电子铝箔腐蚀用石墨电极反向加电除杂质的装置及其控制方法

文档序号:5291332阅读:467来源:国知局
专利名称:电子铝箔腐蚀用石墨电极反向加电除杂质的装置及其控制方法
技术领域
本发明涉及一种电子铝箔腐蚀用石墨电极除杂质技术领域,特别是一种电子铝箔腐蚀用石墨电极反向加电除杂质的装置及其控制方法,适用于中高压电子铝箔行业 中腐蚀石墨电极的清洁净化。
背景技术
中高压电子铝箔的电解腐蚀工艺,正常加电方式为电源正极接导电辊,导电辊与铝箔接触;负极接石墨电极。电解槽内铝箔为阳极,失去电子转变为铝离子被氧化;石墨电极为阴极,氢离子在石墨电极处得到电子被还原生成氢气,这就是铝箔被腐蚀的电化学反应。由于生产过程中槽液难免引入杂质离子,如铜离子、亚铁离子、铁离子、锌离子和铅离子等阳离子,它们向阴极移动,不断被石墨电极吸附。但是石墨电极吸附能力达到饱和时,这些杂质离子将残存在槽液中,不但污染腐蚀箔,而且阻碍腐蚀反应的正常进行。腐蚀箔表面大量进行着微电池反应,容易引发腐蚀过量,腐蚀箔折弯低,减薄严重,称重低,给生产运行带来不利影响。因此,对石墨电极吸附的杂质离子进行处理是必要的。

发明内容
本发明针对腐蚀槽液杂质浓度不断升高造成腐蚀箔性能下降的缺陷,提供一种反向加电去除石墨电极杂质的清洁处理方法。本发明是通过如下技术路线实现的,一种去除石墨电极杂质的方法,其特征在于,通过反向加电,使石墨电极吸附的杂质离子脱附。一种电子铝箔腐蚀用石墨电极反向加电除杂质的装置,包括铝箔,导电棍,石墨电极和反向加电电解槽,所述石墨电极接电解电源的正极,导电辊接电解电源的负极,导电辊与铝箔紧密接触,在反向加电电解槽内,铝箔为阴极,石墨电极为阳极。所述的电子铝箔腐蚀用石墨电极反向加电除杂质的装置的控制方法,是在所述反向加电电解槽内,以0. 4-1. 4mol/L盐酸溶液为槽液,电流100-600A,处理时间2_10min,电解电源控制方式为稳流模式。所述铝箔采用次品腐蚀箔或者已经去除油污的光箔,且均可重复利用。反向加电适用于中高压电子铝箔腐蚀工艺的全部电化学腐蚀槽,含一次直流电解腐蚀槽、二次直流电解腐蚀槽和三次直流电解腐蚀槽等。本发明针对石墨电极吸附杂质含量高引发腐蚀箔性能下降的问题,首次通过反向加电,槽液选用0. 4-1. 4mol/L盐酸溶液,并重复利用铝箔,对石墨电极进行处理。石墨电极除杂质清洁后,能减少出现腐蚀过量的情况,提高腐蚀箔比电容,改善箔面外观,进而节约成本,提闻生广力。


