技术总结
本发明提供的是一种金属表面电沉积制备硅烷膜的方法。在装有硅烷预水解溶液的高压釜内，金属基体作为工作电极，铂片作为对电极，Ag/AgCl电极作为参比电极，通入高纯氧气控制高压釜内压强为0～20MPa，对工作电极施加阴极电位为‑0.45～‑1.5V，电沉积10s～60min，取出金属基体，用高压氮气去除表面多余硅烷预水解溶液，在60～200℃干燥固化，固化时间为10～360min。本发明采用氧气加压电沉积的方法，能有效提高硅烷预水解溶液中氧气的含量，能够使溶液中的氧气及时补充到金属基体表面，促进金属表面的阴极电沉积过程，从而提高硅烷膜的成膜质量及其防护性能。
技术研发人员：王艳秋;窦宝捷;邵亚薇;孟国哲;张涛;刘斌
受保护的技术使用者：哈尔滨工程大学
文档号码：201410826955
技术研发日：2014.12.25
技术公布日：2017.08.04