配线基板及探针卡的制作方法

专利名称：配线基板及探针卡的制作方法
技术领域：
本发明涉及配线基板及具备该配线基板并使用于半导体晶片的电特性检查的探 针卡。
背景技术：
在半导体的检查工序中，在切割前的半导体晶片的状态下通过使具有导电性的探 针接触而进行电特性检查，从而检测出不良品(晶片级别测试)。进行该晶片级别测试时， 为了将检查用的信号向半导体晶片传送，而使用对多个探针进行收容的探针卡。在晶片级 别测试中，利用探针卡扫描半导体晶片上的晶粒并使探针分别与各晶粒接触，但是由于在 半导体晶片上形成有几百 几万的晶粒，因此测试一个半导体晶片相当花费时间，且随着 晶粒的数量增加还会导致成本上升。为了消除上述的晶片级别测试的问题点，最近，使用有使几百 几万的探针一并 与半导体晶片上的全部的晶粒或半导体晶片上的至少1/4 1/2左右的晶粒接触的方法 (全晶片级别测试)(例如，参照专利文献1)。在该方法中，已知有为了使探针相对于半导 体晶片上的电极正确接触，而通过高精度地确保探针卡相对于半导体晶片表面的平行度或 平面度来保持探针的前端位置精度的技术、或高精度调整半导体晶片的技术(例如，参照 专利文献2或3)。图16是示意性地示出在上述的全晶片级别测试中适用的探针卡的一结构例的 图。该图所示的探针卡401具备探针头403，其收容与半导体晶片上的电极的配置图案 相对应设置的多个探针402 ；空间转换器404，其变换探针头403中的微细的配线图案的间 隔；转接板405，其转接从空间转换器404伸出的配线w ；板簧406，其保持探针头；配线基 板407，其将通过转接板405转接的配线w向检查装置连接；连接器408，其设置在配线基板 407上，并与生成检查用信号的检查装置侧连接；加强部件409，其对配线基板407进行加 强。专利文献1 日本特表2001-524258号公报专利文献2 日本专利第3386077号公报专利文献3 日本特开2005-164600号公报通常，以硅为主要成分的半导体晶片的热膨胀系数(3. 4X 10-6/oC )明显小于以环 氧或聚酰亚胺等树脂为主要成分的配线基板的热膨胀系数(12X 10_6 17X 10_6/°C )。因 此，在以往的探针卡中，作为空间转换器的材料，通过使用具有比半导体晶片的热膨胀系数 大且比配线基板的热膨胀系数小的热膨胀系数的材料，来缓和半导体晶片的热膨胀系数与 配线基板的热膨胀系数差，从而防止在范围大的温度环境(25 125°C左右)下进行电特性 检查时探针的前端位置与半导体晶片的电极之间产生错位的情况。然而，空间转换器由于形成内部的配线而制造花费时间，需要层叠几层，因而成为 高价。这种状况下，作为能够不使用空间转换器而构成探针卡的配线基板，优选能够进行 IOOm左右的微细间距的配线且具有接近硅的热膨胀系数的热膨胀系数的配线基板。

发明内容
本发明鉴于上述情况而作出，其目的在于，提供一种能够进行微细间距的配线且 具有接近硅的热膨胀系数的热膨胀系数的配线基板及具备该配线基板的探针卡。为了解决上述课题并实现目的，本发明的配线基板的特征在于，具备热膨胀系数 为3. 0 X 10_6 5. 0 X 10-6/oC的陶瓷基板；层叠在所述陶瓷基板的一个表面上的一或多个薄 膜配线板。另外，本发明的配线基板以上述发明为基础，其特征在于，所述陶瓷基板具有在厚 度方向上贯通该陶瓷基板的通孔。另外，本发明的配线基板以上述发明为基础，其特征在于，还具备分别与所述薄膜 配线板电连接的多个无插拔力型的连接器。另外，本发明的配线基板以上述发明为基础，其特征在于，还具备层叠在所述陶瓷 基板的另一个表面上且热膨胀系数小于所述陶瓷基板的一或多个金属。另外，本发明的配线基板以上述发明为基础，其特征在于，还具备层叠在所述陶瓷 基板的另一个表面上的多层薄膜配线板。另外，本发明的探针卡通过使用沿长度方向伸缩自如的导电性的探针，来将半导 体晶片和生成对该半导体晶片输出的信号的电路结构电连接，其具备上述任一发明所述 的配线基板；探针头，其使多个所述探针对应于所述薄膜配线板的配线配置，并且在各探针 的两端露出的状态下以防脱落的方式分别对各探针进行保持，在使各探针的一端与所述薄 膜配线板接触的状态下层叠在所述配线基板上。发明效果根据本发明，由于具备热膨胀系数为3. OX 10_6 5. OX 10_6/°C的陶瓷基板和层叠 在该陶瓷基板的一个表面上的一或多个薄膜配线板，因此能够提供一种能够进行微细间距 的配线且具有接近硅的热膨胀系数的热膨胀系数的配线基板及具备该配线基板的探针卡。


