本发明涉及电镀工艺，具体涉及一种集成电路引线框架电镀工艺。
背景技术：
引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合金丝实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到和外部导线连接的桥梁作用，是电子信息产业中重要的基础材料。为了满足制造集成电路半导体元件的导电性能，集成电路的引线框架往往要在其表面局部点位区域进行电镀金属银或其他金属。由于lc芯片的焊接、封装等生产过程都是采用的全自动大规模生产技术，因此，对于ic引线框架的镀层质量也提出了很高的要求，每批框架的镀层厚度均匀度、硬度、光亮度等都要相当的一致，不得忽高忽低，且电镀镀区也要控制得非常好。若用一般的电镀控制方法，难以达到其要求，必须采用专门的工艺。
技术实现要素：
本发明的目的就是克服现有技术的不足而提供的一种能够保证镀层厚度均匀度、硬度、光亮度一致的集成电路引线框架电镀工艺。
为解决上述技术问题，本发明采取如下技术方案：
一种集成电路引线框架电镀工艺，包括lc框架半成品，其特征在于：所述的电镀工艺包括：去油→第一道清洗→酸活化→第二道清洗→预镀铜→第三道清洗→预浸银→第四道清洗→镀银→银回收→退银→第五道清洗→防铜变色→纯水洗→烘干。
所述的去油采用的试剂为去油剂和水按照10:50比例配比，温度为55摄氏度，去3时间为15～30秒。
所述的去油剂为希普励公司生产的dlf去油剂。
所述的去油酸活化的试剂为10～15％h2so4或6～10％hcl。
所述的预镀铜采用的化学试剂为cucn、kcn和koh按照质量份数比40:20:10的比例混合。
所述的预浸银的防置换药剂采用的是希普励公司的silverjetpridip981。
所述的退银中使用的退银剂为希普励公司的silverstripef1000或安格凯隆公司的ec888。
与现有技术相比，本发明的有益效果为：
本发明一种集成电路引线框架电镀工艺，采用如上工艺能有效的在引线框架上形成一层厚度均匀度、硬度、光亮度一致的镀银层。
具体实施方式
实施例
一种集成电路引线框架电镀工艺，包括lc框架半成品，所述的电镀工艺包括：去油→第一道清洗→酸活化→第二道清洗→预镀铜→第三道清洗→预浸银→第四道清洗→镀银→银回收→退银→第五道清洗→防铜变色→纯水洗→烘干。
所述的去油采用的试剂为去油剂和水按照10:50比例配比，温度为55摄氏度，去3时间为15～30秒。
所述的去油剂为希普励公司生产的dlf去油剂。
所述的去油酸活化的试剂为10～15％h2so4或6～10％hcl。
所述的预镀铜采用的化学试剂为cucn、kcn和koh按照质量份数比40:20:10的比例混合。
所述的预浸银的防置换药剂采用的是希普励公司的silverjetpridip981。
所述的退银中使用的退银剂为希普励公司的silverstripef1000或安格凯隆公司的ec888。
本发明工艺镀银采用硝酸银、氨水和蒸馏水混合物，将经过去油→第一道清洗→酸活化→第二道清洗→预镀铜→第三道清洗→预浸银→第四道清洗后的集成电路引线框架进行镀银后，经过银回收→退银→第五道清洗→防铜变色→纯水洗→烘干，采用本发明电镀工艺，能有效的在引线框架上形成一层厚度均匀度、硬度、光亮度一致的镀银层。