专利名称：一种n阱电阻类器件电压依存系数的提取方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体器件特性的评价方法，尤其是N阱电阻类器件的Bias系数(电压依存系数)的提取方法。
背景技术：
通常，在对于电阻类器件描述时，会有电压Bias系数的定义，表征不同偏压情况下器件的电阻变化。而且，为了方便设计者应用，所提供的系数应该具有统一的代表性。但是对于注入浓度较低的器件，如NWR器件(N type well resistor，N阱电阻)，对其不同宽度的器件所提取的Bias系数很不一致，所以很难用一个单一的值来归纳或表征器件的特性。尤其在宽度较小的时候，这种现象更为严重。而通常的处理方法只能是，规定设计者使用一定宽度以上的器件来减少宽度对于器件的影响，以便于保证仿真器件在不同Bias电压情况下的电阻值。因此，目前公知的Bias系数表征方法使器件在使用上受到了一定的限制，不利于进行精确的仿真和计算。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种N阱电阻类器件电压依存系数的提取方法，它可以提高仿真精度，方便设计人员选择。
为解决上述技术问题，本发明N阱电阻类器件电压依存系数的提取方法是逐个提取不同宽度NWR器件的Bias系数；对提取的数据，相应于宽度的变化，用指数模型来进行拟和；用上述的模型系数来表征器件电压依存系数同器件宽度之间的关系，从而达到用精确的模型系数表描述和表征器件特性的目的。
本发明的有益效果是，提高了低注入浓度电阻类器件BIAS系数提取的精度，并用模型系数来表征，从而方便了设计人员的选择，达到了精确仿真、计算的目的。
图1是流程图，描述了本发明的方法步骤；图2是NWR器件的模型系数，表征了器件电压依存系数同器件宽度之间的关系。
具体实施例方式
下面结合附图对本发明作进一步详细的说明。
图1是本发明的流程，包括以下步骤步骤101，逐个提取不同宽度的NWR器件的Bias系数，其方法依据以下数学公式R(V)＝R0*[1+VC1*|dV|+VC2*|dV|2]Valid range0~VDD式中Bias系数VC1和VC2的单位分别是(V-1)和(V-2)；上面公式用的是2阶系数拟和，一般使用一阶。
步骤102，对于步骤101得到的数据，相应于宽度的变化，用指数模型来进行拟和；步骤103，用上述的模型系数表来表征器件电压依存系数同器件宽度之间的关系，其方法依据以下数学公式Coeff.＝A1*W-A2式中A1，A2是与器件相关的常数，W表示器件的宽度。
图2为通过本发明得出的NWR器件的Bias模型系数，精确地表征了NWR器件在不同宽度时的电压依存系数。
权利要求
1.一种N阱电阻类器件电压依存系数的提取方法，其特征在于，采取以下步骤逐个提取不同宽度的N阱电阻类器件的电压依存系数；对提取的电压依存系数，相应于器件宽度的变化，用指数模型进行拟和；用上述的模型系数来表征器件电压依存系数同器件宽度之间的关系。
2.根据权利要求1所述的N阱电阻类器件电压依存系数的提取方法，其特征在于所述的提取电压依存系数的方法依据以下数学公式R(V)＝R0*[1+VC1*|dV |+VC2*|dV|2]Valid range0~VDD式中电压依存系数VC1和VC2的单位分别是(V-1)和(V-2)
3.根据权利要求1或2所述的N阱电阻类器件电压依存系数的提取方法，其特征在于所述的提取电压依存系数方法的数学公式采用了2阶系数拟和。
4.根据权利要求1所述的N阱电阻类器件电压依存系数的提取方法，其特征在于所述的模型系数来表征器件电压依存系数同器件宽度之间的关系，依据以下数学公式Coeff.＝A1*W-A2式中A1，A2是与器件相关的常数，W表示器件的宽度。
全文摘要
本发明公开了一种半导体器件特性的评价方法，尤其是NWR器件(N阱电阻)的Bias系数(电压依存系数)的提取方法。通常，Bias系数用来表征在不同依存电压前提下器件的电阻变化。但是，对于宽度较小的NWR器件来说，提取系数十分困难，没有一个单一的值来归纳。本发明通过逐个提取不同宽度的NWR器件的Bias系数、将所得的系数对应于宽度的变化，用指数模型来进行拟和、并用模型系数来表征器件电压依存系数同器件宽度之间的关系，从而方便了设计人员的选择，达到了精确仿真、计算的目的。
文档编号G01R31/00GK1888926SQ20051002726
公开日2007年1月3日 申请日期2005年6月29日 优先权日2005年6月29日
发明者胡晓明 申请人:上海华虹Nec电子有限公司