图1是示出本发明的实施方式1的探针卡的结构的俯视图。图2是图1的箭头A方向的俯视图。图3是示出探针、探针头及配线基板的各主要部分的结构的图。图4是示出配线基板主要部分的另一结构例的图。图5是示出本实施方式1的一变形例的探针卡的结构的图。图6是示出本发明的实施方式1的一变形例的探针卡的主要部分的结构的图。图7是示出本发明的实施方式1的另一变形例的探针卡的结构的图。图8是示出本发明的实施方式2的探针卡的结构的图。图9是图8的箭头B方向的俯视图。图10是示出本发明的实施方式2的探针卡的主要部分的结构的图。图11是示出本发明的实施方式2的探针卡所具备的ZIF型的连接器的结构的图。图12是示出本发明的实施方式3的探针卡的结构的俯视图。图13是示出本发明的实施方式3的探针卡所具备的ZIF型的连接器的结构的图。
图14是示出本发明的另一实施方式的配线基板的主要部分的结构的图。图15是示出本发明的又一实施方式的配线基板的主要部分的结构的图。图16是示出现有的探针卡的结构的图。符号说明1、8、12、15、401 探针卡2、402 探针3、403 探针头4、4，、9、13、16、18、19、44、407 配线基板5、406 板簧6、10、14、17、408 连接器7、409加强部件11安装部件14a 结合部14b 第一凸缘部14c躯体部14d第二凸缘部21,22 针头(7°，>夕弋)2 la、22a 前端部21b,22c 凸起部21c 轴部22b 凸缘部23螺旋弹簧23a 疏卷绕部23b密卷绕部31、134、142、143、164、175、176 孔部31a 小径孔31b 大径孔41、91、131、161、181、191 陶瓷基板42a、42b、42c、42d、92a、92b、92c、132a、132b、132c、132d、162、182a、182b、182c、182d、192a、192b、192c、192d 薄膜配 线板43、43，、46多层薄膜配线板93树脂基板100 半导体晶片101 电极133 切口141、173、174 导线163 开口部171第一连接器
171a第一结合部
171b第三凸缘部
171c第二结合部
172第二连接器
172a第四凸缘部
172b嵌入部
183、193、194、195金属
201、301 螺钉
404空间转换器
405转接板
411、431、911、931通孔
412、912、932 导电材料
具体实施例方式以下，参照附图，说明用于实施本发明的最佳方式(以后，称为“实施方式”)。此 外，附图是示意性的图，应该注意到各部分的厚度与宽度的关系、各个部分的厚度的比率等 存在与现实不同的情况，当然在附图相互之间也包含相互的尺寸关系或比率不同的部分的 情况。(实施方式1)图1是示出本发明的实施方式1的探针卡的结构的俯视图。而且，图2是图1的 箭头A方向的俯视图。所述图中示出的探针卡1具备对应于检查对象配设的多个导电性 的探针2 ；收容多个探针2的圆盘状的探针头3 ；具有与探针头3中收容的探针2的配置图 案相对应的配线图案，且直径比探针头3大的圆盘状的配线基板4 ；固定在配线基板4上并 保持探针头3的板簧5 ；设置在配线基板4的表面中的与层叠有探针头3的表面相反侧的表 面上，并与具备生成检查用信号的电路结构的检查装置连接的连接器6 ;安装在配线基板4 的一个面上，并加强配线基板4而防止变形的加强部件7。图3是示出探针2的结构并示出探针头3及配线基板4的主要部分的结构的图。 探针2具备前端与配线基板4接触的针头21 ；向与针头21相反的方向突出，并与检查对 象即半导体晶片100的电极101接触的针头22 ；设置在针头21、22之间，并将针头21、22连 结成伸缩自如的螺旋弹簧23。相互连结的针头21、22及螺旋弹簧23具有同一轴线。