等离子体处理容器的阳极氧化处理方法

专利名称：等离子体处理容器的阳极氧化处理方法
技术领域：
本发明涉及相对于对例如平板显示器(FPD)用的玻璃基板等被处 理体进行等离子体处理时使用的等离子体处理容器进行阳极氧化处理 (防蚀铝处理alumite)的等离子体处理容器的阳极氧化处理方法。
背景技术：
在以液晶显示器(LCD)为代表的FPD的制造过程中，在真空下 对玻璃基板等被处理体实施蚀刻、成膜等各种处理。为了利用等离子 体进行上述处理，使用具有能够抽真空的处理容器的等离子体处理装 置。作为等离子体处理容器的材料，通常使用铝。
在进行等离子体处理时，存在由于等离子体、腐蚀性气体的作用 导致主要是等离子体处理容器的内表面受到损伤的可能性。因此，对 铝制的等离子体处理容器的表面实施阳极氧化处理，提高耐腐蚀性。 阳极氧化处理通常通过将接受处理的部件浸渍在包含硫酸、草酸的电 解液中而进行。
但是，近年来，越来越要求FPD用的基板的大型化，与此相对应， 等离子体处理容器也存在大型化的倾向。于是，为了对大型的等离子 体处理容器实施阳极氧化处理，需要准备更大型的电解液槽。最近， 以一边超过2m的巨大的基板作为处理对象的等离子体处理容器也被 制造出来，现有的浸渍方式的阳极氧化处理逐渐到达极限。
作为对大型的处理对象进行阳极氧化处理的技术，例如在专利文 献1中提案有以下方法，沿着将要进行阳极氧化处理的筒状体(插入 内燃机的气缸体(cylinderblock)的套筒(sleeve))的内面插入棒状的 电极，将筒状体作为阳极，将棒状的电极作为阴极，向筒状体的内部 流入电解液，进行阳极氧化处理。
专利文献l:日本特开2000-26999号(图2等)
在上述专利文献1的技术中，因为在作为阳极氧化处理的处理对
5象的筒状体的内部使电解液循环，所以不需要将整个筒状体浸渍在电解液中。因此，能够不使用大型的电解液槽地对大型的筒状体的内表面进行阳极氧化处理。
但是，专利文献1的处理对象是安装在气缸体上的纵长的筒状体的内表面，根据其形状，是比较容易在内部充满电解液并使其循环的结构。另一方面，对FPD用基板进行等离子体处理的等离子体处理容器为上部开口的箱形，在侧壁和底壁上形成有基板的搬入搬出口、观察用的窗口、和用于排气、供电的开口部。因为电解液含有硫酸等有害成分，所以为了将等离子体处理容器本身作为电解液槽进行阳极氧化处理，必须使得电解液不漏出到外部，并在等离子体处理容器内部使电解液循环，从而实施阳极氧化处理。因此，必须可靠地密封上述开口部。
但是，等离子体处理通常在令等离子体处理容器内部为真空状态后进行。因此，在等离子体处理容器的外壁面的上述开口部的周围设置O形环等密封部件，从而维持处理容器内的气密性。在等离子体处理中，等离子体、腐蚀性气体可能通过上述开口部进入外壁面的该密封部件的配置位置。从而，在对等离子体处理容器实施阳极氧化处理的情况下，不仅需要在该容器的内壁面上，而且在上述开口部的周围也需要形成直至外侧(外壁面)的氧化覆膜。
如上所述，为了安全地进行阳极氧化处理，需要可靠地密封开口部，但是为了在开口部的周围的外壁面上也形成氧化覆膜，必须使该部位也浸渍在电解液中。因为难以同时满足这两个必要性，所以没有以等离子体处理容器本身作为电解液槽进行阳极氧化处理。

发明内容
本发明是鉴于上述问题而完成的，其第一目的是对大型且具有开口部的等离子体处理容器安全且可靠地进行阳极氧化处理，其第二目的是在等离子体处理容器的贯通开口部的周围的外壁面上，也与等离子体处理容器的内壁面同样地进行阳极氧化处理。
本发明的等离子体处理容器的阳极氧化处理方法是对呈上部开口的箱形且在壁面上具有贯通开口部的等离子体处理容器的表面进行阳极氧化处理的等离子体处理容器的阳极氧化处理方法，其特征在于
在上述等离子体处理容器的上述贯通开口部安装有盖部件的状态 下，向上述等离子体处理容器内填充电解液，
在上述等离子体处理容器的内部配置作为阴极的电极，并将上述 等离子体处理容器作为阳极，从而进行阳极氧化处理。
