技术领域本发明涉及检测用于对象物的浓度测定的测定光的光强度的光强度检测装置。
背景技术：
以往，利用光来感测对象物的光学式传感器在各种用途中使用。这样的光学式传感器的一例在专利文献1或2中被公开。在专利文献1中，公开了具备测定芯片和基准芯片的利用全反射衰减的测定装置中的测定方法。在该测定方法中，由测定芯片以及基准芯片中分别具备的光电二极管(检测部)算出测定芯片与基准组件之间的灵敏度差。之后，仅在测定芯片添加被检体，使用上述灵敏度差来校正基准芯片的测定结果，根据校正过的测定结果来修正测定组件的测定结果。在该方法中，通过评价全反射衰减的变化来测定被检体(对象物)的浓度。另外，在专利文献2中，公开了分子检测装置，其具备：发出给定波长的光的光源、具有光学特性变化的光子结晶结构的波导路(芯层)的光学元件、和基于从光学元件射出的光的变化来检测特定分子的吸附的检测部。通过由检测部评价波导路的光学特性的变化，来测定在波导路所吸附的特定分子(对象物)的浓度。另外，在该分子检测装置中，在波导路存在多个的情况下，通过将任意1个波导路用作基准用，能进行排出了环境变化的影响等的上述测定。现有技术文献专利文献专利文献1：日本公开专利公报「特开2003-130791号公报(2003年5月8日公开)」专利文献2：日本公开专利公报「特开2006-90914号公报(2006年4月6日公开)」
技术实现要素：
发明要解决的课题在专利文献1以及2所记载的发明中，光源射出的测定光的光强度并不是随着对象物的浓度而变化。专利文献1的发明中，受到对象物所带来的影响的是测定芯片所具备的金属膜以及电介质块，在专利文献2的发明中受到对象物所带来的影响的是光学元件。因此，在专利文献1以及2的发明中，没有设想对测定这样的受到光学特性的影响的光源所发出的光的强度的结果进行修正来提升对象物的浓度的测定精度。本发明鉴于上述的问题点而提出，其目的在于，实现能精度良好地测定对象物的浓度的光强度检测装置。用于解决课题的手段为了解决上述的课题，本发明的1个方式所涉及的光强度检测装置构成为具备：对象检测部，其光学特性根据对象物的浓度而发生变化；第1光源，其射出用于测定上述对象物的浓度的测定光；第1光检测部，其检测与上述对象检测部的光学特性的变化相伴而变化的上述测定光的光强度；第2光源，其射出用于修正由上述第1光检测部检测到的上述测定光的光强度的参考光；和第2光检测部，其检测上述参考光的光强度，从上述第2光源射出的参考光的光强度不受上述光学特性的变化的影响地被上述第2光检测部检测，上述第1光源以及上述第2光源配置在相同环境下。进而，为了解决上述的课题，本发明的1个方式所涉及的检测方法包括：测定光射出步骤，第1光源射出用于测定对象物的浓度的测定光；测定光检测步骤，第1光检测部检测与根据上述对象物的浓度而光学特性发生变化的对象检测部的该光学特性的变化相伴而变化的上述测定光的光强度；参考光射出步骤，配置在与上述第1光源相同环境下的第2光源射出用于修正由上述第1光检测部检测到的上述测定光的光强度的参考光；和参考光检测步骤，第2光检测部不受上述光学特性的变化的影响地检测上述参考光的光强度。发明的效果根据本发明的1个方式，通过使用参考光的光强度来修正测定光的光强度，能精度良好地测定对象物的浓度。附图说明图1是表示本发明的1个实施方式所涉及的光学式传感器的概略构成的示意图。图2是表示上述光学式传感器的概略构成的框图。图3是表示上述光学式传感器所具备的检测用光源以及基准用光源的具体的构成的一例的图，(a)是表示检测用光源的具体的构成的概略截面图，(b)是表示基准用光源的具体的构成的概略截面图。图4是表示上述光学式传感器的动作的流程图。图5是表示上述光学式传感器所具备的光源控制部进行的点亮控制的一例的时序图。图6是表示本发明的另外实施方式所涉及光学式传感器的概略构成的示意图。图7是表示本发明的另一实施方式所涉及光学式传感器的概略构成示意图。图8是表示本发明的另一实施方式所涉及光学式传感器的概略构成的示意图。图9是表示图8所示的光学式传感器所具备的单片型半导体激光器的概略构成的示意图。图10是表示本发明的另一实施方式所涉及光学式传感器的概略构成的示意图。图11是表示本发明的另一实施方式所涉及光学式传感器的概略构成的示意图。具体实施方式〔实施方式1〕以下，参考图1～图5对本发明的实施方式来详细进行说明。<光学式传感器的构成>图1是表示光学式传感器(光强度检测装置)1的概略构成的示意图。另外，图2是表示光学式传感器1的概略构成的框图。如图1所示那样，光学式传感器1检测被提供对象物的对象检测部20的光学特性的变化，作为光强度的变化。另外，光学式传感器1通过评价该光强度的变化来测定作为测定对象(检测对象)的对象物的浓度(评价对象物)。光学式传感器1主要具备：检测用光源(第1光源)10、基准(reference)用光源(第2光源)11、对象检测部20、基台30、光检测部40(第1光检测部、第2光检测部)、以及控制运算装置50。另外，光学式传感器1的基本结构是检测用光源10、基准用光源11、对象检测部20以及光检测部40，只要至少能检测从检测用光源10射出的测定光的光强度、以及从基准用光源11射出的参考光的光强度即可。例如，控制运算装置50可以在和光学式传感器1不同的装置中具备。检测用光源10将用于测定对象物的浓度的测定光射出到光检测部40。检测用光源10具备射出测定光的射出端部10a，该射出端部10a与光检测部40对置而配置。基准用光源11将用于修正测定光的光强度的参考光射出到光检测部40，该测定光的光强度作为从检测用光源10射出的测定光照射至光检测部40的结果而得到。即，基准用光源11射出用于修正由光检测部40检测到的测定光的光强度的参考光。基准用光源11具备射出参考光的射出端部11a，该射出端部11a与光检测部40对置而配置。基准用光源11并非如检测用光源10那样为了测定对象物的浓度而射出受到对象检测部20的光学特性的变化的影响的光。为此，在基准用光源11未配置对象检测部20。换言之，从基准用光源11射出的参考光不受对象检测部20中的光学特性的变化的影响地由光检测部40检测到。另外，基准用光源11可以说是与受到对象检测部20中的光学特性的变化的影响的检测用光源10不同的光源。基准用光源11配置在与检测用光源10大致相同的周边环境。另外，检测用光源10以及基准用光源11只要配置在温度、湿度、气氛(例如大气中)等大致相同的环境下，且处于能对光检测部40照射光的位置关系即可。如此，基准用光源11由于配置在与检测用光源10大致相同的环境下，作为与检测用光源10同样的反应，能得到基准用光源11的相对于周边环境的变化的反应(与周边环境的变化相伴的光强度的变化)。