专利名称：包括用于均衡在生产线两端处的磁场的装置的用于生产铝的电解池组的制作方法
技术领域：
本发明涉及根据公知的Hall-Heroult法通过熔池电解即通过将溶解在熔融冰晶石浴槽也被称为电解槽中的氧化铝电解来生产铝。本发明尤其涉及使横向布置的矩形电解池组的磁场均衡。
背景技术：
用于熔融浴槽电解来生产铝的工厂包含有大量电解池，通常几百个，它们成排布置并且使用连接导体串联连接，以便形成通过连接导体电连接在一起的两条或多条平行线。形状为矩形的这些电解池可以纵向取向(即，其主轴与主生产线轴线平行)，或者横向取向(即其主轴线与主生产线轴线垂直)。
已经提出了大量电解池和连接导体布置，以便首先限制焦耳效应损失，并且第二降低由连接导体和相邻电解池所产生出的磁场对电解过程的影响。例如，由Aluminium Pechiney所拥有的法国专利申请FR2552782(对应于美国专利No.4592821)披露了横向布置的一排电解池，它们在工业上以大约300KA的电流强度下操作。根据该专利，通过连接导体尤其是在熔锅下面通过的那些导体的结构来确保磁性电解池稳定性。也由Aluminium Pechiney所拥有的法国专利申请FR2583069(对应于美国专利No.4713161)披露了横向布置的一排电解池，它们能够在大约500至600KA的电流强度下工作。根据该专利，由于使用尽可能小而直接的连接导体所以减小了电路结构和安装成本，同时通过使用与每排平行地布置并且位于其任一侧上的单独校正导体来增大磁性稳定性和Faraday产量。
电解池的排状布置其优点在于简化了连接导体的结构并且使得磁场图均匀。但是，在这些排之间的连接导体的存在妨碍了每排的端部电解槽的磁场的均匀性。
美国专利Nos.3775280和4189368提出了连接导体布置。但是，这些专利涉及纵向布置的电解池组，它沿着这些排没有包括任何校正导体。另外，这种电解池的电流强度通常不会超过100KA。
欧洲专利申请EP0342033和中国专利申请CN2477650披露了适用于横向布置的电解池组的连接导体布置，它沿着这些排没有包括任何校正导体。通过沿着端部电解池并且在其附近产生出电流的连接导体的布置来补偿干扰磁场。这些文献涉及配备有设计用于大约300KA的电流强度的熔锅的电解池组。
因此，申请人研究出在经济上和技术上令人满意的解决方案，用于均衡由长方形电解池形成的电解池组的磁场，该电解池沿着这些排的内侧配备有校正导体并且设计用于大于300KA的电流强度。
发明内容
本发明涉及用于根据HallHeroult法通过熔池电解来生产铝的电解池组，它包括至少两排电解池，它们为直线的并且相互平行，其中这些电解池横向布置，并且在这些电解池之间具有恒定的中心距Eo；所谓的“内部”校正电路，它对于每一排包括沿着该排在其面对着相邻排的一侧设置的至少一个内部校正导体；所谓的“外部”校正电路，它对于每一排包括沿着该排在其与相邻排相反的一侧设置的至少一个外部校正导体；所谓的“主”连接电路，它位于一排的端部电解池和另一排的相应端部电解池之间，并且其特征在于，对于至少一排主连接电路包括一层导体，其中每个导体从该排的端部电解池延伸至离其主轴线C预定距离处(D2和/或D2′)，所述距离(D2和/或D2′)优选至少等于中心距Eo，
内部校正电路包括被称为“横向段”的基本上直线的导体，它相对于这排的纵向轴线垂直布置并且位于离这排的端部电解池预定距离(D1和/或D1′)处，并且它在该电解池的长度Lo的预定部分L上沿着所述端部电解池延伸。
申请人指出的是，在没有磁场均衡装置的情况中，这排端部电解池尤其受到平均附加垂直磁场ΔBz影响。本发明因此打算将该附加垂直磁场ΔBz保持在围绕着接近零的最小值和最大值限定的范围内。
申请人还观察到，一排的端部电解池的磁场图的扰动不仅是由于在这些排之间的连接导体，而且还由于在这些排的端部处的连续性和对称性的中断。