在本发明的等离子体处理容器的阳极氧化处理方法中，也可以采 用以下方式，在上述贯通开口部的周围的壁面上，设置有为了将上述 等离子体处理容器的内部维持为真空状态而配置的第一密封部件的配 置预定部位，在将该配置预定部位浸在上述电解液中的状态下进行阳 极氧化处理。在此情况下，也可以以包围至少一个上述贯通开口部的 方式，使用于防止上述电解液的泄漏的第二密封部件与上述等离子体 处理容器的外壁面抵接，隔着该第二密封部件将上述盖部件安装在上 述等离子体处理容器的外侧。进一步，也可以采用以下方式，上述第 一密封部件的配置预定部位设置在上述贯通开口部的周围的外壁面 上，以上述第二密封部件包围上述第一密封部件的配置预定部位的周 围的方式安装上述盖部件。
此外，在本发明的等离子体处理容器的阳极氧化处理方法中，也 可以以包围至少一个上述贯通开口部的方式，使用于防止上述电解液 的泄漏的第二密封部件与上述等离子体处理容器的内壁面抵接，隔着 该第二密封部件将上述盖部件安装在上述等离子体处理容器的内部。 在此情况下，也可以使上述第二密封部件抵接在上述贯通开口部与上 述第一密封部件的配置预定部位之间。
此外，本发明的等离子体处理容器的阳极氧化处理方法也可以是， 通过在至少一个上述贯通开口部从外侧安装上述盖部件，在上述等离 子体处理容器的外部形成与内部连通的电解液流入部，通过使上述电 解液流入该电解液流入部，在将上述等离子体处理容器的上述贯通开 口部的周围的外壁面浸在上述电解液中的状态下进行阳极氧化处理。 在此情况下，上述盖部件也可以为截面为〕字形的结构。
此外，在本发明的等离子体处理容器的阳极氧化处理方法中，也 可以以包围上述等离子体处理容器的上部的上述开口的方式在上述等 离子体处理容器的上端部设置辅助壁，并填充上述电解液直至上述电解液的水位到达该辅助壁，从而进行阳极氧化处理。
在此情况下，在上述等离子体处理容器的上端部设置有为了将上 述等离子体处理容器的内部维持为真空状态而配置的第三密封部件的 配置预定部位，上述辅助壁也可以以包围上述第三密封部件的配置预 定部位的方式配置在外侧。
此外，在本发明的等离子体处理容器的阳极氧化处理方法中，上 述电极也可以由多个平板状的电极形成，将该平板状的电极以相对于 上述等离子体处理容器的侧壁和底壁的内表面分别平行的方式配置。 在此情况下，也可以配置从上述等离子体处理容器的贯通开口部插入 上述电解液流入部的辅助电极作为阴极，从而进行阳极氧化处理。进 一步，上述辅助电极也可以具有与上述等离子体处理容器的外壁面平 行地形成的相对部。
在本发明的等离子体处理容器的阳极氧化处理方法中，采用以下 结构，即，在等离子体处理容器的贯通开口部安装有盖部件的状态下， 向等离子体处理容器内填充电解液，进行阳极氧化处理。因此，不需 要使用电解液槽，并且能够在可靠地防止从贯通开口部的电解液的泄 漏的同时实施阳极氧化处理。从而，能够达到相对于大型的等离子体 处理容器也能够安全且容易地进行阳极氧化处理的效果。并且，与使 用电解液槽的情况相比，能够达到大幅节减使用的电解液的量和与电 解液槽相关的设备费用的效果。
此外，在本发明的等离子体处理容器的阳极氧化处理方法中，因 为能够在将上述贯通开口部的周围的外壁面浸在电解液中的状态下进 行阳极氧化处理，所以能够达到以下效果在进行等离子体处理时， 对于等离子体、腐蚀性气体容易通过各贯通开口部进入的外壁部分也 能够实施阳极氧化处理。


图1是表示等离子体蚀刻装置的概略结构的截面图。
图2是对本发明的第一实施方式的阳极氧化处理方法进行说明的图。
图3是表示侧壁上的盖部件和辅助壁的安装示例的主要部位截面图。
图4是放大表示窗口用开口的周围的图。
图5是对本发明的第二实施方式的阳极氧化处理方法中的辅助电 极的配置例进行说明的图。
图6是用于对第一实施方式的阳极氧化处理方法的变形例进行说
明的图。 符号说明
101处理容器
101a 底壁
101b (101b,、 101b2) 侧壁
101c 盖体
105 基座
151排气用开口
161基板搬送用开口
164 窗口用开口
177供电用开口
203、 205、 207、 209、 210 O形环
211、 211a、 221、 231、 241 盖部件 251辅助壁
301、 303、 305、 307、 309 O形环配置用槽