针头21具有具有尖锐端的前端部21a ；设置在前端部21a的基端侧，且具有比前 端部21a的直径小的直径的凸起部21b ；从凸起部21b的表面中的与前端部21a相接侧的 相反侧的表面延伸的轴部21c。而且，针头22具有具有尖锐端的前端部22a ；设置在前端 部22a的基端侧，且具有比前端部22a的直径大的直径的凸缘部22b ；从凸缘部22b的表面 向与前端部22a相反的方向突出，且具有比凸缘部22b的直径小的直径的凸起部22c。螺旋 弹簧23的安装在针头21上的一侧为疏卷绕部23a，而安装在针头22上的一侧为密卷绕部 23b。疏卷绕部23a的端部被压入凸起部21b，而密卷绕部23b的端部被压入凸起部22c。在图3所示的状态下，探针2的螺旋弹簧23弯曲而密卷绕部23b的至少一部分与 轴部21c接触。由此，在针头22的前端部22a与半导体晶片100的电极101接触时，实现依次经由针头21、螺旋弹簧23的密卷绕部23b及针头22的最短路径的电导通。此外，在此说明的探针2的结构只不过是一例，而能够使用以往所知的各种各样 探针的任一种来构成。探针头3使用绝缘性材料形成。根据半导体晶片100的电极101的排列而分别收 容探针2的孔部31在探针头3的厚度方向(图3的上下方向)上贯通而设置在探针头3 上。孔部31具备从半导体晶片100侧的端面到至少比前端部22a的长度方向的长度短的 长度上形成的小径孔31a ；具有与该小径孔31a相同的中心轴，且具有比小径孔31a的直径 大的直径的大径孔31b。小径孔31a的内径比前端部22a的外径稍大而比凸缘部22b的外 径稍小。因此，孔部31防止针头22脱落。探针头3中收容的探针2的数量或配置图案根据半导体晶片100上形成的半导体 芯片的数量或电极101的配置图案来决定。例如，以直径8英寸(约200mm)的半导体晶片 100为检查对象时，需要几十 几千个探针2。而且，以直径12英寸(约300mm)的半导体 晶片为检查对象时，需要几百个 几万个探针2。配线基板4具有热膨胀系数为2. 5X 10_6 5. 0X 10_6/°C，优选2. 9X 10_6 3.9X10_7°C的陶瓷基板41 ；层叠在陶瓷基板41的一个表面上的3片薄膜配线板42a、42b、 42c ；层叠在陶瓷基板41的另一个表面上的多层薄膜配线板43。陶瓷基板41的热膨胀系 数具有接近硅的热膨胀系数(3.4X10_6/°C)的值。薄膜配线板42a、42b、42c及多层薄膜配 线板43能够进行例如Cu/PI薄膜多层配线，即100 μ m左右的微细间距的配线。薄膜配线 板42a、42b、42c及多层薄膜配线板43通过粘结等固定在陶瓷基板41上。此外，在图1中， 对3片薄膜配线板42a、42b、42c —并附加符号42。陶瓷基板41上形成有多个贯通板厚方向的通孔411。通孔411通过钻孔加工、冲 孔加工、激光加工、电子束加工、离子束加工、线电极电火花加工、冲压加工、电火花线切割 加工、或蚀刻加工等任一种加工方法形成，并对表面实施银或铜等导电材料412的电镀加工。此外，如图4所示的配线基板44那样，也可以在陶瓷基板41的一个表面上设置1 片薄膜配线板42d，而在另一个表面上设置4层的多层薄膜配线板46。而且，在图1中，虽 然示出了薄膜配线板42d的表面积具有与探针头3相同的表面积的情况，但是也可以使薄 膜配线板42d的表面积与陶瓷基板41的表面积相等。根据以上说明的本发明的实施方式1，由于具备热膨胀系数为3. OX 10_6 5. OX 10_7°c的陶瓷基板和层叠在该陶瓷基板的一个表面上的一或多个薄膜配线板，因此 能够提供一种能够进行微细间距的配线且具有接近硅的热膨胀系数的热膨胀系数的配线 基板及具备该配线基板的探针卡。另外，根据本实施方式1，由于配线基板的热膨胀系数接近硅且在配线基板中能够 进行微细间距的配线，因此无需像以往的探针卡那样使用空间转换器。因此，也不需要将空 间转换器与配线基板电连接的转接板，从而不会产生如现有探针卡那样接合点增加而电特 性变差的问题。因此，能够提供一种高频率的电信号的传送特性优良的配线基板及探针卡。另外，根据本实施方式1，由于不需要空间转换器和转接板，因此部件个数少且组 装容易，能够缩短制造所需的时间。