另外，在图1中，为了容易实现上述配置，基准用光源11配置在检测用光源10的近旁。基准用光源11具有与检测用光源10大致相同的特性。在本实施方式中，作为基准用光源11，使用与检测用光源10相同种类、相同机型的光源。特别地，作为基准用光源11，优选使用不仅是与检测用光源10相同机型的光源、还进一步还使用与检测用光源10相同棒体(rod)的光源。换言之，基准用光源11以与检测用光源10相同原理进行发光，具有大致相同的随时间变化特性。由此，仅通过控制检测用光源10以及基准用光源11各自的点亮状态，就能检测抑制了周边环境的变化所带来的影响(优选为排除该影响的)的测定光的光强度以及参考光的光强度。另外，所谓随时间变化特性，是指输出值等的设定条件成为恒定的状态的与时间相伴的射出光的输出变化。另外，检测用光源10以及基准用光源11是分别受到控制运算装置50的控制并被施加电流来产生测定光以及参考光的元件。例如，作为检测用光源10以及基准用光源11，能使用半导体激光器或发光二极管。在使用半导体激光器的情况下，能射出输出强度高的测定光或参考光。由于通过提高输出强度，由光检测部40检测到的光量(信号)上升，因此能提升SN比(SignaltoNoiserate，信噪比)。进而，检测用光源10将受到对象检测部20中的光学特性的变化的影响的测定光(即，因对象检测部20的光学特性变化而光强度变化的测定光)射出到光检测部40。对象检测部20是提供包含对象物的样本或使包含对象物的样本接触的部分。在图1中，配置在与检测用光源10的射出端部10a不同的另一端部。另外，检测用光源10只要是能射出具有受到对象检测部20中的光学特性的变化的影响(与该光学特性的变化相伴)而变化的光强度的测定光的构成即可，例如可以在检测用光源10的侧壁的一部分配置对象检测部20。另外，对象物以及样本可以分别是固体、液体、气体的任意。对象检测部20是包含由于接受在检测用光源10产生的光而根据对象物的浓度其光学特性发生变化的材料的构成。在本实施方式中，在检测用光源10的上述另一端部成膜上述材料来形成对象检测部20。在此，所谓光学特性，是指折射率(包括实部、虚部)、透过率、反射率、吸收率这样光学的性质。例如，在对象物是氧化还原性气体的情况下，作为上述材料，能使用通过氧化还原性气体而发生氧化还原反应、其光学特性发生变化的各种氧化物半导体。另外，若作为上述材料而运用触媒材料，则由于该触媒材料对于对象物作为触媒发挥作用时产生的中间体，对象检测部20的光学特性暂时发生变化。通过检测该变化所引发的光强度，能确认对象物的存在。另外，在对象物是有机溶剂的情况下，作为上述材料，可以是通过吸收有机溶剂而膨胀、其光学特性发生变化的高分子材料。另外，如图1所示那样，被提供对象物的对象检测部20配置在检测用光源10，但未配置在基准用光源11。即，配置对象检测部20，使得由光检测部40检测到的测定光接受对象检测部20的光学特性的变化，且由光检测部40检测到的参考光不接受对象检测部20的光学特性的变化。基台30是支承检测用光源10和基准用光源11的构件。在图1中，检测用光源10以及基准用光源11针对基台30所具有的平面进行配置，使得射出端部10a以及11a分别与光检测部40对置。即，检测用光源10以及基准用光源11在相同基体(基板)的基台30相互接近而配置。另外，如上述那样，只要支承检测用光源10以及基准用光源11，使这些光源配置在大致相同环境下且成为能对光检测部40照射光的位置关系即可。即，并不一定非要基台30是具有平面的形状、并且检测用光源10以及基准用光源11被配置在相同基体，也可以由棒状的支承构件支承检测用光源10以及基准用光源11。另外，检测用光源10和基准用光源11也可以由不同的支承构件支承。基台30的材质是陶瓷或树脂等。由此，能将从检测用光源10以及基准用光源11发出的热散热。即，在作为基台30的材质而使用上述材质的情况下，能使基台30作为散热器发挥功能。在检测用光源10以及基准用光源11是半导体激光器的情况下，作为基台30，一般优选使用陶瓷的底座。在该情况下，检测用光源10以及基准用光源11通过Au-Sn系的焊料接合在基台30。光检测部40是接受从检测用光源10射出的测定光、以及从基准用光源11射出的参考光、并检测该测定光的光强度以及参考光各自的光强度的元件。例如，作为光检测部40，能使用光电二极管或光电晶体管等光电动势元件。光检测部40将表示测定光的光强度以及参考光的光强度的光信号发送给控制运算装置50。在光学式传感器1中，光检测部40能由检测从检测用光源10射出的测定光的光强度、和从基准用光源11射出的参考光的光强度的单一的光检测部实现。并不限于此，也可以分别由不同的光检测部检测测定光的光强度以及参考光的光强度。即，可以说本实施方式的光检测部40具有实施方式3的第1光检测部41以及第2光检测部42的双方的功能。控制运算装置50基于来自检测用光源10的测定光的光强度来测定对象物的浓度。特别在本实施方式中，控制运算装置50接收上述的各光信号，基于来自基准用光源11的参考光的光强度来修正来自检测用光源10的测定光的光强度，基于该修正后的光强度来测定对象物的浓度。另外，控制运算装置50针对检测用光源10以及基准用光源11进行其点亮控制(施加的电流量的控制)。关于具体的构成在后面叙述。另外，光学式传感器1如图2所示那样具备容器60。容器60是为了将包含对象物的样本提供给对象检测部20而能收容该样本的构件。在本实施方式中，容器60是在其内部具有用于提供样本的提供口、且为了使该样本与对象检测部20接触而在容器60的内部嵌合对象检测部20的一部分的密闭式容器。但并不限于该构成，例如在容器60(例如容器60的底部)设置用于对对象检测部20提供样本的孔部，该孔部只要是与对象检测部20对置而设等能将样本提供给对象检测部20的构成即可。另外，也可以取代提供口，使用其上部开放的容器。<控制运算装置的构成>接下来，基于图2来说明控制运算装置50的构成。控制运算装置50具备控制部51、存储部52以及显示部53。控制部51总括控制控制运算装置50。控制部51具备光源控制部511、光强度修正部512、浓度算出部513以及显示控制部514。光源控制部511进行检测用光源10以及基准用光源11各自的点亮控制。在本实施方式中，光源控制部511进行控制，使检测用光源10和基准用光源11在不同的定时点亮。由此，能用单一的光检测部40进行测定光的光强度以及参考光的光强度的检测。关于具体的控制方法，在后面叙述。光强度修正部512从光检测部40接收表示测定光的光强度、和参考光的光强度的光信号。然后，基于参考光的光强度来修正测定光的光强度。