一种mems体硅湿法加工工艺单面保护装置制造方法

文档序号:5269738阅读:360来源:国知局
一种mems体硅湿法加工工艺单面保护装置制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种MEMS体硅湿法加工工艺单面保护装置,该MEMS体硅湿法加工工艺单面保护装置的基板中间为通孔结构,基板与固定环之间通过密封圈密封,并用锁紧螺丝锁紧固定,基板与手持杆之间通过螺纹连接,导气孔与手持杆之间通过转接嘴和导气管连接并在接口处由螺纹锁紧,手持杆与堵头环通过堵头螺丝连接,导气管与手持杆通过堵头环固定。本实用新型的整体选用聚醚醚酮材料,热膨胀系数低,不会因为热胀冷缩而引起漏液,中间基板进行通孔设计,保证装置腔体内无压差,基板的通孔处与外界通过导气管进行相连,保证腐蚀液加热后腔体内部膨胀的气体及时排除,避免热膨胀引起的碎片,降低了工艺难度,避免了有机材料祛除不净对MEMS器件性能的影响,提高了成品率。
【专利说明】—种MEMS体硅湿法加工工艺单面保护装置

【技术领域】
[0001]本实用新型属于MEMS体硅湿法加工工艺领域,尤其涉及一种MEMS体硅湿法加工工艺单面保护装置。

【背景技术】
[0002]在MEMS制造工艺过程中,湿法加工工艺是必不可少的,传统的保护方式已经不能满足当前工艺的要求,特别是传统工艺中用保护胶或黑漆等有机材料作为保护涂层,对硅片的非结构面进行保护,不但祛除难度大、成品率低,且容易给工艺中带来污染。
实用新型内容
[0003]本实用新型的目的在于提供一种MEMS体硅湿法加工工艺单面保护装置,旨在解决在MEMS制造的传统工艺过程中用保护胶或黑漆等有机材料作为保护涂层,对硅片的非结构面进行保护,不但祛除难度大、成品率低,且容易给工艺中带来污染的问题。
[0004]本实用新型是这样实现的,一种MEMS体硅湿法加工工艺单面保护装置包括基板、固定环、密封圈、导气孔、导气管、手持杆、锁紧螺丝、堵头螺丝、转接嘴、堵头环;
[0005]所述的基板中间为通孔结构,基板与固定环之间通过密封圈密封,并用锁紧螺丝锁紧固定,基板与手持杆之间通过螺纹连接,导气孔与手持杆之间通过转接嘴和导气管连接并在接口处由螺纹锁紧,手持杆与堵头环通过堵头螺丝连接,导气管与手持杆通过堵头环固定。
[0006]进一步,所述的MEMS体硅湿法加工工艺单面保护装置整体采用聚醚醚酮材料制成。
[0007]本实用新型的整体选用聚醚醚酮材料,热膨胀系数低,即使温度发生强烈变化也不会因为热胀冷缩而引起漏液,中间基板进行通孔设计,保证装置腔体内无压差,基板的通孔处与外界通过导气管进行相连,保证腐蚀液加热后腔体内部膨胀的气体及时排除,避免热膨胀引起的碎片,与传统涂层保护方法相比,降低了工艺难度,避免了有机材料祛除不净对MEMS器件性能的影响,有效提高了成品率。

【专利附图】

【附图说明】
[0008]图1是本实用新型实施例提供的MEMS体硅湿法加工工艺单面保护装置的结构示意图;
[0009]图2是本实用新型实施例提供的MEMS体硅湿法加工工艺单面保护装置的爆炸图;
[0010]图中:1、基板;2、固定环;3、密封圈;4、导气孔;5、导气管;6、手持杆;7、锁紧螺丝;8、堵头螺丝;9、转接嘴;10、堵头环;11、待腐蚀娃片。

【具体实施方式】
[0011]为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
[0012]图1和图2示出了本实用新型的MEMS体硅湿法加工工艺单面保护装置的结构,如图所示,本实用新型是这样实现的,一种MEMS体硅湿法加工工艺单面保护装置包括基板1、固定环2、密封圈3、导气孔4、导气管5、手持杆6、锁紧螺丝7、堵头螺丝8、转接嘴9、堵头环10 ;
[0013]所述的基板I中间为通孔结构,基板I与固定环2之间通过密封圈3密封,并用锁紧螺丝7锁紧固定,基板I与手持杆6之间通过螺纹连接,导气孔4与手持杆6之间通过转接嘴9和导气管5连接并在接口处由螺纹锁紧,手持杆6与堵头环10通过堵头螺丝8连接,导气管5与手持杆6通过堵头环10固定。
[0014]进一步,所述的MEMS体硅湿法加工工艺单面保护装置整体采用聚醚醚酮材料制成。
[0015]在使用方法如下:
[0016]第一步,将导气管5、转接嘴9、手持杆6、基板I组装好;
[0017]第二步,将导气管5与密封圈3潜入基板I和固定环2 ;
[0018]第三步,将待腐蚀硅片11放入基板I ;
[0019]第四步,将固定环2与基板I进行水平扣合;
[0020]第五步,用锁紧螺丝7将固定环2与基板I进行锁紧;
[0021]第六步,将该装置放入腐蚀液中进行湿法工艺;
[0022]第七步,待腐蚀完成后用去离子水进行冲洗并吹干;
[0023]第八步,将锁紧螺丝7拧开,拿下固定环2 ;
[0024]第九步,取出腐蚀好的硅片。
[0025]本实用新型的整体选用聚醚醚酮材料,热膨胀系数低,即使温度发生强烈变化也不会因为热胀冷缩而引起漏液,中间基板进行通孔设计,保证装置腔体内无压差,基板的通孔处与外界通过导气管进行相连,保证腐蚀液加热后腔体内部膨胀的气体及时排除,避免热膨胀引起的碎片,无须进行其他处理即可进入下一个工艺环节,有效地控制了工艺时间并减少了不必要的污染,与传统涂层保护方法相比,降低了工艺难度,避免了有机材料祛除不净对MEMS器件性能的影响,有效提高了成品率。
[0026]上述虽然结合附图对本实用新型的【具体实施方式】进行了描述,但并非对本实用新型保护范围的限制,所属领域技术人员应该明白,在本实用新型的技术方案的基础上,本领域技术人员不需要付出创造性的劳动即可做出的各种修改或变形仍在本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种MEMS体硅湿法加工工艺单面保护装置,其特征在于,所述的MEMS体硅湿法加工工艺单面保护装置包括基板、固定环、密封圈、导气孔、导气管、手持杆、锁紧螺丝、堵头螺丝、转接嘴、堵头环; 所述的基板中间为通孔结构,基板与固定环之间通过密封圈密封,并用锁紧螺丝锁紧固定,基板与手持杆之间通过螺纹连接,导气孔与手持杆之间通过转接嘴和导气管连接并在接口处由螺纹锁紧,手持杆与堵头环通过堵头螺丝连接,导气管与手持杆通过堵头环固定。
2.如权利要求1所述的MEMS体硅湿法加工工艺单面保护装置,其特征在于,所述的MEMS体硅湿法加工工艺单面保护装置整体采用聚醚醚酮材料制成。
【文档编号】B81C1/00GK204138342SQ201420135788
【公开日】2015年2月4日 申请日期:2014年3月25日 优先权日:2014年3月25日
【发明者】付博 申请人:无锡壹资半导体科技有限公司
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1