因此，能够削减制造所需的成本并实现低价格化。另外，根据本实施方式1，通过使配线基板的热膨胀系数接近半导体晶片的热膨胀系数，来防止检查时的配线基板上产生错位或翘曲的情况。其结果是，能够实现全部探针向 半导体晶片的均勻的接触，能够防止探针间的磨损的程度产生差异的情况，从而能够提高 各探针的耐久性。图5是示出本实施方式1的一变形例的探针卡的结构的图。该图所示的探针卡8 具备多个探针2、探针头3、配线基板9、设置在配线基板9的侧面上的检查装置连接用的连 接器10、以及设置在配线基板9的表面上且包含噪声降低用电容器的安装部件11。配线基板9具有与上述实施方式1的陶瓷基板41相同材质的陶瓷基板91 ；层叠 并固定在陶瓷基板91的一个表面上且夹设在陶瓷基板91与探针头3之间的3片薄膜配线 板92a、92b、92c ；以环氧或聚酰亚胺等树脂为主要成分，且具有能够让陶瓷基板91嵌入的 凹部的树脂基板93。树脂基板93具有在嵌入有陶瓷基板91的状态下与陶瓷基板91的表 面齐面的表面，在该表面上层叠有薄膜配线板92a、92b、92c。此外，在图5中，对3片薄膜配 线板92a、92b、92c —并附加符号92。图6是示出探针卡8的主要部分的结构的图。在陶瓷基板91及树脂基板93上 形成有多对成对而相互连通的通孔911、931。对通孔911、931的各表面分别实施导电材料 912、932的电镀加工。安装部件11经由通孔911、931、3片薄膜配线板92a、92b、92c与探针 2导通。根据具有此种结构的探针卡8，通过将陶瓷基板91的体积抑制为必要的最小限 度，而容易调整陶瓷基板91的平坦度。而且，作为配线基板9的其余的部分，使用比陶瓷基 板91廉价的树脂基板93，因此能够进一步降低成本。此外，能够相对于上述的探针卡1安装安装部件11。图7是示出这种情况的探针卡 的主要部分的结构的图。该图所示的配线基板4’具有陶瓷基板41 ；3片薄膜配线板42a、 42b,42c ；在多层薄膜配线板43上形成有与陶瓷基板41的通孔411连通的通孔431的多层 薄膜配线板43’。通过使用具有此种结构的配线基板4’，能够实现安装部件11与探针2的 直线性的配线，因此能够缩短从半导体晶片100到安装部件11的距离。因此，例如设置噪 声降低用电容器作为安装部件11时，能够得到良好的噪声降低效果。(实施方式2)图8是示出本发明的实施方式2的探针卡的结构的图。图9是图8的箭头B方向 的俯视图。而且，图10是示出本实施方式2的探针卡的主要部分的结构的图。所述图所示 的探针卡12具备多个探针2、探针头3、配线基板13、板簧5、加强部件7、为了进行与检查装 置的连接而相对于配线基板13的中心配置成放射状的多个连接器14。配线基板13具有与上述的陶瓷基板41相同材质(热膨胀系数为2. 5X ΙΟ"6 5.0父10_71，优选2.9\10_6 3.9\10_6/1)的陶瓷基板131 ；层叠并固定在陶瓷基板 131的一个表面即与探针头3相对向的表面上的4片薄膜配线板132a、132b、132c、132d。此 外，在图8中，对4片薄膜配线板132a、132b、132c、132d—并附加符号132。图11是示出连接器14的简要结构的图。在图11中，与图8同样地，对4片薄膜 配线板132a、132b、132c、132d—并附加符号132。以下，在本实施方式2中，将4片薄膜配 线板132a、132b、132c、132d —并称为薄膜配线板132。连接器14是在装卸成对的连接器时 几乎不需要外力的无插拔力(ZIF)型的连接器。具体来说，连接器14为外连接器，具备安 装在配线基板13上形成的切口 133上，并使多根导线141在侧面露出而与成对的内连接器(设置在检查装置侧)相结合的结合部14a ；形成在结合部14a的基端部，当安装在配线基 板13上时位于配线基板13的一个表面(图11的上表面)上的第一凸缘部14b ；插入到切 口 133内部的躯体部14c ；使多根导线141在躯体部14c侧的表面露出的第二凸缘部14d。 第二凸缘部14d的多根导线141与薄膜配线板132的配线相接触，由此将连接器14与薄膜 配线板132电连接。