1.一种结构，包括：
基板；
围绕着所述基板的一表面区域设置在所述基板的一表面部分上的金属环；
设置在所述金属环上的结合材料，所述结合材料具有内边缘和外边缘；和
其中所述金属环侧向延伸超出所述结合材料的所述内边缘和外边缘中的至少一个。
2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述金属环的第一层包括设置在所述基板的表面部分上的应力释放缓冲层，所述第一层具有在预定温度下比所述表面部分的韧性高的韧性以及比所述结合材料的宽度大的宽度，所述应力释放缓冲层侧向延伸超出所述结合材料的所述内边缘和外边缘中的至少一个。
3.根据权利要求2所述的结构，其中，所述应力释放缓冲层具有比所述基板的表面部分的膨胀系数大并且比所述结合材料的膨胀系数小的热膨胀系数。
4.根据权利要求1所述的结构，其中，所述金属环的顶表面的区域包括禁止所述结合材料粘接到所述顶表面的材料，并且其中所述金属环的部分侧向延伸超出所述结合材料的所述内边缘和外边缘中的至少一个。
5.根据权利要求1所述的结构，包括所述金属环的顶表面上的结合材料掩膜层，所述结合材料穿过所述掩膜层上的暴露所述金属层的顶表面的一部分的窗口，并且其中所述结合材料的一部分穿过所述窗口到达所述金属层的顶表面的暴露部分上。
6.根据权利要求1所述的结构，其中，所述金属环的部分侧向延伸超出所述结合材料的所述内边缘和外边缘中的至少一个。
7.根据权利要求1所述的结构，包括：盖；和设置在所述基板上的器件；其中，所述结合材料使所述基板结合到所述盖。
8.根据权利要求2所述的结构，其中，所述应力释放缓冲层具有比所述基板的表面部分的热膨胀系数大并且比所述结合材料的热膨胀系数小的热膨胀系数。
9.根据权利要求1所述的结构，包括所述顶表面上的结合材料掩膜层。
10.根据权利要求1所述的结构，包括所述金属环的顶表面上的结合材料掩膜层，所述结合材料穿过所述掩膜层上的暴露所述金属层的顶表面的一部分的窗口，并且其中所述结合材料的一部分穿过所述窗口到达所述金属层的顶表面的暴露部分上。
11.根据权利要求2所述的结构，其中，所述应力释放缓冲层被设置在所述基板的表面部分上并且与其直接接触。
12.一种结构，包括：
基板；
应力释放缓冲层；
密封环，其被设置在应力释放缓冲层上并且围绕着所述基板的表面区域；
其中所述应力释放缓冲层具有在预定温度下比所述基板的表面部分的韧性高的韧性；
设置在密封环上的结合材料，所述结合材料具有内边缘和外边缘；并且
其中所述应力释放缓冲层侧向延伸超出所述结合材料的所述内边缘和外边缘中的至少一个。
13.根据权利要求12所述的结构，其中，所述环状应力释放层的热膨胀系数(CTE)在所述基板的表面部分的CTE和密封环上的结合材料的CTE之间。
14.一种封装，包括：
基板；
设置在基板上的器件；
围绕着所述器件设置在基板上的密封环；
设置在密封环上的结合材料；
设置在结合材料和基板之间的层；和
其中所述层侧向延伸超出所述结合材料的所述内边缘和外边缘中的至少一个
盖；并且
其中所述结合材料将所述基板结合到所述盖。
15.根据权利要求14所述的封装，其中，所述层的热膨胀系数(CTE)在所述基板的表面部分的CTE和密封环上的结合材料的CTE之间。
16.一种封装，包括：
基板；
所述封装的表面上的器件；
围绕着所述器件设置在所述基板的表面部分上的金属环；
盖；
设置在所述金属环的相反两端的结合材料；
其中所述金属环侧向延伸超出所述结合材料的所述内边缘和外边缘中的至少一个；并且
其中所述结合材料将所述盖结合到所述基板。
17.根据权利要求16所述的封装，其中，所述金属环的第一层包括设置在所述基板的表面部分上的应力释放缓冲层，所述第一层具有在预定温度下比所述表面部分的韧性高的韧性以及比所述结合材料的宽度大的宽度，所述应力释放缓冲层侧向延伸超出所述结合材料的所述内边缘和外边缘中的至少一个。
18.根据权利要求17所述的封装，其中，所述应力释放缓冲层具有比所述基板的表面部分的膨胀系数大并且比所述结合材料的膨胀系数小的热膨胀系数。
19.根据权利要求16所述的封装，其中，所述金属环的顶表面的区域包括禁止所述结合材料粘接到所述顶表面的材料，并且其中所述金属环的部分侧向延伸超出所述结合材料的所述内边缘和外边缘中的至少一个。
20.根据权利要求16所述的封装，包括所述金属环的顶表面上的结合材料掩膜层，所述结合材料穿过所述掩膜层上的暴露所述金属层的顶表面的一部分的窗口，并且其中所述结合材料的一部分穿过所述窗口到达所述金属层的顶表面的暴露部分上。
21.根据权利要求1所述的结构，其中，所述金属环的第一层包括设置在所述基板的表面部分上的应力释放缓冲层。
22.根据权利要求21所述的结构，其中，所述金属环的第一金属是钛。
23.根据权利要求21所述的结构，其中，所述金属环的第一金属是铜或铝。
24.根据权利要求22所述的结构，其中，所述基板的上表面是氮氧化硅。
25.根据权利要求22所述的结构，其中，所述基板包括硅。
26.根据权利要求23所述的结构，其中，所述基板的上表面是氮氧化硅。
27.根据权利要求23所述的结构，其中，所述基板包括硅。
28.根据权利要求1所述的结构，其中，所述金属环的第一层是厚度大于500埃的钛。