专利名称：晶体管电路与晶体管电路控制方法
技术领域：
本发明有关于一种晶体管输出电路，即具有用来随着时间提供可变输出 电压或电流的输出晶体管的电路。此电路之 一 例子是根据感测功能而提供电 流输出的电流采样电路。
背景技术：
在一些感测应用中，感测装置(例如二极管或晶体管)产生输出电流，且此 输出电流相依于将被感测的参数。可使用电流传感器的应用范围广大，且此 发明可实施于任何应用，例如，在光传感器的例子中，将被感测的参数可以
是光水平；或者在温度传感器的例子中，将被感测的参数可以是温度。此传 感器将量测物理特性，例如光、温度、张力或其它力量。
为了维护信号的质量，例如信号噪声比，传感器的输出电流通常将非常 小，其有利于将信号转换成接近传感器的更坚固的形式。在信号随时间改变 的情况下或当多个传感器的输出为多路传送时(如同传感器阵列的情况)，则 需要电流的采样。
图l表示已知的简单采样电路。
举例来说，将被采样的电流包括光电流，其以电流源CS1来表示。此电 流流经P型驱动晶体管Tlp, P型驱动晶体管Tlp具有电容器Cl,连接于其 源极与栅极之间。此电容器因此可储存对应正被采样的电流的栅-源极电压。
此电路具有第一开关Sl (以时序Clkl来控制)，其介于晶体管Tip的栅 极与漏极之间，以导通晶体管Tip,使得其可提供正被采样的电流。第二开 关S2 (以时序Clk2来控制)将晶体管Tip耦接至电流源CS1,且第三开关 S3 (以时序Clk3来控制)将晶体管Tlp耦接至采样电路的输出端OUT。
如图2所示，在采样期间S,开关Sl与S2关闭且开关S3打开。将被采 样的电流(在此例子中为光电流)流经晶体管T1P。出现在晶体管Tip的栅 极与漏极的电压稳定于产生晶体管Tip的漏极电流的数值，其中，此漏极电 流等于光电流。此电压变为储存在电容器Cl。在维持期间H,开关S1与S3打开，而开关S3关闭。晶体管Tip的栅-源极电压由电容器Cl维持住，因此， 在此电路的输出端可得到被采样的光电流。
采样此电流所需要的时间与(Cl+Cd) /gml成比例，其中Cd表示传感 器(即感光二极管)的电容值，而gml表示晶体管Tpl的跨导。当将被量测 的电流较小时，晶体管Tlp将操作在次门坎区。在此区域中，gml的值与漏 极电流Idl成比例。因此，当将被采样的电流较低时，稳定时间将会延长。
低温多晶硅(low temperature polysilicon, LTPS )技术提供了整合在大面 积基底的多个CMOS电路，且用来制造例如为主动式阵列液晶显示器的装置。 将传感器整合至显示器逐渐地受到关注，因此，用来处理来自这些传感器的 薄模晶体管(thin film transistor, TFT)电路设计变成更为重要。处理来自感 测装置的电路中的薄模晶体管受到接近其临界电压的偏压，或者尤其是当处 理非常小的电流时，甚至处于如上所说明的次门坎区域。在这些偏压情况下， 薄模晶体管可显露出一些非期望的反应。
当施加于薄模晶体管的偏压电压改变时，薄膜晶体管显示出电流过冲 (overshoot)或下冲(undershoot)现象。如图3所示，其表示出当跃阶电压 (step voltage )实施于晶体管的栅极时，晶体管的漏极电流如何改变。当栅-源极电压由第一数值VGS1切换至较低的第二数值VGS2时，n型薄膜晶体 管的漏极电流ID初始地朝向一较低电平下降，但随着时间而增加，直到其到 达一稳定状态数值。当栅-源极电压由较低的第二数值VGS2切换至第一数值 VGS1时，漏极电流ID初始地朝向一较高电平增加，但随着时间而下降，直 到其到达 一 稳定状态数值。此瞬变电流反应是来自在此装置内的载子俘获 (trapping ),且瞬变电流的大小与电流达到其稳定状态数值所需的时间会显 着地影响使用此装置的电路性能。如同在模拟电路中装置被施加偏压的典型 情况般，当薄膜晶体管正操作在次门坎区域但也有意义地接近临界电压时， 此反应最为明显。