申请人还想到为该电解池组配备一层导体，它能够模拟在端部电解池之外的电解池的存在。本申请人还想到在电解池排的端部处引入所述横向段，以便补偿由在这些排之间的连接导体产生出的磁场。这些装置的组合使之能够均衡在位于一排(通常大约第一10个电解池)的连接端部处的电解池熔锅处的磁场，即校正由连接导体产生出的令人不满意的磁场图。该组合尤其使之能够限制基本上在这些电解槽中的垂直磁场Bz。另外，在内部校正电路中使用横向段由于提供了附加可调节参数所以能够更精确地进行校正调节。
下面将使用这些附图对本发明进行详细说明。
图1以简化的方式并且在剖视图中显示出在电解池排中的两个典型连续电解池。
图2示意性地显示出根据本发明的电解池组，它们包括两排以及一内部校正电路。
图3显示出与图2对应的电解池排端部。
图4示意性地显示出根据本发明的电解池组，它们包括两排、一内部校正电路以及一外部校正电路。
图5显示出与图4对应的电解池排端部。
具体实施例方式
本发明涉及电解池组1，如图1所示，它包括多个形状基本上为矩形的电解池101、102、…、101′、102′。它们布置成形成至少两排平行基本上为直线的电解池排F、F′，每排具有一纵向轴线A、A′。
在这些附图中，电解池由从电解池排端部电解池开始增大的参考标号表示。这样，每排的端部电解池(或“第一”电解池)由参考标号101和101′表示，“第二”电解池由参考标号102和102′表示，“第三”电解池由参考标号103和103′表示，等等。
这些电解池101、102、…、101′、102′、…横向布置(即，从而其“主轴线”C与所述排的主轴线A、A′垂直)并且彼此间距相同，因此在每排的相邻电解池的主轴线C之间限定了恒定的中心距Eo。中心距Eo通常为5-8米。电解池101、102、…、101′、102′…的主轴线限定为与其长边18a、18b平行的对称轴线。每个电解池101、102、…、101′、102′…具有长度Lo，并且短边19e、19i具有宽度Ro。该长度Lo明显大于宽度Ro。根据本发明的电解池组其长度Lo通常大于宽度Ro的三倍。
这些排F、F′分开距离Do，其数值取决于计及电解池组的电流强度Io和导体电路结构的技术选择。该距离Do通常为40至100m。
如图1所示，电解池组1的每个电解池101、102、…、101′、102′…包括一熔锅3和阳极4，这些阳极由通常包括一杆部5和一多承窝(multipod)6的安装装置支撑并且使用连接装置8与阳极框架7机械和电连接。熔锅3包括通常由加强件加强的金属外壳和由耐火材料以及布置在外壳内部的阴极元件形成的坩锅。外壳通常包括垂直横壁。在操作中，通常由含碳材料制成的阳极4部分浸没在包含在熔锅中的电解槽(未示出)中。熔锅3包括通常由钢制成的配备有阴极棒10的阴极组件9，其中一个端部11从熔锅3中露出来以能够与在电解池之间的连接导体12、…17电连接。
连接导体12、…17与所述电解池101、102、…、101′、102′…连接，以形成电串联，该电串联形成电解池组的主电路100。连接导体通常包括在连接导体13和升起部分14、15上游的柔性导体12、16、17。图2显示出包括5个升起部分的连接电路的情况(如在法国专利申请FR2552782中一样)。图4显示出包括8个升起部分的连接电路的情况(如在法国专利申请FR2583069中一样)。上游连接导体可以完全或部分在熔锅下面通过和/或绕过它。
根据本发明的电解池组还包括至少一个独立于这组电解池的并且沿着这些电解池的所谓“内”侧即位于相邻一排侧的那一侧延伸的电校正电路。在图2和3中所示的实施方案中，电解池组1包括被称为“内部电路”的单个电校正电路200。在图4和5中所示的实施方案中，该电解池组1包括与该电解池组相独立的两个电校正电路，即被称为“内部电路”的第一校正电路和被称为“外部电路”300的第二校正电路。
内部校正电路200包括至少一个导体20、20′，它们被称为“内部校正导体”并且沿着每一排在其面对着相邻那排电解池的一侧设置。该导体通常基本上为直线的并且与每一排的纵向轴线A、A′平行。该电路还包括至少一个内部连接导体21，用来确保在每一排的内部校正导体20、20′之间的电连续性。位于内校正导体20、20′一侧的电解池的短边被称为内侧19i。