光强度修正部512将修正后的测定光的光强度保存到存储部52，并将该情况通知给浓度算出部513。浓度算出部513接受来自光强度修正部512的通知，基于上述修正后的测定光的光强度来算出对象检测部20中所含的对象物的浓度。浓度算出部513例如参考预先存储在存储部52的表示测定光的光强度与对象物的浓度的相关性的图表来算出对象物的浓度。另外，浓度算出部513也可以在浓度为0的情况下，判定为在对象检测部20不存在对象物。浓度算出部513将算出的对象物的浓度作为测定结果保存在存储部52，并将该情况通知给显示控制部514。显示控制部514接受来自浓度算出部513的通知，使显示部53显示上述测定结果。这时，作为测定结果，也可以显示修正后的测定光的光强度的值。存储部52存储控制部51所执行的各种控制程序、以及由光强度修正部512修正过的测定光的光强度的值、浓度算出部513算出的对象物的浓度的值等。存储部52例如由硬盘、闪速存储器等非易失性的存储装置构成。显示部(提示部)53通过显示控制部514进行的控制而显示对象物的浓度、修正后的测定光的光强度的值等，作为测定结果。作为显示部53，例如能举出打印机或显示器等。<检测用光源、基准用光源的具体的构成>接下来，基于图3来说明检测用光源10以及基准用光源11的具体的构成的一例。图3的(a)是表示检测用光源10的具体的构成的概略截面图，图3的(b)是表示基准用光源11的具体的构成的概略截面图。在本实施方式所涉及的光学式传感器1中，作为检测用光源10以及基准用光源11而使用法布里-珀罗型(Fabry-Perot)的半导体激光器(法布里-珀罗型谐振器)。该法布里-珀罗型的半导体激光器从其两端射出激光。如图3的(a)所示那样，检测用光源10具备波导路13、第1镜面14、和第2镜面15。波导路13将产生的激光分别引导到配置在检测用光源10的两端的第1镜面14和第2镜面15。若对波导路13施加(注入)电流，则在波导路13内产生光子。该光子通过第1镜面14和第2镜面15而被反复反射，在波导路13内往复，由此连锁地增加。由此，光子所形成的光波(即激光)达到谐振状态。第1镜面14以及第2镜面15相对于激光具有半透过性，使激光反射，并且使达到谐振状态的激光透过。因此，分别从第1镜面14射出达到谐振状态的第1激光16，从第2镜面15射出达到谐振状态的第2激光17。对象检测部20与第1镜面14相接地配置，并且光检测部40配置得与第2镜面15对置。例如在由于对象检测部20中存在对象物而对象检测部20的光学特性发生变化的情况下，受到其影响，第1镜面14的光学特性发生变化。由于第1镜面14的光学特性发生变化而第1镜面14的反射率发生变化。并且，由于在该反射率中出现变化，因此在上述谐振状态(激光的振荡阈值、微分效率等谐振条件)中出现变化，从而第2激光17的光强度发生变化。光检测部40通过检测透过第2镜面15的第2激光17(即测定光)的光强度，来检测与上述谐振状态的变化相伴的光强度的变化。由此，控制运算装置50能基于受到对象检测部20的光学特性的变化的影响的测定光的光强度的变化来测定对象物的浓度。如此，法布里-珀罗型的半导体激光器将因对象检测部20的光学特性变化而光强度发生变化的测定光射出到光检测部40。在将法布里-珀罗型的半导体激光器用作检测用光源10的情况下，光检测部40检测上述谐振条件的变化所引起的测定光的光强度的变化。这时的光强度变化量由于谐振状态下的法布里-珀罗型谐振器内的光学增益的效果而被放大。因此，相比于单纯对对象检测部20射出激光、在对象检测部20检测该激光反射时的反射光的光强度的变化的情况，能提升测定光的光强度的检测灵敏度。另一方面，如图3的(b)所示那样，基准用光源11的结构除了未形成对象检测部20这点以外，其他都与检测用光源10同样。即，基准用光源11分别从第1以及第2镜面14、15射出达到谐振状态的第1以及第2激光16、17。基准用光源11由于不会如检测用光源10那样出现对象物的影响所引起的上述谐振状态的变化，因此不受周边环境的变化或经年劣化以外的要因影响，输出具有一定的光强度的第2激光17(即参考光)。<光学式传感器中的动作>另外，图4是表示本实施方式所涉及的光学式传感器1的动作(检测方法)的流程图。如图4所示那样，首先，在对象检测部20中不存在对象物的状态下光学式传感器1进行工作，由光源控制部511控制检测用光源10以及基准用光源11的点亮。由此，从检测用光源10射出测定光，从基准用光源11射出参考光(S1；测定光射出步骤以及参考光射出步骤)。接下来，容器60内的样本被提供给对象检测部20，使得包含对象物的样本接触光学式传感器1的对象检测部20(S2)。另外，S1以及S2的处理也可以反过来进行，另外还可以同时进行。另外，例如，可以由控制部51进行容器60所具备的提供口的开闭控制，来进行向对象检测部20的样本提供的控制，该控制还可以手动进行。然后，光检测部40分别检测来自检测用光源10的测定光的光强度、以及来自基准用光源11的参考光的光强度，将表示它们的光强度的光信号发送给光强度修正部512(S3：测定光检测步骤、参考光检测步骤)。光强度修正部512解析这些光信号，基于参考光的光强度来修正测定光的光强度，将修正后的测定光的光强度存储到存储部52(S4)。在此，测定光的光强度不仅因对象物的浓度而变化，还因温度等检测用光源10的周边环境而变化。为此，光学式传感器1仅检测测定光的光强度，不能判断其变化是因对象物产生，还是因周边环境的变化产生。为此，光学式传感器1为了得到抑制了周边环境的变化的影响的测定光的光强度，而利用从基准用光源11射出到光检测部40的参考光的光强度。由于在基准用光源11中不受对象检测部20的光学特性的影响，因此从基准用光源11射出的参考光的光强度不会因对象物而变化。具体地，光强度修正部512例如从测定光的光强度减去不受对象检测部20的所有变化的影响的参考光的光强度。由此，消除因周边环境的变化而产生的测定光的光强度的变化，能检测因对象物而产生的测定光的光强度的变化。即，能得到抑制了周边环境的影响、与对象物的浓度相应的测定光的光强度(修正后的测定光的光强度)。另外，光强度修正部512也可以将测定光的光强度与参考光的光强度之比作为修正后的测定光的光强度的值。另外，在使用法布里-珀罗型的半导体激光器的情况下，由于在检测用光源10的第1镜面14上形成(成膜)对象检测部20，因此成为不能从检测用光源10去除对象检测部20的构成。在该情况下，不能去除对象检测部20来实施预先评价检测用光源10的状态这样的校正作业，不能修正检测用光源10的劣化所引起的光输出的变化。但在这样的构成中，通过使用从基准用光源11射出的参考光，不仅能修正检测用光源10的周边环境的变化，还能修正因检测用光源10的劣化而产生的测定光的光强度的变化。