递应力。因此，在密封空间内即使存在对热、应力敏感的器件，也不易受到这些干扰的影响，能形成稳定的电子部件(SAW振荡器)O树脂芯51，通过光刻法技术或蚀刻法技术形成。另外，关于树脂芯51的材质(硬度)和形状，根据接合用金属膜31的形状等来适当选择、设计。金属膜52，如图3到图5所示，覆盖了树脂芯51的表面。另外，金属膜52，由例如 Au、TiW、Cu、Cr (铬)、Ni、Ti、W、NiV、Al、Pd (钯)、无铅焊锡等的金属或合金形成，可以是它们的单层结构，也可以是将多种叠层得到。而且，金属膜52，通过树脂芯31的弹性变形模仿变形为接合用金属膜31的表面形状，与接合用金属膜31金属接合。金属膜52，通过在例如溅射法等进行的成膜之后，进行图案形成来形成。另外，金属膜52，也可以是在通过由溅射法、无电解镀敷形成基底膜后，用电解镀敷叠层上层膜来形成。这里，金属膜52中，如后所示，因为树脂芯51模仿接合用金属膜31的形状进行弹性变形，因此特别优选用延展性好的Au来形成。另外，在金属膜52具有叠层结构的情况下，优选其最外层用稳定且表面凹凸的追随性好的Au来形成。另外，金属膜52与树脂芯51同样， 根据接合用金属膜31的形状等来适当选择、设计。如上所述，因为树脂芯51的最表层为用金属覆盖的结构，所以具有以往的树脂密封构造所得不到的高气密性。如上所述，本发明与以往的密封技术不同，不是基于金属等刚性高的材料的那种对各种应力的非吸收结构，也不是基于树脂的气密性性低的结构，是完全新的、具有两者的优良特性的密封构造。(电子部件的制造方法)
接着，参照图6的同时来说明关于电子部件1的制造方法。另外，在本发明中，因为在半导体基板2与密封基板3间的粘合工序中具有特征，因此仅关于该点进行说明。这里，图6是表示半导体基板与密封基板间的粘合工序的工序图。首先，在半导体基板2上以包围密封空间32的形成区域的方式形成树脂芯51，将树脂芯51用金属膜52覆盖。另一方面，在密封基板3的表面中以包围密封空间32的形成区域的方式形成接合用金属膜31。然后，对在半导体基板2所形成的金属膜52与在密封基板3所形成的接合用金属膜31各自的表面，通过例如用等离子体的照射除去杂质从而使其活性化。 接着，如图6所示，将在半导体基板2上所设置的密封构件5，对密封基板上所形成的接合用金属膜31解除、挤压。此时，因为树脂芯51发生弹性变形，金属膜52伴随着树脂芯51而模仿接合用金属膜31的表面形状。因此，金属膜52与接合用金属膜31间以充分的面积相接触。然后，金属膜52与接合用金属膜31，因为彼此的表面分别被活性化，所以表面的金属彼此相互扩散，进行金属接合。基于此，半导体基板2与密封基板3，如图4所示， 通过密封构件5以在内部密封SAW元件4的状态粘合。如上所述，将半导体基板2与密封基板3粘合。如此在本发明中，因为接合界面也形成金属接合下的密封结构，因此气密(gas barrier)性变得非常高。这里，若将粘合(接合)时的周围的空气设为氮气，则密封空间32内被以置换为氮气的状态保持，如果用其它的气体的环境气，能将密封空间内用所希望的气体进行置换。 另外，如果用真空环境气粘合的话，也能进行真空密封。如上所述，若在真空下的等离子体照射后，直接保持该真空，位置对准后进行密封的方式的话，因为粘合处的活性度为很高的状态，即使是低温也能进行稳定的金属扩散，因此能得到高的接合可靠性。其后，通过在半导体基板2的另一面2B上所形成的凸起B，将电子部件1与布线图案Pl相连接，以将电子部件1与电路基板P之间所形成的空隙密封的方式来涂树脂55。(电子机器)而且，上述电子部件1，用于例如图7所示的便携电话机100。在这里，图7是表示便携电话机的斜视图。该便携电话机100具备显示部101、多个操作按钮102、受话器103、话筒104及具有上述显示部101的机身部。如上所述，根据本实施方式中的电子部件1，通过树脂芯51进行弹性变形，金属膜 52与接合用金属膜31间以充分的接合面积能良好地金属接合。因此，由密封构件5得到的密封空间32具有充分的气密性。这里，因为金属膜52与接合用金属膜31被常温接合，因此能防止SAW元件4等的其它的元件的特性发生变化。另外，在本实施方式中，也可以是如图8所示的结构的密封构件110。如图8(a)所示，该密封构件110中，金属膜111覆盖了树脂芯51的顶部及密封空间32侧的内侧面。如果使用如此构成的密封构件110来粘合半导体基板2与密封基板3的话，如图8(b)所示， 在密封空间32的压力比密封空间32外的压力低的情况下，树脂芯51被向密封空间32拽入。这样，树脂芯51中，内侧面容易与接合用金属膜31相接触。因此，即使金属膜111没有覆盖树脂芯51的外侧面，也能充分确保金属膜111与接合用金属膜31之间的接合面积。