瞬变电流的大小可多于50%，且电流达到其稳定状态所需的时间可多余 50ms。这远慢于在此电路中的其它瞬变电流反应，例如来自电容器充电时间 的反应。因此，在电流采样电路的输出中，瞬变电流反应变成首要的误差来源。
图4表示当栅-源极电压于时间t=0由2.5V跃进至1.0V时，所量测到的 n型低温多晶硅薄膜晶体管的漏极电流瞬变电流反应。漏极电流初始下降至接近于0.5nA,但在大约30ms的期间内上升至2.3nA。
在一些电路中，除了与被处理的信号相关的任何改变以外，这些薄膜晶
体管在其栅极电压上经历了显著的扰乱。这样的例子可能是，在一信号电压 被施于加或产生于此电路的一节点上之前，此节点必须被预先充电至某一电 压电平。这些扰乱会触发第4图所示的緩慢瞬变电流，接着可能在此电路的 输出产生误差。
不仅是关于电流感测应用，当晶体管提供一变化输出电压或电流时，一 般会发生这种问题。
发明内容
本发明提供一种晶体管电路，包括第一输出晶体管、第二输出晶体管、 以及开关配置。第一与第二输出晶体管用来提供输出信号至晶体管电路的共 同输出端。开关配置将第一输出晶体管的输出端与第二晶体管的输出端依次 地耦接至共同输出端，其中，第一与第二输出晶体管受到控制以提供相同的 稳定状态输出。开关配置适应地操作，使得当第一输出晶体管的输出端耦接 至共同输出端时，在第一输出晶体管的驱动状态电压上的多个改变隔离于第 二输出晶体管。
在一例子中，此晶体管电路为一电流采样电路。第一输出晶体管包括一 电流采样晶体管用以对电流进行采样。第二输出晶体管包括传送电流输出的 晶体管，且第二输出晶体管与第一输出晶体管并联。此晶体管电路还包括一 第一晶体管栅-源极电容。开关配置选择性地将第一输出晶体管的栅极电压耦 合至第二输出晶体管的栅极。开关配置包括耦合开关，当变化无关于由第一
输出晶体管所采样的电流时，耦合开关打开以避免第 一 输出晶体管的栅-源极 电压耦合至第二输出晶体管，且耦合开关关闭以将第 一输出晶体管的栅极电 压传送至第一晶体管栅-源极电容。
此晶体管电路还包括一第二晶体管栅-源极电容。
此晶体管电路操作在三个模式。在电流采样模式中，第一输出晶体管对 电流进行采样，且第一输出晶体管的栅-源极电压储存在第二晶体管栅-源极电 容。在传送模式中，第一输出晶体管的栅极电压透过耦合开关而传送至第一 晶体管栅-源极电容。在输出模式中，第二输出晶体管提供一输出电流，输出 电流取得自在第二晶体管栅-源极电容的电压。
7在另一实施中，第一输出晶体管为第一放大器的一部分。第二输出晶体 管为第二放大器的一部分，且第二放大器并联于第一放大器。开关配置包括 多个输出开关，分别配置给第一与第二放大器，以选择性地将第一与第二放 大器的每一个的一放大输出端耦合至共同输出端。开关配置包括反馈开关与
输入开关。反馈开关耦接于共同输出端与输入端之间，且耦接第一与第二放 大器。输入开关耦接于电路输入端与输入端之间，且耦接第一与第二放大器。 在一例子中，此晶体管电路操作在三个模式下。在重置模式下，反馈开关与 等输出开关打开，且输入开关关闭。在第一输入模式下，第一放大器提供输 出信号至共同输出端，且反馈开关关闭，输入开关打开。在第二输入模式下， 第二放大器提供输出信号至共同输出端，且反馈开关关闭，输入开关打开。
本发明另提供一种晶体管电路控制方法，包括以下步骤将第一输出晶 体管的输出端耦接至共同输出端；将第二输出晶体管的输出端耦接至共同输 出端。当第一输出晶体管的输出端耦接至共同输出端时，在第一输出晶体管 的驱动状态电压上的多个改变隔离于第二输出晶体管。第一与第二输出晶体 管受到控制以提供相同的稳定状态输出。
为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举一较佳实 施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