在光强度修正部512进行的测定光的光强度的修正后，浓度算出部513基于该修正后的测定光的光强度来算出对象检测部20中所含的对象物的浓度(S4)。然后，显示控制部514将浓度算出部513算出的对象物的浓度作为测定结果，使显示部53显示(S6)。另外，作为该测定结果，也可以将上述修正后的测定光的光强度显示在显示部53。另外，在上述动作流程中，在S1中，射出测定光以及参考光，在S3中，检测该测定光的光强度以及该参考光的光强度，但并不限于该动作流程。例如，也可以(1)对象物被提供给对象检测部20；(2)从检测用光源10射出测定光，在检测该测定光的光强度后；(3)从基准用光源11射出参考光，检测该参考光的光强度。另外，上述(2)以及(3)的步骤可以反过来，可以是上述(3)、(1)以及(2)的顺序。<光源控制部511进行的点亮控制>接下来，基于图5来说明光源控制部511进行的点亮控制。图5是表示光源控制部511进行的点亮控制的一例的时序图。在本实施方式中，由单一的光检测部40检测测定光的光强度以及参考光的光强度。为此，在从检测用光源10以及基准用光源11分别在相同定时射出测定光以及参考光的情况下，光检测部40在相同定时检测测定光的光强度以及参考光的光强度，因此成为检测这些光强度的合计值的情况。在该情况下，存在光强度修正部512不能掌握是测定光的光强度，还是参考光的光强度的可能性。为了避免该现象，光源控制部511如图5所示那样进行检测用光源10以及基准用光源11的点亮控制。如图5所示那样，在第1个区间，检测用光源10为点亮状态，基准用光源11为熄灭状态。因此，由于在该区间照射到光检测部40的光是从检测用光源10射出的测定光，因此光检测部40检测测定光的光强度。另一方面，在下一区间，检测用光源10为熄灭状态，基准用光源11为点亮状态。因此，由于在该区间照射到光检测部40的光是从基准用光源11射出的参考光，因此光检测部40检测参考光的光强度。另外，光源控制部511与该点亮的切换定时相匹配地，将表示处于点亮的光源的光源信息通知给光强度修正部512。由此，光强度修正部512能掌握接收到表示从哪个光源射出的光的光强度的光信号。通过以光源控制部511的控制来重复这种动作，能由单一的光检测部40独立地实时检测测定光的光强度以及参考光的光强度的变化。通过采用该构成，由于不需要设置多个光检测部40，因此能提供廉价的光学式传感器1。另外，优选光源控制部511使检测用光源10和基准用光源11的各区间中的点亮时间一致。在该情况下，由于能使检测用光源10和基准用光源11的累积点亮时间大致相同，因此随着光学式传感器1的使用，检测用光源10和基准用光源11大致同样地劣化。即，通过光源控制部511将上述累积点亮时间控制得成为大致相同，能使检测用光源10和基准用光源11的经年劣化的状态大致相同。为此，通过光强度修正部512进行的测定光的光强度的修正，还能抑制因检测用光源10的劣化而产生的测定光的光强度的变化的影响。<本实施方式的光学式传感器与现有技术的相异点>在专利文献1的技术中，测定芯片和基准芯片相同，仅有检测对象的样本是包含被检体(测定芯片)，还是仅包含溶媒(基准芯片)不同。另外，在专利文献2的技术中，将多个光学元件所具备的波导路的一部分用作基准用，波导路自身的构成没有测定用和基准用这样的差异。如此，在专利文献1以及2的技术中，不是如下的构成：具备根据对象物的浓度而光学特性发生变化的对象检测部20，从检测用光源10射出的测定光的光强度受到该光学特性的变化的影响而由光检测部40检测，另一方面，从基准用光源11射出的参考光的光强度不受该影响而由光检测部40检测。即，在这些技术中，并非根据对象物的浓度而光源射出的测定光的光强度变化。受到对象物所引起的影响的在专利文献1的发明中是测定芯片所具备的金属膜以及电介质块，在专利文献2的发明中是光学元件。另外，如作为本实施方式的检测用光源10使用例如半导体激光器的情况那样，在专利文献1以及2的技术中所用的光源中，没有本实施方式所涉及的光学式传感器1所具备的射出受到对象检测部20的光学特性的影响的测定光的检测用光源10、和射出不受该影响的参考光的基准用光源11这样的差异。进而在本实施方式中，对象物所引起的光学特性的变化的影响波及到检测用光源10，在专利文献1以及2的技术中，光源不受对象物的影响。另外，一般会出现光源的周边环境的变化所引起的输出变动(短期的输出变动)、或者光源的元件寿命或劣化所引起的输出变动(长期的输出变动)。即，在光源中出现与对象物的浓度相应的光学特性的变化的影响以外的外部要因所引起的输出变动。为此，一般实施用于抑制该输出变动的各种对策。具体地，作为针对上述短期的输出变动的应对策略，能举出追加将光源的周边环境保持为恒定的装置。例如，在作为光源而使用半导体激光器的情况下，为了将半导体激光器的温度保持为恒定，将帕耳帖元件等温度调整元件追加到光学式传感器，始终需要该温度调整元件进行的温度调整。另外，在作为光源使用卤素灯或发光二极管的情况下，需要将散热片或风扇等冷暖气装置追加到光学式传感器。在该情况下，冷暖气装置通过进行常时恒定的冷却、和测定光的光强度检测前的充分的暖机，来使光源的周边环境稳定化。但在将上述的温度调整元件或冷暖气装置追加到光学式传感器的情况下，出现如下等问题：(1)光学式传感器大型化、高成本化；(2)会额外消耗用于使上述的装置动作的电力；(3)在进行暖机的情况下，在暖机中不能使光学式传感器动作。另外，作为针对上述长期的输出变动的应对策略，能举出在测定光的光强度检测前(即，对象物的浓度测定)进行校正作业来取得基准信号。通过以基准信号为基准来修正测定光的光强度，能抑制上述长期的输出变动的影响。但由于需要定期的校正作业，因此在校正作业中不能使用光学式传感器。即，出现不能免维护且不能长时间实施实时的测定光的光强度的检测这样的问题。在本实施方式中，如上述那样，光学式传感器1具备：光学特性根据对象物的浓度而发生变化的对象检测部20；射出用于测定对象物的浓度的测定光的检测用光源10；和检测与对象检测部20的光学特性的变化相伴而变化的测定光的光强度的光检测部40。换言之，具备：产生用于测定对象物的浓度的测定光的检测用光源10；根据对象物的浓度而光学特性发生变化来给检测用光源10所产生的测定光的光强度带来影响的对象检测部20；和检测与对象检测部20的光学特性的变化相伴而变化的测定光的光强度的光检测部40。并且，具备位于与检测用光源10相同环境下的基准用光源11，使用从基准用光源11射出的不受对象检测部20的光学特性的变化的影响的参考光来修正测定光的光强度。