专利名称：一种晶体硅太阳电池双面组件电性能测试装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种晶体硅太阳电池双面组件电性能测试装置。
背景技术：
目前光伏市场发展迅速，晶体硅太阳电池组件需求日渐攀升，电池和组件技术不断革新，市场上已经研制出双面发电的电池，于是晶体硅太阳电池双面组件也应运而生。晶体硅太阳电池双面组件工艺大致有两种，一种是两面都用组件超白钢化玻璃封装，另一种系正面用玻璃背面用透明背板封装，工艺日渐成熟，逐步推向市场，然而功率测试还是一个难题，现有普通组件IV测试台也基本上是单面测试功率(即单面组件IV测试台)，对于两面发电的晶体硅太阳电池组件需要正背面单独测试，这样也不符合组件实际发电的需求。
实用新型内容本实用新型所要解决的问题是在于提供一种晶体硅太阳电池双面组件电性能测试装置。该装置使用模拟光源和现有单面组件IV测试台组合测试晶体硅太阳电池双面组件的电性能，该装置操作简单，成本低廉，可以弥补传统组件测试台单面测试的不足，同时也可以节省购买昂贵的双面组件专用测试台的费用。本实用新型涉及的一种晶体硅太阳电池双面组件电性能测试装置，包括单面组件 IV测试台，其特征是在单面组件IV测试台上方设有光源支架，光源支架上设有模拟光源。 所述模拟光源为氙灯或商钨灯。根据晶体硅太阳电池组件的短路电流调节模拟光源距组件的距离标定模拟光源的光强，按照标定的高度用模拟光源照射组件背面，同时用单面组件IV测试台测试晶体硅太阳电池组件正面得到晶体硅太阳电池组件的IV曲线及相关电性能参数。本实用新型的工作过程1、用单面组件IV测试台测试晶体硅太阳电池双面组件正面，得到背面不受光时组件的短路电流。2、用模拟光源照射晶体硅太阳电池双面组件正面(背面不受光)，调节光源距晶体硅太阳电池双面组件的高度至其短路电流为上述步骤1所述的电流值时，此处模拟光源的光强为标准情况下的光强，即一个标准太阳。3、将晶体硅太阳电池双面组件置于单面组件IV测试台台面上，正面向下背面向上，晶体硅太阳电池双面组件正负极与测试台正负极连接线正确相连。4、按照标定的高度用模拟光源照射晶体硅太阳电池双面组件背面，测试晶体硅太阳电池双面组件正面获得其双面组件的总功率，得到其IV曲线及相关电性能参数。本实用新型所述晶体硅太阳电池双面组件(又称晶体硅太阳双面电池)，其正背面用普通组件超白钢化玻璃封装，或正面用玻璃背面用透明背板封装等其他两面可以受光的封装方式。本实用新型采用短路电流标定模拟光源的原理在于组件的短路电流与模拟光源
3光强成正比。本实用新型也可以测试背面受光小于一个标准太阳时的情形，如20%、40%等倍数的标准太阳。本实用新型也可用于测试其他类型太阳电池双面组件。本实用新型结构简单、成本低廉，操作简单实用。
图1为一种晶体硅太阳电池双面组件的测试装置示意图。图2为标定模拟光源光强的电路图。
具体实施方式
以下结合附图，对本实用新型作进一步详细说明。图1是晶体硅太阳电池双面组件电性能测试装置示意图，主要有4部分组成，1 为现有的单面组件IV测试台，2为晶体硅太阳电池双面组件(简称待测组件)，3为模拟光源即氙灯或卤钨灯，4为可调节高度的光源支架。图2为标定模拟光源光强的电路图，由电压表、电流表及可调稳压直流电源组成，电压表与晶体硅太阳电池双面组件并联，电流表及可调稳压直流电源与晶体硅太阳电池双面组件串联。下面介绍本实用新型装置模拟光源标定及晶体硅太阳电池双面组件电性能测试过程用遮光布遮挡36片单晶125晶体硅太阳电池双面组件背面，单面组件IV测试台测试晶体硅太阳电池双面组件正面，得到晶体硅太阳电池双面组件正面的短路电流5. 62A。 连接如图2所示的电路，用模拟光源照射晶体硅太阳电池双面组件正面，晶体硅太阳电池双面组件背面用遮光布遮挡，调节模拟光源距晶体硅太阳电池双面组件的距离至电流表显示为5. 62A，此时光强即为一个标准太阳；再次调节模拟光源高度至电流表显示为2. 248A 即5. 62的40%，此时光强为40%倍标准太阳；同理可以得到20%，80%等倍数的标准太阳的光强。将晶体硅太阳电池双面组件放置单面组件IV测试台台面，正面向下背面向上，模拟光源置于单面组件IV测试台台面正上方，即待测晶体硅太阳电池双面组件背面正上方， 并按照上述标定的高度设定模拟光源的光强为1个太阳，此时测试晶体硅太阳电池双面组件。本实施例，封装36片125晶体硅太阳电池双面组件，经光强为1个太阳的模拟光源照背面面的同时用单面组件IV测试台测试晶体硅太阳电池双面组件，得到如下电性能参数功率为112. 78W,电压为23. 33 V，电流为5. 92A，填充因子为81. 8%。调节模拟光源高度，至光强为40%标准太阳光强位置，测试待测组件，得到如下电性能参数功率为110. 27W,电压为23. 31 V，电流为5. 80A，填充因子为81. 48%。再调节模拟光源高度至光强为80%标准太阳光强位置，测试待测组件，得到如下电性能参数功率为111. 18W,电压为23. 32 V，电流为5. 83A，填充因子为81. 79%。
权利要求1.一种晶体硅太阳电池双面组件电性能测试装置，包括单面组件IV测试台，其特征是在单面组件IV测试台上方设有光源支架，光源支架上设有模拟光源。
2.根据权利要求1所述一种晶体硅太阳电池双面组件电性能测试装置，其特征是所述模拟光源为氙灯或商钨灯。
专利摘要本实用新型公开了一种晶体硅太阳电池双面组件电性能测试装置，包括单面组件IV测试台，其特征是在单面组件IV测试台上方设有光源支架，光源支架上设有模拟光源。所述模拟光源为氙灯或卤钨灯。根据晶体硅太阳电池组件的短路电流调节模拟光源距组件的距离标定模拟光源的光强，按照标定的高度用模拟光源照射组件背面，同时用单面组件IV测试台测试晶体硅太阳电池组件正面得到晶体硅太阳电池组件的IV曲线及相关电性能参数。本实用新型结构简单、成本低廉，操作简单实用。
文档编号G01R31/26GK202221466SQ20112026370
公开日2012年5月16日 申请日期2011年7月25日 优先权日2011年7月25日
发明者倪志春, 张彩霞, 王祺, 王艾华, 赵建华 申请人:中电电气(南京)光伏有限公司