图l表示已知电流采样电路； 图2为时序图，用以说明图1的电路操作； 图3表示在薄膜二极管的反应中可观察到的电流过冲或下冲现象； 图4说明在n型低温多晶硅薄膜中量测到的漏极电流瞬变电流反应; 图5表示根据本发明实施例的晶体管的配置； 图6根据本发明实施例的电流采样电路； 图7表示图中6的控制信号时序图； 图8根据本发明实施例的电压放大电路；以及 图9表示图8中的控制信号时序图。主要组件符号说明
图1
Cl、 Cd 电容器
8Clkl、 Clk2、 Clk3 时序；
CS1 ~电流源；
OUT 输出端；
Tpl ~晶体管；
VDD、 VDD 电压源；
Sl、 S2、 S3 开关;
图2
H-维持期间； S 采样期间； 图3
VGS1 ~栅-源极电压的第 一数值； VGS2 ~栅-源极电压的第二数值； ID 漏才及电;克； 图5
10 (Tl )、 12 (T2) ~晶体管；
14 (Cgs) 储存电容器；
16、 18、 20~开关；
D ~漏极；
G ~栅极；
S ~源极；
图6
10 (Tl )、 12 (T2) ~晶体管； 14 (Ct)-储存电容器 16、 18、 20~开关； 30-感光二极管 32 (Cs) ~电容器 34、 38~开关
40 (Ck)、 42 (Cc)、 Cp 电容器 Al、 A2 反相器； CS6~电流源； OUT 输出端；(j)l、小2、 ^、 -2~控制信号; 图7
S 采样期间； T 传送期间； H-维持期间； 图8
80、 82、 85、 88~开关;
84~输出端；
86-输入端；
Cload ~电容；
INVA、 INVB 放大器；
Vin 输入电压；
Vout 输出电压；
(|>1、小2、小3、 (|)4~控制信号;
图9
90~重置期间；
92 第一反馈期间；
94-第二反馈期间。
具体实施例方式
本发明提供一种晶体管电路与控制方法，其中，输出信号是由第一输出 晶体管提供，接着是由第二输出晶体管提供。当第一输出晶体管的输出端耦 接共同输出端时，在第一输出晶体管的栅-源极电压上的改变隔离于第二输出 晶体管。然而，第一与第二输出晶体管受到控制以提供相同的稳定状态输出 信号。与控制输入信号不相关(例如关于重置操作)且在晶体管驱动电压上 的改变仅施加于第一晶体管。
首先，将使用一实施例来说明本发明的电流采样电路及方法。第一(电 流采样)晶体管用来采样一电流，且第二 (电流输出)晶体管与第一晶体管 并联。在此情况下，与被采样电流且在栅-源极电压上的改变仅施加于第一晶 体管。只有第一晶体管的稳定栅极电压被传送至第二晶体管，使得第二晶体 管避开了瞬变电流反应延迟。
10图5表示晶体管配置的例子，其使用作为部分的电流采样电路。在图5 中，显示在左侧的晶体管由右侧的晶体管与开关的配置来取代。这些开关表
示个别的晶体管或CMOS传输栅极(CMOS transmission gate )。
此电路包括第一 (电流采样)晶体管10 (Tl),用以对一电流采样，且
包括与第一晶体管IO并联的第二 (电流输出)晶体管12 (T2)。栅-源极电压
储存电容器14 (Cgs)用来储存第二晶体管12的栅-源极电压。
耦合开关16用来选择性地将第一晶体管10的栅极耦接至第二晶体管12
的栅极。
此两晶体管10与12耦接于电源轨"漏极(D)"与"源极(S)"之间。 每一晶体管10与12具有相串联的开关18/20,使得每一晶体管可以切换为脱 离或进入电路。
当耦合开关16打开时，其防止第一晶体管10的栅-源极电压上的改变耦 合至第二晶体管12。在这些电压改变与采样电流不相关但反而与此电路的一 重置操作相关的情况下，耦合开关16提供的防止功能是有用的。当耦合开关 16关闭时，则将栅极电压传送至电容器14。
此电路操作在以下三种模式
电流采样模式第一晶体管IO对一电流采样，且栅-源极电压被储存； 传送模式第一晶体管10的栅极电压透过耦合开关16而传送至第二晶 体管12的栅极；以及