同样，外部校正电路300包括至少一个导体30、30′，它们被称为“外部校正导体”并且沿着每一排在与相邻那排电解池相反的一侧设置。该导体通常基本上为直线的并且与每一排的纵向轴线平行。该电路还包括至少一个外部连接导体31，用来确保在每一排的外部校正导体30、30′之间的电连续性。位于外校正导体30、30′一侧的电解池的短边被称为内侧19e。
在操作中，强度为Io的电解电流在电解池组1中流动，强度为Ii的校正电流在内部校正电路200中流动。如果该电路还包括外部校正电路，则强度为Ii的第一校正电流在内部校正电路200中流动，并且强度Ie的第二校正电流在外部校正电路300中流动。这些电流的方向通常为由在图2和4中的相应箭头所示的方向。
这样，根据本发明，用来通过根据Hall-Heroult法进行熔池电解来生产铝的电解池组1包括多个电解池101、102、…、101′、102′…，它们被布置以形成电解池的至少一个第一排F和一个第二排F′，它们为超级一的并且相互平行，所述电解池101、102、…、101′、102′…与每排的一纵向轴线A、A′横断地布置并且在这些电解池之间具有恒定中心距Eo，每个电解池101、102、…、101′、102′…具有长度Lo；在每排电解池之间的连接导体12，…17；所谓的“内部”校正电路，它包括沿着第一排在其面对着第二排的一侧设置的至少一个第一内部校正导体20、沿着第二排在其面对着第一排的一侧设置的一个第二内部校正导体20′以及至少一个所谓的“内部”连接导体21；所谓的“主”连接电路400，它位于第一排的端部电解池101和第二排的端部电解池101′之间，并且其特征在于，对于所述至少一排主连接电路400包括至少一层导体40、40′，其中每个导体401、401′与这排电解池的端部电解池101、101′连接并且从其延伸至预定距离D2、D2′，内部校正电路200还包括至少一个被称为“横向段”的矩形导体23，23′，它与内部校正导体20、20′连接，相对于这排电解池的纵向轴线A、A′垂直布置并且在端部电解池的长度Lo的预定部分L上预定的距离D1、D1′沿着那排电解池的端部电解池101、101′延伸。
如图3和5所示，使用从电解池的短内边19i延伸的假想线计算出预定部分或“一部分”L。预定部分L优选大于0.5Lo，并且更优选大于0.8Lo。所述或每个横向段23、23′优选沿着端部电解池的整个长度Lo延伸(在该情况中L等于Lo)。
距离D1和D1′与距离D2和D2′对于每排可以不同。
包括根据本发明的磁场均衡装置的那排电解池认为要被“补偿”。优选的是，根据本发明这组电解池的每一排根据本发明补偿，即每一排包括至少一层导体40、40′，并且内部校正电路200包括至少一个横向段23、23′。
所述第一20和第二20′内部校正导体优选为直线的并且与这些排的纵向轴线A、A′平行。它们通常位于离电解池的外侧预定预定距离Di处(即，通常位于离熔锅外壳的金属壁的垂直表面预定距离Di处)。预定距离Di的数值通常小于1米。校正导体20、20′通常位于熔锅3的高度处。
确保在两排电解池之间的电连续性的主连接电路400通常包括至少一个所谓的“横向”连接导体43，它优选相对于这些排的纵向轴线A、A′垂直布置并且布置在离这些排的端部电解池101、101′预定距离D3处。
那层或每层导体40、40′位于连接电路400侧，并且优选覆盖这些电解池101、102、…、101′、102′…的长度Lo的至少80％并且更优选至少为其90％。所述或每一层40、40′优选为平面。所述或每一层40、40′的导体401，401′优选均匀地分布(即，以便平行并且彼此间隔相同的距离)，通常与升起部分14、15的那些类似。层40、40′的单独导体401、401′通常通过与来自电解池的近长边18a和/或远长边18b的导体13连接的纵向连接导体12a、12b与端部电解池101、101′连接。几个连接导体11、12、13可以与该层的相同单独导体401、401′连接。
主连接电路400优选包括至少一个与层40、40′的导体401、401′连接的联接导体41、41′。为了简化连接电路的实施方案，所述或每个联接导体41、41′优选为直线的、相对于这些电解池排的纵向轴线A、A′垂直布置并且位于所述预定距离D2和/或D2′处。联接导体41、41′的长度优选基本上等于层40、40′的宽度W。