为此，在本实施方式中，不进行用于抑制上述短期的输出变动以及长期的输出变动的各种对策(追加用于将光源的周边环境保持为恒定的装置、测定光的光强度检测前取得基准信号)地修正测定光的光强度，能精度良好地测定对象物的浓度。〔实施方式2〕若基于图6对本发明的其他实施方式进行说明，则如以下那样。另外，为了说明的方便，对具有与上述实施方式中说明的构件相同功能的构件，附记相同标号，省略其说明。图6是表示光学式传感器2的概略构成的示意图。光学式传感器2如图6所示那样具备：检测用光源10、基准用光源11、对象检测部20、虚拟对象检测部21、基台30、光检测部40、以及控制运算装置50。本实施方式与实施方式1的不同点在于：在基准用光源11中配置虚拟对象检测部21。虚拟对象检测部21是具有与不存在对象物的环境下的对象检测部20大致相同的光学特性的构件。换言之，虚拟对象检测部21是其光学特性不因对象物而变化、或相比于对象检测部20其变化少的构件。作为虚拟对象检测部21的材料，例如能使用化学上稳定的氧化物或氮化物等难以受到周边环境的变化的影响、对象物的提供所带来的影响等的材料。虚拟对象检测部21在图6中配置在基准用光源11的不同于与光检测部40对置的端部的另一端部。另外，基准用光源11若是能射出受到虚拟对象检测部21中的光学特性的变化的影响的参考光的构成，则也可以例如在基准用光源11的侧壁的一部分配置虚拟对象检测部21。另外，虚拟对象检测部21优选配置在容器60的外部。在该情况下，由于能防止对象物被提供给虚拟对象检测部21，因此能可靠地抑制对象物的存在所引起的虚拟对象检测部21的光学特性的变化。另外，并不限于上述配置，也可以设置防止对象物的提供的防止构件来覆盖虚拟对象检测部21的周围。墓准用光源11和实施方式1同样不受对象检测部20中的光学特性的变化的影响，但将受到虚拟对象检测部21中的光学特性的变化的影响的参考光射出到光检测部40。即使在对象检测部20中不存在对象物的环境下，也由于对象检测部20例如受到周边环境等的影响，其光学特性发生变化，因此从对象检测部20射出的测定光的光强度也变化。在光学式传感器2中，通过具备虚拟对象检测部21，基准用光源11能够将具有与对象检测部20中不存在对象物的环境下受到对象检测部20中的光学特性的变化的影响的测定光的光强度更接近的光强度的参考光射出到光检测部40。特别在检测用光源10以及基准用光源11是上述的法布里-珀罗型的半导体激光器的情况下，在对象检测部20中不存在对象物的环境下，能使检测用光源10以及基准用光源11各自的谐振条件大致一致。如此，光学式传感器2由于能使对象检测部20中不存在对象物的环境下的测定光的光强度以及参考光的光强度更一致，因此能进一步提升测定光的光强度的修正精度。〔实施方式3〕若基于图7对本发明的其他实施方式进行说明，则如以下那样。另外，为了说明的方便，对具有与所述实施方式中说明的构件相同功能的构件，附记相同标号，省略其说明。图7是表示本实施方式所涉及的光学式传感器3的概略构成的示意图。光学式传感器3如图7所示那样具备检测用光源10、基准用光源11、对象检测部20、基台30、第1光检测部41、第2光检测部42、以及控制运算装置50。在本实施方式中，在取代光检测部40而具备第1光检测部41以及第2光检测部42这点上与实施方式1以及2不同。即，在实施方式1以及实施方式2中，由单一的光检测部40检测从检测用光源10射出的测定光的光强度、和从基准用光源11射出的参考光的光强度。另一方面，本实施方式分别由不同的光检测部来检测测定光的光强度以及参考光的光强度。第1光检测部41是接受从检测用光源10射出的测定光、检测测定光的光强度的元件。第1光检测部41配置得与检测用光源10的射出端部10a对置，将表示检测到的测定光的光强度的光信号发送给控制运算装置50。另一方面，第2光检测部42是接受从基准用光源11射出的参考光、检测参考光的光强度的元件，将表示检测到的参考光的光强度的光信号发送给控制运算装置50。第1光检测部41配置得与检测用光源10的射出端部10a对置。另外，第1光检测部41以及第2光检测部42与光检测部40同样，能使用光电二极管以及光电晶体管等光电动势元件。如此，在光学式传感器3中，分别由不同的光检测部检测测定光的光强度和参考光的光强度。由此，在本实施方式中，在光源控制部511(参考图2)控制成使检测用光源10以及基准用光源11始终点亮的情况下，也能分别独立检测测定光的光强度以及参考光的光强度。即，也可以不像实施方式1那样，为了检测测定光的光强度以及参考光的光强度而控制为在不同的定时点亮(图5所示的脉冲点亮)检测用光源10以及基准用光源11。由此，相比于使检测用光源10以及基准用光源11进行脉冲点亮的情况，能使光源控制部511的点亮控制单纯化。另外，相比于使其进行脉冲点亮的情况，使其始终点亮的情况能增大对第1光检测部41以及第2光检测部42分别射出的测定光的光强度以及参考光的光强度。为此，能提升测定光以及参考光各自的SN比。另外，在本实施方式中，优选在不使检测用光源10和基准用光源11始终点亮的情况下，光源控制部511进行检测用光源10以及基准用光源11的点亮控制，使得检测用光源10和基准用光源11的点亮定时以及熄灭定时一致。在该情况下，由于能使检测用光源10以及基准用光源11的累积点亮时间大致相同，因此随着光学式传感器3的使用，检测用光源10和基准用光源11大致同样地劣化。即，通过将上述累积点亮时间控制得大致相同，能使检测用光源10和基准用光源11的经年劣化的状态大致相同。由此，和实施方式1同样，能抑制因检测用光源10的劣化而产生的测定光的光强度的变化的影响。另外，用于使累积点亮时间大致相同的点亮控制并不限于上述，也可以如图5所示那样，是交替进行检测用光源10以及基准用光源11的点亮控制的构成。〔实施方式4〕若基于图8以及图9对本发明的其他实施方式进行说明，则如以下那样。另外，为了说明的方便，对具有与所述实施方式中说明的构件相同功能的构件，附记相同标号，省略其说明。图8是表示本实施方式所涉及的光学式传感器4的概略构成的示意图。光学式传感器4如图8所示那样具备单片型半导体激光器12、对象检测部20、基台30、光检测部40、以及控制运算装置50。在本实施方式中，检测用光源10以及基准用光源11不是分体，而是由具备这2个功能的单一的半导体激光器(单片型半导体激光器12)实现，在这点上与实施方式1～3不同。图9中示出表示单片型半导体激光器12的概略构成的示意图。如图9所示那样，单片型半导体激光器12通过在单一的芯片123上形成(制作)第1半导体激光元件121以及第2半导体激光元件122而构成。单片型半导体激光器一般作为例如光盘的记录再现装置用的半导体激光器来使用。