401、 403 阴极板 501吸入部
503 喷出部
505 泵
507 液体循环机构
具体实施例方式
(第一实施方式)
以下，参照附图，对本发明的实施方式进行详细的说明。 首先，参照图1，对具有等离子体处理容器的等离子体蚀刻装置的 概略结构进行说明，其中，该等离子体处理容器为本发明的阳极氧化处理方法的处理对象。如图1所示，等离子体蚀刻装置200构成为对
例如FPD用的玻璃基板(以下，简单地记为"基板")S进行蚀刻的电 容耦合型的平行平板等离子体蚀刻装置。其中，作为FPD，能够例举 液晶显示器(LCD)、电致发光(Electro Luminescence: EL)显示器、 等离子体显示面板(PDP)等。
该等离子体蚀刻装置200具有由表面被阳极氧化处理(防蚀铝处 理)过的铝构成的形成为角筒形状的处理容器101。处理容器101的主 体(容器主体)通过底壁101a、 4个侧壁101b (仅图示101b,、 101b2 这2个)构成。并且，在处理容器101的主体的上部接合有盖体101c。
在处理容器101的侧壁101b、盖体101c的外壁上以能够装卸的方 式安装有例如不锈钢(SUS)等材质的薄板102。薄板102保护处理容 器101不受到来自外部的冲击和损伤。在该薄板102受到损伤的情况 下，仅更换薄板102即可，因此能够使处理容器101的寿命长期化。
盖体101c构成为能够通过未图示的开关机构被开关。在关闭盖体 101c的状态下，盖体101c与各侧壁101b的接合部分通过作为第三密 封部件的O形环103被密封，保持处理容器101内的气密性。
在处理容器101内的底部配置有框形状的绝缘部件104。绝缘部件 104之上设置有作为能够载置基板S的载置台的基座105。也作为下部 电极的基座105具有基材107。基材107由例如铝、不锈钢(SUS)等 导电性材料形成。基材107配置在绝缘部件104之上，在两部件的接 合部分配置有O形环等密封部件113，用于维持气密性。在绝缘部件 104与处理容器101的底壁lOla之间也通过O形环等密封部件114维 持气密性。基材107的侧部外周被绝缘部件117包围。由此，能够确 保基座105的侧面的绝缘性，防止等离子体处理时的异常放电。
在基座105的上方，设置有与该基座105平行且相对的作为上部 电极起作用的喷淋头131。喷淋头131被处理容器101的上部的盖体 101c支承。喷淋头131为中空状，在其内部设置有气体扩散空间133。 此外，在喷淋头131的下表面(与基座105相对的面)上形成有喷出 处理气体的多个气体喷出孔135。该喷淋头131被接地，与基座105 一同构成一对平行平板电极。
在喷淋头131的上部中央附近设置有气体导入口 137。处理气体供
10给管139连接在该气体导入口 137上。在该处理气体供给管139上， 通过2个阀141、 141和质量流量控制器143，连接有供给用于蚀刻的 处理气体的气体供给源145。作为处理气体，除了例如卤素类气体、 02气体之外，还能够使用Ar气体等稀有气体等。
在接近上述处理容器101内的4角的位置，在底壁101a上形成有 4个作为贯通开口部的排气用开口 151。在各排气用开口 151上连接有 排气管153。排气管153，在其端部具有凸缘部153a，以在该凸缘部 153a与底壁lOla之间存在O形环(省略图示)的状态被固定。排气管 153与排气装置155连接。排气装置155构成为，设置有例如涡轮分子 泵等真空泵，由此能够将处理容器101内抽真空至规定的减压气氛。
此外，在处理容器101的侧壁101b,上，设置有作为贯通开口部的 基板搬送用开口 161。该基板搬送用开口 161通过闸阀162开关，使得 在其与邻接的搬送室(省略图示)之间能够搬送基板S。闸阀162，以 在其与侧壁101b,之间存在作为第一密封部件的O形环163的状态， 使用螺钉等固定部件固定在侧壁101b,上。
此外，在处理容器101的侧壁101b2上，设置有作为贯通开口部的 窗口用开口 164。在该窗口用开口 164上安装有嵌入窗口框165的透明 的石英板166。窗口框165，以在其与侧壁10化2之间存在作为第一密 封部件的0形环167的状态，使用螺钉等固定部件固定在侧壁101b2 上。