优选的是，主连接电路400还包括一方面与联接导体41、41′连接并且另一方面与横向连接导体43连接的连接导体42、42′，以便确保在这些导体之间的电连续性。连接导体42、42′优选为纵向的，即直线的并且与这排电解池的纵向轴线A、A′平行，并且位于所述轴线的预定距离处。连接导体42、42′与在每一排的轴线的联接导体41、41′的中心连接，以便确保该电路的电均衡并且保持主连接电路相对于这排电解池的纵向轴线A、A′的对称性。该连接可以相对于纵向轴线A、A′朝着这些电解池排的内侧或外侧设置，以便形成附加的补偿不对称性。
内部连接导体21优选包括所谓的“横向”导体，它相对于这些电解池排A、A′的纵向轴线垂直布置并且位于离这些排的端部电解池101、101′预定距离D4处。在该结构中，内部连接电路200还包括中间连接导体22、22′、24、24′，它们包括内部中间导体22、22′以及外部中间导体24、24′。内部中间导体22、22′优选从相应的内部连接导体20、20′延伸出并且优选至少延伸至所述或每个预定距离D1和/或D1′。该实施方案使之能够延伸该电解池排的特定导体的对称性并且因此限制了由在该电解池组在这排电解池端部处的连续性中断而引起的磁场扰动。
根据本发明的电解池组必要时还包括所谓的“外部”校正电路300，它包括至少一个沿着第一排在与第二排相反的一侧延伸的第一外部校正导体30、一个沿着第二排在其与第一排相反的一侧设置的第二外部校正导体30′以及一个所谓的“外部”连接导体31。第一30和第二30′外部校正导体优选为直线的并且相对于这些电解池排的纵向轴线A、A′平行。它们通常位于离这些电解池的外侧预定距离De处。该预定距离De的数值通常小于1米。校正导体30、30′通常位于熔锅3的高度处。
外部连接导体31优选包括所谓的“横向”导体，它相对于这些电解池排A、A′的纵向轴线垂直布置并且布置在离这些排的端部电解池101、101′预定距离D5处。在该结构中，外部校正电路30对于每一排还包括至少一个外部中间连接导体32、32′。这些中间导体32、32′优选从相应的外部校正导体30、30′延伸出。它们延伸至预定距离D5，它优选至少等于所述或每个预定距离D1和/或D1′。该实施方案使之能够延伸该电解池排的特定导体的对称性并且因此限制了由在该电解池组在这排电解池端部处的连续性中断而引起的磁场扰动。
内部校正电路200的外部中间导体24、24′通常与外部校正电路300的中间导体32、32′平行。这些导体可以分开非常小的距离E，该距离可以小于1米。
横向连接导体21、31、43优选为直线的以便简化其设计并且限制其成本。
这些距离D1至D5相对于位于这些连接导体侧面的端部电解池101、101′的纵向轴线或“主轴线”C确定。
这些距离D3、D4和D5优选尽可能大。已经发现这些距离的数值大于或等于预定阈值S3、S4、S5就足够了。实际上，对于大于这些阈值的距离值而言，根据本发明的电路使之能够补偿由在电解池排之间的连接导体21、31、43引起的附加磁场冲击。这些阈值S3、S4和S5的数值取决于电解电流Io的强度、校正电流Ii和Ie的强度以及看起来可接受的总附加磁场ΔBz的数值。这些距离D3、D4和D5通常大于或等于横向段23、23′的距离D1、D1′的5倍。
这些距离D3、D4和D4优选具有相同数量级的大小，即在它们之间的差异非常小(即，通常相差小于20％，或者甚至相差小于10％)，以便简化这些电路的实施方案。在该情况中，申请人发现这些阈值S3、S4和S5的数值由近似等式S3＝S4＝S5≌K×Io×(ΔBz/Bo)α给出，其中K为一常数，α为在-1至-0.2之间的常数，ΔBz以高斯为单位给出，并且Bo＝1G。
横向段23、23′的预定距离D1、D1′被选择以补偿由在电解池排之间的连接导体21、31、43引起的附加电场冲击。更具体地说，这些确定的距离D1、D1′优选是这样的，以使得由所有导体加在与无端电解池排上的特定磁场上的附加磁场在一排的端部电解池尤其是端部电解池101、101′处局限在最大值+ΔBz和-ΔBz之间。