第1半导体激光元件121以及第2半导体激光元件122分别成为能独立射出激光的构成，如图8所示那样具备射出激光的射出端部121a以及122a。由此，第1半导体激光元件121以及第2半导体激光元件122接受光源控制部511(参考图2)的控制，作为独立的光源而发挥功能。在本实施方式中，第1半导体激光元件121具有检测用光源10的功能，第2半导体激光元件122具有基准用光源11的功能。在该情况下，射出端部121a是射出测定光的端部，射出端部122a是射出参考光的端部。另外，并不限于该构成，在第2半导体激光元件122具有检测用光源10的功能的情况下，第2半导体激光元件122作为基准用光源11而发挥功能。如图8所示那样配置第1半导体激光元件121以及第2半导体激光元件122，使得射出端部121a以及122a分别与光检测部40对置。另外，在作为检测用光源10发挥功能的第1半导体激光元件121的不同于射出端部121a的另一端部配置对象检测部20。在第1半导体激光元件121以及第2半导体激光元件122成为与法布里-珀罗型的半导体激光器(参考图3)同样的结构的情况下，与配置于上述另一端部的第1镜面14对置地配置对象检测部20。另一方面，未在作为基准用光源11发挥功能的第2半导体激光元件122配置对象检测部20。即，在本实施方式中，也与实施方式1同样，从作为检测用光源10发挥功能的第1半导体激光元件121射出受到对象检测部20的光学特性的影响的测定光。另一方面，从作为基准用光源11发挥功能的第2半导体激光元件122射出不受对象检测部20的光学特性的影响的参考光。并且，由光检测部40检测这些测定光以及参考光。如此，在光学式传感器4中，由单片型半导体激光器12实现检测用光源10以及基准用光源11。即，在光学式传感器4中，由于第1半导体激光元件121以及第2半导体激光元件122配置在单一的芯片123上，因此能使第2半导体激光元件122(基准用光源11)的周边环境与第1半导体激光元件121(检测用光源10)的周边环境严密一致。由此能使周边环境的变化所引起的测定光的光强度和参考光的光强度的变化大致相同，能从测定光的光强度更可靠地抑制周边环境的影响。即，能更加提升测定光的光强度的修正精度。另外，也可以与实施方式2同样，构成为在作为基准用光源11发挥功能的第2半导体激光元件122的不同于射出端部122a的另一端部具备虚拟对象检测部21。〔实施方式5〕对本发明的其他实施方式进行说明。另外，为了说明的方便，对具有与所述实施方式中说明的构件相同功能的构件，附记相同标号，省略其说明。在实施方式1～4中，作为检测用光源10以及基准用光源11而使用相同种类或相同机型的光源。作为在本实施方式中，说明作为检测用光源10以及基准用光源11而使用相互不同种类或机型的光源的情况。另外，作为本实施方式的光学式传感器，可以是光学式传感器1～4中任一项的构成。在此，所谓光源的种类不同，是指发光原理不同，例如能举出作为检测用光源10而使用半导体激光器、作为基准用光源11而使用发光二极管的情况。另外，所谓光源的机型不同，是指虽然发光原理相同，但其结构、材质等不同的情况。例如是指作为检测用光源10以及基准用光源11而使用激光的振荡波长相互不同的半导体激光器的情况。在本实施方式中，例如作为具有由上述不同的机型所构成的检测用光源10以及基准用光源11的光源，能够使用CD、DVD用的2波长单片型半导体激光器(例如激光的振荡波长：660nm以及780nm)。该2波长单片型半导体激光器作为光盘的记录再现装置用而大量生产，是实现了低成本化的光源。在检测用光源10以及基准用光源11的种类或机型相互不同的情况下，测定光的光强度以及参考光的光强度相对于周边环境的变化而示出不同的光强度的变化。为此，在单纯使用参考光的光强度修正了测定光的光强度的情况下，有可能无法进行消除因周边环境的变化而发生的测定光的光强度的变化的修正。为此，在本实施方式中，在对对象检测部20提供对象物前，光检测部40预先检测因周边环境的变化而发生的测定光的光强度以及参考光的光强度的变化。光强度修正部512(参考图2)基于该参考光的光强度的变化来推测检测用光源10的周边环境。具体地，光强度修正部512将与周边环境(例如温度)的变化相应的、测定光的光强度的变化和参考光的光强度的变化存储到存储部52。然后，通过参考存储部52来选择与向对象检测部20提供对象物后检测到的参考光的光强度对应的测定光的光强度，作为用于修正的参考光的光强度(估计参考光强度)。光强度修正部512使用该估计参考光强度来修正在向对象检测部20提供对象物后检测到的测定光的光强度。由此，在检测用光源10和基准用光源11的种类或机型相互不同的情况下，也能抑制周边环境的影响，从而精度良好地修正测定光的光强度。〔实施方式6〕若基于图10对本发明的其他实施方式进行说明，则如以下那样。另外，为了说明的方便，对具有与所述实施方式中说明的构件相同功能的构件，附记相同标号，省略其说明。图10是表示光学式传感器5的概略构成的示意图。光学式传感器5如图10所示那样具备检测用光源10、基准用光源11、对象检测部20、基台30、光检测部40、以及控制运算装置50。在实施方式1中，主要说明作为检测用光源10以及基准用光源11而使用半导体激光器的情况。在本实施方式中，说明在检测用光源10以及基准用光源11使用发光二极管的情况的具体的构成。在本实施方式中，对象检测部20配置在检测用光源10与光检测部40之间(测定光的光路上)。从检测用光源10射出的测定光入射到对象检测部20，由于受到对象检测部20的光学特性的变化的影响而其光强度发生变化。该光强度发生变化的测定光(透过对象检测部20的测定光)入射到光检测部40，由光检测部40检测该光强度。即，检测用光源10也可以说是将具有受到对象检测部20中的光学特性(透过率)的变化的影响的光强度的测定光射出到光检测部40的构成。另一方面，在基准用光源11与光检测部40之间(参考光的光路上)不配置对象检测部20。从基准用光源11射出的参考光不透过对象检测部20，直接入射到光检测部40，由光检测部40检测其光强度。即，基准用光源11成为将具有不受对象检测部20中光学特性(透过率)的变化的影响的光强度的参考光射出到光检测部40的构成。另外，检测用光源10的射出端部10a与对象检测部20(即光检测部40)对置地被基台30支承，并且基准用光源11的射出端部11a与光检测部40对置地被基台30支承。在图10中，配置检测用光源10以及基准用光源11，使得与射出端部10a以及11a相反侧(发光二极管的基板侧)与基台30所具有的平面对置。但并不限于此，也可以与实施方式1同样地支承这些光源，使得检测用光源10以及基准用光源11配置在大致相同的环境下，且成为能对光检测部40照射光的位置关系。