在基座105的基材107上连接有供电线171。高频电源175通过匹 配箱(M.B.) 173连接在该供电线171上。由此，从高频电源175向作 为下部电极的基座105供给例如13.56MHz的高频电力。其中，供电线 171通过形成在底壁101a上的作为贯通开口部的供电用开口 177被导 入处理容器101内。
接着，对以上述方式构成的等离子体蚀刻装置200中的处理动作 进行说明。首先，在闸阀162被打开的状态下，作为被处理体的基板S 利用未图示的搬送装置的叉部，通过基板搬送用开口 161被搬入处理 容器101内，并被交接给基座105。之后，闸阀162被关闭，通过排气 装置155将处理容器101内抽真空至规定的真空度。
接着，打开阀141，将处理气体从气体供给源145通过处理气体供
ii给管139、气体导入口 137导入喷淋头131的气体扩散空间133。此时， 通过质量流量控制器143进行处理气体的流量控制。被导入气体扩散 空间133中的处理气体进一步通过多个喷出孔135相对于载置在基座 105上的基板S被均匀地喷出，处理容器101内的压力被维持在规定的 值。
在此状态下，从高频电源175通过匹配箱173向基座105施加高 频电力。由此，在作为下部电极的基座105与作为上部电极的喷淋头 131之间产生高频电场，处理气体离解并等离子体化。利用该等离子体 对基板S实施蚀刻处理。
在实施蚀刻处理后，停止从高频电源175施加高频电力，停止气 体的导入，之后将处理容器101内减压至规定的压力。接着，打开闸 阀162，从基座105将基板S交接给未图示的搬送装置的叉部，从处理 容器101的基板搬送用开口 161搬出基板S。通过以上的操作，相对于 基板S的等离子体蚀刻处理结束。
在等离子体蚀刻装置200内进行的等离子体蚀刻处理中，必须保 护处理容器101的内表面免受在处理容器101内生成的等离子体、从 气体供给源145供给的卤素类腐蚀性气体的影响。因此，对组装等离 子体蚀刻装置200之前的处理容器101实施阳极氧化处理，在处理容 器101的内表面上形成氧化覆膜。处理容器101是用于对大型的FPD 用的基板S进行处理的大型容器，为了将其整体浸渍在电解液中进行 阳极氧化处理，存在必须使用更大型的电解液槽的问题。
上述问题能够通过向处理容器101内注入电解液，利用处理容器 101本身作为电解液槽而解决。但是，因为处理容器101具有上述的多 个贯通开口部(排气用开口 151、基板搬送用开口 161、窗口用开口 164、 供电用开口 177)，所以为了使得在阳极氧化处理中使用的电解液不漏 出到外部，必须密封这些贯通开口部，再进行阳极氧化处理。为此， 在本实施方式中，利用以下说明的方法进行阳极氧化处理。
图2是示意性地对向由底壁101a和4方的侧壁101b (仅图示侧壁 101b,禾卩101b2这2个)构成的处理容器IOI内直接注入电解液E进行 阳极氧化处理的状态进行说明的图。如上所述，在底壁101a的中央形 成有供电用开口 177，进一步在其周围形成有4个排气用开口 151 (仅图示2个)。并且，在一个侧壁101b,上形成有基板搬送用开口 161。 在与侧壁101b,相对设置的另一个侧壁101b2上形成有用于观察处理容
器101内的窗口用开口 164。而且，在各贯通开口部上分别安装有盖部 件并且被密封。即，在供电用开口 177上安装有盖部件211。在4个排 气用开口 151上分别安装有盖部件221。并且，在基板搬送用开口 161 上安装有盖部件231。进一步，在窗口用开口 164上安装有盖部件241。 此外，在侧壁101b的上端设置有辅助壁251。
在处理容器IOI内，以与4个侧壁101b的内壁面大致平行的方式 配置有阴极板401 (仅图示3个)。此外，在处理容器101的底壁101a 的附近，以与该底壁101a的内壁面平行的方式配置有阴极板403。在 各阴极板401、 403上分别连接有供电线405。供电线405的另一端侧 通过电源407与作为阳极的处理容器101的主体连接。