输出模式第二晶体管12提供由储存电容器14的电压中所获取的输出电流。
当此电路操作在第一模式(电流采样模式)时，晶体管的栅-源极电压预 计会显着地改变。第一晶体管IO提供漏极电流。开关18关闭，而开关16与 20打开。在此状态下，第二晶体管12的栅-源极电压由电容器14 (电容器14 可以是一真实电容器或仅是晶体管本身的电容)所维持。
当此电路操作在栅-源极电压上的改变更加受到限制或者栅-源极电压上 的改变只由此电路正处理的信号上的改变所产生的模式下，第二晶体管12可 提供漏极电流。在此模式下，开关18打开，而开关16与20关闭。
在此方法下，操作此电路以使第二晶体管12只遭受到在栅-源极电压上 的显着改变，而此栅-源极电压上的显着改变对应于正被处理的信号上的改 变。此操作模式对应上述的输出模式。晶体管10与12的特性表面上相同，但第一晶体管10的漏极电流通过緩
慢瞬变电流效应来修改，而第二晶体管12的漏极电流则不受到緩慢瞬变电流
反应的限制。
本发明所提出的方法的关键应用为具有操作在次门坎区域的电路，尤其 是用来采样非常低的电流的电路。此概念是将来自已对电流采样且正经历緩 慢瞬变电流效应的采样晶体管的栅-源极电压传送至未经历栅-源极电压的较 大变化且因此不会显现緩慢瞬变电流效应的输出晶体管。
图6表示使用本发明的电流采样电路的实施例，且图7表示可能的控制 信号时序。
将被采样的电流(光电流)由感光二极管30所产生，在图6中，感光二 极管由电流源CS6与并联的电容器Cp来表示。
此电流由晶体管10与12的结合所采样并维持住。两个CMOS反相器 A1与A2放大误差电压，其中，此误差电压是根据光电流与晶体管10或12 的漏极电流间的差异而产生的。此放大步骤减少的电路的稳定时间。
此电路具有多个开关，用以控制不同的操作模式。这些开关包括了第一 组开关，其受到时序控制信号(M所控制。其中一个是重置开关38,用以将与 第一晶体管10连接的栅-源极电压电容器32 (Cs)短路。反相器Al与A2也 包括具有相同时序的旁路开关，用以重置反馈控制回路(其包括放大器链)。
第二组开关具有时序控制信号(j)2。其中一个是将第一晶体管IO放置在电 路内或外的开关(开关18),另一个则是输出开关34。耦合开关16是受到时 序控制信号^所控制，其相反于时序控，信号(j)2。用来将晶体管12切换进入 至电路的开关20也受到时序控制信号^ (即())2之互补信号)所控制。
反馈控制回路包括电容器40 (Ck),其将具有时序控制信号^ (即小l的 互补信号)的电压耦合至放大器链的输入端。如上所述，这更加确定了在采 样期间内， 一正电压施加于晶体管的栅极。此放大器链具有输出电容器42 (Cc)。放大器链的电容器储存偏移电压，且当在这些电容器上的电荷随着时 间而消失时，这些电容器被重置，作为采样操作的一部分。
如第7图所示，控制信号())l与小2初始地为高电平。第一晶体管的栅-源 极电压设定为0V以作为重置操作，且跨越反相器Al与A2的开关关闭，使 得反相器的临界电压建立在其输入与输出端。这表示反馈回路的重置。
在将近50ps的采样期间(S),控制信号小l变为低电平，而控制信号小2
12为持在高电平。
电容器40在反相器Al的输入端产生以少量增加的电压，接着，在第一
晶体管10的栅极电压上产生一正跃阶。与维持在ov或变成负值的第一晶体
管10的栅极电压比较起来，上述的正跃阶是较好的，因为假使已发生第一晶 体管IO的栅极电压维持在OV或变成负值，采样电路的稳定时间变成受到感 光二极管的光电流与电容值所限制。
在采样期间，反馈操作用来控制第一晶体管10的栅-源极电压，使得漏 极电流变为等于光电流(在反馈炼的反相器在其输出端引出可忽略的电流)。 然而，第一晶体管10的栅-源极电压的初始跃阶与随后控制在此装置中可引 起前述的瞬变电流反应。