同样，本实施方式中，也可以是如图9所示的构成的密封构件115。这里，密封空间 32的压力，比密封空间32外的压力更高。如图9(a)所示，该密封构件115中，金属膜116 覆盖了树脂芯51的顶部及远离密封空间32 —侧的外侧面。如果使用如此构成的密封构件 115来粘合半导体基板2与密封基板3的话，如图9(b)所示，因为密封空间32的压力比密封空间32外的压力更高，因此树脂芯51就被向密封空间32外挤压。从而，树脂芯51中， 外侧面就容易与接合用金属膜31相接触。因此，即使金属膜116没有覆盖树脂芯51的内侧面，也能充分确保金属膜116与接合用金属膜31之间的接合面积。(第2实施方式)接着，根据

本发明中的电子部件的第2实施方式。这里，图10是表示电子部件的截面图，图11是图10的部分放大图。另外，在本实施方式中，因为与上述第1实施方式相比，半导体基板与密封基板间的粘合构造不同，所以将该点作为中心进行说明，并且对上述实施方式说明的构成要素附加相同的记号，并省略其说明。本实施方式中的电子部件120中，如图10所示，半导体基板2与密封基板3间通过密封构件5及粘结层(保持构件)121粘合在一起。粘结层121，由例如环氧树脂、丙烯树脂等的粘结剂而形成。而且，粘结层121，以包围密封构件5的方式平面看去形成为矩形的框形状。如上所述，本实施方式中的电子部件120中，虽然也得到了与上述第1实施方式同样的作用、效果，但通过由粘结层121保持金属膜52与接合用金属膜31间的接合状态，能进一步提高密封空间32的气密可靠性。另外，因为粘结层121包围密封构件5的外围，因此能抑制SAW元件4的特性变化。(第3实施方式)接着，根据

本发明中的电子部件的第3实施方式。这里，图12是表示电子部件的截面图，图13是表示晶体振荡器的斜视图。另外，在本实施方式中，因为与上述第 1实施方式相比功能元件的构造不同，所以将该点作为中心进行说明，并且，对上述实施方式说明的构成要素附加相同的记号，并省略其说明。本实施方式中的电子部件130，如图12所示，具备晶体振荡器131作为功能元件。 晶体振荡器131，如图13所示，例如音叉型的晶体振荡器，具备水晶片132 ；对水晶片进行激励的一对激励电极133、134 ；和，凸起电极135、136。水晶片132，平面看去近似为U字状，是具有从基部13 起2个腕部132b、132c在同一方向上并列延伸的音叉型的平面形状的板状构件。激励电极133，从水晶片132的一面中的基部13 起遍及腕部132b而形成。另外，激励电极134，从水晶片132的一面中的基部13 起遍及腕部132c而形成。凸起电极135、136，分别与激励电极133、134相导通。另外，凸起电极135，如图12 所示，形成在半导体基板2的一面2A上，连接在与一对贯通电极22的一方导通的连接电极 137上。而且，凸起电极136，形成在半导体基板2的一面2A上，连接在与一对贯通电极22 的另一方导通的连接电极138上。如上所述构成的电子部件130，通过在半导体基板2上安装晶体振荡器131后，将半导体基板2与密封基板3粘合来制造。如上所述，本实施方式中的电子部件130中也能得到与上述同样的作用、效果。另外，与上述第2实施方式同样的，也可以将半导体基板2与密封基板3通过粘结层121来粘合O另外，晶体振荡器131，并不限于音叉型的晶体振荡器，也可以是如图14所示的晶体振荡器140。该晶体振荡器140，是使用例如回旋传感器(gyro sensor)的晶体振荡器， 具备水晶片141 ；在水晶片141的一面上设置的驱动电极142、143及检出电极144、145 ； 和凸起电极146 149。水晶片141，具备固定部151 ；—对驱动腕部152、153 ；和一对检出腕部154、155。驱动腕部152，具备从固定部151凸出形成的基部15 ;和与基部15 连接的顶端部152b。基部15 的延伸方向与顶端部152b的延伸方向大致为垂直。另外，基部15 与顶端部152b的大致中央相连接。驱动腕部153，具备从固定部151凸出形成的基部153a ；和与基部153a连接的顶端部15北。基部153a的延伸方向与顶端部15 的延伸方向大致为垂直。因此，顶端部 153b的延伸方向与顶端部152b的延伸方向大致为平行。另外，从基部153a的固定部151 起的凸出方向，与基部15 为反方向。而且，基部153a与顶端部15 的大致中央相连接。检出腕部154、155，分别从固定部151凸出形成。而且，从检出腕部154的固定部 151起的凸出方向与检出腕部155为反方向。另外，检出腕部154、155各自的延伸方向，与基部152a、153a各自的延伸方向大致垂直，与顶端部152b、15 各自的延伸方向大致平行。驱动电极142，形成在基部15 及顶端部152b各自的一面上。另外，驱动电极 143，形成在基部153a及顶端部15 各自的一面上。而且，检出电极144形成在检出腕部 154的一面上，检出电极145形成在检出腕部155的一面上。凸起电极146 149分别与一对驱动电极142、143及一对检出电极144、145相导
