暴露于环境空气和液体的封装器件及其制造方法
【专利摘要】本发明提供一种封装器件，其中芯片(6)的至少一个敏感部分(7)被包围在由封装(3、2；33；62、63、70、73)形成的室(4；64；74)中。该封装具有可渗透空气区域(17)和排液结构(16；30；56)以便实现在外部环境和室之间的空气通道并且阻挡液体通道，该可渗透空气区域(17)具有多个孔(15)。
【专利说明】暴露于环境空气和液体的封装器件及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及暴露于环境空气和液体的封装器件及其制造方法。具体而言，本发明在微机电器件(MEMS)中得到有利的应用，诸如在由具有敏感区域的半导体材料芯片中制造的传感器。例如，本发明可以用于压力传感器、气体传感器、麦克风等中，它们被设计为暴露于环境空气以用于操作，但是需要对于水和其它液体(例如在环境空气中的液滴中包含的水以及可能错误地将器件浸入其中的大量液体)的屏障。
【背景技术】
[0002]众所周知，在特定应用中，在存在水分时，可能损坏或者在任何情况下可能限制MEMS器件的功能性。事实上，水的液滴可以被器件的材料吸收，器件因而可能膨胀从而生成机械和/或电应力，可能修改它们的电特性(例如灵敏度)而随之错误的读取，可能经受阻止它们的操作的短路，或者甚至可能例如由于零件的腐蚀而经历损害。在所有这些情况下，器件变得不可靠或者甚至不可使用。
[0003]出于这一目的，也出于机械保护的原因，在特定应用中MEMS器件具有保护帽，保护帽包围固定至共同基座的每个器件和/或器件组并且保护它们免于外部环境。
[0004]在一些已知的解决方案中，保护帽由完全不可渗透材料制成并且被结合或者焊接至基座，MEMS被固定至基座或者其被印刷在基座上。事实上，在特定应用中，传感器(例如大气压力传感器)必须被暴露于外部环境，使得它不可能使用对于空气不可渗透的帽。
[0005]当MEMS器件已经与外部环境直接接触时，可能在帽中提供孔；然而，这形成了用于扩散液体(诸如水、冷凝蒸汽、油、在电子卡上焊接MEMS期间使用的熔剂或者随后可能与MEMS发生接触的其它液体)的过孔。
[0006]另一方面，MEMS器件必须满足关于对水和其它液体的抗性的日益迫切的要求。例如，在具有气压表功能的先进类型的手机中，即使在手机落入水中两米深度达半个小时、在下雨的情况下或者在有波浪引起的溅湿的情况下需要确保功能性。对于具有利用Z轴的测量的GSM的设备而言也需要满足类似要求。在清洗机中，已经提出使用水位传感器，水位传感器因此应当能够承受热蒸汽。具有深度测量功能并且因此在水下操作的时钟应当能够正确操作。
【发明内容】
[0007]本发明的目的是提供一种封装系统，从而克服现有技术的问题，并且具体而言，确保对于液体的不可渗透性但是对于空气的可渗透性，从而保持封装器件的功能性不被变更。
[0008]根据本发明提供分别如权利要求1和11中所限定的封装器件及其制造方法。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]为了更好地理解本发明，现在参考附图仅借由非限制性示例描述其优选实施例，其中:
[0010]图1是本封装器件的实施例的截面；
[0011]图2a示出图1的放大细节；
[0012]图2b示出图2a的放大细节的变体；
[0013]图3是本封装器件的另一实施例的截面；
[0014]图4示出本封装的不同实施例的细节的透视图和放大图；
[0015]图5是图4的细节的俯视平面图；
[0016]图6示出图4的封装的防水特性；
[0017]图7是本封装器件的不同实施例的截面；以及
[0018]图8至图10示出本器件的其它实施例。
【具体实施方式】
[0019]在图1中，封装器件I包括基座2和帽3。帽3在此为半壳形，通常为平行六面体，包括顶壁3a和侧壁3b，并且固定(典型地胶合)至基座2，以便形成封装。保护帽3和基座2形成包围室4的封装。在图1的实施例中，集成电路5在室4内固定在基座2上，例如胶合。备选地，集成电路5和芯片6可以相互邻近地固定至基座2。顶壁3a具有外表面9。
[0020]例如，基座2可以由单层或者多层环氧树脂的有机衬底(诸如BT(双马来酰亚胺三嗪树脂)或者FR-4或者用于印刷电路板的任何其它类似材料的层叠)或者由陶瓷衬底形成，并且具有平行六面体板形。
[0021]帽3例如可以是硅、金属、陶瓷、聚四氟乙烯或者其它塑料材料(尤其是聚合物)，该塑料材料例如类似于用于制造FR-4或者BT衬底的核心所使用的材料。