此外，在处理容器101上配置有具有用于吸入电解液E的吸入部 501、用于喷出电解液E的喷出部503、和泵505的液体循环机构507。 它们构成为，通过使该液体循环机构507的泵505工作，能够使电解 液E循环，并能够在处理容器101内搅拌。
向配置有阴极板401、 403的处理容器101内注入电解液E，在利 用液体循环机构507使电解液E循环的同时，利用直流电源407在阴 极板401、 403与作为阳极的处理容器101之间以规定的电流密度流动 电流，由此能够进行阳极氧化处理。其中，阳极氧化处理中的电解液E 的种类、处理温度、电流密度等条件能够适当地设定。
接着，以安装在侧壁101b2上的盖部件241为例，对盖部件的结构 和作用进行详细的说明。图3表示窗口用开口 164与盖部件241的接 合部分的放大图。侧壁101b2的窗口用开口 164通过盖部件241相对于 处理容器101的外侧密封。盖部件241例如由铝、钛等材料构成，由 未图示的螺钉等固定部件固定在侧壁101b2上。
盖部件241为具有主体241a和相对于该主体241a垂直设置的框 状壁241b的较浅的箱形，其截面为〕字形。盖部件241的框状壁241b 的端部与窗口用开口 164的形状相配合，为矩形，并且形成得比窗口 用开口 164大。盖部件241通过主体241a和框状壁241b而形成凹部， 该凹部具有比窗口用开口 164的面积大的开口面积。该凹部通过窗口用开口 164与处理容器101的内部连通，形成在将盖部件241安装在 侧壁101b2上的状态下使电解液E流入的电解液流入部243。
盖部件241的框状壁241b隔着作为第二密封部件的O形环203与 侧壁101b2抵接。从而，盖部件241和侧壁101b2的抵接部位，在电解 液流入部243中充满电解液E的状态下也能够密封，使得电解液E不 会漏出。其中，作为第二密封部件，并不限定于O形环，例如还能够 使用密封带(其它盖部件211、 221、 231也同样)。
在侧壁101b2的窗口用开口 164的周围设置有用于配置0形环167 的0形环配置用槽301，配置该O形环167的目的在于在窗口用开口 164上安装窗口框165 (参照图1)时保持气密性。盖部件241的框状 壁241b以从外侧包围该O形环配置用槽301的方式与其外周侧抵接。
图4表示侧壁10化2的窗口用开口 164、 0形环配置用槽301、以 及盖部件241的框状壁241b隔着O形环203与侧壁1011)2抵接的抵接 部位203a的位置关系。在图4中，网格所示的区域R既是处理容器101 的外壁面，也是被暴露在通过窗口用开口 164进入外壁面侧的等离子 体、腐蚀性气体下的区域。
如图4所示，在本实施方式中，在比作为第一密封部件的配置预 定位置的O形环配置用槽301更靠外侧的位置，形成有盖部件241的 框状壁241b的抵接部位203a。由此，在侧壁101b2的外壁上，能够使 电解液E到达比O形环配置用槽301的位置更靠外侧的位置。从而， 能够使以网格表示的区域R确实地浸在电解液E中。由此，能够可靠 地对包括以网格表示的区域R的直至O形环配置用槽301的位置实施 阳极氧化处理。另外，在图2 图4中，以在侧壁101b2上形成有0形 环配置用槽301的情况为例进行了说明，但也能够在窗口框165 (参照 图1)这一侧预先形成O形环配置用的槽。在此情况下，也只要将框 状壁241b配置在O形环167的抵接预定位置的外侧即可。
此外，在图2~图4中，以在侧壁10比2上安装有盖部件241的情 况为例进行了说明，对底壁101a的供电用开口 177、排气用开口 151、 侧壁101b,的基板搬送用开口 161分别进行密封的盖部件211、 221、 231的安装结构及其作用也与上述情况相同。
艮P，如图2所示，密封供电用开口 177的盖部件211隔着作为第二密封部件的O形环205安装在底壁101a上，防止电解液E的漏出。 在供电用开口 177的周围，为通过作为第一密封部件的密封部件114 (O形环)，在绝缘部件104与处理容器101的底壁101a的内壁面之 间能够保持气密性的结构(参照图1)，因为等离子体、腐蚀性气体不 会进入供电用开口 177的周围的外壁面，所以未设置用于配置第一密 封部件(O形环)的槽。