当反馈被激活时，其通过调整栅-源极电压的值来补偿瞬变电流。然而， 假使光电流由第一晶体管10来采样且接着通过将此装置的栅-源极电压保持 在一固定值来维持光电流，漏极电流则随着时间改变，且朝向对应此栅-源极 电压的一稳定状态值移动。在反馈回路开启后，于采样操作的终端时被采样 电流中的误差增加。为了避免此效应， 一旦栅-源极电压已建立在第一晶体管 IO的栅极时，此电压传送至第二晶体管12的栅极，其中，第二晶体管12不 会经历第一晶体管IO的栅极的初始跃阶，因此，在漏极电流上不会显现产生 的缓慢变化。此传送是通过将控制信号(])2切换至低电平且将控制信号())1维持 在低电平来完成(即在将近50(is的传送期间(T))
介于两晶体管IO与12之间的耦合开关16关闭，且电荷共享发生在电容 器14/32与放大器配置的输出电容器42之间。同时，与第一晶体管10的漏 极串联的开关18打开，而与第二晶体管12的漏极串联的开关20打开关闭， 此得第二晶体管12变为连接至反馈回路。
反馈接着操作来调整第二晶体管12的栅-源极电压，直到第二晶体管12 的漏纟及电流等于光电流。
因此，具有使用第二晶体管12的有效的第二采样期间，作为传送期间的 一部分。
在传送期间的终端，控制信号小l与小2变为高电平(即进入维持期间(H )), 第二晶体管12的栅极变为被隔离，且栅-源极电压由电容器14来维持。第二 晶体管12的漏极电流接着提供致电流采样电路的输出端OUT。
所提出的方法可应用在薄膜晶体管电路，其中，由于栅极电压的改变，则此装置的漏极电流的緩慢瞬变电流反应则导致了误差。
此电路是在感测应用中一特殊情况例子，尤其是当感测关于光强度或温 度的小电流时。此电路也可应用在其它电路，其中，薄膜晶体管经历栅极电 压瞬变现象，且被要求来产生适当定义的漏极电流，例如，使用预先充电技 术的电if各。
举例来说，本发明可用于处理光传感器信号的显示装置中。在此例子下， 光感测可用来控制显示能自动地相依于环境光水平，此控制架构为已知。光 感测也可用来描绘光源的衰老，例如在电致发光显示器内的背光或者更确切 地来说是显示像素本身。
本发明的另 一应用为放大器或缓沖电路。
图8表示使用本发明的方法的电压放大电路，其再次提供减少缓慢瞬变 电流误差的优点。
此电路具有两个反相电压放大器INVA与INVB，其以操作如单元增益放 大器的方式配置，即在反馈操作后，输出电压Vout等于输入电压Vin。当然， 这仅是一个放大器如緩冲器般操作的例子，但以相同的原则实施于放大电路。
一开关配置包括输出开关80与82，以选择性地将每一放大器输出端耦 合至共同输出端84。反馈关85连接于共同输出端84与输入端86之间，且 连接至第一与第二放大器。输入开关88耦接于电路输入端Vin与输入端86 之间，且耦接至第一与第二放大器。
每一放大器具有一反馈开关，用以短路其输入端与输出端，其强迫放大 器的临界电压呈现于输入端与输出端之间。每一放大器在其输入端也具有一 电容器CA/CB。
图9显示各个开关之时序，如信号())l至(j)4的时序。
在第一操作期间90 (可以是重置期间)，信号小l为高电平，使得输入电 压被提供至两放大器。信号(j)2、小3、及小4为低电平。等于(VthA-Vin)的电压 越过电容器CA而建立，而等于(VthB-Vin)的电压越过电容器CB而建立，其 中，VthA与VthB分别为放大器INVA与INVB的临界电压。
假使供电电压为5V，则临界电压VthA与VthB可々i设为2.5V。
在第二操作期间92 (第一反馈期间)，信号小l与小4为低电平，而信号小2 与小3为高电平。这表示放大器INVA正操作在反馈模式，且一开始其输入信 号将为
14VthA+VthB-Vin=5-Vin
举例来说，假使Vin为4V,放大器INVA的输入端为2V,这表示形成 放大器INVA的薄膜晶体管将经历由将近2.5V至IV的栅极电压的跃阶。