第一凸缘部14b及第二凸缘部14d的相对向的表面彼此具有大致相同的面积。第 一凸缘部14b上形成有多个螺钉插通用的孔部142。而且，第二凸缘部14d上形成有位于与 第一凸缘部14b上形成的多个孔部142的任一个孔部同轴上的多个螺钉插通用的孔部143。将连接器14安装在配线基板13上时，如图11所示，从配线基板13的切口 133的 外周侧向配线基板13的中心方向使连接器14滑动而插接后，在对应的孔部134、142及143 上安装螺钉201。此外，在图11中，为了简便而仅记载了一个螺钉201。根据以上说明的本发明的实施方式2，由于具备热膨胀系数为3. OX 10_6 5. OX 10_6/°C的陶瓷基板和层叠在该陶瓷基板的一个表面上的多个薄膜配线板，因此能够 提供一种能够进行微细间距的配线且具有接近硅的热膨胀系数的热膨胀系数的配线基板 及具备该配线基板的探针卡。另外，根据本实施方式2，由于不需要空间转换器和转接板，因此能够提供一种高 频率的电信号的传送特性优良且不花费成本的经济的探针卡。另外，根据本实施方式2，通过使用Z I F型的连接器来实现电连接，即使在探针的 数量多且反作用力在具有弹簧作用的端子上增大而对探针卡或检验器的应力变大的情况 下，也能够得到不产生应力的可靠的电连接。因此，即使在探针的数量多且配线复杂的探针 卡的情况下，也难以产生导通不良或探针的劣化，从而能够提高探针卡的耐久性。(实施方式3)图12是示出本发明的实施方式3的探针卡的结构的俯视图。该图所示的探针卡 15具备多个探针2、探针头3、配线基板16、板簧5、相对于配线基板16的中心配设成放射状 的多个连接器17。配线基板16具有与上述的陶瓷基板41相同材质(热膨胀系数为3. OX 10_6 5. OX IO-V0C )的陶瓷基板161 ；层叠并固定在陶瓷基板161的一个表面即与探针头3相对 向的表面上的多个薄膜配线板。此外，在图13中，对多个薄膜配线板一并附加符号162。以 下，在本实施方式3中，将多个薄膜配线板一并称为薄膜配线板162。图13是示出连接器17的简要结构的图。该图所示的连接器17是ZIF型的外连 接器，包括能够与成对的内连接器结合的第一连接器171 ；安装在配线基板16上形成的开 口部163上，与配线基板16的薄膜配线板162电连接且与第一连接器171结合的第二连接 器 172ο第一连接器171具备安装并结合在成对的内连接器上的凸状的第一结合部 171a ；安装在配线基板16上时位于配线基板16的一个表面(图13的上表面)上的第三凸 缘部171b ；与第二连接器172结合的凸状的第二结合部171c。多根导线173在第一结合部 171a及第二结合部171c的各侧面露出。第二连接器172具备安装在配线基板16上时位 于配线基板16的另一个表面(图13的底面)上的第四凸缘部172a ；使第一连接器171的 第二结合部171嵌入而进行结合的凹状的嵌入部172b。多根导线174在第四凸缘部172a的上表面及嵌入部172b的内侧面露出。在第四凸缘部172a的上表面露出的导线174与薄 膜配线板162的配线接触，由此将第二连接器172和薄膜配线板162电连接。而且，在嵌入 部172b的内侧面露出的导线174与第一连接器171的导线173接触，由此将第一连接器 171与第二连接器172电连接。将连接器17安装在配线基板16上时，将第二连接器172的嵌入部172b安装在开 口部163上后，使第一连接器171的第二结合部171c与该嵌入部172b嵌合，相对于第一连 接器171上设置的孔部175、配线基板16上设置的孔部164、以及第二连接器172上设置的 孔部176来安装螺钉301 (在图13中，为了简便而仅记载一个螺钉301)。根据以上说明的本发明的实施方式3，能够得到与上述实施方式2同样的效果。另 外，根据本实施方式3，将外连接器分割成两个连接器来构成，从而取代在配线基板上形成 上述实施方式2那样的切口而只要在配线基板上设置开口部即可，能够提高配线基板的刚 性。而且，由于配线基板的接地层或电源层在配线基板的外周部不断开而连接，因此能确保 返回电流的路径。因此，能够实现适合于传送高频率的电信号的传送特性。