此外，用于密封排气用开口 151的盖部件221隔着作为第二密封 部件的O形环207安装在底壁101a上，防止电解液E的漏出。在此情 况下，O形环207配置在比O形环配置用槽303更靠外侧的位置，该 0形环配置用槽303是用于配置位于排气管153的凸缘部153a与底壁 lOla之间的作为第一密封部件的O形环(省略图示)的预定位置。从 而，能够使电解液E到达0形环配置用槽303的位置，能够可靠地实 施阳极氧化处理。
此外，用于密封基板搬送用开口 161的盖部件231隔着作为第二 密封部件的O形环209被安装在侧壁lOlb,上，防止电解液E的漏出。 在此情况下，O形环209配置在比O形环配置用槽305更靠外侧的位 置，该O形环配置用槽305是用于配置位于闸阔162与侧壁101h之 间的作为第一密封部件的O形环(省略图示)的预定位置。从而，能 够使电解液E到达0形环配置用槽305的位置，能够可靠地实施阳极 氧化处理。
接着，再次参照图2和图3，对配置在4个侧壁101b的上端的辅 助壁251的结构和作用进行说明。辅助壁251形成为截面为L字形的 框体。辅助壁251例如由铝、钛等材料构成，通过未图示的螺钉等固 定部件固定在侧壁101b的上端。辅助壁251隔着O形环253被固定在 侧壁101b的上端。从而，辅助壁251和侧壁101b的抵接部位被密封， 使得电解液E不会漏出。
辅助壁251形成为具有足够的高度H，使得在超过处理容器101 的侧壁101b的上端地存储有电解液E的情况下，电解液E不会流出。 通过设置辅助壁251，能够向处理容器101内注入电解液E直至电解液 E的液面超过侧壁101b的上端的高度位置。通过注入电解液E直至液 面到达辅助壁251的高度，并进行阳极氧化处理，能够在侧壁101b的顶部也形成氧化覆膜。
在侧壁101b的上端形成有用于配置作为第三密封部件的O形环
103的O形环配置用槽307。 O形环103用于在如上所述的关闭盖体 101c的状态下维持盖体101c与各侧壁101b的接合部分的气密性(参 照图1)。因为在盖体101c与侧壁101b的接合边界上形成有细微的间 隙，所以存在等离子体、腐蚀性气体进入该缝隙并到达O形环103的 配置位置，使得侧壁101b的上端面劣化的情况。在本实施方式中，辅 助壁251以包围该0形环配置用槽307的方式设置在其外周侧。艮卩， 辅助壁251配置在比作为0形环103的配置预定位置的0形环配置用 槽307更靠外侧的位置。通过这种配置，能够直至O形环配置用槽307 的位置可靠地以电解液E进行浸渍，能够直至O形环配置用槽307的 位置可靠地实施阳极氧化处理。这样，能够提高盖体101c与侧壁101b 的接合边界的耐等离子体侵蚀(plasmaerosion)性和耐腐蚀性。
另外，在图2和图3中，以在侧壁101b的上端形成有O形环配置 用槽307的情况为例进行了说明，但也能够预先在盖体101c这一侧形 成O形环配置用的槽。在此情况下，将辅助壁251配置在O形环103 的抵接预定位置的外侧即可。
在本实施方式的阳极氧化处理方法中，采用以下结构在从贯通 开口部(供电用开口 177、排气用开口 151、基板搬送用开口 161、窗 口用开口 164)的外侧安装有密封处理容器101的贯通开口部的盖部件 211、 221、 231、 241的状态下，在处理容器101内填充电解液E并进 行阳极氧化处理。因此，不仅不需要使用电解液槽，还能够在可靠地 防止电解液从贯通开口部漏出的同时实施阳极氧化处理。因此，相对 于大型的处理容器101也能够安全且容易地进行阳极氧化处理。并且， 与使用电解液槽的情况相比，能够大幅节减使用的电解液的量和与电 解液槽相关的设备费用。
此外，在本实施方式的阳极氧化处理方法中，以能够直至各贯通 开口部的周围的外壁面以电解液E进行浸渍的方式安装有盖部件211、 221、 231、 241。因此，在利用等离子体蚀刻装置200进行等离子体蚀 刻处理的情况下，即使是等离子体、腐蚀性气体容易通过各贯通开口 部进入的外壁部分，也能够对其实施阳极氧化处理。而且，通过调节盖部件221、 231、 241的大小，能够直至第一密封部件的配置预定部 位(0形环配置用槽303、 305、 301)的位置可靠地进行阳极氧化处理。