[0022]芯片6形成MEMS (微机电系统)，例如压力传感器。在这一情况下，芯片6可以具有由掩埋腔8界定的隔膜7。集成电路5可以形成芯片4的信号处理电路，例如形成为用于放大和处理由芯片6供应的信号的ASIC(专用集成电路)的读取电路。传导接线10将芯片6连接至集成电路5并且传导接线11将集成电路5连接至传导区域(典型地为在表面上和/或在衬底2中集成的未示出的接触焊盘和连接线)，该传导接线用于以已知的方式交换电信号和功率供应。
[0023]帽3包括优选地布置在芯片6之上并且承载防液的、疏水的、疏油的或者疏脂的结构的可渗透区域17。多个孔15形成于可渗透区域17中。
[0024]在图1的实施例中，防液结构由粗糙纳米结构16形成，该纳米结构16由帽3的顶壁3a的外表面9限定，如在图2a和图2b的放大细节中所示的那样。
[0025]在图2a中，外表面9具有微起伏20，微起伏20具有几何特征以便在外表面9上给予所需的粗糙度。在此，微起伏20由具有圆形、方形或者多面体的基座的柱体形成，该柱体为截头圆锥形(frustoconical)、平行六面体形、截头角锥形(frustopyramidal)等等。例如，微起伏或者柱体20可以具有基部侧或者包括在0.5 μ m和20 μ m之间的直径、包括在Ιμπι和50 μ m之间的高度并且被布置为相互间隔包括在2μηι和150 μ m之间的距离(节距)。微起伏20可以不同分布，例如具有更大的宽度，使得单个微起伏20被布置在成对的邻近的孔15之间(类似于图4和图9中所示，如下文更详细描述的那样)。孔15可以具有任何形状，例如圆形、四边形、多边形，无论规则或者不规则，并且在形成粗糙纳米结构之前或者之后以已知方式通过掩膜化学蚀刻来制作。备选地，孔15可以通过激光钻孔来形成。
[0026]例如，在孔15的区域中帽3的顶表面3a具有包括在20 μ m和100 μ m之间的厚度，这些孔可以具有包括在0.1 μ m和100 μ m之间的宽度并且被布置为相互间隔包括在0.3 μ m和300μπι之间的距离，而宽度与节距的比率例如至少为1: 3。然而，在单个微起伏20在两个邻近的孔15之间的情况下(图4和图9)，宽度与距离比也可以等于或者大于I。
[0027]在图2b中，粗糙纳米结构16是不规则的并且微起伏20’在形状、布置、基部区域、高度和其它几何特征方面典型地不同。孔15可以具有上面指出的尺寸。
[0028]例如，在任一情况下，粗糙纳米结构16可以具有包括在0.5 μ m和3 μ m之间的值Ra(被定义为表面相对于平均线(mean line)的实际断面的绝对值中的偏差的算术平均值)、包括在2 μ m和20 μ m之间的Rmax (被限定为最大偏差，即表面9的最高峰和最低点之间的距离)。
[0029]图2a的粗糙纳米结构16可以经由纳米级光刻形成于硅上。
[0030]相反，图2b的不规则的粗糙纳米结构16可以由化学蚀刻形成。如果帽3是金属的，那么可以利用氢氟酸执行化学蚀刻。
[0031]备选地，如果帽3由硅制成，则图2b的粗糙纳米结构16也可以通过对帽3的激光照射来形成，或者如果帽3由塑料材料制成则可以通过对帽3的热模压或者激光照射来形成。
[0032]通过改变激光照射的等级，可能修改粗糙度并且因而修改硅帽3的顶表面3a的可湿性；以便增加接触角的值超过90°。
[0033]在形成粗糙纳米结构16之后，保护帽3被固定至基座2，其中集成电路5和芯片6已经被固定，使得室4包围它们。
[0034]已经在许多研究中报道了粗糙硅表面的疏水性；例如参见"Making siliconhydrophobic:wettability control by two-length scale simultaneous patterningwith femtosecond laser irradiation" , V.Zorba et al.,2Nanotechnologyl7(2006) 3234-3238，用于下载的 IP 地址为:77.242.201.53。
[0035]以此方式，孔15实现环境空气进入室4，但是粗糙纳米结构16阻止水或者其它液体的小滴经过孔15渗透到室4中，如图2a和图2b的细节中所示出的那样。因此，芯片6能够正常工作，例如测量大气压力，而不被外部湿气、水或者封装器件I将落入其中的其它液体损坏。
[0036]在图3中，排液结构由疏水/疏脂的排液层30形成，排液层30在帽33之上延伸，至少在孔15的区域上面。在所示出的示例中，排液层30涂覆整个帽33的外表面。
