二开口，露出所述介电层203。
[0085]具体地，如图2f所示，在所述蚀刻停止层205上形成图案化的掩膜层207，所述掩膜层中形成有所述第二开口的图案，然后以所述掩膜层掩膜蚀刻所述蚀刻停止层205和所述金属粘结层204。
[0086]可选地，在该步骤中，可以分为两个步骤，首先，以所述掩膜层为掩膜蚀刻所述蚀刻停止层205，以露出所述金属粘结层204 ;在该步骤中蚀刻所述蚀刻停止层205的气氛包括80-120sccm的CF4，所述蚀刻压力为3_5mtorr，源功率为30_50w，偏执功率为400-600W。
[0087]进一步，蚀刻所述蚀刻停止层205的气氛包括10sccm的CF4,所述蚀刻压力为4mtorr，源功率为40w，偏执功率为500W。
[0088]然后，第二步以所述掩膜层207和所述蚀刻停止层205为掩膜蚀刻金属粘结层204，以将图案转移至所述金属粘结层204，形成所述第二开口。
[0089]在该步骤中蚀刻所述金属粘结层204的气氛包括Cl2、HBr和02，其流量分别为100_150sccm、100_150sccm 和 3_5sccm ；
[0090]所述蚀刻压力为5-15mtorr，源功率为400_600w，偏执功率为50_70w。
[0091]进一步，蚀刻所述金属粘结层204的气氛包括Cl2、HBr和02，其流量分别为120ccm、120sccm 和 4sccm ；
[0092]所述蚀刻压力为lOmtorr，源功率为500w，偏执功率为60w。
[0093]最后去除所述掩膜层207，如图2g所示。
[0094]至此，完成了本发明实施例的半导体器件制备工艺的相关步骤的介绍。在上述步骤之后，还可以包括其他相关步骤，此处不再赘述。并且，除了上述步骤之外，本实施例的制备方法还可以在上述各个步骤之中或不同的步骤之间包括其他步骤，这些步骤均可以通过现有技术中的各种工艺来实现，此处不再赘述。
[0095]在本发明中为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种半导体器件的制备方法，所述方法中在形成金属粘结层之后，在所述金属粘结层之上形成一层蚀刻停止层作为所述金属粘结层的保护层，在后续的工艺中在全面蚀刻形成接触塞的过程中以所述蚀刻停止层作为蚀刻终点，避免了对所述金属粘结层的破坏，确保在后续工艺中能够顺利的实现图案化，以实现半导体器件的功能并提高器件的良率。
[0096]图3为本发明一【具体实施方式】中所述半导体器件的制备工艺流程图，具体包括以下步骤:
[0097]步骤S1:提供基底，在所述基底上依次形成有元器件、金属互联结构和介电层；
[0098]步骤S2:图案化所述介电层，以形成开口，露出所述金属互联结构；
[0099]步骤S3:沉积金属粘结层，以部分填充所述开口同时覆盖所述介电层；
[0100]步骤S4:在所述金属粘结层上形成蚀刻停止层，以覆盖所述金属粘结层；
[0101]步骤S5:沉积导电材料层，以填充所述开口并覆盖所述蚀刻停止层；
[0102]步骤S6:回蚀刻所述导电材料层至所述蚀刻停止层，以形成接触塞；
[0103]步骤S7:图案化所述蚀刻停止层和所述金属粘结层，以形成第二开口，露出部分所述介电层。
[0104]实施例2
[0105]本发明还提供了一种半导体器件，所述半导体器件选用实施例1所述的方法制备，所述半导体器件包括压力传感器。本发明所述方法在形成半导体器件中所述金属粘结层在蚀刻过程中不会受到损坏，其在后续的图案化过程中能够准确的实现图案的转移，提高了所述半导体器件的性能和良率。
[0106]实施例3
[0107]本发明还提供了一种电子装置，包括实施例2所述的半导体器件。其中，半导体器件为实施例2所述的半导体器件，或根据实施例1所述的制备方法得到的半导体器件。
[0108]本实施例的电子装置，可以是手机、平板电脑、笔记本电脑、上网本、游戏机、电视机、V⑶、DVD、导航仪、照相机、摄像机、录音笔、MP3、MP4、PSP等任何电子产品或设备，也可为任何包括所述半导体器件的中间产品。本发明实施例的电子装置，由于使用了上述的半导体器件，因而具有更好的性能。
[0109]本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。
【主权项】