图1为本发明所述的电子铝箔腐蚀用石墨电极反向加电除杂质的装置的结构示意图。图1中的标记为招箔1,导电棍2,石墨电极3,反向加电电解槽4。
具体实施例方式以下通过实施例和对比例对本发明的技术方案作进一步说明。对比例I生产线工艺流程为接箔一前处理一水洗一一次直流电解腐蚀一水洗一二次直流电解腐蚀一水洗一三次直流电解腐蚀一水洗一干燥一收箔。一次直流电解腐蚀槽液为硫酸和盐酸混合液,氯离子浓度O. 5mol/L,硫酸根离子浓度7. 5mol/L,铝离子浓度O. 8mol/L,温度73. 5°C,电流7000A。二次直流电解腐蚀槽液为硝酸体系,硝酸根离子浓度1.9mol/L,氢离子浓度O. 7mol/L,铝离子浓度1. 2mol/L,温度 70。。,电流 IlOOOA0三次直流电解腐蚀槽液为盐酸体系,氯离子浓度lmol/L,氢离子浓度O. 7mol/L,铝离子浓度O. 3mol/L,温度82°C,电流500A。实施例1如图1所示,本发明所述的电子铝箔腐蚀用石墨电极反向加电除杂质的装置,包括铝箔1,导电棍2,石墨电极3和反向加电电解槽4,具体结构和连接方式为所述石墨电极3接电解电源的正极,导电辊2接电解电源的负极,导电辊2与铝箔I紧密接触,在反向加电电解槽4内,铝箔I为阴极,石墨电极3为阳极。所述铝箔采用次品腐蚀箔或者已经去除油污的光箔。
实施例2所述的电子铝箔腐蚀用石墨电极反向加电除杂质的装置的控制方法,包括如下步骤按反向加电100A,2min,槽液浓度O. 4mol/L盐酸的技术条件,先对一次、二次和三次直流电解腐蚀槽石墨电极都进行反向加电除杂质清洁。工艺流程不变,不必对槽液升温或冷却。排去处理用盐酸溶液,替换为正常生产槽液。接下来运行实施例1,采用的各工艺条件与对比例I均保持一致。按照我国电子行业标准SJ/T 11140-1997铝电解电容器用电极箔,测试腐蚀箔性能。其中,比电容数据为腐蚀箔经过520V形成处理情况下获得的。实施例3持续生产运转一段时间后,观察到箔样电性能逐步下降,接近对比例I的水平,盐酸浓度 O. 7mol/L,600A,处理 lOmin。实施例4箔样电性能下降后,反向加电槽槽液为1. Omol/L盐酸,加电500A,处理4min。实施例5箔样电性能下降到接近对比例1,进行300A、2min反向加电,槽液为1. 4mol/L盐酸。
下表综合了对比例1、实施例1、实施例2、实施例3、实施例4和实施例5的箔样性
能数据。
比电容称重折弯腐蚀箔厚度
样品石墨电极状况损耗
(nF/cm2)(g/500cm2) (回)(^im)
对比未进行反向加电
U 765 UU389 SS16In 3
例I除杂质
实施进行反问加电除 例I杂质
实施进行反向加电除
0.809 0.034 IU 8319120.5
例2杂质后
实施进行反向加电除
0.801 0.031 10.7718120.1
例3杂成后
实施进行反问加电除
0.803 0.030 10 7*519PO^
例4杂质后
实施进行反向加电除
0.814 0.034 IU 7719120.3
例5杂质后由上表可知,采用本发明对石墨电极进行反向加电除杂质后,腐蚀箔比电容提高4. 7%-6. 4%,称重提高0. 87-0. 95g/500cm2,折弯提高2-3回,厚度提高4. 8-5. 2 u m0且实施例2腐蚀箔外观改善很大,不存在对比例I存在的斑纹等严重缺陷。
权利要求
1.一种电子铝箔腐蚀用石墨电极反向加电除杂质的装置,其特征在于,包括铝箔,导电棍,石墨电极和反向加电电解槽,所述石墨电极接电解电源的正极,导电辊接电解电源的负极,导电辊与铝箔紧密接触,在反向加电电解槽内,铝箔为阴极,石墨电极为阳极。
2.根据权利要求1所述的电子铝箔腐蚀用石墨电极反向加电除杂质的装置的控制方法,其特征在于,在所述反向加电电解槽内,以0. 4-1. 4mol/L盐酸溶液为槽液,电流100-600A,处理时间2-10min,电解电源控制方式为稳流模式。
3.根据权利要求1所述的电子铝箔腐蚀用石墨电极反向加电除杂质的装置的控制方法,其特征在于,所述铝箔采用次品腐蚀箔或者已经去除油污的光箔。
全文摘要
一种电子铝箔腐蚀用石墨电极反向加电除杂质的装置及其控制方法,通过对石墨电极反向加电,即电源正极接石墨电极、负极通过导电辊连接铝箔,使石墨电极吸附的杂质离子脱附。槽液为0.4-1.4mol/L盐酸溶液,电流100-600A,处理时间2-10min,电解电源控制方式为稳流模式。次品腐蚀箔或已经除油污的光箔均可用于石墨电极的清洁,且可以反复使用。该方法适用于中高压电子铝箔所有电化学腐蚀槽,含一次直流电解腐蚀电解槽和二次直流电解腐蚀槽等。
文档编号C25F7/00GK102995100SQ20121049331
公开日2013年3月27日 申请日期2012年11月28日 优先权日2012年11月28日
发明者宋洪洲, 蔡小宇, 李映日, 陆雅军 申请人:广西贺州市桂东电子科技有限责任公司
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