[0037]排液层30可以是从以下材料之中选择的材料的层:聚四氟乙烯、碳化硅、诸如 SU-8 (例如参见:"The use of high aspect ratio photoresist (SU-8) forsuper-hydrophobic pattern prototyping" , Neil J.Shirtcliffe et al., JOURNAL OFMICROMECHANICS AND MICROENGINEERING, J.Micromech.Microeng.14(2004) 1384-1389，用于下载的IP地址为:77.242.201.53)的抗蚀剂、聚合物(例如参见:"UltrahydrophobicPolymer Surfaces Prepared by Simultaneous Ablation of Polypropylene andSputtering of Poly(tetrafluoroethylene)Using Radio Frequency Plasma" ， JeffreyP.Youngblood et al.， Macromoleculesl999，32，6800-6806，1999American ChemicalSociety)、有机金属、或者过渡金属复合物(诸如由Aculon生产的材料)。
[0038]排液层30可以通过将保护帽33浸溃在适当的溶液中或者通过经由旋涂进行机械沉积或者通过热化学沉积来形成。
[0039]备选地，排液层30的材料可以是由本 申请人:在相同日期提交的专利申请"Process for manufacturing a microdevice having regions with differentwettability and corresponding microdevice"中所描述的材料，该材料通过将帽3布置在用于反应离子蚀刻工艺的装置中的C4F8前驱气体的等离子体中来获得，以便获得具有大于100°的静态接触角的C4F8聚合物，而光谱吸收峰值在包括在1200CHT1和1300CHT1之间的波数(尤其是1250CHT1)处。
[0040]在用排液层30涂覆帽33之后，使用上述技术(化学蚀刻和/或激光钻孔)来形成孔15。
[0041]图4和图5示出一个实施例的细节，其中粗糙纳米结构16由形成在外表面9上、从顶壁3a伸出并且与帽3整体的硅的多个柱体50形成。与两个邻近的孔15之间的距离相比，柱体50在此具有减少的宽度并且或多或少具有方形。
[0042]此外，在所示的示例中，柱体50由属于疏水/疏脂层54的帽53覆盖，该疏水/疏脂层例如金属或者非金属层，诸如聚四氟乙烯。疏水/疏脂层54具有在孔15上方的开口55 (具体参见图5)，以便实现经过开口 55和孔15的气体通道，直至下面的室4 (在图4和图5中不可见)。
[0043]在此，孔15可以被布置为相互间隔300nm和20 μ m之间的距离(例如400nm)、具有包括在50nm和10 μ m之间的最大宽度(例如60nm)，并且柱体50可以具有包括在150nm和15 μ m之间的宽度(例如200nm)。疏水/疏脂层54可以具有包括在IOOnm和I μ m之间的宽度(例如300nm)。
[0044]在图6中，帽3的外表面9上的粗糙纳米结构16由球状结构形成，该球状结构类似柱体50。可以注意到，粗糙纳米结构16(柱体50)和疏水/疏脂层54在此也形成防止液体进入到孔15中的排液结构56。在实践中，由于液体的表面张力，排液结构56不允许液滴57弄湿其整个表面，但是在液滴下面形成了气穴并且防止液滴进入孔15。
[0045]图7示出一个实施例，其中帽63由平面壁形成并且经由粘合部分60结合到半壳形的通常为平行六面体的基座62，基座62与保护帽63 —起限定室4。在此，芯片6直接结合到基座62。如在图1中那样，帽63具有孔15和粗糙纳米结构16，以便由于其疏水或者疏脂结构而使得空气进入但是使得液体不能进入。
[0046]图8示出一个实施例，其中帽73被固定至芯片6的顶部并且因此室74并不包围芯片6而是仅包围隔膜7 (芯片6的敏感区域；以芯片级水平制造的帽73)。在此，模制区域70侧向地包围帽73、芯片6和集成电路5，侧向地与基座2对准并且在顶部处与帽73对准。模制区域70例如是塑料材料的并且可以包括树脂。
[0047]帽73在此可以具有根据图1至图6中所示的那样进行制造的排液结构。
[0048]在图9中，帽73直接固定到芯片6，与图8相似，但是芯片6直接固定到基座2并且具有合适的直通连接80。在此缺少模制区域70并且排液结构56由未被涂覆的柱体50形成，如在放大的细节中所着重强调的。备选地，同样在这一情况下，柱体50可以利用疏水/疏脂层涂覆，该疏水/疏脂层诸如图4至图5的层54或者可以由图6的具有球状结构的粗糙纳米结构16取代。
[0049]在图10中，帽73再次直接固定到芯片6，但是芯片6和基座2之间的电连接以已知方式经由接触焊盘81和接线82发生。在此存在模制区域70。
