专利名称：一种晶片研磨下盘面平整度测量装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种晶片研磨下盘面平整度测量装置，应用于晶片研磨加工领域。
背景技术：
由于晶片是比较精细的产品，其精度要求高，因此，用于对晶片进行研磨加工的研磨盘的精度也很高，一般来说，如果研磨盘面平面精度超出范围(9.6S :0.01mm;4S/4B/6S/6B :0. 005mm)，就需将其用修盘机进行修正，以免加工出不合格产品；而目前对下研磨盘面平整度的测量，一般是使用一个千分表分别测量该下研磨盘面不同位置的刻度，再对其进行比较，以获得下研磨盘面的平面精度，由此可知，这种方法不仅复杂，难以操作，而且结果也不是很准确，即晶片的研磨加工次品率目前还得不到有效的控制，极大地影响了晶片加工的工厂化生产。
实用新型内容本实用新型针对现有技术的不足，提供一种晶片研磨下盘面平整度测量装置，其通过在尺底座上间隔地安装三个平整度测量仪，以分别测量出研磨下盘面内边缘、内部以及外边缘三者对应的刻度值，再对前述获得的三个刻度值进行对比即可知，下研磨盘面的平整度是否满足晶片研磨加工的需求。 为实现以上的技术目的，本实用新型将采取以下的技术方案 —种晶片研磨下盘面平整度测量装置，包括尺底座以及固定连接在尺底座上的把持部，且该尺底座上还间隔地顺序安装有三个分别用于测量研磨下盘面外边缘、内部和内边缘的平整度测量仪。 所述平整度测量仪为千分表量测尺。[0007] 所述平整度测量仪为百分表测量尺。[0008] 根据以上的技术方案，可以实现以下的有益效果 由于本实用新型在同一尺底座上安装有三个平整度测量仪，则进行一次测量就可以反应出该位置的平整度，而无须像现有技术中，需要分别测量三次，才能获取下研磨盘面的平面精度，则本实用新型极大地提高了下研磨盘面平整度检测速度，有效地提高了晶片加工的速度，同时还避免分次测量所造成的测量误差，甚至由于操作失误造成的测量错误。
图1是本实用新型的结构示意图； 其中，内边缘测量仪ll内部测量仪12外边缘测量仪13把持部2尺底座具体实施方式以下将结合附图，详细地说明本实用新型的技术方案。
3[0013] 如图1所示，本实用新型所述的晶片研磨下盘面平整度测量装置，包括尺底座以及固定连接在尺底座上的把持部，且该尺底座上还间隔地顺序安装有三个分别用于测量研磨下盘面外边缘、内部和内边缘的平整度测量仪，即图中所示的内边缘测量仪11、内部测量仪12和外边缘测量仪13，且内边缘测量仪11、内部测量仪12和外边缘测量仪13可以是千分表量测尺，也可以是百分表测量尺。
权利要求一种晶片研磨下盘面平整度测量装置，其特征在于，包括尺底座以及固定连接在尺底座上的把持部，且该尺底座上还间隔地顺序安装有三个分别用于测量研磨下盘面外边缘、内部和内边缘的平整度测量仪。
2. 根据权利要求1所述的晶片研磨下盘面平整度测量装置，其特征在于，所述平整度测量仪为千分表量测尺。
3. 根据权利要求1所述的晶片研磨下盘面平整度测量装置，其特征在于，所述平整度测量仪为百分表测量尺。
专利摘要本实用新型涉及一种晶片研磨下盘面平整度测量装置，包括尺底座以及固定连接在尺底座上的把持部，且该尺底座上还间隔地顺序安装有三个分别用于测量研磨下盘面外边缘、内部和内边缘的平整度测量仪，由此可知，由于本实用新型在同一尺底座上安装有三个平整度测量仪，则进行一次测量就可以反应出该位置的平整度，而无须像现有技术中，需要分别测量三次，才能获取下研磨盘面的平面精度，则本实用新型极大地提高了下研磨盘面平整度检测速度，有效地提高了晶片加工的速度，同时还避免分次测量所造成的测量误差，甚至由于操作失误造成的测量错误。
文档编号G01B5/28GK201497483SQ20092023218
公开日2010年6月2日 申请日期2009年9月11日 优先权日2009年9月11日
发明者聂金根 申请人:镇江市港南电子有限公司