技术总结
本发明揭示一种压力传感器的制备方法，包括：提供半导体基板，半导体基板包括互连电路和底部接触电极，半导体基板表面具有覆盖互连结构的上层金属层的层间介质层；形成牺牲层，牺牲层覆盖底部接触电极及部分层间介质层；形成压力感应层，压力感应层覆盖牺牲层以及剩余的层间介质层；刻蚀压力感应层以及层间介质层，暴露至少部分上层金属层，且暴露至少部分压力感应层的底壁；形成连接结构，连接结构覆盖暴露的上层金属层以及暴露的压力感应层的底壁。本发明中，通过连接结构实现压力感应层与上层金属层之间的电性连接，并且，压力感应层与连接结构、上层金属层之间均不会形成合金，提高了压力传感器的阻值均匀性。
技术研发人员：刘孟彬;毛剑宏;杨天伦
受保护的技术使用者：上海丽恒光微电子科技有限公司
文档号码：201510770504
技术研发日：2015.11.12
技术公布日：2017.05.24