此跃阶很可能引发如第3图所述的緩慢瞬变电流，这表示在输出电压 Vout变成等于Vin之前，将需要等待数毫秒(ms )(依据放大器的增益)。
在第三期间94 (第二反馈期间)中，信号小4变为高电平，而信号小3变 为低电平。放大器INVA与反馈回路分离，且放大器INVB将操作在反馈模 式。在此期间，与当信号小3为高电平时放大器INVB的薄膜晶体管所经历的 状况比较起来，由于当信号())3为高电平时输出电压Vout已经历一些瞬变电 流，因此，在放大器INVB的薄膜晶体管将经历较少的电压跃阶。
因此，可得知，本发明激活来自一晶体管的输出信号(不论是电压或电 流)由两相异晶体管或相异晶体管电路连续地提供。此两晶体管或晶体管电 路被控制，使其被驱动来提供相同输出信号。然而，在此次序中，只有第一 晶体管或第一晶体管电路完全地经历在两输出周期之间的驱动状态改变，例 如由重置期间所产生。
所显示的电路仅是一个独立出来的例子，对于本发明所属技术领域中具 有通常知识者而言，具有许多已知的其它电流感测电路与放大电路。此外， 本发明更普遍地应用于输出电路，以提供根据输入状态且来自 一输出晶体管 的电流或电压输出。
在此电路中所示的开关当然也可以个别的晶体管或晶体管开关电路来实 施，且假使此电路被整合至另一装置(例如显示器)的基底，相同技术的装 置将使用给这些开关以及在此基底上的其它电路组件。因此，对于本发明所 属技术领域中具有通常知识者而言，所显示的电路实现将成为常规的。
一般而言，本发明可应用在一电路，其中，此电路经历周期性的重置或 预先充电操作，导致不是起源于控制输入信号的改变的晶体管栅极电压改变， 而此晶体管栅极电压改变。本发明的方法提供与这些改变隔离之一输出晶体 管，使得输出晶体管避开緩慢瞬变电流反应(除了正被采样的电流上的较大 改变效果以外)。
在此说明与专利范围中，将可理解涉与栅-源极电容的部分可包括晶体管 的本身电容，或者是在晶体管电路中可储存栅-源极电压的额外电容器。 本发明所属技术领域中具有通常知识者将可理解不同的改变。
15本发明虽以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明的范围，任 何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可 做一些的更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求为准。
权利要求
1. 一种晶体管电路，包括一第一输出晶体管；一第二输出晶体管，其中，该等第一与第二输出晶体管用来提供一输出信号至该晶体管电路的一共同输出端；以及一开关配置，用以将该第一输出晶体管的一输出端与该第二晶体管的一输出端依次地耦接至该共同输出端，其中，该等第一与第二输出晶体管受到控制以提供相同的稳定状态输出；其中，该开关配置适应地操作，使得当该第一输出晶体管的该输出端耦接至该共同输出端时，在该第一输出晶体管的驱动状态电压上的多个改变隔离于该第二输出晶体管。
2. 如权利要求1所述的晶体管电路，还包括一电流采样电路，其中 该第 一输出晶体管包括一 电流采样晶体管用以对一 电流进行采样；该第二输出晶体管包括传送一 电流输出的 一 晶体管，且该第二输出晶体 管与该第一输出晶体管并联；该晶体管电路还包括一第一晶体管栅-源极电容；该开关配置选择性地将该第 一输出晶体管的 一栅极电压耦合至该第二输 出晶体管的栅极；以及该开关配置包括一耦合开关，当该等变化无关于由该第一输出晶体管所 采样的该电流时，该耦合开关打开以避免该第一输出晶体管的一栅-源极电压 耦合至该第二输出晶体管，且该耦合开关关闭以将该第一输出晶体管的该栅 极电压传送至该第一晶体管栅-源极电容。
