1.一种压力传感器的制备方法，其特征在于，包括：
提供一半导体基板，所述半导体基板中形成有互连结构和底部接触电极，所述半导体基板表面具有层间介质层，所述层间介质层覆盖所述互连结构的上层金属层，且所述底部接触电极暴露在所述层间介质层之外；
形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述底部接触电极及部分所述层间介质层；
形成压力感应层，所述压力感应层覆盖所述牺牲层及剩余的层间介质层，所述压力感应层包括顶壁、底壁和侧壁，所述顶壁位于所述牺牲层上，所述侧壁围绕在所述牺牲层的周围，所述底壁位于所述层间介质层上；
刻蚀所述底壁以及所述层间介质层，以暴露至少部分所述上层金属层，且暴露至少部分所述底壁；以及
形成连接结构，所述连接结构覆盖暴露的上层金属层以及暴露的压力感应层。
2.如权利要求1所述的压力传感器的制备方法，其特征在于，刻蚀所述底壁以及所述层间介质层的步骤包括：
在压力感应层上形成刻蚀停止层，使其暴露部分所述压力感应层的底壁；
刻蚀所述底壁以及所述层间介质层，暴露至少部分所述上层金属层。
3.如权利要求2所述的压力传感器的制备方法，其特征在于，形成所述连接结构的步骤包括：
沉积连接金属层，所述连接金属层覆盖暴露的所述上层金属层、暴露的所述压力感应层的底壁以及所述刻蚀停止层；
刻蚀所述连接金属层，去除所述刻蚀停止层上的所述连接金属层；
去除所述刻蚀停止层，形成所述连接结构。
4.如权利要求2所述的压力传感器的制备方法，其特征在于，所述刻蚀停止层的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种或其任意组合，采用化学气相沉积工艺形成所述刻蚀停止层，化学气相沉积工艺采用的温度为400℃～500℃。
5.如权利要求4所述的压力传感器的制备方法，其特征在于，所述刻蚀停止层的厚度为200nm～300nm。
6.如权利要求1所述的压力传感器的制备方法，其特征在于，所述连接结 构的材料为金属铝、钛、氮化钛中的一种或其任意组合，所述连接结构的形成温度低于所述压力感应层与所述连接结构之间形成合金的温度。
7.如权利要求6所述的压力传感器的制备方法，其特征在于，采用物理气相沉积工艺形成所述连接结构，物理气相沉积工艺采用的温度为250℃～300℃。
8.如权利要求1所述的压力传感器的制备方法，其特征在于，所述压力感应层的材料为锗化硅，采用等离子体增强化学气相沉积工艺形成锗化硅，等离子体增强化学气相沉积工艺的温度为400℃～450℃。
9.如权利要求1所述的压力传感器的制备方法，其特征在于，所述上层金属层的材料为金属铝、钛、氮化钛中的一种或者其任意组合。
10.如权利要求1所述的压力传感器的制备方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为非晶碳，采用等离子体增强化学气相沉积工艺形成所述牺牲层，等离子体增强化学气相沉积工艺采用的温度为400℃～500℃。