此外，在本实施方式的阳极氧化处理方法中，在处理容器101的 侧壁101b的上端配置辅助壁251，注入电解液E直至该辅助壁251的 高度位置，并进行阳极氧化处理。由此，能够超过侧壁101b的上端的 高度位置地注入电解液E，能够直至侧壁101b的上端面可靠地进行阳 极氧化处理。并且，辅助壁251以包围侧壁101b的上端面的O形环配 置用槽307的方式配置在其外侧。从而，能够直至可能暴露在等离子 体、腐蚀性气体中的侧壁101b的上端面的O形环配置用槽307的位置 可靠地实施阳极氧化处理。
而且，对于与处理容器101的上部接合的盖体101c，也能够与以 上所述的方法同样地进行阳极氧化处理。 (第二实施方式)
接着，参照图5，对本发明的第二实施方式进行说明。图5是表示 窗口用开口 164附近的阴极的配置例的图。在本实施方式中，除了作 为阴极的阴极板401、 403之外，还配置有插入窗口用开口 164的内部 的小型的辅助电极409。作为阴极的辅助电极409贯通窗口用开口 164， 被插入至电解液流入部243。在图5中，虽然表示了上下1对辅助电极 409，但同样也能够在左右(图5的纸面的面前侧和进深侧)配置辅助 电极409。
辅助电极409的形状例如能够形成为板状、棒状等适当的形状， 在本实施方式中，如图5所示，形成为具有较长部分409a、和从其大 致直角地弯曲并与侧壁101b2的外壁面平行的壁面相对部分40%的截 面为L字状的板状。
这样，在通过安装在侧壁101b上的盖部件241形成的电解液流入 部243中插入/配置作为阴极的辅助电极409，由此，能够在包括窗口 用开口 164的内周部分164a的窗口用开口 164的周围形成氧化覆膜。 特别是，通过使用具有与外壁面平行的壁面相对部分409b的辅助电极 409，对窗口用开口 164的周围的外壁面也能够可靠地实施阳极氧化处 理。
另外，虽然省略了图示和说明，但是，辅助电极409不仅能够配置于窗口用开口 164，还能够配置于处理容器101的其它贯通开口部
(排气用开口 151、基板搬送用开口 161、供电用开口 177)，在此情况 下也能够获得与上述情况同样的效果。
本实施方式的其它结构、作用和效果与第一实施方式相同。 以上对本发明的实施方式进行了说明，但本发明并不受上述实施 方式制约，能够进行各种变形。例如，本发明的阳极氧化处理方法不 限于在以FPD用基板为处理对象的处理容器中应用，也能够应用于以
例如半导体晶片为处理对象的处理容器。并且，不限于等离子体蚀刻 装置的处理容器，本发明也能够应用于进行例如等离子体灰化处理、 等离子体CVD处理等其它等离子体处理的处理容器。
此外，在上述实施方式中，采用在所有贯通开口部均从外侧安装 用于密封处理容器101的贯通开口部的盖部件211、 221、 231、 241的 结构。但是，也存在从贯通开口部的内侧安装盖部件的情况。例如， 如图6所示，作为用于密封供电用开口 177的盖部件，也能够将盖部 件211a安装在处理容器101的内侧。而且，此情况下的盖部件211a 也可以是图示那样的平板状。在供电用开口 177的周围，为通过作为 第一密封部件的密封部件114 (O形环)能够在绝缘部件104与处理容 器101的底壁101a的内壁面之间确保气密性的结构(参照图1)。因此， 在用于配置密封部件114的O形环配置用槽309的内侧(即，在供电 用开口 177与O形环配置用槽309之间)，隔着作为第二密封部件的O 形环210配置盖部件211a，由此，能够可靠地对O形环配置用槽309 实施阳极氧化处理。
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权利要求
