具有高CMOS集成的热电式红外探测器的制作方法

文档序号:16238552发布日期:2018-12-11 22:51阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
公开了一器件和形成该器件的方法。该器件包括衬底,该衬底具有设置在晶体管区域中的晶体管组件和设置在混合区域中下传感器腔膜上的微电子机械系统(MEMS)组件。MEMS组件用作热电式红外传感器,热电堆线结构,该热电堆线结构包括设置在反向掺杂的第一和第二线段的一部分上的吸收层。后段线(BEOL)电介质设置在具有多个层间介电(ILD)层的衬底上。该ILD层具有金属层和通孔层。ILD层包括金属线和用于互连器件组件的通孔触点。金属层中的金属线被配置成在下传感器腔上方限定BEOL或上传感器腔,BEOL电介质的第一金属层的金属线被配置为限定MEMS组件的几何形状。

技术研发人员:皮特·科普尼奇;伊凯·安德·奥贾克;保罗·西蒙·庞廷
受保护的技术使用者:迈瑞迪创新科技有限公司
技术研发日:2018.07.19
技术公布日:2018.12.11
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