[0050]明显地，其它中间组合是可能的并且排液结构56可以参照图1至图9以任何上述方式制造。
[0051]最后，清楚的是可以对本文所描述和图示的封装器件进行修改和变化，由此并不背离如所附权利要求中限定的本发明的范围。
[0052]例如，在图4至图6的实施例中，柱体可以具有不同形状的头部部分，例如半球状或者不规则状，以便形成非平面的顶部表面。
【权利要求】
1.一种封装器件，包括芯片(6)和封装(3、2 ；33 ;62、63、70、73)，所述封装界定室(4 ；64 ；74)并且设置有具有多个孔(15)的可渗透空气区域(17)和排液结构(16 ；30 ；56)以便实现在外部环境和所述室之间的空气通道并且阻挡液体通道，所述室包围所述芯片的至少一个敏感部分(7)。
2.根据权利要求1所述的封装器件，其中所述孔(15)具有包括在0.1ym和100 μ m之间的最大宽度并以包括在0.3μπι和300μπι之间的相互之间的距离(孔距)被布置，宽度与孔距比为至少1: 3。
3.根据权利要求1或2所述的封装器件，其中所述封装包括界定所述室(4；64 ；74)并且限定外表面(9)的保护帽(7 ；33 ；63 ；73)。
4.根据权利要求3所述的封装器件，其中所述排液结构包括至少在所述可渗透空气区域(17)处由所述保护帽(7 ；63 ；73)的所述外表面(9)形成的粗糙纳米结构(16)并且具有多个微起伏(20 ;20，)。
5.根据权利要求4所述的封装器件，其中在所述可渗透空气区域(17)处的所述粗糙纳米结构具有包括在I μ m和3 μ m之间的粗糙度值以及包括在2 μ m和20 μ m之间的最大偏差。
6.根据权利要求4或5所述的封装器件，其中所述微起伏(20;50)具有规则结构并且均匀地被布置在所述外表面(9)上，或者具有不规则构造和布置(20’)。
7.根据权利要求3至6中任一项所述的封装器件，其中所述排液结构包括至少在所述可渗透空气区域(17)中覆盖所述保护帽(3 ；33 ；73)的疏水/疏脂层(30 ;53)，并且所述疏水/疏脂层(30 ；53)设置有在所述孔(15)上面的开口(55)。
8.根据权利要求7所述的封装器件，其中所述疏水/疏脂层(30;53)由从以下材料之中选择的材料制成:聚四氟乙烯、碳化硅、诸如SU-8之类的抗蚀剂、金属、聚合物、有机金属、过渡金属复合物，所述聚合物诸如具有大于100°的静态接触角、光谱吸收峰值在包括在1200CHT1和1300CHT1之间的波数处的C4F8聚合物。
9.根据权利要求3至8中任一项所述的封装器件，其中所述保护帽(7；63 ；73)由从硅、金属、诸如聚合物和聚四氟乙烯之类的塑料材料、陶瓷之中选择的材料制成。
10.根据任一前述权利要求所述的封装器件，其中所述芯片(6)集成MEMS，尤其是压力传感器。
11.一种用于制造封装器件的方法，包括步骤: 形成界定室(4 ；64 ；74)的封装(3、2 ；33 ;62、63、70、73)； 以所述室将包围所述芯片的至少一个敏感部分(7)的方式在所述封装中重封装芯片(6)； 在所述封装中形成可渗透空气区域(17)，包括形成多个孔(15);并且 在所述可渗透空气区域上形成排液结构(16 ；30 ；56)。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述形成排液结构的步骤包括例如通过化学蚀刻或者纳米级光刻在所述可渗透空气区域(17)的外表面(9)上提供具有微起伏(20 ;20’ ；50)的粗糙结构(16)。
13.根据权利要求11或12所述的方法，其中所述形成排液结构的步骤包括在所述可渗透空气区域(17)的所述外表面(9)上面形成疏水/疏脂层(30 ;53)。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述形成封装的步骤包括提供保护帽(7；33 ；63 ；73)。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述形成疏水/疏脂层(30;53)的步骤包括将保护帽(33)浸溃在溶液中或经由具有疏水/疏脂特性的旋涂材料沉积。
16.根据权利要求11至15中任一项所述的方法， 其中在形成排液结构之前或者之后执行形成多个孔(15)的步骤。
【文档编号】B81B7/00GK103663346SQ201310361495
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2013年8月16日 优先权日:2012年8月30日
【发明者】F·G·齐廖利, F·V·丰塔纳, L·马吉 申请人:意法半导体股份有限公司