1.一种半导体器件的制备方法，包括: 步骤S1:提供基底，在所述基底上依次形成有元器件、金属互联结构和介电层； 步骤S2:图案化所述介电层，以形成开口，露出所述金属互联结构； 步骤S3:沉积金属粘结层，以部分填充所述开口同时覆盖所述介电层； 步骤S4:在所述金属粘结层上形成蚀刻停止层，以覆盖所述金属粘结层； 步骤S5:沉积导电材料层，以填充所述开口并覆盖所述蚀刻停止层； 步骤S6:回蚀刻所述导电材料层至所述蚀刻停止层，以形成接触塞； 步骤S7:图案化所述蚀刻停止层和所述金属粘结层，以形成第二开口，露出部分所述介电层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S4中所述蚀刻停止层选用氧化物或氮化物。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氧化物的厚度为300-400埃； 所述氮化物的厚度为150-200埃。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S7包括: 步骤S71:在所述蚀刻停止层上形成图案化的掩膜层，所述掩膜层中形成有所述第二开口的图案； 步骤S72:以所述掩膜层为掩膜蚀刻所述蚀刻停止层，以露出所述金属粘结层； 步骤S73:以所述掩膜层和所述蚀刻停止层为掩膜蚀刻所述金属粘结层，以将图案转移至所述金属粘结层中，形成所述第二开口。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述步骤S72中蚀刻所述蚀刻停止层的气氛包括80-120sccm的CF4，所述蚀刻压力为3_5mtorr，源功率为30_50w，偏执功率为400-600ffo6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述步骤S73中蚀刻所述金属粘结层的气氛包括 Cl2、HBr 和 O2，其流量分别为 100-150sccm、100-150sccm 和 3_5sccm ； 所述蚀刻压力为5-15mtorr，源功率为400_600w，偏执功率为50_70w。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S6中选用全面蚀刻的方法蚀刻所述导电材料层。8.根据权利要求1或7所述的方法，其特征在于，在所述步骤S6中蚀刻所述导电材料层的气氛包括Cl2、HBr和O2，其流量分别为100-150sccm、100-150sccm和3_5sccm ； 所述蚀刻压力为5-15mtorr，源功率为400_600w，偏执功率为50_70w。9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属粘结层选用Ti； 所述导电材料层包括SiGe。10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤SI中所述元器件包括CMOS器件以及形成压力传感器的结构单元。11.一种基于权利要求1至10之一所述的方法制备得到的半导体器件。12.一种电子装置，包括权利要求11所述的半导体器件。
【专利摘要】本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置，所述方法包括步骤S1：提供基底，在所述基底上依次形成有元器件、金属互联结构和介电层；步骤S2：图案化所述介电层，以形成开口，露出所述金属互联结构；步骤S3：沉积金属粘结层，以部分填充所述开口同时覆盖所述介电层；步骤S4：在所述金属粘结层上形成蚀刻停止层，以覆盖所述金属粘结层；步骤S5：沉积导电材料层，以填充所述开口并覆盖所述蚀刻停止层；步骤S6：回蚀刻所述导电材料层至所述蚀刻停止层，以形成接触塞；步骤S7：图案化所述蚀刻停止层和所述金属粘结层，以形成第二开口，露出部分所述介电层。本发明避免了对所述金属粘结层的破坏，确保在后续工艺中能够顺利的实现图案化。
【IPC分类】B81C1/00, B81B7/02
【公开号】CN105084300
【申请号】CN201410205470
【发明人】伏广才, 李华乐, 刘庆鹏
【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2014年5月15日