ο(第4实施方式)接着，根据

本发明中的电子部件的第4实施方式。这里，图15是表示电子部件的截面图。另外，在本实施方式中，因为与上述第1实施方式相比功能元件的构造不同，所以将该点作为中心进行说明，并且，对上述实施方式说明的构成要素附加相同的记号，并省略其说明。如图15所示，本实施方式中的电子部件160中，SAff元件4形成在密封基板3的一面3A上。而且，一对贯通电极161中，上端从半导体基板2的一面2A凸出形成，与SAW元件4导通。另外，密封构件5形成在密封基板3的一面3A上，接合用金属膜31形成在半导体基板2的一面2A上。如上所述，本实施方式中的电子部件160中，也能得到与上述同样的作用、效果。 另外，与上述第2实施方式同样，也可以将半导体基板2与密封基板3通过粘结层121来粘合。另外，SAff元件4，也可以形成在半导体基板2的一面2A上。另外，本发明并不只限定于上述实施方式，在不脱离本发明的宗旨的范围内还能进行各种变更。例如，虽然金属膜与接合用金属膜，通过金属接合而接合起来，但也可以通过焊锡、铜焊材料、热压接等来接合。另外，虽然金属膜与接合用金属膜，通过常温接合来接合，
10但也可以用高温状态来接合。另外，虽然金属膜与密封基板，通过将密封基板表面上所形成的接合用金属膜与金属膜进行接合来相互接合，但也可以不使用接合用金属膜来接合。另外，虽然密封构件形成在半导体基板的一面上，但也可以形成在密封基板的一面上。此时，接合用金属膜形成在半导体基板的一面上。而且，第2实施方式中，虽然将粘结层形成为平面看去呈矩形的框形状，但只要能保持密封构件下的金属膜与接合用金属膜之间的接合状态即可，并不限于矩形的框形状。 另外，粘结层也可以设置在密封空间内。而且，虽然由粘结层保持着金属膜与接合用金属膜之间的接合状态，但只要能保持接合状态，并不限于粘结层。另外，功能元件并不限于SAW元件，也可以是晶体振荡器、MEMS(Micrc) Electro Mechanical Systems)、液晶层等的其它的功能元件。这里，如上所述，也可以根据功能元件适当选择密封空间内的环境气。同样，第1基板并不限于半导体基板，也可以是其它的基板，第2基板并不限于玻璃基板，也可以是其它的基板。而且，也可以通过在树脂芯的表面所形成的金属膜，来实现第1及第2基板间的导通。再有，在上述实施方式，虽然是单独制造电子部件，但也可以在半导体基板上粘合单片化的密封基板后，通过切割等分别进行分割，来制造多个电子部件，也可以在半导体基板上粘合密封基板后，通过切割等分别进行分割，来制造多个电子部件。
权利要求
1.一种电子部件，在第1基板以及第2基板之间形成由密封构件包围的密封空间，在该密封空间内配置有功能元件的至少一部分，其特征在于，上述密封构件，具有在上述第2基板上形成的具有弹性的树脂芯部；和，在该树脂芯部的表面设置的金属膜，该金属膜与上述第1基板相接合，且该金属膜的一部分与上述第1基板分离。
2.根据权利要求1所述的电子部件，其特征在于，在上述第1基板中与上述密封构件的接触区域中，形成有与上述金属膜金属接合的接合用金属膜。
3.根据权利要求2所述的电子部件，其特征在于， 上述金属膜与上述接合用金属膜，被常温接合。
4.根据权利要求1所述的电子部件，其特征在于， 上述密封构件，被热压接在上述第1基板上。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的电子部件，其特征在于， 具备保持上述金属膜与上述第1基板的接合状态的保持构件。
6.根据权利要求5所述的电子部件，其特征在于， 上述保持构件，包围上述密封构件的外围。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的电子部件，其特征在于，上述功能元件，在由于应力或者热导致其特性变化的同时，被载置在上述第1基板以及第2基板的任何一方的上面。
8.根据权利要求7所述的电子部件，其特征在于，上述功能元件，被直接形成在上述第1基板以及第2基板的任何一方的上面。
9.根据权利要求7所述的电子部件，其特征在于，上述功能元件，被接合载置在上述第1基板以及第2基板的任何一方的上面。
全文摘要
本发明提供一种能使密封空间的气密性提高的电子部件。其中，密封构件(5)具有在半导体基板(2)上形成的具有弹性的树脂芯(51)、和在树脂芯(51)的表面上设置的金属膜(52)，金属膜(52)与密封基板(3)相接合。
文档编号B81B7/00GK102285625SQ20111016099
公开日2011年12月21日 申请日期2008年11月5日 优先权日2007年11月5日
发明者桥元伸晃 申请人:精工爱普生株式会社