1. 一种等离子体处理容器的阳极氧化处理方法，其对呈上部开口的箱形且在壁面上具有贯通开口部的等离子体处理容器的表面进行阳极氧化处理，该等离子体处理容器的阳极氧化处理方法的特征在于在所述等离子体处理容器的所述贯通开口部安装有盖部件的状态下，向所述等离子体处理容器内填充电解液，在所述等离子体处理容器的内部配置作为阴极的电极，并将所述等离子体处理容器作为阳极，进行阳极氧化处理。
2. 如权利要求1所述的等离子体处理容器的阳极氧化处理方法， 其特征在于在所述贯通开口部的周围的壁面上，设置有用于将所述等离子体 处理容器的内部维持为真空状态而配置的第一密封部件的配置预定部 位，在将该配置预定部位浸在所述电解液中的状态下进行阳极氧化处 理。
3. 如权利要求2所述的等离子体处理容器的阳极氧化处理方法，其特征在于以包围至少一个所述贯通开口部的方式，使用于防止所述电解液 的泄漏的第二密封部件与所述等离子体处理容器的外壁面抵接，隔着 该第二密封部件将所述盖部件安装在所述等离子体处理容器的外侧。
4. 如权利要求3所述的等离子体处理容器的阳极氧化处理方法，其特征在于所述第一密封部件的配置预定部位设置在所述贯通开口部的周围 的外壁面上，以所述第二密封部件包围所述第一密封部件的配置预定 部位的周围的方式安装所述盖部件。
5. 如权利要求2 4中任一项所述的等离子体处理容器的阳极氧化处理方法，其特征在于以包围至少一个所述贯通开口部的方式，使用于防止所述电解液的泄漏的第二密封部件与所述等离子体处理容器的内壁面抵接，隔着 该第二密封部件将所述盖部件安装在所述等离子体处理容器的内部。
6. 如权利要求5所述的等离子体处理容器的阳极氧化处理方法， 其特征在于使所述第二密封部件抵接在所述贯通开口部与所述第一密封部件 的配置预定部位之间。
7. 如权利要求1 4中任一项所述的等离子体处理容器的阳极氧 化处理方法，其特征在于通过在至少一个所述贯通开口部从外侧安装所述盖部件，利用该 盖部件在所述等离子体处理容器的外部形成与内部连通的电解液流入 部，通过使所述电解液流入该电解液流入部，在将所述等离子体处理 容器的所述贯通开口部的周围的外壁面浸在所述电解液中的状态下进 行阳极氧化处理。
8. 如权利要求7所述的等离子体处理容器的阳极氧化处理方法， 其特征在于所述盖部件是截面为〕字形的形状。
9. 如权利要求1 4中任一项所述的等离子体处理容器的阳极氧化处理方法，其特征在于以包围所述等离子体处理容器的上部的所述开口的方式在所述等 离子体处理容器的上端部设置辅助壁，填充所述电解液直至所述电解 液的水位到达该辅助壁，进行阳极氧化处理。
10. 如权利要求9所述的等离子体处理容器的阳极氧化处理方法， 其特征在于在所述等离子体处理容器的上端部设置有用于将所述等离子体处 理容器的内部维持为真空状态而配置的第三密封部件的配置预定部 位，所述辅助壁以包围所述第三密封部件的配置预定部位的方式配置
11. 如权利要求1 4中任一项所述的等离子体处理容器的阳极氧 化处理方法，其特征在于所述电极由多个平板状的电极形成，将该平板状的电极以相对于 所述等离子体处理容器的侧壁和底壁的内表面分别平行的方式配置。
12. 如权利要求11所述的等离子体处理容器的阳极氧化处理方法， 其特征在于进一步配置从所述等离子体处理容器的贯通开口部插入所述电解 液流入部的辅助电极作为阴极，进行阳极氧化处理。
13. 如权利要求12所述的等离子体处理容器的阳极氧化处理方法，其特征在于所述辅助电极具有与所述等离子体处理容器的外壁面平行地形成 的相对部。
全文摘要
本发明提供等离子体处理容器的阳极氧化处理方法。该方法能够安全且可靠地对大型且具有开口部的等离子体处理容器进行阳极氧化处理。在通过盖部件(241)从外侧密封侧壁(101b₂)的窗口用开口(164)的状态下进行阳极氧化处理。盖部件(241)的内侧通过窗口用开口(164)与处理容器(101)内部连通，形成流入电解液E的电解液流入部(243)。盖部件(241)的框状壁(241b)以从外侧包围O形环配置用槽(301)的方式与其外周侧抵接。
文档编号C25D11/02GK101498016SQ20091000851
公开日2009年8月5日 申请日期2009年1月23日 优先权日2008年1月24日
发明者出口新悟, 田中善嗣 申请人:东京毅力科创株式会社