金属表面电沉积制备硅烷膜的方法与流程

文档序号:11595096阅读:来源:国知局
金属表面电沉积制备硅烷膜的方法与流程

技术特征:
1.一种金属表面电沉积制备硅烷膜的方法,其特征是:(1)配制硅烷预水解溶液:首先向烧杯中加入200mL的去离子水,再加入50mL的甲醇,置于磁力搅拌器上搅拌均匀,再加入30mL的硅烷偶联剂γ-(2,3-环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷,搅拌均匀;滴加冰醋酸调节溶液pH值至3.5,采用超声20min充分混匀后置于25℃恒温水浴锅中,预水解24小时,然后加入9.24gH2O2得到硅烷预水解溶液;(2)将硅烷预水解溶液至于高压釜内,6061铝合金作为工作电极,铂片作为对电极,Ag/AgCl电极作为参比电极;(3)通入浓度≥99%的工业氧气控制高压釜内压强:常压、2MPa、5MPa、10MPa、20MPa,对工作电极施加阴极电位:-0.6V,电沉积时间:300s;取出,用高压氮气去除表面多余硅烷预水解溶液,然后置于100℃的干燥箱中加热固化20min。
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