专利名称：硅纳米管的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种生物芯片，特别涉及一种硅纳米管的制作方法。
背景技术：
近5年来利用microRNA(微小核糖核酸)作为诊断生物标记物得到了充分的研究和发展，市场巨大。目前主要检测microRNA的手段是基因芯片，其中硅纳米管(Si nanowire)就是其中最热门的人选。具有高检测灵敏性，操作简单，可绝对定量，同时检测多项以及检测仪器常规的优势。硅纳米管的基本结构是极细长的多晶硅线外包均勻厚度的氧化膜并裸露在外界环境下，如图Ia和图Ib所示，通常是在硅片6上热氧化生长二氧化硅层7，在二氧化硅层7 上沉积多晶硅，并采用光刻、刻蚀工艺，在二氧化硅层7上形成多晶硅线8，其中多晶硅线的侧壁和顶部需要均勻掺杂，多晶硅线8外包的氧化膜(图中未示)厚度也需要保持侧壁和顶部的一致。由于目前离子注入机台都是为2维的图形器件而设计的，直接使用在3D结构的硅纳米管会存在垂直和倾斜注入角度不同的问题，导致左右两侧注入量出现大差异。不仅影响多晶硅表面掺杂不均勻，而且不均勻掺杂表面会导致后续氧化膜厚不均勻，影响器件性能。图Ia是带角度的倾斜注入方式，如果不对硅片做rotate (旋转)动作，多晶硅线的左侧的注入量显然要比右侧和顶部的少，如果利用rotate (旋转)，左右两侧是平衡了， 但是左右两侧的总注入量比顶部的少。图Ib是垂直注入，很明显，多晶硅线的侧壁的注入量要远少于顶部。总之，上述现有技术的注入方式，都不能实现均勻3D化掺杂。
发明内容
本发明的目的是提供一种硅纳米管的制作方法，以实现硅纳米管结构中的多晶硅线均勻化掺杂，提高硅纳米管的性能。本发明的技术解决方案是一种硅纳米管的制作方法，包括以下步骤在硅片上热氧化生长二氧化硅层，在二氧化硅层上依次沉积多晶硅和氮化硅；刻蚀氮化硅和多晶硅，形成顶部覆盖有氮化硅的多晶硅线；在多晶硅线一侧，以第一角度进行离子注入；去除多晶硅线上的氮化硅；在多晶硅线另一侧，以第二角度进行离子注入；在多晶硅线上热氧化生长二氧化硅膜形成硅纳米管。作为优选所述第一角度和第二角度互为镜像角度。作为优选所述第一角度或第二角度为20-30°。作为优选所述氮化硅的厚度为100-600埃。
作为优选所述氮化硅用热磷酸去除。与现有技术相比，本发明采用氮化硅作为注入阻挡层，使得多晶硅线表面均勻掺杂，同时使得后续在多晶硅线上热氧化生长的二氧化硅膜厚度均勻，硅纳米管的性能提高。
图la、Ib是现有技术硅纳米管掺杂的示意图。图2是本发明硅纳米管的制作流程图。图3a_3f是本发明硅纳米管制作流程中各个工艺步骤的剖面图。
具体实施例方式本发明下面将结合附图作进一步详述在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。其次，本发明利用示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是实例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。请参阅图2所示的硅纳米管的制作流程图，在本实施例中，所述硅纳米管的制作过程如下，在步骤101中，如图3a所示，在硅片1上热氧化生长二氧化硅层2，在二氧化硅层 2上依次沉积多晶硅3和氮化硅4，所述氮化硅4的厚度需要满足注入阻挡层的厚度要求， 但是也不能太厚，太厚增加刻蚀难度，同时会出现注入阴影效应，所述氮化硅4的厚度为 100-600 埃；在步骤102中，如图北所示，刻蚀氮化硅4和多晶硅3，形成顶部覆盖有氮化硅41 的多晶硅线31 ；在步骤103中，如图3c所示，在多晶硅线31 —侧，以第一角度进行离子注入，在一侧形成轻掺杂32 ；在步骤104中，如图3d所示，去除多晶硅线31上的氮化硅41 ；所述氮化硅41用热磷酸去除。在步骤105中，如图3e所示，在多晶硅线31的另一侧，以第二角度进行离子注入， 在顶部和另一侧形成轻掺杂32 ；所述第一角度和第二角度互为镜像角度。所述第一角度或第二角度为20-30°。在步骤106中，如图3f所示，在多晶硅线31上热氧化生长二氧化硅膜33形成硅纳米管5。本发明采用氮化硅41作为注入阻挡层，使得多晶硅线31表面均勻掺杂，同时使得后续在多晶硅线31上热氧化生长的二氧化硅膜33厚度均勻，从而提高硅纳米管的性能。以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明权利要求范围所做的均等变化与修饰，皆应属本发明权利要求的涵盖范围。
权利要求
1.一种硅纳米管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤在硅片上热氧化生长二氧化硅层，在二氧化硅层上依次沉积多晶硅和氮化硅；刻蚀氮化硅和多晶硅，形成顶部覆盖有氮化硅的多晶硅线；在多晶硅线一侧，以第一角度进行离子注入；去除多晶硅线上的氮化硅；在多晶硅线另一侧，以第二角度进行离子注入；在多晶硅线上热氧化生长二氧化硅膜形成硅纳米管。
2.根据权利要求1所述的硅纳米管的制作方法，其特征在于所述第一角度和第二角度互为镜像角度。
3.根据权利要求1或2所述的硅纳米管的制作方法，其特征在于所述第一角度或第二角度为20-30°。
4.根据权利要求1所述的硅纳米管的制作方法，其特征在于所述氮化硅的厚度为 100-600 埃。
5.根据权利要求1所述的硅纳米管的制作方法，其特征在于所述氮化硅用热磷酸去
全文摘要
本发明涉及一种硅纳米管的制作方法，该方法包括以下步骤在硅片上热氧化生长二氧化硅层，在二氧化硅层上依次沉积多晶硅和氮化硅；刻蚀氮化硅和多晶硅，形成顶部覆盖有氮化硅的多晶硅线；在多晶硅线一侧，以第一角度进行离子注入；去除多晶硅线上的氮化硅；在多晶硅线另一侧，以第二角度进行离子注入；在多晶硅线上热氧化生长二氧化硅膜形成硅纳米管。本发明采用氮化硅作为注入阻挡层，使得多晶硅线表面均匀掺杂，同时使得后续在多晶硅线上热氧化生长的二氧化硅膜厚度均匀，从而硅纳米管的性能提高。
文档编号B82Y40/00GK102412121SQ20111032816
公开日2012年4月11日 申请日期2011年10月25日 优先权日2011年10月25日
发明者景旭斌, 杨斌, 郭明升 申请人:上海华力微电子有限公司