通常为联接导体41、41 ′的距离的确定距离D2、D2′优选至少等于中心距Eo，更优选至少等于中心距Eo的两倍。
这些确定距离D1和D1′或D2和D2′的数值对于每条经过补偿的电解池排而言通常基本上相同。
实施例1申请人进行了这样的计算，该计算模拟了由间隔大约50m的距离Do的两个平行排形成的具有200个电解池的电解池组。这些电路具有与在图2和3中的结构类似的结构。纵向连接导体42、42′与相应联接导体41、41′的中心连接。这些电解池的长度为15m。横向段23、23′覆盖着最后电解池的整个长度(即，部分长度L等于1)。在这些电解池之间的中心距为6m。该电路包括5个彼此分开2.7米的升起部分。那层导体40、40′包括间隔为2.7米的5个导体。
电流强度如下Io＝350kA并且Ii＝30kA。
申请人发现K≌0.13m/kA，并且α≌-0.44。
还要指出的是，使用以下参数，对于等于24m的距离D3、D4和D5、等于3.5m的距离D1和D1′以及至少等于6m的距离D2和D2′，可以使在每一排的端部电解池中心处的附加垂直磁场强度ΔBz小于5高斯。
实施例2申请人进行了这样的计算，该计算模拟了由间隔大约85m的距离Do的两个平行排形成的具有200个电解池的电解池组。这些电路具有与在图4和5中的结构类似的结构。纵向连接导体42、42′与相应联接导体41、41′的中心连接。这些电解池的长度为18m。横向段23、23′覆盖着最后电解池的整个长度(即，部分长度L等于1)。在这些电解池之间的中心距为6m。该电路包括8个彼此分开2米的升起部分。那层导体40、40′包括间隔为2米的8个导体。
电流强度如下Io＝480kA，Ii＝180kA并且Ie＝105kA。
要指出的是，在没有磁场均衡装置的情况下，在每一排的第一端部电解池上的平均附加磁场±ΔBz其绝对值为5至14高斯。
申请人发现K≌0.17m/kA，并且α≌-0.58。
还要指出的是，使用以下参数，对于等于32m的距离D3、D4和D5、等于6m的距离D1和D1′以及至少等于6m的距离D2和D2′，可以使在每一排的端部电解池中心处的附加垂直磁场强度ΔBz小于5高斯。
本申请人观察到该层充分模拟了在这些电解池排端部之后缺少的电解池的存在，从而这些端部电解池不会出现过度扰动。
权利要求
1.一种电解池组(1)，用于通过根据Hall-Heroult法进行熔池电解来生产铝，它包括多个电解池(101、102、...、101′、102′...)，它们被布置形成至少一个第一电解池排和一个第二电解池排，它们为直线的并且相互平行，所述电解池(101、102、...、101′、102′...)与每排的纵向轴线A、A′横断布置并且在这些电解池之间具有恒定中心距Eo，每个电解池(101、102、...、101′、102′...)具有长度Lo；在每排电解池之间的连接导体(12、...17)；所谓的“内部”校正电路(200)，它包括沿着第一排在其面对着第二排的一侧设置的至少一个第一内部校正导体(20)、沿着第二排在其面对着第一排的一侧设置的一个第二内部校正导体(20′)以及至少一个所谓的“内部”连接导体(21)；所谓的“主”连接电路(400)，它位于第一排的端部电解池(101)和第二排的端部电解池(101′)之间，并且其特征在于，对于所述至少一排主连接电路(400)包括至少一层导体(40、40′)，其中每个导体(401、401′)与这排电解池的端部电解池(101、101′)连接并且从其延伸至预定距离(D2、D2′)，内部校正电路(200)还包括至少一个被称为“横向段”的直线的导体(23，23′)，它与内部校正导体(20、20′)连接，相对于这排电解池的纵向轴线A、A′垂直布置并且在端部电解池的长度Lo的确定部分L上方确定的距离(D1、D1′)沿着那排电解池的端部电解池(101、101′)延伸。
2.如权利要求1所述的电解池组，其特征在于，所述确定部分L大于0.5Lo。
3.如权利要求1所述的电解池组(1)，其特征在于，所述确定部分L大于0.8Lo。
4.如权利要求1至3中任一项所述的电解池组(1)，其特征在于，所述或每个距离(D2、D2′)至少等于中心距Eo。