(其他实施方式)到此为止，详述了实施方式1 3作为用于实施本发明的最佳方式，但是本发明 并不应该被限定为所述实施方式。例如，根据陶瓷基板的热膨胀系数，如图14所示的配线 基板18那样，也可以相对于陶瓷基板181的表面即与层叠有4片薄膜配线板182a、182b、 182c、182d的表面不同的表面(另一个表面)，使具有低热膨胀系数的金属183层叠并 通过将陶瓷基板181与金属183进行扩散接合而接合。此外，这里所谓“金属”也包含合 金。根据此种配线基板18，即使在陶瓷基板181仅具有与现有的陶瓷基板同等程度的热 膨胀系数的情况下，通过将具有适当的热膨胀系数的金属183进行组合，也能够使配线基 板18的热膨胀系数接近硅的热膨胀系数。在该意义下，作为陶瓷基板181，能够适用例如 Macerite (注册商标)HSP (热膨胀系数9. 8 X 10_7°C )，Photoveel (注册商标)H (热膨胀系 数 7. 8X10-6/oC )，Photoveel (注册商标)II (热膨胀系数 1.4X 10_6,C )等。另外，如图15所示，也可以在陶瓷基板上层叠热膨胀系数相互不同的金属。在 图15所示的配线基板19中，示出相对于陶瓷基板191的表面即与层叠有4片薄膜配线板 192a、192b、192c、192d的表面不同的表面层叠3片金属并通过扩散接合进行固定的情况。 例如，在图15中，将最上方的金属193和直接层叠在陶瓷基板191上的金属194形成为 Kovar (注册商标)材料，作为层叠在这2片Kovar (注册商标)材料之间的金属195，能够 使用比Kovar (注册商标)材料的热膨胀系数小的Irwar材料。如此，通过在陶瓷基板上层 叠热膨胀系数相互不同的多片金属板，能够使配线基板整体的热膨胀系数接近硅的热膨胀 系数。此外，在上述实施方式2及3中，说明了在配线基板上安装ZIF型的外连接器的情 况，但是也可以在配线基板上安装ZIF型的内连接器。从以上说明可知，本发明也包含未在此记载的各种实施方式等，能够在不脱离权 利要求书的范围所规定的技术思想的范围内实施各种设计变更等。工业实用性如上所述，本发明的配线基板及探针卡在半导体晶片的电特性检查中有用。
权利要求
一种配线基板，其特征在于，具备热膨胀系数为3.0×10 6～5.0×10 6/℃的陶瓷基板；层叠在所述陶瓷基板的一个表面上的一或多个薄膜配线板。
2.根据权利要求1所述的配线基板，其特征在于，所述陶瓷基板具有在厚度方向上贯通该陶瓷基板的通孔。
3.根据权利要求1所述的配线基板，其特征在于，还具备分别与所述薄膜配线板电连接的多个无插拔力型的连接器。
4.根据权利要求1或2所述的配线基板，其特征在于，还具备层叠在所述陶瓷基板的另一个表面上且热膨胀系数小于所述陶瓷基板的一或 多个金属。
5.根据权利要求1或2所述的配线基板，其特征在于，还具备层叠在所述陶瓷基板的另一个表面上的多层薄膜配线板。
6.一种探针卡，通过使用沿长度方向伸缩自如的导电性的探针，来将半导体晶片和生 成对该半导体晶片输出的信号的电路结构电连接，其特征在于，具备权利要求1 5中任一项所述的配线基板；探针头，其使多个所述探针对应于所述薄膜配线板的配线配置，并且在各探针的两端 露出的状态下以防脱落的方式分别对各探针进行保持，在使各探针的一端与所述薄膜配线 板接触的状态下层叠在所述配线基板上。
全文摘要
本发明提供一种能够进行微细间距的配线且具有接近硅的热膨胀系数的热膨胀系数的配线基板及具备该配线基板的探针卡。为了此种目的，具备配线基板，其具有热膨胀系数为3.0×10-6～5.0×10-6/℃的陶瓷基板和层叠在陶瓷基板的一个表面上的一或多个薄膜配线板；探针头，其使导电性的多个探针对应于薄膜配线板的配线配置，并且在使各探针的两端露出的状态下以防脱落的方式分别对各探针进行保持，在使各探针的一端与薄膜配线板接触的状态下层叠在所述配线基板上。
文档编号G01R1/073GK101946183SQ20098010556
公开日2011年1月12日 申请日期2009年2月26日 优先权日2008年2月29日
发明者中山浩志, 宫地真也, 铃木恒平, 风间俊男 申请人:日本发条株式会社