3. 如权利要求2所述的晶体管电路，还包括一第二晶体管栅-源极电容； 其中，该晶体管电路操作在三个模式一电流模式，在该电流采样模式中，该第 一输出晶体管对该电流进行采 样，且该第 一输出晶体管的该栅-源极电压储存在该第二晶体管栅-源极电容；一传送模式，在该传送模式中，该第一输出晶体管的该栅极电压透过该 耦合开关而传送至该第一晶体管栅-源极电容；以及一输出模式，在该输出模式中，该第二输出晶体管提供一输出电流，该 输出电流取得自在该第二晶体管栅-源极电容的电压，且该电流更由该第二输出晶体管来采样。
4. 如权利要求3所述的晶体管电路，还包括一重置开关，用以短路该第 二晶体管栅-源极电容。
5. 如权利要求1所述的晶体管电路，其中 该第一输出晶体管为一第一放大器的一部分；该第二输出晶体管为一第二放大器的一部分，该第二放大器并联于该第 一放大器；以及该开关配置包括多个输出开关，分别配置给该等第一与第二放大器，以 选择性地将该等第一与第二放大器的每一个的一放大输出端耦合至该共同输出端。
6. 如权利要求5所述的晶体管电路，其中，该开关配置包括 一反馈开关，耦接于该共同输出端与一输入端之间，且耦接该等第一与第二放大器；以及一输入开关，耦接于一电路输入端与该输入端之间，且耦接该等第一与 第二放大器。
7. 如权利要求6所述的晶体管电路，其中，该晶体管电路操作在三个模 式下一重置模式，在该重置模式下，该反馈开关与该等输出开关打开，且该 输入开关关闭；一第一输出模式，在该第一输入模式下，该第一放大器提供该输出信号 至该共同输出端，且该反馈开关关闭，该输入开关打开；以及一第二输出模式，在该第二输入模式下，该第二放大器提供该输出信号至该共同输出端，且该反馈开关关闭，该输入开关打开。
8. —种晶体管电路控制方法，包括将一第 一输出晶体管的一输出端耦接至一共同输出端； 将一第二输出晶体管的一输出端耦接至该共同输出端；其中，当该第一输出晶体管的该输出端耦接至该共同输出端时，在该第 一输出晶体管的驱动状态电压上的多个改变隔离于该第二输出晶体管；以及 其中，该等第 一与第二输出晶体管受到控制以提供相同的稳定状态输出。
9. 如权利要求8所述的晶体管电路控制方法，还包括一电流采样方法， 其中，该电流采样方法包括使用该第 一输出晶体管来采样一 电流，且将该第 一输出晶体管的 一栅-源 极电压储存在一第一晶体管栅-源电容，其中，当在该栅-源极电压之多个变化 无关于被采样的该电流时，在该栅-源极电压的该等变化隔离于该第二输出晶体管；将该第一输出晶体管的一栅极电压传送至一第二晶体管栅-源电容；以及 使用该第二输出晶体管来提供一输出电流，其中，该输出电流取得自在该第二晶体管栅-源极电容的电压；该晶体管电路控制方法还包括在介于电流采样时序之间的 一 重置操作内，短路该第一晶体管栅-源电容；该晶体管电路控制方法还包括当该第 一输出晶体管的该栅极电压被传送 时，使用该第二输出晶体管，并将该第二输出晶体管的一栅-源极电压储存在 该第二晶体管栅-源极电容。
10.如权利要求8所述的晶体管电路控制方法，还包括一电压放大方法， 其中，该第一输出晶体管为一第一放大器的一部分，该第二输出晶体管为一 第二放大器的一部分，且该第二放大器并联于该第一放大器。
全文摘要
一种晶体管电路，包括第一输出晶体管、第二输出晶体管、以及开关配置。第一与第二输出晶体管用来提供输出信号至晶体管电路的共同输出端。开关配置将第一输出晶体管的输出端与第二晶体管的输出端依次地耦接至共同输出端，其中，第一与第二输出晶体管受到控制以提供相同的稳定状态输出。开关配置适应地操作，使得当第一输出晶体管的输出端耦接至共同输出端时，在第一输出晶体管的驱动状态电压上的多个改变隔离于第二输出晶体管。
文档编号G01R19/00GK101470139SQ20081018892
公开日2009年7月1日 申请日期2008年12月26日 优先权日2007年12月27日
发明者尼可拉·巴拉曼提, 马丁·J·爱德华兹 申请人:统宝光电股份有限公司