另外，在本实施方式中，优选作为基台30使用树脂制的基板。在该情况下，检测用光源10以及基准用光源11通过一般的焊料(例如Sn-Pb系的焊料)与基台30接合。在以上的构成中，通过进行与实施方式1中的光学式传感器1同样的动作，在检测用光源10以及基准用光源11中使用发光二极管的情况下，也能通过利用参考光的光强度修正测定光的光强度来精度良好地测定对象物的浓度。〔实施方式7〕若基于图11对本发明的其他实施方式进行说明，则如以下那样。另外，为了说明的方便，对具有与所述实施方式中说明的构件相同功能的构件，附记相同标号，省略其说明。图11是表示光学式传感器6的概略构成的示意图。光学式传感器6如图11所示那样具备检测用光源10、基准用光源11、对象检测部20、虚拟对象检测部21、基台30、光检测部40、以及控制运算装置50。在实施方式2中，主要说明了作为检测用光源10以及基准用光源11而使用半导体激光器的情况。在本实施方式中，说明在检测用光源10以及基准用光源11中使用发光二极管的情况的具体的构成。检测用光源10、对象检测部20以及光检测部40的位置关系与实施方式6相同。另一方面，在光学式传感器6中，在基准用光源11与光检测部40之间(参考光的光路上)配置虚拟对象检测部21。由此，由于在检测用光源10以及基准用光源11中使用发光二极管的情况下，也与实施方式2的光学式传感器2同样，光学式传感器6能使对象检测部20中不存在对象物的环境下的测定光的光强度以及参考光的光强度更一致，因此能进一步提升测定光的光强度的修正精度。〔变形例〕如实施方式1～5那样，在作为检测用光源10以及基准用光源11而使用半导体激光器的情况下，在对象物中包含液体的情况下，需要基准用光源11的前端面(上述另一端部)和对象检测部20一起接触到上述液体。在图1中，由于基准用光源11的前端面、和基台30的前端面位于相同平面上，因此在基准用光源11的前端面接触到对象部的液体时，基台30的前端面也接触到该液体。若考虑基台30的前端面不需要接触到上述液体，则优选基准用光源11的前端面比基台30的前端面突出。在该情况下，也可以将基准用光源11配置在基台30，使得在图1中的包含对象检测部20的前端面(与检测用光源10所对置的表面相反侧的表面)的平面上包含基准用光源11的前端面。另外，关于检测用光源10，也可以从基台30的前端面突出地配置在基台30。另外，在基台30作为散热器发挥功能的情况下，若使检测用光源10或基准用光源11从基台30的前端面突出，则其分散热性降低。若考虑这点，则优选将这些光源配置在基台30，使得在包含基台30的前端面的平面上包含检测用光源10的前端面以及基准用光源11的前端面。另外，作为实施方式3的检测用光源10以及基准用光源11，也可以使用实施方式5以及6的发光二极管。即，也可以设置第1光检测部41以及第2光检测部42，使得分别与由发光二极管分别构成的检测用光源10以及基准用光源11的射出端部10a以及11a对置。〔基于软件的实现例〕控制运算装置50的控制模块(特别是控制部51的光源控制部511、光强度修正部512、浓度算出部513以及显示控制部514)既可以由形成为集成电路(IC芯片)等的逻辑电路(硬件)实现，也可以使用CPU(CentralProcessingUnit，中央处理器)通过软件实现。在后者的情况下，控制运算装置50具备：执行实现各功能的软件即程序的命令的CPU；计算机(或CPU)可读地记录上述程序以及各种数据的ROM(ReadOnlyMemory，只读存储器)或存储装置(将它们称作“记录介质”)；将上述程序展开的RAM(RandomAccessMemory，随机存取存储器)等。然后，通过计算机(或CPU)从上述记录介质读取上述程序并执行，来达成本发明的目的。作为上述记录介质，能使用“非临时的有形的介质”，例如带、盘、卡、半导体存储器、可编程的逻辑电路等。另外，上述程序也可以经由能传输该程序的任意的传输介质(通信网络或广播波等)提供给上述计算机。另外，本发明还能以通过将上述程序电子传输而具现化的嵌入载波的数据信号的形态实现。〔汇总〕本发明的方式1所涉及的光强度检测装置(光学式传感器1～6)具备：光学特性根据对象物的浓度而发生变化的对象检测部(20)；射出用于测定上述对象物的浓度的测定光的第1光源(检测用光源10)；检测与上述对象检测部的光学特性的变化相伴而变化的上述测定光的光强度的第1光检测部(光检测部40、第1光检测部41)；射出用于修正由上述第1光检测部检测到的上述测定光的光强度的参考光的第2光源(基准用光源11)；和检测上述参考光的光强度的第2光检测部(光检测部40、第2光检测部42)，从上述第2光源射出的参考光的光强度不受上述光学特性的变化的影响地由上述第2光检测部检测，上述第1光源以及上述第2光源配置在相同的环境下。进而，本发明的方式8所涉及的检测方法包括：第1光源(检测用光源10)射出用于测定对象物的浓度的测定光的测定光射出步骤(S1)；第1光检测部(光检测部40、第1光检测部41)检测光学特性根据上述对象物的浓度而发生变化的对象检测部的与该光学特性的变化相伴而变化的上述测定光的光强度的测定光检测步骤(S3)；配置在与上述第1光源相同环境下的第2光源(基准用光源11)射出用于修正由上述第1光检测部检测到的上述测定光的光强度的参考光的参考光射出步骤(S1)；第2光检测部(光检测部40、第2光检测部42)不受上述光学特性的变化的影响地检测上述参考光的光强度的参考光检测步骤(S3)。根据上述的构成，从第1光源射出的测定光的光强度与对象检测部的光学特性的变化相伴而变化。第1光检测部检测与该光学特性的变化相伴而变化的测定光的光强度。如此，通过检测测定光的光强度的变化，能检测对象物的浓度。在此，一般，测定光的光强度的变化不仅由与对象物的浓度相应的对象检测部的光学特性的变化引起而出现，还由周边环境的变化所带来的该光学特性的变化引起而出现。因此，在从第1光检测部检测到的测定光的光强度测定对象物的浓度的情况下。若不抑制上述周边环境的变化所带来的光学特性的变化的影响，则有可能作为对象物的浓度而不能测定到正确的值。根据本发明的1个方式，从第2光源射出用于修正由第1光检测部检测到的测定光的光强度的参考光，由第2光检测部检测该参考光的光强度。由此能使用参考光的光强度来修正测定光的光强度。并且，上述参考光的光强度不受对象检测部中的光学特性的变化的影响。另外，第1光源以及第2光源配置在相同的环境下。由此，能将参考光的光强度作为尽可能排除了周边环境的变化的影响的对象检测部中不存在对象物的环境下的测定光的光强度来使用。