5.如权利要求1至3中任一项所述的电解池组(1)，其特征在于，每个距离(D2、D2′)至少等于中心距Eo的两倍。
6.如权利要求1至5中任一项所述的电解池组(1)，其特征在于，所述或每层导体(40，40′)覆盖了所述电解池(101、102、...、101′、102′...)的长度Lo的至少80％。
7.如权利要求1至6中任一项所述的电解池组(1)，其特征在于，所述或每一层(40、40′)为平面。
8.如权利要求1至7中任一项所述的电解池组(1)，其特征在于，所述或每一层(40、40′)的导体(401，401′)按照相互平行并且彼此间隔相同的距离的方式被分布。
9.如权利要求1至8中任一项所述的电解池组(1)，其特征在于，所述主连接电路(400)包括至少一个与所述或每个层(40、40′)的导体(401、401′)连接的联接导体(41、41′)。
10.如权利要求9所述的电解池组(1)，其特征在于，所述联接导体(41、41′)为直线的，相对于这些电解池排的纵向轴线A、A′垂直布置并且位于所述预定距离(D2，D2′)处。
11.如权利要求9或10所述的电解池组(1)，其特征在于，所述联接导体(41、41′)的长度基本上等于所述或每个层(40、40′)的宽度W。
12.如权利要求1至11中任一项所述的电解池组(1)，其特征在于，所述主连接电路(400)包括所谓的“横向”导体(43)，它相对于这些电解池排的纵向轴线A、A′垂直布置并且位于离这些排的端部电解池(101，101′)确定距离(D3)处。
13.如权利要求12所述的电解池组(1)，其特征在于，所述主连接电路(400)包括至少一个与层(40、40′)的导体(401、401′)连接的联接导体(41、41′)，并且所述联接导体(41、41′)为直线的，相对于这些电解池排的纵向轴线A、A′垂直布置并且位于所述确定距离(D2，D2′)处。
14.如权利要求13所述的电解池组(1)，其特征在于，所述主连接电路(400)还包括一方面与联接导体(41、41′)连接并且另一方面与横向连接导体(43)连接的连接导体(42、42′)，以确保在这些导体之间的电连续性，并且连接导体(42、42′)为直线的，与这排电解池的纵向轴线A、A′平行，并且位于所述轴线的确定距离处。
15.如权利要求1至14中任一项所述的电解池组(1)，其特征在于，所述内部连接导体(21)包括所谓的“横向”导体，它相对于这些电解池排的纵向轴线A、A′垂直布置并且位于离这些排的端部电解池(101、101′)预定距离(D4)处。
16.如权利要求1至15中任一项所述的电解池组(1)，其特征在于，它还包括所谓的“外部”校正电路(300)，它包括至少一个沿着第一排在与第二排相反的一侧延伸的第一外部校正导体(30)、一个沿着第二排在与第一排相反的一侧设置的第二外部校正导体(30′)以及一个所谓的“外部”连接导体(31)。
17.如权利要求16所述的电解池组，其特征在于，所述外部连接导体(31)包括所谓的“横向”导体，它相对于这些电解池排的纵向轴线A、A′垂直布置并且布置在离这些排的端部电解池(101、101′)确定距离(D5)处。
全文摘要
本发明涉及一种电解池组(1)，用来通过熔池电解来生产铝，它包括至少两排横向布置的电解池；内部校正电路(200)，它在每排在相邻排附近具有至少一个内部校正导体(20，20′)；以及位于这些排的最后电解池(101，101′)之间的主连接电路(400)。在至少一排中，主连接电路(400)包括一层导体，每个导体从那排电解池的最后电解池的端部延伸至离它确定距离(D1，D1′)处，并且内部校正电路(200)包括一部分横向导体，它布置在离沿着最后电解池延伸其长度Lo的给定部分L的最后电解池(101，101′)给定距离(D，D1′)处。对于其数值大于300kA的电解电流而言，本发明使得平均补充垂直磁场能够降低到非常低的数值。
文档编号C25C3/16GK1938455SQ200580010151
公开日2007年3月28日 申请日期2005年3月30日 优先权日2004年4月2日
发明者摩根·拉赫维特, 尼古拉斯·利戈内什 申请人:皮奇尼铝公司