为此，通过使用参考光的光强度来修正测定光的光强度，能抑制周边环境的变化的影响来求取与对象物的浓度相应的测定光的光强度。因此，通过使用上述参考光的光强度来修正测定光的光强度，能精度良好地测定对象物的浓度。本发明的方式2所涉及的光强度检测装置优选在方式1的基础上，上述第1光源射出因上述对象检测部的光学特性的变化而光强度发生变化的光，作为上述测定光。根据上述的构成，在第1光检测部检测从第1光源射出的具有因对象检测部的光学特性的变化而发生变化的光强度的测定光的光强度。在构成中，也能通过使用参考光的光强度修正测定光的光强度，来检测对象物的浓度。进而，本发明的方式3所涉及的光强度检测装置优选在方式1或2的基础上，上述第1光源以及上述第2光源是以相同原理发光的光源，对上述第1光源以及上述第2光源进行点亮控制，以使累积点亮时间一致。根据上述的构成，能使与第1光源以及第2光源的时间的经过相应的劣化状态大致相同。为此，能抑制第1光源的劣化所引起的测定光的光强度的变化，能精度良好地检测与对象物的浓度相应的测定光的光强度。进而，本发明的方式4所涉及的光强度检测装置优选在方式1到3的任一者的基础上，上述第2光源配置得与上述第1光源接近。根据上述的构成，能容易地将第1光源以及第2光源配置在相同的周边环境下。进而，本发明的方式5所涉及的光强度检测装置优选在方式1到4的任一者的基础上，上述第1光源以及上述第2光源由单片型半导体激光器(12)实现。根据上述的构成，能容易地实现将第1光源以及第2光源接近配置的构成。因此，能将第1光源以及第2光源可靠地配置在相同周边环境下。进而，本发明的方式6所涉及的光强度检测装置优选在方式1到5的基础上，上述第1光检测部以及上述第2光检测部是单一的光检测部(40)，上述第1光源以及上述第2光源在不同的定时被点亮控制。一般，在将第1光源以及第2光源在相同定时点亮的情况下，单一的光检测部由于在相同定时检测测定光的光强度以及参考光的光强度，因此不能在光强度检测装置中掌握是测定光的光强度，还是参考光的光强度，不能进行利用了参考光的光强度的对测定光的光强度的修正。根据上述的构成，第1光源以及第2光源由于在不同的定时被点亮控制，因此能避免上述那样的事态。因此，即使是单一的光检测部，也能独立检测测定光的光强度以及参考光的光强度。另外，由于不需要设置多个光检测部，因此能提供廉价的光学式传感器。进而，本发明的方式7所涉及的光强度检测装置优选在方式1到6的任一者的基础上，具备具有与不存在上述对象物的环境下的上述对象检测部相同光学特性的虚拟对象检测部(21)，从上述第2光源射出的光强度受到上述虚拟对象检测部的光学特性的影响而由上述光检测部进行检测。根据上述的构成，第2光源射出受到具有与不存在对象物的环境下的对象检测部相同光学特性的虚拟对象检测部的光学特性的影响的光强度的参考光。为此，第2光源能射出具有与不存在对象物的环境下的受到对象检测部中的光学特性的变化的影响的测定光的光强度更接近的光强度的参考光。因此，光强度检测装置由于能使用上述参考光的光强度来修正测定光的光强度，因此能提升该修正精度。进而，本发明的各方式所涉及的光强度检测装置可以由计算机实现，在该情况下，通过使计算机作为上述光强度检测装置所具备的各单元并进行动作来使计算机实现上述光强度检测装置的光强度检测装置的光强度修正控制程序、以及记录其的计算机可读取的记录介质也纳入本发明的范畴。〔本发明的另外表现〕本发明能如以下那样表现。(A)本发明的1个方式所涉及的光学式传感器系统(光强度检测装置)具备检测用光源、对象检测部、以及光检测部，通过测定反映因检测对象发生的上述对象检测部中的光学特性的变化而发生变化的从上述检测用光源输入到上述光检测部的光信号，来检测上述检测对象，该光学式传感器系统构成为，还具备配置在上述检测用光源的近旁、处在大致相同周边环境下的基准用光源，基于从上述对象检测部中的光学特性变化所带来的影响不同于上述检测用光源的上述基准用光源入射到上述光检测部的光信号，来修正从上述检测用光源输入到上述光检测部的光信号的测定结果。(B)本发明的1个方式所涉及的光学式传感器系统也可以在上述(A)的基础上，上述检测用光源和上述基准用光源分别是具有大致相同随时间变化特性的光源，使累积点亮时间大致一致。(C)本发明的1个方式所涉及的光学式传感器系统也可以在上述(A)或(B)的基础上，上述检测用光源以及上述基准用光源是半导体激光器，接合在相同基体上。(D)本发明的1个方式所涉及的光学式传感器系统也可以在上述(C)的基础上，是上述检测用光源和上述基准用光源制作在1个芯片上的单片型半导体激光器。(E)本发明的1个方式所涉及的光学式传感器系统也可以在上述(A)～(D)的任一者的基础上，使上述检测用光源和上述基准用光源在不同的定时点亮，能由1个上述光检测部独立评价上述检测用光源和上述基准用光源的光信号。(F)本发明的1个方式所涉及的光学式传感器系统也可以在上述(A)～(E)的任一者的基础上，具备虚拟对象检测部，其在不存在上述检测对象的环境下具有与上述对象检测部大致相同的光学特性，上述检测对象所引起的光学特性变化少或没有，在从上述基准用光源输入的光信号中反映上述虚拟对象检测部的光学特性。(G)本发明的1个方式所涉及的光学式传感器系统中的检测方法中，使用检测用光源、对象检测部、以及光检测部来检测反映因检测对象发生的上述对象检测部中的光学特性的变化而变化的从上述检测用光源输入到上述光检测部的光信号，从而检测上述检测对象，进一步使用配置在上述检测用光源的近旁、处于大致相同周边环境下的基准用光源，基于从上述对象检测部中光学特性变化所带来的影响不同于上述检测用光源的上述基准用光源输入到上述光检测部的光信号，来修正从上述检测用光源输入到上述光检测部的光信号的测定结果。本发明并不限定于上述的各实施方式，能在权项所示的范围内进行各种变更，关于将在不同的实施方式中分别公开的技术手段适宜组合而得到的实施方式，也包含在本发明的技术的范围中。进而，通过将各实施方式中分别公开的技术手段组合，能形成新的技术特征。产业上的利用可能性本发明能够用于进行利用光的对象物的浓度测定的测定装置等中。标号的说明1光学式传感器(光强度检测装置)2光学式传感器(光强度检测装置)3光学式传感器(光强度检测装置)4光学式传感器(光强度检测装置)5光学式传感器(光强度检测装置)6光学式传感器(光强度检测装置)10检测用光源(第1光源)11基准用光源(第2光源)12单片型半导体激光器(第1光源、第2光源)20对象检测部21虚拟对象检测部40光检测部(第1光检测部、第2光检测部)41第1光检测部42第2光检测部121第1半导体激光元件(第1光源、第2光源)122第2半导体激光元件(第2光源、第1光源)